CN205828422U - 一种led器件 - Google Patents

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冯云龙
荘世任
肖永国
唐双文
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Abstract

本实用新型公开了一种LED器件,包括LED支架杯,所述LED支架杯的底部设置有LED芯片,所述LED芯片的正极通过第一焊线与LED支架杯的正极引脚连接,所述LED芯片的负极通过第二焊线与LED支架杯的负极引脚连接,所述LED支架杯中设置有防硫化胶层,所述防硫化胶层的高度小于LED芯片的高度。本实用新型通过在LED支架杯中设置有防硫化胶层,所述LED支架杯中设置防硫化胶层,且所述防硫化胶层的高度小于LED芯片的高度,从而可防止硫化过程中,防止LED支架杯变黑,从而防止灯珠硫化,同时提高了LED器件的抗光衰能力。

Description

一种LED器件
技术领域
本实用新型涉及LED封装技术,特别涉及一种LED器件。
背景技术
目前,市场上的主流灯珠是SMD LED 灯珠,被广泛应用于日光灯、筒灯、球泡灯等各种灯具上,但其仍有几个瓶颈问题需要解决。例如:大部分SMD LED 灯珠支架反光壁塑料采用PPA材质,虽然PPA 具有较强的可塑性,但是其导热性、耐高温性都较差,导致SMD LED系列灯珠不能实现较大功率封装,而且使用寿命较短。
另外,为了提高芯片的反射效率,一般在支架底部采用镀银工艺处理,将芯片固定在支架上后,使用金线连接到支架的正、负两极,然后采用荧光粉和封装胶混合灌在支架内。现有的LED封装使用硅胶或者硅树脂封装来提升LED产品的寿命,解决了光衰等问题,但由于硅胶或者硅树脂本身具有透湿透氧的特性,空气中的硫分子可以透过封装胶体渗透到LED支架的镀银层,与银反应变成黑色的硫化银,以至于LED器件做硫化试验后,导致支架底部镀银层变黑,影响产品亮度和光效。因而现有技术还有待改进和提高。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本实用新型的目的在于提供一种LED器件,能防止灯珠硫化,并能提高LED器件的抗光衰能力。
为了达到上述目的,本实用新型采取了以下技术方案:
一种LED器件,包括LED支架杯,所述LED支架杯的底部设置有LED芯片,所述LED芯片的正极通过第一焊线与LED支架杯的正极引脚连接,所述LED芯片的负极通过第二焊线与LED支架杯的负极引脚连接,所述LED支架杯中设置有防硫化胶层,所述防硫化胶层的高度小于LED芯片的高度。
所述的LED器件中,所述防硫化胶层的高度为LED芯片高度的1/2-3/4。
所述的LED器件中,所述防硫化胶层上设置有荧光胶层。
所述的LED器件中,所述防硫化胶层为防硫化白胶层。
所述的LED器件中,所述LED支架杯的底壁上设置有镀银层。
所述的LED器件中,所述镀银层的厚度为60-150um。
相较于现有技术,本实用新型提供的LED器件,通过在LED支架杯中设置有防硫化胶层,所述LED支架杯中设置防硫化胶层,且所述防硫化胶层的高度小于LED芯片的高度,从而可防止硫化过程中,防止LED支架杯变黑,从而防止灯珠硫化,同时提高了LED器件的抗光衰能力。
附图说明
图1为本实用新型提供的LED器件的侧面结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种LED器件,为使本实用新型的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本实用新型进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参阅图1,本实用新型提供的LED器件包括LED支架杯11,所述LED支架杯11的底部设置有LED芯片111,所述LED芯片111的正极通过第一焊线112与LED支架杯11的正极引脚连接,所述LED芯片111的负极通过第二焊线113与LED支架杯11的负极引脚连接,所述LED支架杯11中设置有防硫化胶层114,所述防硫化胶层114的高度小于LED芯片111的高度。
为了提升光效,所述LED支架杯11的底壁上设置有镀银层(图中未示出),本实施例中,所述镀银层的厚度为60-150um,该厚度的镀银层、且镀银层为镜面时,其光反射率高。
本实用新型通过在LED支架杯11中设置有防硫化胶层114,所述LED支架杯11中设置防硫化胶层114,且所述防硫化胶层114的高度小于LED芯片111的高度,从而可在LED器件硫化过程中,防止LED支架杯11变黑,从而防止灯珠硫化,同时提高了LED器件的抗光衰能力。
本实施例中,所述防硫化胶层114为防硫化白胶层,所述防硫化白胶层可采用SD5072白胶按规定重量配比混合,具体SD5072白胶由SD5072A胶和SD5072B胶按1:2配比混合而成,其中,SD5072A胶为白胶、SD5072B胶为透明胶。混合后通过真空脱泡设备进行真空脱泡处理,然后通过点胶工艺点在LED支架杯11中,之后通过离心设备将混合的白胶甩开,使白胶均匀平铺在LED支架杯11的底部上。即所述防硫化白胶层由防硫化白胶脱泡处理后,离心甩平形成。
请继续参阅图1,所述第一焊线112和第二焊线113均为金线,所述防硫化胶层114的高度为LED芯片111高度的1/2-3/4。优选的,防硫化胶层114的高度为LED芯片111高度2/3。
进一步的,所述防硫化胶层114上设置有荧光胶层115,所述荧光胶层115高于LED芯片0.1-2mm,该厚度的荧光胶层115光效好,亮度高。
本实用新型通过在LED支架杯中设置防硫化胶层,使防硫化胶层位于LED支架杯杯底镀银层和荧光胶层之间,有效阻止镀银层硫化变黑,从而防止氧化银或硫化银对光效的吸收,LED芯片发射的光通过SD5072白胶层反射出去,提升了LED器件的抗光衰能力。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种LED器件,包括LED支架杯,所述LED支架杯的底部设置有LED芯片,所述LED芯片的正极通过第一焊线与LED支架杯的正极引脚连接,所述LED芯片的负极通过第二焊线与LED支架杯的负极引脚连接,其特征在于,所述LED支架杯中设置有防硫化胶层,所述防硫化胶层的高度小于LED芯片的高度。
2.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述防硫化胶层的高度为LED芯片高度的1/2-3/4。
3.根据权利要求1或2所述的LED器件,其特征在于,所述防硫化胶层上设置有荧光胶层。
4.根据权利要求1或2所述的LED器件,其特征在于,所述防硫化胶层为防硫化白胶层。
5.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述LED支架杯的底壁上设置有镀银层。
6.根据权利要求5所述的LED器件,其特征在于,所述镀银层的厚度为60-150um。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109166949A (zh) * 2018-09-18 2019-01-08 宁波升谱光电股份有限公司 一种倒装led器件及其制备方法
US20230261155A1 (en) * 2019-06-11 2023-08-17 Zhengzhou Shenglong Information Technology Co., Ltd. Polarized-light-emitting smd led lamp bead and method for batch manufacturing the same

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