CN111403571A - 一种防硫化抗高温提高led光维的led支架及工艺方法 - Google Patents
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- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 82
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 32
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000013112 stability test Methods 0.000 claims description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims 3
- 241000208125 Nicotiana Species 0.000 abstract 1
- 235000002637 Nicotiana tabacum Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 3
- 229910016523 CuKa Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 2
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M silver;silver;sulfanide Chemical compound [SH-].[Ag].[Ag+] FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
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Abstract
本发明公开了一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法，包括底座、LED芯片、设置在底座上的第一反射杯和第一反射杯以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽，底座内设置有第一散热通道和第二散热通道，第一散热通道和第二散热通道为烟斗型，容置槽的底面上设有镀银层，LED芯片的下表面贴装在镀银层上，镀银层与LED芯片下表面接触的那一面设置有纳米膜。本发明通过采用纳米膜和改良的离心沉淀工艺，并利用设置在LED支架底座两侧的散热通道，能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应，而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装领域，尤其涉及一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法。
背景技术
目前TOP LED因为对原物料散热性能的高要求，主要采用高分子有机硅作为白光LED的外封胶，但由于硅胶本笛具有高度的透湿透氧特性，当LED接触到含硫物质时，硫元素会渗透到支架功能区，与支架上的镀银发生化学反应，产生硫化现象。
硫化现象是指硫(S)元素在一定温度与湿度的条件下，其-2价的硫与+1价的银发生化学反应生成黑色Ag2S的过程。LED器件中，LED支架的容纳腔表面上会覆盖有镀银层，用于反射LED芯片发出的光线，提高LED器件的光线利用率，空气中的硫元素在侵入LED器件内部后，与容纳腔表面上的镀银层发生硫化反应后，硫化后的LED会出现支架功能区黑化，光通量严重下降，出现明显的色温漂移，随着长时间燃点，温度的升高，硫化银的电导率增加，可能还会出现漏电现象，导致LED完全失效，出现死灯现象。
现有技术中，常常在LED支架的反射杯中封装邵氏硬度较大的胶水，该胶水中混合有荧光粉。邵氏硬度较大的胶水，使得胶水与反射杯及底座之间的缝隙较小，硫蒸气难以进入反射杯10底部与镀银层发生硫化反应，并产生黑色物质而吸收光通量，从而使得出光效率较高。然而，邵氏硬度较大的胶水，其内应力较大，在热胀冷缩的冲击作用下，LED芯片正负极的连接导线301容易断点，其冷热冲击测试TS回合数小于100，影响发光。
为解决LED芯片正负极的连接导线容易断点问题，现有技术中，或者在反射杯中封装邵氏硬度较小的胶水，该胶水中混合有荧光粉。然而，邵氏硬度较小的胶水，又使得胶水与反射杯及底座之间的缝隙较大，硫蒸气容易进入反射杯底部与镀银层发生硫化反应，并产生黑色物质而吸收光通量，影响出光效率。
另外，LED的封装工艺一般采用重力沉淀，采用重力沉淀的LED烘烤后荧光粉胶体牢牢吸在芯片上，影响了芯片的散热，使得芯片散热不能良好地从PN脚导出，导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧。
发明内容
本发明是为了克服现有技术中LED支架易硫化，芯片散热不能良好地从PN脚导出，导致LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的技术问题，提供一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架及工艺方法，能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应，而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，包括底座、LED芯片、设置在底座上的第一反射杯和第一反射杯以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽，所述底座内设置有第一散热通道和第二散热通道，所述第一散热通道和第二散热通道为烟斗型，所述容置槽的底面上设有镀银层，所述LED芯片的下表面贴装在镀银层上，所述镀银层与LED芯片下表面接触的那一面设置有纳米膜。
本方案利用纳米膜具有抗高温、抗氧化和高气密性的特点，对全部镀银层进行涂覆保护，其可以有效避免硫元素或卤族元素穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应。同时，由于LED支架的底座设有散热通道，使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
作为优选，所述底座有从所述容置槽的底面向外引出的PN引脚，所述第一散热通道的进风口与所述LED芯片的负极PN引脚相连，所述第二散热通道的进风口与所述LED芯片的正极PN引脚相连，所述第一散热通道的进风口处设有第一防硫化薄膜，所述第二散热通道的进风口处设有第二防硫化薄膜。第一防硫化薄膜和第二防硫化薄膜上根据需求设置有若干通风小孔，并均匀喷有防硫化液，避免外界空气中的硫元素进入镀银层发生硫化反应。
作为优选，所述第一散热通道的出风口和第二散热通道的出风口分别设置在底座的两侧，所述第一散热通道的出风口和第二散热通道的出风口设置有弹性卡扣件。设置弹性卡扣件可以手动调节第一散热通道和第二散热通道的打开和闭合，以及可以根据散热需求调节通风口的大小，从而调节散热进出风量。
作为优选，所述LED支架还包括第一焊线和第二焊线，LED芯片的正极通过所述第一焊线与底座内表面的正极PN引脚连接，LED芯片的负极通过所述第二焊线与底座内表面的负极PN引脚连接。
作为优选，所述底座与第一反射杯、第二反射杯和容置槽的底面交接处设有防硫化层，所述防硫化层的厚度大于第一防硫化薄和第二防硫化薄膜。本方案解决了LED支架和PIN角的交接处存在缝隙，使镀银层暴露在空气中容易发生硫化反应的问题。
作为优选，所述容置槽内设有灌胶封体，所述灌胶封体为荧光胶体。
LED内部产生的光子如果不能全部射到芯片外部就会转换成热能，LED长期点亮的过程中结温的升高导致光通量的输出降低，高温下支架及荧光胶也容易早期劣化，这些都导致的光通维持率的下降。由于灌胶后的LED芯片的表面会沾附有荧光粉胶体，通常采用重力沉淀的LED烘烤后荧光粉胶体牢牢吸在芯片上，影响了芯片的散热，为了解决这个问题，本方案针对这一问题进行改进，有效解决这一问题。
本发明所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的工艺方法，包括以下步骤：
S1：制作LED支架的底座，冲压注塑成型；
S2：将反射片设成碗杯状，先在容置槽底面涂抹镀银层，涂抹完镀银层后对LED支架进行晾晒或烘烤；
S3：在镀银层与LED芯片下表面接触的那一面涂覆纳米膜，然后将LED芯片固定于所述容置槽底面的镀银层上；
S4：对第一焊线和第二焊线进行等离子清洗，对LED支架进行除湿后进行焊线，焊线结束后，对容置槽进行点胶；
S5：在进入烘箱烘烤固化成型前，将经过上述步骤后的LED支架放在离心设备里进行离心沉淀，检查离心沉淀后的LED芯片表面的荧光胶体，符合要求则进入下一步骤，如果不符合要求则继续S5步骤；
S6：离心沉淀结束后，将LED支架放入烘箱除湿、烘烤固化成型，干燥后进行稳定测试。离心沉淀工艺的LED芯片表面的荧光胶体在离心力的作用下，无法粘附在芯片的表面，从而能保证芯片表面没有其它的物质影响芯片的散热，从而减缓光通量的衰减。
作为优选，所述步骤S1中对LED支架的底座进行加工，设置第一散热通道和第二散热通道，并在第一散热通道的进风口处设置第一防硫化薄膜，在所述第二散热通道的进风口处设置第二防硫化薄膜，在第一散热通道和第二散热通道的出风口安装弹性卡扣件，将防硫化层浇筑在底座与第一反射杯、第二反射杯和容置槽的底面交接处，浇筑结束后对LED支架进行烘烤。
本发明的有益效果是：能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应，而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
附图说明
图1是本发明的一种结构示意图。
图2是本发明的图1中A处的局部放大图。
图中：101.底座，102.第一反射杯，103.第二反射杯，104.灌胶封体，201.第一焊线，202.第二焊线，301.第一散热通道，302.第二散热通道，401.镀银层，501.LED芯片，601.纳米膜，701.防硫化层，801.第二防硫化薄膜，802.第一防硫化薄膜，901.容置槽，A.弹性卡扣件。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1：本实施例的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，LED支架包括底座101、LED芯片501、设置在底座101上的第一反射杯102和第一反射杯103以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽901，容置槽901的底面上设有镀银层401，LED芯片501的下表面贴装在镀银层401上，镀银层401与LED芯片501下表面接触的那一面设置有纳米膜601。
底座101内设置有第一散热通道301和第二散热通道302，第一散热通道301和第二散热通道302为烟斗型，底座101有从容置槽901的底面向外引出的PN引脚，第一散热通道301的进风口与LED芯片501的负极PN引脚相连，第二散热通道302的进风口与LED芯片501的正极PN引脚相连，第一散热通道301的进风口处设有第一防硫化薄膜802，第二散热通道302的进风口处设有第二防硫化薄膜801。第一散热通道301的出风口和第二散热通道302的出风口分别设置在底座101的两侧，第一散热通道301的出风口和第二散热通道302的出风口设置有弹性卡扣件A。设置弹性卡扣件可以手动调节第一散热通道和第二散热通道的打开和闭合，以及可以根据散热需求调节通风口的大小，从而调节散热进出风量。
第一防硫化薄膜和第二防硫化薄膜上根据需求可以设置有若干通风小孔，并均匀喷有防硫化液，避免外界空气中的硫元素进入镀银层发生硫化反应。
底座101与第一反射杯102、第二反射杯103和容置槽901的底面交接处设有防硫化层701，防硫化层701的厚度大于第一防硫化薄膜802和第二防硫化薄膜801。本方案解决了LED支架和PIN角的交接处存在缝隙，使镀银层暴露在空气中容易发生硫化反应的问题。
本方案利用纳米膜具有抗高温、抗氧化和高气密性的特点，对全部镀银层进行涂覆保护，其可以有效避免硫元素或卤族元素穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应。同时，由于LED支架的底座设有散热通道，使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
LED支架还包括第一焊线201和第二焊线202，LED芯片501的正极通过第一焊线201与底座101内表面的正极PN引脚连接，LED芯片501的负极通过第二焊线202与底座101内表面的负极PN引脚连接。
容置槽901内设有灌胶封体104，灌胶封体104为荧光胶体。
上述的一种防硫化抗高温提高LED光维的工艺方法，包括以下步骤：
S1：制作LED支架的底座101，冲压注塑成型，防硫化支架的材料可以是PPA、PCT、EMC、SMC或BT等材料；对LED支架的底座101进行加工，设置第一散热通道301和第二散热通道302，并在第一散热通道301的进风口处设置第一防硫化薄膜802，在第二散热通道302的进风口处设置第二防硫化薄膜801，在第一散热通道301和第二散热通道302的出风口安装弹性卡扣件A，将防硫化层701浇筑在底座101与第一反射杯102、第二反射杯103和容置槽901的底面交接处，浇筑结束后对LED支架进行烘烤。
S2：将反射片设成碗杯状，先在容置槽901底面涂抹镀银层401，涂抹完镀银层401后对LED支架进行晾晒或烘烤；
S3：在镀银层401与LED芯片501下表面接触的那一面涂覆纳米膜601，然后将LED芯片501固定于容置槽901底面的镀银层401上；
S4：对第一焊线201和第二焊线202进行等离子清洗，对LED支架进行除湿后进行焊线，焊线结束后，对容置槽901进行点胶；
S5：在进入烘箱烘烤固化成型前，将经过上述步骤后的LED支架放在离心设备里进行离心沉淀，检查离心沉淀后的LED芯片501表面的荧光胶体，符合要求则进入下一步骤，如果不符合要求则继续S5步骤；
S6：离心沉淀结束后，将LED支架放入烘箱除湿、烘烤固化成型，干燥后进行稳定测试。
LED内部产生的光子如果不能全部射到芯片外部就会转换成热能，LED长期点亮的过程中结温的升高导致光通量的输出降低，高温下支架及荧光胶也容易早期劣化，这些都导致的光通维持率的下降。由于灌胶后的LED芯片的表面会沾附有荧光粉胶体，通常采用重力沉淀的LED烘烤后荧光粉胶体牢牢吸在芯片上，影响了芯片的散热，为了解决这个问题，本方案针对这一问题进行改进，利用离心沉淀工艺有效解决这一问题。
离心沉淀工艺的LED芯片表面的荧光胶体在离心力的作用下，无法粘附在芯片的表面，从而能保证芯片表面没有其它的物质影响芯片的散热，从而减缓光通量的衰减。
在离心力的作用下，液相LED荧光粉胶体内的黄粉绿粉等分子的分布会更加均匀，LED发光的色谱的一致性会更好，色品坐标的离散性会比重力沉淀的小，会更加集中。
离心沉淀的荧光胶体更加致密，在支架的杯体同样大小的情况下，同样胶面高度的荧光胶的喷涂量会增加3％左右，光通量能提高2-3％。
本实施例的防硫化LED支架与常规非防硫化支架同一产品在相同的环境下点灯2000小时后，对LED元素进行定量分析。
防硫化支架胶体表面结果如下表1所示，胶体底部功能区结果如下表2所示：
| 元素 | 结果 | 标准偏差 | 处理-计算 | 线 | 强度 |
| Si | 33.923％ | 0.552 | 定量分析-FP | SiKa | 4.312 |
| Ti | 22.961％ | 0.195 | 定量分析-FP | TiKa | 247.552 |
| Cu | 15.106％ | 0.075 | 定量分析-FP | CuKa | 746.286 |
| Y | 12.767％ | 0.057 | 定量分析-FP | YKa | 887.762 |
| Ga | 6.807％ | 0.049 | 定量分析-FP | GaKa | 331.886 |
| Sn | 3.051％ | 0.070 | 定量分析-FP | SnKa | 27.529 |
| Ca | 2.750％ | 0.036 | 定量分析-FP | CaKa | 4.569 |
| Sr | 1.061％ | 0.015 | 定量分析-FP | SrKa | 75.322 |
| Ag | 0.767％ | 0.024 | 定量分析-FP | AgKa | 11.025 |
| P | 0.301％ | 0.089 | 定量分析-FP | PKa | 0.073 |
| Pd | 0.216％ | 0.028 | 定量分析-FP | PdKa | 3.578 |
| Ni | 0.106％ | 0.011 | 定量分析-FP | NiKa | 4.416 |
| Fe | 0.078％ | 0.015 | 定量分析-FP | FeKa | 2.248 |
| Co | 0.065％ | 0.010 | 定量分析-FP | CoKa | 2.310 |
| Br | 0.040％ | 0.007 | 定量分析-FP | BrKa | 2.638 |
表1防硫化支架胶体表面元素结果表
| 元素 | 结果 | 标准偏差 | 处理-计算 | 线 | 强度 |
| Si | 44.075％ | 1.052 | 定量分析-FP | SiKa | 0.0465 |
| Y | 35.304％ | 0.118 | 定量分析-FP | YKa | 206.681 |
| Ga | 11.938％ | 0.063 | 定量分析-FP | GaKa | 84.878 |
| Ti | 6.314％ | 0.136 | 定量分析-FP | TiKa | 4.911 |
| Sr | 2.380％ | 0.028 | 定量分析-FP | SrKa | 15.901 |
| Ga | 1.007％ | 0.044 | 定量分析-FP | GaKa | 0.101 |
| Ag | 0.906％ | 0.041 | 定量分析-FP | AgKa | 0.747 |
| Mn | 0.076％ | 0.017 | 定量分析-FP | MnKa | 0.157 |
表2防硫化支架胶体底部功能区元素结果表
由表1和表2可知，防硫化支架胶体表面有测试到溴污染元素，而LED芯片灯珠内部及LED芯片所在的LED支架容置槽功能区未检测到污染元素。
常规非防硫化架胶体表面结果如下表3所示，胶体底部功能区结果如下表4所示：
| 元素 | 结果 | 标准偏差 | 处理-计算 | 线 | 强度 |
| Si | 62.325％ | 2.208 | 定量分析-FP | SiKa | 0.236 |
| Y | 14.898％ | 0.052 | 定量分析-FP | YKa | 34.712 |
| Ti | 13.278％ | 0.157 | 定量分析-FP | TiKa | 3.139 |
| Ga | 5.284％ | 0.034 | 定量分析-FP | GaKa | 10.372 |
| Sr | 1.255％ | 0.014 | 定量分析-FP | SrKa | 3.117 |
| Ag | 1.081％ | 0.028 | 定量分析-FP | AgKa | 0.432 |
| Sn | 0.945％ | 0.032 | 定量分析-FP | SnKa | 0.242 |
| Ca | 0.460％ | 0.052 | 定量分析-FP | CaKa | 0.015 |
| Cu | 0.215％ | 0.007 | 定量分析-FP | CuKa | 0.315 |
| Os | 0.186％ | 0.021 | 定量分析-FP | OsKa | 0.122 |
| Fe | 0.046％ | 0.010 | 定量分析-FP | FeKa | 0.033 |
| Br | 0.028％ | 0.004 | 定量分析-FP | BrKa | 0.073 |
表3常规非防硫化支架胶体表面元素结果表
| 元素 | 结果 | 标准偏差 | 处理-计算 | 线 | 强度 |
| Ti | 34.991％ | 0.288 | 定量分析-FP | TiKa | 61.539 |
| Y | 32.079％ | 0.112 | 定量分析-FP | YKa | 332.223 |
| Ga | 14.116％ | 0.074 | 定量分析-FP | GaKa | 147.320 |
| Si | 12.893％ | 0.410 | 定量分析-FP | SiKa | 0.275 |
| Ca | 3.149％ | 0.058 | 定量分析-FP | GaKa | 0.820 |
| Sr | 1.509％ | 0.022 | 定量分析-FP | SrKa | 17.050 |
| Ce | 0.479％ | 0.257 | 定量分析-FP | CeKa | 0.379 |
| S | 0.336％ | 0.063 | 定量分析-FP | SKa | 0.028 |
| Ag | 0.287％ | 0.039 | 定量分析-FP | AgKa | 0.487 |
| Au | 0.110％ | 0.020 | 定量分析-FP | AuKa | 0.502 |
| Fe | 0.052％ | 0.012 | 定量分析-FP | FeKa | 0.215 |
表4非防硫化支架胶体底部功能区元素结果表
由表3和表4可知，非防硫化支架胶体表面有测试到溴污染元素，而LED芯片灯珠内部及LED芯片所在的LED支架容置槽功能区检测到硫污染元素。
经元素测试分析，非防硫化支架LED芯片灯珠内部和胶体底部存在一定比例S和Br污染元素，防硫化支架胶体底部及及LED芯片所在的LED支架容置槽功能区未检测到S和Br的污染源元素，防硫化支架的抗硫化性能优于非硫化支架。
硫化试验防硫化支架与非防硫化支架不同时间段LM衰减对比如表5所示：
| 方案 | 物料类别 | 25℃0h | 85℃4h | 85℃10h | 120℃4h |
| 1 | 防硫化支架+非离心工艺+S44胶水 | 100％ | 89.2％ | 81.02％ | 53.35％ |
| 2 | 非防硫化支架+非离心工艺+S44胶水 | 100％ | 87.3％ | 52.87％ | 38.30％ |
| 3 | 非防硫化支架+离心工艺+S44胶水 | 100％ | 88.5％ | 62.47％ | 47.04％ |
| 4 | 防硫化支架+离心工艺+S44胶水 | 100％ | 93.21％ | 88.66％ | 58.49％ |
表5防硫化支架与非防硫化支架不同时间段LM衰减对比表
高温老化试验对比如表6所示：
| 工艺类型 | 0h | 168h | 504h | 1000h |
| 非离心工艺 | 100％ | 96.38％ | 83.90％ | 75.57％ |
| 离心工艺 | 100％ | 96.84％ | 86.53％ | 82.16％ |
表6离心工艺与非离心工艺高温老化试验对比表
综上所述，可以得出如下结论：
同工艺，防硫化支架与非防硫化支架硫化测试结果对比说明，在常规条件下硫化性能差异不大，在硫化条件越苛刻，时间越长，硫化性能凸显较明显，其特性是防硫化支架是在镀银层表面沉积一层无机物，该无机物具有优异的致密性，有效阻隔硫、氧、溴等物质与镀银层的反应，在高温条件下表现越突出。
同物料，离心工艺与非离心工艺对比高温老化测试结果说明，离心工艺高温老化光维维持率约提升6％，主要基于离心工艺的的特性，将荧光粉沉淀到支架底部，灯珠胶体散热更佳，能改善光维性能。
本发明通过采用纳米膜和改良的离心沉淀工艺，并利用设置在LED支架底座两侧的散热通道，能够有效避免硫元素等穿过荧光胶进入到支架的底部与银发生硫化反应，而且使得LED芯片散热可以良好地从PN引脚导出，有效防止LED芯片温度过高使芯片衰减加剧的问题。
Claims (8)
1.一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述LED支架包括底座（101）、LED芯片（501）、设置在底座（101）上的第一反射杯（102）和第一反射杯（103）以及第一反射杯和第二反射杯之间形成的容置槽（901），所述底座（101）内设置有第一散热通道（301）和第二散热通道（302），所述第一散热通道（301）和第二散热通道（302）为烟斗型，所述容置槽（901）的底面上设有镀银层（401），所述LED芯片（501）的下表面贴装在镀银层（401）上，所述镀银层（401）与LED芯片（501）下表面接触的那一面设置有纳米膜（601）。
2.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述底座（101）有从所述容置槽（901）的底面向外引出的PN引脚，所述第一散热通道（301）的进风口与所述LED芯片（501）的负极PN引脚相连，所述第二散热通道（302）的进风口与所述LED芯片（501）的正极PN引脚相连，所述第一散热通道（301）的进风口处设有第一防硫化薄膜（802），所述第二散热通道（302）的进风口处设有第二防硫化薄膜（801）。
3.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述第一散热通道（301）的出风口和第二散热通道（302）的出风口分别设置在底座（101）的两侧，所述第一散热通道（301）的出风口和第二散热通道（302）的出风口设置有弹性卡扣件（A）。
4.根据权利要求1或2所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述LED支架还包括第一焊线（201）和第二焊线（202），LED芯片（501）的正极通过所述第一焊线（201）与底座（101）内表面的正极PN引脚连接，LED芯片（501）的负极通过所述第二焊线（202）与底座（101）内表面的负极PN引脚连接。
5.根据权利要求1或2所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述底座（101）与第一反射杯（102）、第二反射杯（103）和容置槽（901）的底面交接处设有防硫化层（701），所述防硫化层（701）的厚度大于第一防硫化薄膜（802）和第二防硫化薄膜（801）。
6.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的LED支架，其特征在于，所述容置槽（901）内设有灌胶封体（104），所述灌胶封体（104）为荧光胶体。
7.根据权利要求1-6所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制作LED支架的底座（101），冲压注塑成型；
S2：将反射片设成碗杯状，先在容置槽（901）底面涂抹镀银层（401），涂抹完镀银层（401）后对LED支架进行晾晒或烘烤；
S3：在镀银层（401）与LED芯片（501）下表面接触的那一面涂覆纳米膜（601），然后将LED芯片（501）固定于所述容置槽（901）底面的镀银层（401）上；
S4：对第一焊线（201）和第二焊线（202）进行等离子清洗，对LED支架进行除湿后进行焊线，焊线结束后，对容置槽（901）进行点胶；
S5：在进入烘箱烘烤固化成型前，将经过上述步骤后的LED支架放在离心设备里进行离心沉淀，检查离心沉淀后的LED芯片（501）表面的荧光胶体，符合要求则进入下一步骤，如果不符合要求则继续S5步骤；
S6：离心沉淀结束后，将LED支架放入烘箱除湿、烘烤固化成型，干燥后进行稳定测试。
8.根据权利要求1所述的一种防硫化抗高温提高LED光维的工艺方法，其特征在于，所述步骤S1中对LED支架的底座（101）进行加工，设置第一散热通道（301）和第二散热通道（302），并在第一散热通道（301）的进风口处设置第一防硫化薄膜（802），在所述第二散热通道（302）的进风口处设置第二防硫化薄膜（801），在第一散热通道（301）和第二散热通道（302）的出风口安装弹性卡扣件(A)，将防硫化层（701）浇筑在底座（101）与第一反射杯（102）、第二反射杯（103）和容置槽（901）的底面交接处，浇筑结束后对LED支架进行烘烤。
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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