CN111403429A - 图像显示装置以及图像显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种使制造成品率提高的图像显示装置以及图像显示装置的制造方法。实施方式所涉及的图像显示装置具备分别包含能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素的多个像素。所述多个像素中的至少1个像素的所述多个第1子像素中的任1个具有1个缺陷子像素。在所述缺陷子像素为应以红色或者绿色发光的子像素的情况下，所述第2子像素包含发光元件、和设置于所述发光元件且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层。

Description

图像显示装置以及图像显示装置的制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及图像显示装置以及图像显示装置的制造方法。
背景技术
期望实现高亮度、高视角、高对比度且低耗电的薄型的图像显示装置。对应于这样的市场要求，如专利文献1所示，正在进行利用自发光元件的显示装置的开发。
作为自发光元件，期待使用作为微细发光元件的微LED的显示装置的出现。在将微LED用于图像显示装置的情况下，元件数随着成为全高清、4K、8K等高画质而增多，如何提高成品率成为问题。
在微LED的图像显示装置中，进行电学上的检查而被判定为合格的微LED安装于面板模块。安装有微LED的面板模块再次通过显示确认检查等来判定优劣。
这样，若多次进行检查，则图像显示装置的综合性的成品率是对基于微LED单体的检查的成品率乘以面板模块安装时以及安装后的成品率而得到的。因此，越是高画质则安装的元件数越是增大，因此难以充分提高综合成品率，难以具有与其他方式的图像显示装置的成本竞争力。
因此，在使用了微LED的图像显示装置中，需要抑制成品率的降低，减少制造成本。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2016-523450号公报
发明内容
发明的一实施方式提供一种使制造成品率提高的图像显示装置。
发明的一实施方式所涉及的图像显示装置具备分别包含能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素的多个像素。所述多个像素中的至少1个像素的所述多个第1子像素中的任1个具有1个缺陷子像素。在所述缺陷子像素为应以红色或者绿色发光的子像素的情况下，所述第2子像素包含发光元件、和设置于所述发光元件且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层。
发明的一实施方式所涉及的图像显示装置的制造方法是包含分别能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素的图像显示装置的制造方法。该制造方法具备：缺陷子像素检测工序，准备分别使所述多个第1子像素发光的多个第1发光元件以及使所述第2子像素发光的第2发光元件，点亮所述多个第1发光元件，取得所点亮的所述多个第1发光元件的图像数据，对所述图像数据进行图像解析，分别设定所述多个第1发光元件中的缺陷发光元件及没有缺陷的剩余的发光元件的位置以及发光色的数据，存储所述位置以及所述发光色的数据；以及波长转换层形成工序，在所述多个第1发光元件分别形成波长转换层。所述波长转换层形成工序包含如下步骤：在所述多个第1发光元件中的应以红色或者绿色发光的子像素包含所述缺陷发光元件的情况下，基于所述位置以及所述发光色的数据，在所述第2发光元件形成波长转换为应在所述缺陷发光元件的位置发光的发光色的波长转换层。
在发明的一实施方式中，实现使制造成品率提高的图像显示装置。
附图说明
图1是例示第1实施方式所涉及的图像显示装置的示意性的框图。
图2A是例示第1实施方式的图像显示装置的子像素的配置的示意性的俯视图。
图2B是例示第1实施方式的图像显示装置的子像素的配置的示意性的俯视图。
图2C是例示第1实施方式的图像显示装置的子像素的配置的示意性的俯视图。
图3A是例示第1实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3B是例示第1实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3C是例示第1实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3D是例示第1实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图4是例示第1实施方式的图像显示装置的一部分的框图。
图5是例示第1实施方式所涉及的图像显示装置的制造方法的流程图。
图6是用于说明第1实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图7是用于说明第1实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图8是用于说明第1实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图9是例示第2实施方式所涉及的图像显示装置的示意性的框图。
图10A是例示第2实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图10B是例示第2实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图10C是例示第2实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图11是例示第2实施方式所涉及的图像显示装置的制造方法的流程图。
图12是用于说明第2实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图13是用于说明第2实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图14是用于说明第2实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图15是用于说明第3实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图16是例示第3实施方式的变形例所涉及的图像显示装置的框图。
-符号说明-
1、201、401、501：图像显示装置，2：基板，3：第1布线，4：第2布线，5：绝缘层，10、210：显示区域，20、220：像素，22d、222d：缺陷子像素，22R、22G、22B、222R、222G：子像素，22s、222s：冗余子像素，30、230R、230G：发光元件，40R、40G、40B：荧光体层，40K：波长转换层，50：驱动IC，52：驱动电路，54：ROM，100：缺陷子像素检测系统，101：相机，102：信息处理装置，103：存储装置，104：显示数据，105：点亮驱动电路，110：波长转换层形成系统，111：喷墨涂敷装置，120：驱动IC安装系统，121：显示部驱动系统
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
另外，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等不一定与现实相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，也存在根据附图而相互的尺寸、比率不同地表示的情况。
另外，在本申请说明书和各图中，对与关于已说明的图所述的要素相同的要素标注相同的符号并适当省略详细的说明。
(第1实施方式)
图1是例示本实施方式所涉及的图像显示装置的示意性的框图。
如图1所示，本实施方式的图像显示装置1具有显示区域10以及驱动IC50。显示区域10以及驱动IC50设置在未图示的基板上。基板在绝缘性的基材的一个面设置有布线图案，与构成各像素20的各子像素22R、22G、22B的发光元件电连接。
图像显示装置1如图所示俯视时为大致长方形状，以下，将长边延伸的方向设为X轴，将短边延伸的方向设为Y轴。
显示区域10占据图像显示装置1的绝大多数的区域。在显示区域10中形成有像素20。像素20在X轴方向以及Y轴方向上例如排列成格子状。在X轴方向以及Y轴方向上排列的像素20的个数表示图像显示装置1的分辨率。例如，在全高清画质的图像显示装置中，在显示区域10中排列有1920×1080≈200万个像素20。在4K画质的图像显示装置中，排列有3840×2160≈800万个的像素20。在8K画质的图像显示装置中，排列有7680×4320≈3300万个的像素20。
形成于显示区域10的像素20由驱动IC50的驱动电路52分别驱动。驱动电路52基于未图示的外部的图像数据以及显示控制数据来驱动各像素。
驱动IC50例如如该例那样沿着显示区域10的下边部设置。驱动IC50配置于任意适当的位置，并不限于显示区域10的下边部，也可以设置于上边部，也可以设置于与形成有显示区域10的基板不同的基板。驱动IC50具有ROM54。如后面详细叙述的那样，ROM54存储缺陷子像素的位置，驱动电路52基于缺陷子像素的位置，决定正常的子像素的发光色并使其点亮。
在图1中示出了排列于显示区域10的像素20的矩阵中的一部分即A部的放大图。在A部分中，示出了3×4像素20。
像素20包含3个子像素22R、22G、22B。子像素22R发出红色的发光色。子像素22G发出绿色的发光色。子像素22B发出蓝色的发光色。通过驱动电路52调整子像素22R、22G、22B的亮度，从而确定该像素20的发光色以及其亮度。
在本实施方式的情况下，在形成显示区域10之前不进行构成各子像素的发光元件的电检查。因此，如A部所示，显示区域10有时包含缺陷子像素22d。缺陷子像素22d也存在因发光元件的不合格导致的缺陷，还存在因发光元件的安装时的不良情况而引起的情况。如后所述，存在缺陷子像素22d为比所期望的亮度低的低亮度的不点亮的情况，有时成为比所期望的亮度高的高亮度的情况，也有不依赖于驱动电路52的驱动信号而点亮的情况。
像素20除了包含3个子像素22R、22G、22B以外，还包含至少1个冗余子像素22s。在3个子像素22R、22G、22B中的任一个是缺陷子像素22d的情况下，冗余子像素22s发出作为缺陷的子像素的本来的发光色。ROM54存储有缺陷子像素22d的位置。在包含缺陷子像素22d的像素20中，驱动电路52基于ROM54的存储数据，以缺陷子像素22d的发光色驱动冗余子像素22s。
如在图3A、图3B、图3C的说明中后述的那样，正常的各子像素具有发光元件和荧光体材料等波长转换层。在缺陷子像素22d中，在发光元件中未形成荧光体材料等波长转换层。或者，在缺陷子像素22d中，由不透射色的材料在发光元件上形成波长转换层。
在不存在缺陷子像素22d的像素20中，冗余子像素22s未被驱动电路52驱动而不点亮。此外，在构成冗余子像素22s的发光元件中未形成波长转换层。
在1个像素20中，3个子像素22R、22G、22B例如以该顺序朝向X轴的正方向配置。冗余子像素22s能够设置在像素20内的任意的位置。在该例子中，在3个子像素22R、22G、22B的排列的下方邻接地配置。
冗余子像素22s不限于该情况，而是设置在任意的位置。
图2A～图2C是例示本实施方式的图像显示装置的子像素的配置的示意性的俯视图。
如图2A所示，冗余子像素22s也可以设置在3个子像素22R、22G、22B的排列的上方。
如图2B所示，冗余子像素22s也可以与3个子像素22R、22G、22B并排地设置。
如图2C所示，冗余子像素22s也可以与3个子像素22R、22G、22B一起以2×2的格子状排列。
具体地说，缺陷子像素22d以及冗余子像素22s的关系如下。例如，在A部的最上段、最左列的像素20中，中央列的子像素为缺陷子像素22d。在该像素20的中央列本来应配置有绿色的发光色的子像素22G。由于中央列的子像素是缺陷子像素22d，因此绿色的发光色的子像素22G配置在冗余子像素22s的位置。换句话说，冗余子像素22s代替中央列的子像素而以绿色的发光色发光。
在从A部的上方起第3层、最右列的像素20中，左列的子像素是缺陷子像素22d。在该像素20的左列的子像素中本来应配置有红色的发光色的子像素22R。由于左列的子像素是缺陷子像素22d，因此红色的发光色的子像素22R配置在冗余子像素22s的位置。换句话说，冗余子像素22s代替左列的子像素而以红色的发光色发光。
在A部的最下段、中央列的像素20中，右列的子像素是缺陷子像素22d。在该像素20的右列的子像素中本来应配置有蓝色的发光色的子像素22B。由于右列的子像素是缺陷子像素22d，因此蓝色的发光色的子像素22B配置在冗余子像素22s的位置。即，冗余子像素22s代替右列的子像素而以蓝色的发光色发光。
在不存在缺陷子像素22d的像素20中，冗余子像素22s被设定为不点亮。例如，在A部的最上段的中央列的像素20中，冗余子像素22s未形成任何荧光体层，而不被驱动电路52驱动而作为单纯的冗余元件残留。
驱动IC50的ROM54存储缺陷子像素22d的位置，设定驱动电路52，使得根据与该位置对应的发光色的数据来驱动正常的子像素。
图3A～图3D是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图3A是红色的发光色的子像素22R的剖视图。发光元件30与设置在绝缘性的基板2的一个面上的第1布线3连接。发光元件30还与设置于发光元件30的上表面的第2布线4连接。发光元件30经由这些第1布线3以及第2布线4，与驱动电路52等连接。绝缘层5设置在第1布线3与第2布线4之间，将第1布线3与第2布线4之间电绝缘。在发光元件30的上表面设置有荧光体层40R。
发光元件30例如是包含GaN的蓝色发光元件。荧光体层40R是利用蓝色的光的波长进行激励而转换为红色的光的波长的波长转换材料的波长转换层。
图3B是绿色的发光色的子像素22G的剖视图。除了荧光体层40G以外，与图3A的情况相同。荧光体层40G是利用蓝色的光的波长进行激励而转换为绿色的光的波长的波长转换材料的波长转换层。
图3C是具有蓝色的发光色的子像素22B的剖视图。发光元件30是蓝色的发光元件，因此如该例所示，也可以不设置波长转换层。为了调整蓝色的色度，使显示区域10内的蓝色的发光色均匀，也可以如虚线所示，进一步设置蓝色的荧光体层40B。通过设置蓝色的荧光体层40B，也能够抑制倾斜方向的色度变化。
不点亮的冗余子像素22s具有与蓝色的子像素22B相同的结构。未被驱动电路52驱动而不点亮，因此未设置波长转换层。
图3D是缺陷子像素22d的剖视图。在缺陷子像素22d中也可以不设置荧光体层。缺陷子像素22d存在发光元件30相对于正常状态以高亮度发光的情况、一直点亮着的情况，因此也可以如图的虚线那样将使发光元件30的发光不透射的波长转换层40K设置于发光元件30上。波长转换层40K吸收发光元件30的光的波长的绝大多数。波长转换层40K的发光色实质上为黑色。
在上述中，发光元件30全部为蓝色的发光元件，但也可以代替蓝色的发光元件，而设为对发光效率有利的405nm左右的蓝紫光、紫外光的发光元件。在设为紫外光的发光元件的情况下，在正常的子像素22B设置有将紫外光转换为蓝光的荧光体层。在子像素成为缺陷子像素22d的情况下，也可以不设置波长转换层，也可以设置蓝色的荧光体层(波长转换层)，或者设置不透射的波长转换层。
各发光色的波长转换层除了一般的荧光体材料以外，也可以是量子点荧光体材料。在使用量子点荧光体材料的情况下，能够实现各发光色，并且单色性高，能够提高颜色再现性，因此优选。
对本实施方式的图像显示装置的动作进行说明。
图4是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的框图。
如已经说明的那样，在驱动IC50的ROM54中存储有各缺陷子像素22d的位置的数据。预先设定每个像素20的各子像素22R、22G、22B的位置的数据。例如根据虚拟设置在显示区域10内的XY坐标数据来识别每个像素20的各子像素22R、22G、22B的位置。在XY坐标数据中预先关联到子像素的本来的发光色。
如图4所示，存储于ROM54的数据如后面详细叙述的那样，由信息处理装置102从存储有在图像显示装置1的制造方法的1个工序中取得的缺陷子像素22d的位置的数据的存储装置103转送并存储。
ROM54是允许1次或者多次的数据写入的读出专用存储器(Read Only Memory，ROM)。这也可以是OTPROM(One Time Programmable ROM)。根据图像显示装置1的缺陷子像素22d的发生状况，对每个图像显示装置1写入数据。
驱动电路52基于从外部供给的图像数据以及控制数据进行动作。驱动电路52参照写入ROM54的数据，将接收到的图像数据转换为适当的驱动数据，驱动适当的子像素。
更具体地说，驱动电路52在驱动写入ROM54的缺陷子像素22d的位置的数据的情况下，利用缺陷子像素22d的本来的发光色的数据来驱动冗余子像素22s。在不存在缺陷子像素22d的像素20中，驱动电路52以本来的发光色的数据驱动子像素22R、22G、22B。在该情况下，驱动电路52不驱动冗余子像素22s。
对实施方式的图像显示装置1的制造方法进行说明。
图5是例示实施方式所涉及的图像显示装置的制造方法的流程图。
如图5所示，在图像显示装置1的制造方法中，在缺陷子像素检测工序S1中，检测缺陷子像素22d。之后详述，此时，在显示区域10安装有发光元件30，在哪个发光元件30均未设置荧光体层。即，缺陷子像素22d全部由发出的蓝色或者紫外光的发光元件30的亮度来判定。
在波长转换层形成工序S2中，在与正常的子像素22R、22G对应的发光元件30分别形成荧光体层40R、40G。也可以在与子像素22B对应的发光元件30形成蓝色的荧光体层。此外，也可以在与缺陷子像素22d对应的发光元件30设置黑色、即不透射的荧光体层的波长转换层40K。如后所述，在荧光体层的形成中，优选使用喷墨涂敷装置。也可以通过粘贴荧光体片来形成荧光体层。
在驱动IC安装工序S3中，经由信息处理装置102将存储于存储装置103的缺陷子像素22d的位置的数据写入驱动IC50的ROM54。将具有被写入了数据的ROM54的驱动IC50安装在显示区域10的附近的规定的位置。
安装有驱动IC50的图像显示装置1被输入包含规定的检查用显示图案等的数据，判定各像素20的发光的优劣。
对各工序的详细进行说明。
图6是用于说明本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
图6示意性地示出了执行缺陷子像素检测工序S1的缺陷子像素检测系统100的结构的详细。
如图6所示，在显示区域10中，像素20呈格子状排列。各像素20包含4个蓝色的发光色的发光元件30。4个发光元件30中的3个排列为一列，另一个配置在排列成一列的发光元件30的下方。配置于下方的发光元件30是成为冗余子像素22s的发光元件。在图中，示出了作为显示区域10的一部分的A部的放大图。以下，同样地使用显示区域10的A部的放大图，对各制造工序的详细进行说明。
缺陷子像素检测系统100具有相机101、信息处理装置102以及存储装置103。在该例子中，相机101与信息处理装置102连接。信息处理装置102与存储装置103连接。各装置的连接不限于上述，能够设为适当的任意的连接结构。例如，相机101、信息处理装置102以及存储装置103也可以在共同的通信网络上连接，能够相互收发数据等。
对基于缺陷子像素检测系统100的缺陷子像素检测工序的详细进行说明。
信息处理装置102例如是计算机，根据程序进行动作。信息处理装置102具有预先设定的摄影区域的数据。摄影区域的数据例如是将显示区域10分割为4份的区域等。摄影环境基于相机101的分辨率来设定。例如，摄影区域被设定为，根据相机101所具有的分辨率，能够进行摄影区域内的各发光元件30的点亮时的亮度判定。
在信息处理装置102的程序中，设定了被分割为4份的区域的坐标等数据以及被分割为4份的区域的摄影顺序。信息处理装置102将要摄影的摄影区域的显示数据104供给到点亮驱动电路105。
点亮驱动电路105基于所设定的显示数据104，选择发光元件30并使其发光。点亮驱动电路105既可以使用驱动IC50的驱动电路52，也可以另外准备与驱动IC50不同的驱动电路。
相机101拍摄包含显示区域10中的至少由信息处理装置102设定的摄影区域的区域。在发光元件30发出紫外光的情况下，相机101使用具有对紫外光进行感光的拍摄元件的结构。
信息处理装置102取得由相机101拍摄的图像数据。信息处理装置102对由程序取得的图像数据进行图像处理，将摄影区域中的各发光元件30的发光亮度与规定值进行比较。
信息处理装置102在发光元件30的亮度低于第1规定值的情况下，将该发光元件30判定为缺陷子像素22d。信息处理装置102可以具有与亮度的判定相关的多个规定值。例如，第2规定值具有比第1规定值大的值。在发光元件30的亮度高于第2规定值的情况下，将该发光元件30判定为缺陷子像素22d。
即使在从第1规定值到第2规定值的范围内，在点亮驱动电路105的驱动信号全部断开的情况下，点亮的发光元件30也被判定为缺陷子像素22d。
信息处理装置102确定检测到的缺陷子像素22d的位置。
信息处理装置102设定与摄影区域的图像数据中的全部缺陷子像素22d相关的位置的数据，并转送到存储装置103。
信息处理装置102通过程序来设定下一个摄影区域的显示数据104。
信息处理装置102对全部的摄影区域反复执行以上的动作。
接下来，对波长转换层形成工序进行详细地说明。
图7是用于说明实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
在图7中，示意性地示出执行波长转换层形成工序S2的波长转换层形成系统110的结构的详细。
如图7所示，波长转换层形成系统110具有喷墨涂敷装置111、信息处理装置102以及存储装置103。信息处理装置102以及存储装置103能够使用与上述的缺陷子像素检测系统100中使用的装置相同的装置。
喷墨涂敷装置111具有喷嘴112R、112G。喷嘴112R喷出用于形成红色的荧光体层的荧光涂料。喷嘴112G喷出用于形成绿色的荧光体层的荧光涂料。通过在红色的荧光涂料中混入红色的颜料或染料，能够实现色纯度的提高。通过在绿色的荧光涂料中混入绿色的颜料或染料，能够实现色纯度的提高。如虚线所示，喷墨涂敷装置111也可以具有喷出用于形成蓝色的荧光体层的荧光涂料的喷嘴112B。代替喷嘴112B，或者除了喷嘴112B以外，还可以设置喷出发出黑色的不透射的涂料的喷嘴，使缺陷子像素22d的发光不透射。
信息处理装置102访问存储装置103。信息处理装置102取得存储在存储装置103中的、由缺陷子像素检测系统100存储的缺陷子像素22d的位置的数据。
信息处理装置102将从存储装置103取得的缺陷子像素22d的位置的数据发送到喷墨涂敷装置111。
喷墨涂敷装置111预先具有与排列在显示区域10的子像素的发光色对应的位置数据。喷墨涂敷装置111将最初的位置数据置换为与从信息处理装置102接收到的缺陷子像素22d有关的数据。
例如，在从信息处理装置102发送来的数据中，表示A部的最上段、最左列的像素20的中央的子像素为缺陷子像素22d。在喷墨涂敷装置111最初的位置数据中，该像素20的中央列的子像素的发光色被设定为绿色。喷墨涂敷装置111在中央列的子像素的位置不喷出绿色的荧光涂料，而在冗余子像素22s的位置喷出绿色的荧光涂料。
在从A部的上方起第3层、最右列的像素20的情况下，在从信息处理装置102发送来的数据中，表示左列的子像素是缺陷子像素22d。在喷墨涂敷装置111最初的位置数据中，左列的子像素的发光色被设定为红色。喷墨涂敷装置111在左列的子像素的位置不喷出红色的荧光涂料，而是在冗余子像素22s的位置喷出红色的荧光涂料。
在A部的最下段、中央列的像素20的情况下，从信息处理装置102发送来的数据表示右列的子像素是缺陷子像素22d。在喷墨涂敷装置111最初的位置数据中，右列的子像素的发光色为蓝色。喷墨涂敷装置111在形成蓝色的荧光体层的情况下，在右列的位置不喷出荧光涂料，在冗余子像素22s的位置喷出蓝色的荧光涂料。在不形成蓝色的荧光体层的情况下，不向右列的发光元件30以及冗余子像素22s中的任一个喷出荧光涂料。
在上述各色的荧光体层形成的情况下，喷墨涂敷装置111也可以在缺陷子像素22d的位置喷出不透射的墨液。
图8是用于说明实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
在图8中，示意性地示出执行驱动IC安装工序S3的驱动IC安装系统120的结构的详细。
如图8所示，驱动IC安装系统120具有信息处理装置102以及存储装置103。信息处理装置102以及存储装置103能够使用与在缺陷子像素检测系统100以及波长转换层形成系统110中使用的系统相同的系统。
信息处理装置102访问存储装置103，取得缺陷子像素22d的位置的数据。
信息处理装置102将所取得的缺陷子像素22d的位置的数据写入ROM54。
驱动IC50通过未图示的电子部件安装系统，安装于图像显示装置1的规定的位置。向ROM54的数据的写入也可以在驱动IC50的安装后进行。
图像显示装置1与显示部驱动系统121连接。图像显示装置1从显示部驱动系统121供给检查用的显示图案等数据，判定各像素20的优劣。
这样，能够制造本实施方式的图像显示装置1。
对本实施方式的图像显示装置1的效果进行说明。
本实施方式的图像显示装置1在显示区域10安装发光元件30，在点亮后确定缺陷子像素22d的位置。因此，能够不需要安装发光元件30前的单体的检查工序。因此，能够提高图像显示装置1的综合性的制造成品率。
在本实施方式中，各像素20包含至少1个冗余子像素22s。在像素20内存在缺陷子像素22d的情况下，冗余子像素22s的发光色被置换为缺陷子像素22d的本来的发光色。因此，绝大多数全部的像素20能够包含红色、绿色以及蓝色，因此能够实现颜色的再现性良好的图像显示装置。
代替在发光元件30中使用蓝色的无机半导体发光元件，通过在蓝色的子像素形成发出蓝色的荧光体层，能够制成发出紫外光的发光元件。通过制成发出紫外光的发光元件，能够提高荧光体的发光效率，能够有助于图像显示装置的高亮度化、低耗电化。
(第2实施方式)
在上述实施方式中，通过在发出蓝色或紫外光的发光元件上形成适当颜色的荧光体层来形成子像素，形成显示区域。在以下说明的本实施方式中，通过将发光元件自身设为红色、绿色及蓝色，进而按每个像素设置冗余子像素，能够得到与上述的其他实施方式的情况相同的效果。
图9是例示本实施方式所涉及的图像显示装置的示意性的框图。
如图9所示，本实施方式的图像显示装置201具有显示区域210以及驱动IC50。驱动IC50与上述的其他实施方式的情况相同。显示区域210以及驱动IC50例如设置在未图示的基板上。
像素220将显示区域210排列成格子状。像素220中的绝大多数分别包含子像素222R、222G、22B以及冗余子像素222s。剩余的像素220的一部分分别包含缺陷子像素222d、22B、和具有红色的荧光体层的子像素22R或者具有绿色的荧光体层的子像素22G中的任一个。剩余的像素220的一部分分别包含子像素222R、222G、22B、以及缺陷子像素22d。在此，子像素22B是在上述的其他实施方式的图3C中说明的子像素。缺陷子像素22d是在图3D中说明过的缺陷子像素。
图10A～图10C是例示本实施方式的图像显示装置的一部分的示意性的剖视图。
图10A是红色的发光色的子像素222R的剖视图。发光元件230R是以红色发光的发光元件。例如，发光元件230R是包含AlGaAs、GaAsP等的无机半导体发光元件。发光元件230R与设置在绝缘性的基板2的一个面上的第1布线3连接。发光元件230R还与设置在发光元件230R的上表面的第2布线4连接。发光元件230R经由这些第1布线3以及第2布线4，与驱动电路52等连接。绝缘层5设置在第1布线3与第2布线4之间，将第1布线3与第2布线4之间电绝缘。
图10B是绿色的发光色的子像素222G的剖视图。发光元件230G是以绿色发光的发光元件。例如，发光元件230G是包含InGaN、ZnSe等的无机半导体发光元件。其他结构与图10A的情况相同。
图10C是冗余子像素222s的剖视图。冗余子像素222s的结构与上述的其他实施方式的情况的图3C中说明的蓝色的子像素22B相同。另外，在本实施方式中，蓝色的发光色的子像素22B与在上述的其他实施方式的图3C所说明的相同。
返回图9，对各像素220的结构进行更具体地说明。
在本实施方式中，在红色的发光色的子像素222R或者绿色的发光色的子像素222G成为缺陷的情况下，称为缺陷子像素222d，在蓝色的发光色的子像素成为缺陷的情况下，称为缺陷子像素22d。
在包含缺陷子像素222d的像素220中，如A部的最上段、最左列的像素220、从上方第3层最右列的像素220那样，本来存在红色或者绿色的发光色的子像素成为缺陷的情况。
在红色的发光色的子像素222R为缺陷的情况下，设为在冗余子像素222s的发光元件30上形成红色的荧光体层40R的子像素22R，代替本来的红色的子像素222R。在此，子像素22R与在图3A中说明的红色发光的子像素的结构相同。此外，在图中，具有缺陷的红色发光的子像素222R作为缺陷子像素222d而被显示。
在绿色发光色的子像素222G为缺陷的情况下，设为在冗余子像素222s的发光元件30上形成绿色的荧光体层40G的子像素22G，代替本来的绿色的子像素222R。在此，子像素22G与在图3B中说明的绿色发光的子像素的结构相同。在图中，具有缺陷的绿色发光子像素222G作为缺陷子像素222d而被显示。
除上述以外，在包含缺陷子像素222d的像素220中，如A部的最下段中央列的像素220那样，也存在本来蓝色的发光色的子像素成为缺陷的情况。在该情况下，将冗余子像素222s直接设为形成有蓝色的荧光体层的子像素22B，代替本来的蓝色的子像素22B。在此，子像素22B与在图3C中说明的绿色发光的子像素的结构相同。在图中，具有缺陷的蓝色发光的子像素作为缺陷子像素22d而被显示。
对本实施方式的图像显示装置201的制造方法进行说明。
图11是例示本实施方式所涉及的图像显示装置的制造方法的流程图。
如图11所示，驱动IC安装工序S3与上述的其他实施方式的情况相同。波长转换层形成工序S202与上述的其他实施方式的情况不同。
在本实施方式中，在缺陷子像素检测工序S1中，检测缺陷子像素。与上述的其他实施方式的情况同样地，在缺陷子像素检测工序S1中，使摄影区域内的子像素全部点亮，根据该图像数据检测缺陷子像素的位置。
各发光元件分别以红色、绿色以及蓝色发光。因此，在将全部的子像素同时点亮时，由于混色等，缺陷位置的判定可能会变得困难的情况下，例如，也可以使各发光色按照红、绿、蓝的顺序依次点亮，按每个发光色检测缺陷子像素。
在波长转换层形成工序S202中，一边判定缺陷子像素222d、22d的发光色，一边判定是否在冗余子像素222s形成波长转换层。
具体地说，在步骤S202a中，判定缺陷子像素222d的本来的发光色。在本来的发光色是红色或者绿色的情况下，在步骤S202b中，在冗余子像素222s形成缺陷子像素222d本来的发光色的荧光体层。
在步骤S202a中，在缺陷子像素22d的本来的发光色是蓝色的情况下，在步骤S202c中，判定是否形成蓝色的波长转换层。在形成波长转换层的情况下，在步骤S202b中，在冗余子像素222s形成蓝色的发光色的荧光体层。在不形成波长转换层的情况下，不执行步骤S202b，使处理返回到步骤S202a。
另外，由于在冗余子像素222s中是否形成蓝色的荧光体层根据预先设定的情况较多，因此步骤S202c的判定也可以预先固定到某一个。
在步骤S202b中，返回步骤S202a，重复上述步骤，直到相对于包含缺陷子像素的像素220的全部冗余子像素形成荧光体层为止。
对各工序的详细进行说明。
图12是用于说明本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
在图12中，示出了执行缺陷子像素检测工序S1的缺陷子像素检测系统100的结构。该缺陷子像素检测系统100具有上述的其他实施方式的情况相同的结构。因此，适当省略缺陷子像素检测系统100的详细说明。
如图12所示，在显示区域210中以格子状排列有像素220。各像素220包含3个子像素222R、222G、22B以及冗余子像素222s。在该例子中，子像素222R、222G、22B排列成一列，冗余子像素222s配置在排列成一列的子像素222R、222G、22B的下方。在图中，示出了作为显示区域210的一部分的A部的放大图。以下，同样地使用显示区域210的A部的放大图，对各制造工序的详细进行说明。
关于缺陷子像素检测系统100的缺陷子像素检测工序的详细，对与上述其他实施方式不同的点进行说明。
信息处理装置102具有预先设定的摄影区域的数据，摄影区域的数据例如被设定为将显示区域210分割为4份的区域等。摄影环境基于相机101的分辨率来设定。
信息处理装置102将所设定的摄影区域内的显示数据104供给到点亮驱动电路105。此时，信息处理装置102可以使全部的子像素222R、222G、22B同时点亮，也可以按照每个发光色依次点亮。在按每个发光色点亮的情况下，也可以按每个发光色来设定相机101的设定，例如曝光、白平衡等的设定。另外，冗余子像素222s是在像素220中存在缺陷的情况下的代替的子像素。因此，在信息处理装置102所生成的显示数据104中不包含使冗余子像素222s点亮的数据。
点亮驱动电路105基于所设定的显示数据104，选择子像素222R、222G、22B进行驱动而使其发光。
相机101拍摄包含显示区域10中的至少由信息处理装置102设定的摄影区域的区域。
信息处理装置102取得相机101拍摄到的图像数据。信息处理装置102对由程序取得的图像数据进行图像处理，将摄影区域中的各子像素222R、222G、22B的发光亮度与规定值进行比较。
在子像素222R、222G、22B各自的亮度低于第1规定值的情况下，信息处理装置102将该子像素222R、222G、22B判定为缺陷子像素222d。与上述的其他实施方式的情况同样地，信息处理装置102也可以具有与亮度的判定相关的多个规定值。第2规定值具有比第1规定值大的值。在子像素222R、222G、22B的亮度高于第2规定值的情况下，将该子像素判定为缺陷子像素222d。
即使在从1规定值到第2规定值的范围内，在点亮驱动电路105的驱动信号全部断开的情况下，点亮的子像素也被判定为缺陷子像素222d。
第1规定值、第2规定值也可以按照每个发光色来设定，也可以针对全发光色设定为相同的值。
信息处理装置102确定检测到的缺陷子像素222d的位置。信息处理装置102设定与摄影区域的图像数据中的全部的缺陷子像素222d相关的位置的数据，并转送到存储装置103。信息处理装置102通过程序来设定下一个摄影区域的显示数据104。信息处理装置102对全部的摄影区域反复执行以上的动作。
接下来，对波长转换层形成工序进行详细地说明。
图13是用于说明本实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
在图13中，示意性地示出执行波长转换层形成工序S202的波长转换层形成系统110的结构的详细。
在本实施方式中，使用具备与上述的其他实施方式的情况不同的喷墨涂敷装置111的波长转换层形成系统110。
在本实施方式中，喷墨涂敷装置111具有喷出红色的荧光涂料的喷嘴112R、喷出绿色的荧光涂料的喷嘴112G。红色的荧光体层和绿色的荧光体层用于在像素220中存在缺陷子像素222d的情况下，在冗余子像素222s形成缺陷子像素222d本来的发光色的荧光体层。
在各子像素222R、222G、22B分别形成荧光体层的情况下，如虚线所示，喷墨涂敷装置111还具有喷出蓝色的喷嘴112B。
喷墨涂敷装置111从信息处理装置102接收缺陷子像素222d的位置的数据。喷墨涂敷装置111判定缺陷子像素222d本来的发光色是红色还是绿色。
在缺陷子像素222d的本来的发光色是红色的发光色的情况下，向存在该缺陷子像素222d的像素220的冗余子像素222s喷出红色的荧光涂料。在该缺陷子像素222d的本来的发光色是绿色的发光色的情况下，向存在该缺陷子像素222d的像素220的冗余子像素222s喷出绿色的荧光涂料。
在缺陷子像素222d的本来的发光色是蓝色的发光色的情况下，向存在该缺陷子像素222d的像素220什么也不做，判定下一个缺陷子像素222d的发光色。
喷墨涂敷装置111如上述那样反复执行与全部的缺陷子像素222d相关的处理。
图14是用于说明实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性的框图的例子。
在图14中，示意性地示出执行驱动IC安装工序S3的驱动IC安装系统120的结构的详细。驱动IC安装系统120能够设为与上述的其他实施方式的情况相同的系统。
对本实施方式的图像显示装置的效果进行说明。
在本实施方式的图像显示装置中，除了上述的其他实施方式的情况的效果以外，还起到以下的效果。
作为子像素，使用具有红色、绿色以及蓝色的发光色的发光元件，作为冗余子像素222s而使用蓝色的发光元件。因此，在不存在缺陷子像素222d的绝大多数的像素220中，不需要形成荧光体层，因此波长转换层形成工序的期间缩短，通过缩短制造工序整体的期间，能够以低成本制造图像显示装置。
在全部的子像素222R、222G、22B形成荧光体层的情况下，能够使各发光色的色度更稳定，并且能够抑制倾斜方向的色度变化，能够进行更高精细的图像显示。
(第3实施方式)
上述的图像显示装置作为具有适当的像素数的图像显示模块，能够设为例如计算机用显示器、电视机、智能手机这样的便携式终端、或者汽车导航等。
图15是例示本实施方式所涉及的图像显示装置的框图。
在图15中，示出了计算机用显示器的结构的主要部分。
如图15所示，图像显示装置401具备图像显示模块1a。图像显示模块1a包含与上述其他实施方式的情况相同的显示区域10和驱动IC50。图像显示模块1a还包含扫描电路60。扫描电路60与驱动IC50一起设定各子像素的驱动顺序。
图像显示装置401还具备控制器470。控制器470通过未图示的接口电路输入分离、生成的控制信号，对驱动IC50以及扫描电路，控制各子像素的驱动以及驱动顺序。
(变形例)
图16是例示本变形例的图像显示装置的框图。
在图16中，示出高精细薄型电视的结构。
如图16所示，图像显示装置501具备图像显示模块1a。图像显示装置501具备控制器570以及帧存储器580。控制器570基于由总线540供给的控制信号，控制显示区域10的各子像素的驱动顺序。帧存储器580存储1帧量的显示数据，用于顺畅的动态图像再现等处理。
图像显示装置501具有I/O电路510。I/O电路510提供用于与外部的终端、装置等连接的接口电路等。在I/O电路510中，例如包含连接外设的硬盘装置等的USB接口、音频接口等。
图像显示装置501具有调谐器520以及信号处理电路530。天线522与调谐器520连接，从由天线522接收到的电波中分离、生成必要的信号。信号处理电路530包含DSP(Digital Signal Processor：数字信号处理器)、CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)等，通过调谐器520分离、生成的信号通过信号处理电路530分离、生成为图像数据、声音数据等。
通过将调谐器520以及信号处理电路530设为移动电话的收发用、WiFi用、GPS接收器等高频通信模块，也能够设为其他图像显示装置。例如，具备适当的画面尺寸以及分辨率的图像显示模块的图像显示装置能够设为智能手机、汽车导航系统等便携式信息终端。
另外，上述的图像显示装置中使用的图像显示模块不限于上述的第1实施方式的情况，也可以是第2实施方式的情况。
根据以上说明的实施方式，通过将包含成为缺陷的发光元件的像素的一部分救济且省略发光元件单体的检查工序，能够实现提高了制造成品率的图像显示装置以及图像显示装置的制造方法。
以上，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式、其变形包含在发明的范围、主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明及其等价物的范围内。此外，上述的各实施方式能够相互组合而实施。

Claims (20)

1.一种图像显示装置，其中，
具备多个像素，分别包含能够以红色、绿色以及蓝色分别发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素，
所述多个像素中的至少1个像素的所述多个第1子像素中的任1个具有1个缺陷子像素，
在所述缺陷子像素为应以红色或者绿色发光的子像素的情况下，
所述第2子像素包含发光元件、和设置于所述发光元件且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述多个第1子像素分别包含：
以蓝色进行发光的第1发光元件、和设置于所述第1发光元件且将蓝色的发光色转换为红色的第1波长转换层；
以蓝色进行发光的第2发光元件、和设置于所述第2发光元件且将蓝色的发光色转换为绿色的第2波长转换层；以及
以蓝色进行发光的第3发光元件。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述多个第1子像素分别包含：
以红色、绿色以及蓝色进行发光的发光元件。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述发光元件是以紫外色进行发光的发光元件。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述缺陷子像素具有比规定的亮度低的亮度。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述缺陷子像素具有比规定的亮度高的亮度。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置，其中，
所述缺陷子像素具有不透射色的层。
8.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述图像显示装置还具备：
驱动电路，基于所供给的图像信号的数据，分别驱动所述多个第1子像素并通过所述多个像素再现所述图像信号的数据，
所述驱动电路具有所述缺陷子像素及剩余的所述子像素的位置、分别确定发光色的位置以及发光色的数据，基于所述位置以及发光色的数据，以所述缺陷子像素应发光的发光色的亮度驱动所述第2子像素。
9.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
所述多个第1子像素以及所述第2子像素包含无机半导体发光元件。
10.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
设置于所述第2子像素且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层包含荧光体材料。
11.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，
设置于所述第2子像素且将所述发光元件的发光色转换为所述缺陷子像素应发光的颜色的波长转换层包含量子点材料。
12.一种图像显示装置的制造方法，该图像显示装置包含分别能够以红色、绿色以及蓝色发光的多个第1子像素和能够以蓝色发光的第2子像素，其中，
所述图像显示装置的制造方法具备：
缺陷子像素检测工序，准备分别使所述多个第1子像素发光的多个第1发光元件以及使所述第2子像素发光的第2发光元件，点亮所述多个第1发光元件，取得所点亮的所述多个第1发光元件的图像数据，对所述图像数据进行图像解析，分别设定所述多个第1发光元件中的缺陷发光元件及没有缺陷的剩余的发光元件的位置以及发光色的数据，存储所述位置以及所述发光色的数据；和
波长转换层形成工序，在所述多个第1发光元件分别形成波长转换层，
所述波长转换层形成工序包含：在所述多个第1发光元件中的应以红色或者绿色发光的子像素包含所述缺陷发光元件的情况下，基于所述位置以及所述发光色的数据，在所述第2发光元件形成波长转换为应在所述缺陷发光元件的位置发光的发光色的波长转换层。
13.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述多个第1发光元件分别包含：
第1波长转换层，设置于以蓝色进行发光的发光元件，将发光色转换为红色；
第2波长转换层，设置于以蓝色进行发光的发光元件，将发光色转换为绿色；以及
发光元件，以蓝色进行发光。
14.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述多个第1发光元件包含以红色、绿色以及蓝色进行发光的发光元件。
15.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述缺陷发光元件具有比规定的亮度低的亮度。
16.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述缺陷发光元件具有比规定的亮度高的亮度。
17.根据权利要求16所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述波长转换层形成工序包含：在所述缺陷发光元件形成不透射色的层。
18.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
该制造方法还具备：
驱动电路连接工序，基于所供给的图像信号的数据，将分别驱动所述多个第1发光元件以及所述第2发光元件的驱动电路与所述多个第1发光元件以及所述第2发光元件连接，
所述驱动电路具有所述缺陷发光元件及所述剩余的发光元件的位置、分别确定发光色的位置以及发光色的数据，基于所述位置以及所述发光色的数据，以所述缺陷发光元件应发光的发光色的亮度驱动所述第2发光元件。
19.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
所述多个第1发光元件以及所述第2发光元件是无机半导体发光元件。
20.根据权利要求12所述的图像显示装置的制造方法，其中，
在所述波长转换层形成工序中，在所述第2发光元件形成波长转换为应在所述缺陷发光元件的位置发光的发光色的波长转换层的方法是喷墨印刷。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114842791A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其像素修补方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230326908A1 (en) 2020-08-18 2023-10-12 Kyocera Corporation Display device
CN117280402A (zh) * 2021-05-31 2023-12-22 京瓷株式会社 显示装置
US20220399479A1 (en) * 2021-06-11 2022-12-15 Applied Materials, Inc. High pixel density structures and methods of making
US20230140197A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-04 Innolux Corporation Electronic device and manufacturing method of electronic device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102279189A (zh) * 2010-03-17 2011-12-14 夏普株式会社 缺陷检测装置、缺陷修复装置、缺陷检测方法
CN102770906A (zh) * 2010-02-26 2012-11-07 夏普株式会社 图像显示装置和图像显示方法
JP2013251224A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
US20150371585A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-24 X-Celeprint Limited Micro assembled led displays and lighting elements
CN105679798A (zh) * 2016-01-22 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其像素修复方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897855B1 (en) * 1998-02-17 2005-05-24 Sarnoff Corporation Tiled electronic display structure
KR100670543B1 (ko) * 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
KR101127829B1 (ko) 2005-12-07 2012-03-20 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치와 그 제조방법, 제조장치, 화질 제어장치 및화질 제어방법
JP2009058569A (ja) 2007-08-30 2009-03-19 Seiko Epson Corp リペア方法及び装置、並びに電気光学装置の製造方法
US9165989B2 (en) * 2009-09-16 2015-10-20 Semprius, Inc. High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR101513641B1 (ko) 2013-08-20 2015-04-22 엘지전자 주식회사 표시장치
JP6612565B2 (ja) 2015-09-11 2019-11-27 アルパッド株式会社 ディスプレイパネル、表示装置およびディスプレイパネルの製造方法
WO2017043216A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 シャープ株式会社 画像表示装置
KR102401983B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-25 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치 및 투명표시패널
JP6740374B2 (ja) * 2016-12-22 2020-08-12 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
US20190080645A1 (en) 2017-09-11 2019-03-14 Vuereal Inc. Display optimization techniques for micro-led devices and arrays
TWI642047B (zh) * 2018-01-26 2018-11-21 鼎展電子股份有限公司 可撓性微發光二極體顯示模組
US10796971B2 (en) * 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102770906A (zh) * 2010-02-26 2012-11-07 夏普株式会社 图像显示装置和图像显示方法
CN102279189A (zh) * 2010-03-17 2011-12-14 夏普株式会社 缺陷检测装置、缺陷修复装置、缺陷检测方法
JP2013251224A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Panasonic Corp 表示パネルの製造方法、その検査装置及び検査方法
US20150371585A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-24 X-Celeprint Limited Micro assembled led displays and lighting elements
CN105679798A (zh) * 2016-01-22 2016-06-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示装置及其像素修复方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114842791A (zh) * 2021-02-02 2022-08-02 瀚宇彩晶股份有限公司 显示装置及其像素修补方法

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