CN111405766A - Cof产品的工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了COF产品的工艺，涉及柔性印刷电路的加工制造技术领域；为了提高加工精密度；具体包括基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；在基材的上表面贴合柔性薄膜；在柔性薄膜上沉积金属层。本发明COF材料的精度可达到6.5~16umIC，COF的线距可达到3um，加工精度高，减少了加工工序，大大节约了改造成本，同时降低了COF挠性基板的加工成本，可以在现有的减成法基础上进行生产线改造，可以实现精度媲美加成法的超精细COF电路制造，成本低廉，效率高。
Description
技术领域
本发明涉及柔性印刷电路的加工制造技术领域，尤其涉及COF产品的工艺。
背景技术
COF常称覆晶薄膜，将驱动IC固定于柔性线路板上晶粒软膜构装技术，是运用软质附加电路板作封装芯片载体将芯片与软性基板电路接合的技术，随着电子、通讯产业的发展，液晶及等离子等平板显示器的需求与日剧增，这些产品都是以轻、薄、短、小为发展趋势的，这就要求必须有高密度、小体积、能自由安装的新一代封装技术来满足以上需求，而COF技术正是在这样的背景下迅速发展壮大，成为LCD、PDP等平板显示器的驱动IC的一种主要封装形式，进而成为这些显示模组的重要组成部分，COF封装模块的重要组成部分如COF挠性基板的需求日益增加，由于驱动IC集成度的提高使I/O端的间距趋于微细，所以COF挠性基板的线宽线距需要与驱动IC的封装相适应，因此，超精细线路的COF挠性基板已经成为研究热点。
经检索，中国专利申请号为CN201210108183.X的专利，公开了一种COF挠性印刷电路板的制作方法，包括以下步骤：先减成法、再半加成的方法，即先采用较厚的铜单面板例如12um蚀刻减薄至一定厚度，再利用半加成法在图形线路区域电镀铜至预定的厚度，然后再进行后续工序。上述专利中的COF挠性印刷电路板的制作方法存在以下不足：虽低成本改造COF挠性基板，但加工精密度不高，制备过程较为繁琐。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的COF产品的工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
COF产品的工艺，包括如下步骤：
S1：基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；
S2：图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；
S3：在基材的上表面贴合柔性薄膜；
S4：在柔性薄膜上沉积金属层；
S5：集成电路成型：使用LCD曝光蚀刻工艺，根据已经转移到基材上的图形，将金属层图案化，涂一层湿膜，使集成电路成型并固化，形成金属走线层；
S6：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；
S7：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜，保护线路已绝缘和避免集成电路表面受到损伤；
S8：将芯片键合在金属走线层上；
S9：将基材与柔性薄膜分离，然后去掉基材，获得所需的COF材料；
S10：将成卷或拼板中的COF分切成单个；
S11：测试加工好的COF基板，检测合格后进行封装，得到成品。
优选地：所述S1中基材可以为玻璃基板，也可以使用补强板。
优选地：所述S2中图形转移，包括如下步骤：
S21：在已经经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；
S22：根据基材上预设的定位点，进行定位；
S23：使用经过调制的高斯光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。
优选地：所述S3中柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC，PI、PET、TAC三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定。
优选地：所述S5中金属走线层使用钼锂钼和铜制程。
优选地：所述S5中集成电路成型，还包括如下步骤：
S31：为采用蚀刻液沿S2中已经转移到基材上的电路图案进行进一步加深直至成型；
S32：使用脱膜药水将残余的光致抗蚀层溶解并进行清洗。
优选地：所述S7中保护膜可以采用油墨、聚酰亚胺、PET、PEN、LCP、PEEK和PTFE超薄膜材料压膜进行保护。
本发明的有益效果为：COF材料的精度可达到6.5~16umICpitch，COF的线距可达到3um，加工精度高，减少了曝光和显影工序，不需要使用掩膜，采用本发明的工艺，不需要增加新的设备，由于减少了曝光显影工序，采用高斯激光直接光刻，可以轻易得到小于7μm的干净露铜蚀刻沟道，最终经过蚀刻工序后得到线距小于15μm的线距，极限情况下可以甚至可以得到2μm的线距，加工精度可以与加成法相媲美，减少了加工工序，大大节约了改造成本，同时降低了COF挠性基板的加工成本，可以在现有的减成法基础上进行生产线改造，可以实现精度媲美加成法的超精细COF电路制造，成本低廉，效率高，利用此技术可以大规模生产单面、双面、多层的超精细COF挠性基板。
附图说明
图1为本发明提出的COF产品的工艺的实施例1流程结构示意图；
图2为本发明提出的COF产品的工艺的实施例2流程结构示意图；
图3为本发明提出的COF产品的工艺的图形转移流程结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。
在本专利的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。
在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。
实施例1：
COF产品的工艺，如图1和图3所示，包括如下步骤：
S1：基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；
S2：图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；
S3：在基材的上表面贴合柔性薄膜；
S4：在柔性薄膜上沉积金属层；
S5：集成电路成型：使用LCD曝光蚀刻工艺，根据已经转移到基材上的图形，将金属层图案化，涂一层湿膜，使集成电路成型并固化，形成金属走线层；
S6：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；
S7：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜，保护线路已绝缘和避免集成电路表面受到损伤；
S8：将芯片键合在金属走线层上；
S9：将基材与柔性薄膜分离，然后去掉基材，获得所需的COF材料；
S10：将成卷或拼板中的COF分切成单个；
S11：测试加工好的COF基板，检测合格后进行封装，得到成品。
所述S1中基材可以为玻璃基板，也可以使用补强板，补强板既可以增加COF封装产品的强度，使得COF封装产品不易损坏，又不妨碍COF封装产品的弯曲能力。
所述S2中图形转移，包括如下步骤：
S21：在已经经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；
S22：根据基材上预设的定位点，进行定位；
S23：使用经过调制的高斯光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。
所述S3中柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC，PI、PET、TAC三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定，即PI、PET、TAC三种材料与新工艺方法的匹配度更好，更适宜利用本申请提供的方法制备薄膜上芯片键合封装结构。
所述S5中金属走线层使用钼锂钼和铜制程，钼锂钼和铜制程具有电阻率低，导电性好等优点。
所述S5中集成电路成型，还包括如下步骤：
S31：为采用蚀刻液沿S2中已经转移到基材上的电路图案进行进一步加深直至成型；
S32：使用脱膜药水将残余的光致抗蚀层溶解并进行清洗。
所述S7中保护膜可以采用油墨、聚酰亚胺、PET、PEN、LCP、PEEK和PTFE等超薄膜材料压膜进行保护。
本实施例在使用时，COF材料的精度可达到6.5~16umICpitch，COF的线距可达到3um，加工精度高，减少了曝光和显影工序，不需要使用掩膜，在任何高精产品的生产过程中，每减少一个工艺流程就意味着加工误差的减少和精度的提高，现有的技术瓶颈是因为曝光显影工序的存在，干净显影沟道无法突破10μm以内的尺寸，加上后续蚀刻工艺所产生的侧蚀，最终完成的产品线距即使极限情况下也大于30μm，无法满足目前市场上线距小于30μm的要求，而采用本发明的工艺，不需要增加新的设备，由于减少了曝光显影工序，采用高斯激光直接光刻，可以轻易得到小于7μm的干净露铜蚀刻沟道，最终经过蚀刻工序后得到线距小于15μm的线距，极限情况下可以甚至可以得到2μm的线距，加工精度可以与加成法相媲美，减少了加工工序，大大节约了改造成本，同时降低了COF挠性基板的加工成本，可以在现有的减成法基础上进行生产线改造，可以实现精度媲美加成法的超精细COF电路制造，成本低廉，效率高，利用此技术可以大规模生产单面、双面、多层的超精细COF挠性基板。
实施例2：
COF产品的工艺，如图2和图3所示，为了应对多层走线时的COF产品的制备；本实施例在实施例1的基础上作出以下改进：包括如下步骤：
S1：基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；
S2：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；
S3：图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；
S4：在基材的上表面贴合柔性薄膜；
S5：先沉积绝缘层；
S6：再在绝缘层上沉积金属层；
S7：集成电路成型：使用LCD曝光蚀刻工艺，根据已经转移到基材上的图形，将金属层图案化，涂一层湿膜，使集成电路成型并固化，形成金属走线层；
S8：按照预定要求次数重复上述S5、S6和S7步骤；
S9：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜，保护线路已绝缘和避免集成电路表面受到损伤；
S10：将芯片键合在金属走线层上；
S11：将基材与柔性薄膜分离，然后去掉基材，获得所需的COF材料；
S12：将成卷或拼板中的COF分切成单个；
S13：测试加工好的COF基板，检测合格后进行封装，得到成品。
所述S1中基材可以为玻璃基板，也可以使用补强板，补强板既可以增加COF封装产品的强度，使得COF封装产品不易损坏，又不妨碍COF封装产品的弯曲能力。
所述S4中柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC，PI、PET、TAC三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定，即PI、PET、TAC三种材料与新工艺方法的匹配度更好，更适宜利用本申请提供的方法制备薄膜上芯片键合封装结构。
所述S7中金属走线层使用钼锂钼和铜制程，钼锂钼和铜制程具有电阻率低，导电性好等优点。
所述S3中图形转移，包括如下步骤：
S21：在已经经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；
S22：根据基材上预设的定位点，进行定位；
S23：使用经过调制的高斯光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.COF产品的工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S1：基材处理：将用于生产COF挠性基板的基材进行处理，使之在厚度、表面性能、尺寸各方面适用于进行后续的处理；
S2：图形转移：将预先设计好的电路图形转移到基材上；
S3：在基材的上表面贴合柔性薄膜；
S4：在柔性薄膜上沉积金属层；
S5：集成电路成型：使用LCD曝光蚀刻工艺，根据已经转移到基材上的图形，将金属层图案化，涂一层湿膜，使集成电路成型并固化，形成金属走线层；
S6：在集成电路的接线脚镀锡进行保护；
S7：在已成型的集成电路表面覆盖一层保护膜，保护线路已绝缘和避免集成电路表面受到损伤；
S8：将芯片键合在金属走线层上；
S9：将基材与柔性薄膜分离，然后去掉基材，获得所需的COF材料；
S10：将成卷或拼板中的COF分切成单个；
S11：测试加工好的COF基板，检测合格后进行封装，得到成品。
2.根据权利要求1所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S1中基材可以为玻璃基板，也可以使用补强板。
3.根据权利要求2所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S2中图形转移，包括如下步骤：
S21：在已经经过处理的基材表面涂布光致抗蚀层；
S22：根据基材上预设的定位点，进行定位；
S23：使用经过调制的高斯光束，直接在基材表面进行光刻，激光穿透光致抗蚀层，根据预设的电路图案在基材表面形成细小的沟道，完成电路图案转移到基材表面的操作。
4.根据权利要求3所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S3中柔性薄膜的材料选自PI、PET、TAC，PI、PET、TAC三种材料制备的产品柔软度更高，性能更稳定。
5.根据权利要求1所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S5中金属走线层使用钼锂钼和铜制程。
6.根据权利要求5所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S5中集成电路成型，还包括如下步骤：
S31：为采用蚀刻液沿S2中已经转移到基材上的电路图案进行进一步加深直至成型；
S32：使用脱膜药水将残余的光致抗蚀层溶解并进行清洗。
7.根据权利要求6所述的COF产品的工艺，其特征在于，所述S7中保护膜可以采用油墨、聚酰亚胺、PET、PEN、LCP、PEEK和PTFE超薄膜材料压膜进行保护。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040161626A1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-08-19 | Kwon Soon Bog | Tape substrate and method for fabricating the same |
| CN108962761A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-12-07 | 信利半导体有限公司 | 一种cof制备方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040161626A1 (en) * | 2002-12-02 | 2004-08-19 | Kwon Soon Bog | Tape substrate and method for fabricating the same |
| CN108962761A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-12-07 | 信利半导体有限公司 | 一种cof制备方法 |
| CN110267440A (zh) * | 2019-07-18 | 2019-09-20 | 深圳市光安科技有限公司 | 一种cof挠性基板的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200710 |
|
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