CN116490915A - 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法 - Google Patents

像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116490915A
CN116490915A CN202180003190.0A CN202180003190A CN116490915A CN 116490915 A CN116490915 A CN 116490915A CN 202180003190 A CN202180003190 A CN 202180003190A CN 116490915 A CN116490915 A CN 116490915A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
electrode
quantum dot
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180003190.0A
Other languages
English (en)
Inventor
李广如
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN116490915A publication Critical patent/CN116490915A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种像素排布结构、驱动方法、显示基板及其制备方法。其中像素排布结构包括：呈阵列排布的像素单元，每个像素单元包括第一子像素(11)与第二子像素(12)，第一子像素(11)包括第一量子点发光二极管，第二子像素(12)包括无机发光二极管，第二子像素(12)的发光颜色与第一子像素(11)的发光颜色相同，或为白色。显示基板的寿命长，色域广。

Description

像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法 技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法。
背景技术
相关技术中，电致发光的量子点二极管(QLED)具备色域广、可打印以及发光效率高等优点，因此，可能应用于显示基板。但是，由于其量子点表面有容易脱离的配体，以及其空穴传输层采用了电稳定性比较差的有机物，导致QLED的寿命比较短，进而导致基于量子点二极管的显示基板的寿命比较短。
发明内容
本公开提供了一种像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种像素排布结构，包括：呈阵列排布的像素单元，每个所述像素单元包括第一子像素与第二子像素，所述第一子像素包括第一量子点发光二极管，所述第二子像素包括无机发光二极管，所述第二子像素的发光颜色与所述第一子像素的发光颜色相同，或为白色。
在一个实施例中，所述的像素排布结构，包括两个所述第二子像素，一个所述第二子像素的发光颜色与所述第一子像素的发光颜色相同，另一个所述第二子像素的发光颜色为白色。
在一个实施例中，所述第一子像素的发光颜色为蓝色。
在一个实施例中，所述第二子像素为Micro LED或Mini LED。
在一个实施例中，所述第二子像素的尺寸小于或等于所述第一子像素的尺寸。
在一个实施例中，每个所述像素单元还包括第三子像素与第四子像素；
所述第三子像素包括第二量子点发光二极管，所述第三子像素的发光颜色为红色；
所述第四子像素包括第三量子点发光二极管，所述第四子像素的发光颜色为绿色。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种像素排布结构的驱动方法，用于驱动上述的像素排布结构，所述方法，包括：
针对每个所述像素单元，根据待显示图像的图像数据确定所述像素单元的发光颜色的色坐标；
若所述色坐标位于所述第二子像素对应的第一色域中，则控制所述第二子像素发光，禁止所述第一子像素发光，若所述色坐标位于所述第一色域外且位于所述第一子像素对应的第二色域中，则控制所述第一子像素发光。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示基板，包括上述的像素排布结构。
根据本公开实施例的第四方面，提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述的显示基板，所述方法，包括：
在衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一像素电路与第二像素电路，所述第一像素电路用于驱动所述第一子像素发光，所述第二像素电路用于驱动所述第二子像素发光；
形成发光层，所述发光层包括所述第一子像素与所述第二子像素，所述第一子像素与所述第一像素电路电连接，所述第二子像素与所述第二像素 电路电连接。
在一个实施例中，所述形成发光层，包括：
制备所述第二子像素；
采用转印工艺将所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接；
接着，形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；
采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素。
在一个实施例中，所述形成发光层，包括：所述形成发光层，包括：
形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口与通孔，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；所述通孔在所述衬底上的投影位于所述第二像素电路在所述衬底上的投影内；
制备导电件，所述导电件位于所述通孔中，所述导电件的第一端从所述像素界定层中露出，第二端与所述第二像素电路电连接；
采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一 子像素；
接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述导电件上，并将所述第二子像素与所述导电件电连接。
在一个实施例中，所述形成发光层，包括：
形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口与通孔，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；所述通孔在所述衬底上的投影位于所述第二像素电路在所述衬底上的投影内；
制备导电件，所述导电件位于所述通孔中，所述导电件的第一端从所述像素界定层中露出，第二端与所述第二像素电路电连接；
接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述导电件上，并将所述第二子像素与所述导电件电连接；
接着，采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素。
在一个实施例中，所述形成发光层，包括：
制备所述第二子像素；
采用转印工艺将所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接；
接着，采用光刻工艺制备量子点发光层，所述驱动电路层包括暴露的第一电极，所述第一电极与所述第一像素电路连接，所述量子点发光层位于所述第一电极上；
制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素。
在一个实施例中，所述形成发光层，包括：
采用光刻工艺制备量子点发光层，所述驱动电路层包括暴露的第一电极，所述第一电极与所述第一像素电路连接，所述量子点发光层位于所述第一电极上；
接着，制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素；
接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接。
附图说明
图1是根据本公开实施例示出的一种像素排布结构的结构示意图。
图2是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图3是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图4是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图5是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图6是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图7是根据本公开实施例示出的一种色度图。
图8是根据本公开实施例示出的一种使用寿命示意图。
图9是根据本公开实施例示出的另一种色度图。
图10是根据本公开实施例示出的另一种使用寿命示意图。
图11是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图12是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图13是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图14是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图15是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图16是根据本公开实施例示出的另一种像素排布结构的结构示意图。
图17是根据本公开实施例示出的一种像素排布结构的驱动方法的流程图。
图18是根据本公开实施例示出的一种显示基板的制备方法的流程图。
图19是根据本公开实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图。
图20～图22是根据本公开实施例示出的制备显示基板的过程中产生的中间结构的示意图。
图23是根据本公开实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图。
图24～图27是根据本公开实施例示出的制备显示基板的过程中产生的中间结构的示意图。
图28是根据本公开实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图。
图29是根据本公开实施例示出的制备显示基板的过程中产生的中间结构的示意图。
图30是根据本公开实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图。
图31～图32是根据本公开实施例示出的制备显示基板的过程中产生的中间结构的示意图。
图33是根据本公开实施例示出的另一种显示基板的制备方法的流程图。
图34是根据本公开实施例示出的制备显示基板的过程中产生的中间结构的示意图。
具体实施方式
为使本公开的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本公开的具体实施例做详细的说明。
本公开实施例提供一种像素排布结构。该像素排布结构包括呈阵列排布的像素单元。如图1所示，每个像素单元包括第一子像素11与第二子像素12，第一子像素11包括第一量子点发光二极管(未示出)，第二子像素12包括无机发光二极管，第二子像素12的发光颜色与第一子像素11的发光颜色相同，或第二子像素12的发光颜色为白色。
在本实施例中，由于像素排布结构的每个像素单元包括第一子像素与第二子像素，第一子像素包括第一量子点发光二极管，第二子像素包括无机发光二极管，第二子像素的发光颜色与第一子像素的发光颜色相同，或为白色，又由于第一子像素发光时像素单元的发光颜色的色域比第二子像素发光时像素单元的发光颜色的色域广，第二子像素比第一子像素更稳定，以及第二子像素的寿命比第一子像素的寿命更长，因此，使得可以根据待显示图像的图像数据确定每个像素单元的发光颜色的色坐标，并在对应的像素单元的发光颜色的色坐标位于第二子像素对应的第一色域中时，控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，而在像素单元的发光颜色的色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中时，控制第一子像素发光，这样，在上述的像素排布结构应用于显示基板时，可以减少第一子像素发光的累计时 长，有利于延长第一子像素的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基板同时具备色域广与寿命长的优点。
以上对本公开实施例提供的像素排布结构进行了简要的介绍，下面对本公开实施例提供的像素排布结构进行详细的介绍。
本公开实施例还提供一种像素排布结构。该像素排布结构，包括呈阵列排布的像素单元。如图1所示，每个像素单元包括：第一子像素11、第二子像素12、第三子像素13与第四子像素14。
在本实施例中，每个像素单元包括一个第一子像素11。第一子像素11包括第一量子点发光二极管，第一子像素11的发光颜色为蓝色。第一量子点发光二极管包括第一电极、第一量子点发光层与第二电极，第一量子点发光层位于第一电极与第二电极之间，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，但不限于此。当第一量子点发光二极管工作时，第一量子点发光层可发蓝光。
在本实施例中，每个像素单元包括一个第三子像素13。第三子像素13包括第二量子点发光二极管，第三子像素的发光颜色为红色。第二量子点发光二极管的结构与第一量子点发光二极管的结构相似，可包括第一电极、第二量子点发光层与第二电极，当第二量子点发光二极管工作时，第二量子点发光层可发红光。
在本实施例中，每个像素单元包括一个第四子像素14。第四子像素14包括第三量子点发光二极管，第四子像素14的发光颜色为绿色。第三量子点发光二极管的结构与第一量子点发光二极管的结构相似，可包括第一电极、第三量子点发光层与第二电极，当第三量子点发光二极管工作时，第三量子点发光层可发绿光。
在本实施例中，每个像素单元包括一个第二子像素12。第二子像素12的发光颜色与第一子像素11的发光颜色相同，为蓝色。第二子像素12包括无机发光二极管。无机发光二极管包括第三电极、无机发光层与第四电极， 无机发光层位于第三电极与第四电极之间。第三电极可为阳极，第四电极可为阴极。当无机发光二极管工作时，无机发光层可发蓝光。
在其他实施例中，每个像素单元可包括一个第二子像素12，第二子像素12的发光颜色可为白色。在其他实施例中，每个像素单元还可包括两个第二子像素12，一个第二子像素12的发光颜色为蓝色，另一个第二子像素12的发光颜色为白色。
在本实施例中，第二子像素12为Micro LED。在其他实施例中，第二子像素12可为Mini LED。
在本实施例中，第一子像素11的发射的光的色域大于第二子像素12发射的光的色域。第二子像素12的寿命大于第一子像素11的寿命。因此，可以在只有第一子像素11发光才能使像素单元的发光颜色的色坐标达到待显示图像的色坐标时，才控制第一子像素11发光，而在第二子像素12发光就能使像素单元的发光颜色的色坐标达到待显示图像的色坐标时，禁止第一子像素11发光，而仅控制第二子像素12发光。这样，可以减小第一子像素11发光的累计时长，在上述的像素排布结构应用于显示基板时，可以减少第一子像素11发光的累计时长，有利于延长第一子像素11的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基板同时具备色域广与寿命长的优点。
在本实施例中，如图1所示，第二子像素12的尺寸小于第一子像素11的尺寸。例如，在第一方向X上，第二子像素12的尺寸小于第一子像素11的尺寸，且在第二方向Y上，第二子像素12的尺寸小于第一子像素11的尺寸。在其他实施例中，在第一方向X上或在第二方向Y上，第二子像素12的尺寸小于第一子像素11的尺寸。
在本实施例中，如图1所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素12与第三子像素13在第二方向Y上并排排列。在第二方向Y上，第二子像素12与第三子像素13的总长 度可稍小于第一子像素11的长度。在第二方向Y上，第二子像素12与第三子像素13之间存在间隙。在第二方向Y上，第二子像素12的长度小于第三子像素13的长度。即，可通过缩小第三子像素13的长度，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在本实施例中，第二子像素12在第一方向X上或在第二方向Y上的长度小于10微米，或第二子像素12在第一方向X上与在第二方向Y上的长度小于10微米。
在本实施例中，如图1所示，第一子像素11的面积大于第四子像素14的面积，第四子像素14的面积大于第三子像素13的面积。第三子像素13的面积大于第二子像素12的面积。
在其他实施例中，如图2所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，在第二方向Y上，第二子像素12与第三子像素13在第二方向Y上并排排列，且第二子像素12与第四子像素14在第二方向Y上并排排列。在第二方向Y上，第三子像素13与第四子像素14的长度基本相同，且小于第一子像素11的长度。在第二方向Y上，第二子像素12与第三子像素13的总长度可稍小于第一子像素11的长度。即，可通过缩小第三子像素13的长度与第四子像素14的长度，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图3所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素12的形状与第一子像素11的形状互补。即可通过缩小第一子像素11的面积，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图4所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，在第二方向Y上，第二子像素12与第一子像素11并排排列。在第一方向X上，第二子像素12的长度与第一子像 素11的长度相同，在第二方向Y上，第二子像素12的长度小于第一子像素11的长度。即可通过缩小第一子像素11在第二方向Y上的长度，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图5所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，在第二方向Y上，第二子像素12与第三子像素13并排排列，第二子像素12与第四子像素14并排排列，且第二子像素12与第一子像素11并排排列。即可通过缩小第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第二方向Y上的长度，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图6所示，第三子像素13、第四子像素14、第一子像素11与第二子像素12在第一方向X上并排排列，第一子像素11与第二子像素12相邻。在第一方向X上，第三子像素13、第四子像素14、第一子像素11与第二子像素12的长度可基本相同，在第二方向Y上，第三子像素13、第四子像素14、第一子像素11与第二子像素12的长度可基本相同。即可通过缩小第一子像素11第一方向X上的长度，为第二子像素12腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在本实施例中，像素单元的色度图如图7所示。图7中，RQ为第三子像素13的发光颜色的色坐标，GQ为第四子像素14的发光颜色的色坐标，BQ为第一子像素11的发光颜色的色坐标，BM为第二子像素12的发光颜色的色坐标。由图7可知，第一子像素11、第三子像素13与第四子像素14同时发光时像素单元的发光颜色的色域比第二子像素12、第三子像素13与第四子像素14同时发光时像素单元的发光颜色的色域广。
为便于描述，将第二子像素12、第三子像素13与第四子像素14同时发光时像素单元的发光颜色的色域成为第一色域Q1，将第一子像素11、第三子像素13与第四子像素14同时发光时像素单元的发光颜色的色域超出第一色域Q1的色域称为第二色域Q2。如图7所示，第二色域Q2包括第一子色 域Q21与第二子色域Q22。当像素单元中只有第三子像素13与第一子像素11发光时，像素单元的发光颜色的色坐标位于第一子色域Q21中，当像素单元中只有第四子像素14与第一子像素11发光时，像素单元的发光颜色的色坐标位于第二子色域Q22中。
针对每个像素单元，当根据待显示图像的图像数据确定像素单元的发光颜色的色坐标位于色度图中的第一色域Q1中时，可禁止第一子像素11发光，控制第二子像素12发光。当像素单元的发光颜色的色坐标位于第一色域Q1外且位于第二色域Q2中时，可控制第一子像素11发光。
在本实施例中，在如图7所示的色度图中，将第一色域Q1的面积与第二色域Q2的面积的和值记为Sum，第二色域Q2的面积与Sum的比值大概为9％。即，第一子像素11被点亮的几率大概为9％。因此，大大减小了第一子像素11的发光的累计时长，有利于延长第一子像素11的寿命。
经试验，当上述的像素排布结构应用于显示基板时，第一子像素11、第二子像素12、第三子像素13与第四子像素14在T95@1000nits条件下的使用寿命请见图8。其中，T95@1000nits的含义是子像素的初始亮度为1000nits，当子像素的亮度降低至950nits时，子像素发光的累计时长为子像素的使用寿命。图8中，横轴为显示基板的所有像素单元中发光颜色的色坐标位于图7所示的色度图中的中性区域的占比，剩余的占比假设被平均分配到图7所示的第一色域Q1与第二色域Q2中，假设第一色域Q1、第一子色域Q21与第二子色域Q22三个色域中显示每种颜色(红色、绿色、蓝色)的亮度相同。其中，中性区域为白光点及其白光点周围的指定范围内的区域。纵轴为使用寿命，单位为小时。
图8中，曲线L-RQ是第三子像素13的使用寿命曲线，曲线L-GQ是第四子像素14的使用寿命曲线，曲线L-BQ是第一子像素11的使用寿命曲线，曲线L-BM是第二子像素12的使用寿命曲线。由图8可知，显示基板的使用寿命不再受限制于发蓝光的第一子像素11，而是受限制于发红光的第三子像 素13与发绿光的与第四子像素14。由于发红光的第三子像素13与发绿光的与第四子像素14的使用寿命比较长，因此，延长了显示基板的使用寿命。
本公开实施例还提供一种像素排布结构。与上述实施例相似的是，在本实施例中，每个像素单元可包括一个第一子像素11、一个第二子像素12、一个第三子像素13与一个第四子像素14。与上述实施例不同的是，在本实施例中，第二子像素12的发光颜色为白色。第二子像素12在像素单元中的位置与在图1至图6所示的像素单元中的位置相同。
在本实施例中，像素单元的色度图如图9所示。第二色域Q2的面积与Sum的比值为54％。即，第一子像素11被点亮的几率大概为54％。因此，可以减小第一子像素11的发光的累计时长，有利于延长第一子像素11的寿命。
经试验，当本实施例中的像素排布结构应用于显示基板时，第一子像素11、第二子像素12、第三子像素13与第四子像素14在T95@1000nits条件下的使用寿命请见图10。其中，曲线L-WM是第二子像素12的使用寿命曲线。
由图10可知，显示基板的使用寿命仍受限制于发蓝光的第一子像素11。但是，在显示基板的所有像素单元中发光颜色的色坐标位于图7所示的色度图中的中性区域的占比在95％时，显示基板的使用寿命仍可达到万小时左右，满足商业化的要求。因此，本实施例提供的技术方案，也可以延长显示基板的使用寿命。
在本实施例中，由于像素排布结构的每个像素单元包括第一子像素与第二子像素，第一子像素包括第一量子点发光二极管，第二子像素包括无机发光二极管，第二子像素的发光颜色为白色，又由于第一子像素发光时像素单元的发光颜色的色域比第二子像素发光时像素单元的发光颜色的色域广，第二子像素比第一子像素更稳定，以及第二子像素的寿命比第一子像素的寿命更长，因此，使得可以根据待显示图像的图像数据确定每个像素单元的发 光颜色的色坐标，并在对应的像素单元的发光颜色的色坐标位于第二子像素对应的第一色域中时，控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，而在像素单元的发光颜色的色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中时，控制第一子像素发光，这样，在上述的像素排布结构应用于显示基板时，可以减少第一子像素发光的累计时长，有利于延长第一子像素的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基板同时具备色域广与寿命长的优点。
本公开实施例还提供一种像素排布结构。与上述实施例不同的是，在本实施例中，每个像素单元可包括一个第一子像素11、两个第二子像素12、一个第三子像素13与一个第四子像素14。第一子像素11的发光颜色为蓝色，第三子像素13的发光颜色为红色，第四子像素14的发光颜色为绿色。两个第二子像素12中，一个第二子像素12的发光颜色为蓝色，另一个第二子像素12的发光颜色为白色。为便于描述，发光颜色为蓝色的第二子像素12的标号记为121，发光颜色为白色的第二子像素12的标号记为122。
在本实施例中，如图11所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，两个第二子像素12的尺寸均小于第一子像素11的尺寸。第二子像素122与第三子像素13在第二方向Y上并排排列，第二子像素121与第四子像素14在第二方向Y上并排排列。在第二方向Y上，第二子像素122与第三子像素13的总长度可稍小于第一子像素11的长度，第二子像素121与第四子像素14的总长度可稍小于第一子像素11的长度。在第二方向Y上，第二子像素122的长度小于第三子像素13的长度。即，可通过缩小第三子像素13的长度，为第二子像素122腾出空间。在第二方向Y上，第二子像素121的长度小于第四子像素14的长度。即，可通过缩小第四子像素14的长度，为第二子像素121腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图12所示，第三子像素13、第四子像素14与第 一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素121、第二子像素122与第三子像素13在第二方向Y上排列，且第二子像素121、第二子像素122与第四子像素14在第二方向Y上排列。在第二方向Y上，第三子像素13与第四子像素14的长度基本相同，且小于第一子像素11的长度。在第一方向X上，第二子像素121的长度与第二子像素122的长度相同，第三子像素13的长度与第四子像素14的长度的和值稍小于第二子像素121的长度。在第二方向Y上，第二子像素121、第二子像素122与第三子像素13的总长度可稍小于第一子像素11的长度，第二子像素121、第二子像素122与第四子像素14的总长度可稍小于第一子像素11的长度。即，可通过缩小第三子像素13的长度与第四子像素14的长度，为第二子像素121与第二子像素122腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图13所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素121与第一子像素11在第二方向Y上排列，第二子像素122与第一子像素11在第二方向Y上排列。第二子像素121与第二子像素122在第一方向X上并排排列。第四子像素14在第二方向Y上的长度与第三子像素13在第二方向Y上的长度相同，第一子像素11在第二方向Y上的长度小于第三子像素13在第二方向Y上的长度。即可通过缩小第一子像素11在第二方向Y上的长度，为第二子像素121与第二子像素122腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图14所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素121、第二子像素122与第一子像素11在第二方向Y上并排排列，在第二方向Y上，第二子像素121的长度与第二子像素122的长度相同，且第二子像素121的长度小于第一子像素11的长度，第一子像素11的长度小于第三子像素13的长度。即可通过缩小第一子像素11在第二方向Y上的长度，为第二子像素121与第二子像素122腾出空间。这样，可以避免第二子像素影响显示的分辨率。
在其他实施例中，如图15所示，第三子像素13、第四子像素14与第一子像素11在第一方向X上并排排列，第二子像素121与第一子像素11在第二方向Y上排列，第二子像素122与第三子像素13在第二方向Y上排列，且第二子像素122与第四子像素14在第二方向Y上排列。在第一方向X上，第二子像素121的长度与第一子像素11的长度相同，第三子像素13的长度与第四子像素14的长度的和稍小于第二子像素122的长度。在第二方向Y上，第三子像素13的长度、第四子像素14的长度与第一子像素11的长度相同，第一子像素11的长度与第二子像素121的长度的和等于第四子像素14的长度与第二子像素122的长度的和。
在其他实施例中，如图16所示，第三子像素13、第四子像素14、第一子像素11与第二子像素121在第一方向X上并排排列，第三子像素13、第四子像素14、第一子像素11与第二子像素122在第一方向X上并排排列，第二子像素121与第二子像素122在第二方向Y上并排排列。在第二方向Y上，第二子像素121的长度与第二子像素122的长度的和稍小于第三子像素13的长度。在第一方向X上，第二子像素121的长度与第二子像素122的长度相同，且第二子像素121的长度与第三子像素13的长度、第四子像素14的长度、第一子像素11的长度相同。
需要说明的是，图11至图16所示的像素单元中，第二子像素121与第二子像素122的位置可调换。
在本实施例中，由于像素排布结构的每个像素单元包括一个第一子像素与两个第二子像素，第一子像素包括第一量子点发光二极管，第二子像素包括无机发光二极管，第一子像素的发光颜色为蓝色，两个第二子像素中，一个第二子像素的发光颜色为蓝色，另一个第二子像素的发光颜色为白色，又由于第一子像素发光时像素单元的发光颜色的色域比第二子像素发光时像素单元的发光颜色的色域广，第二子像素比第一子像素更稳定，以及第二子像素的寿命比第一子像素的寿命更长，因此，使得可以根据待显示图像的图 像数据确定每个像素单元的发光颜色的色坐标，并在对应的像素单元的发光颜色的色坐标位于第二子像素对应的第一色域中时，控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，而在像素单元的发光颜色的色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中时，控制第一子像素发光，这样，在上述的像素排布结构应用于显示基板时，可以减少第一子像素发光的累计时长，有利于延长第一子像素的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基板同时具备色域广与寿命长的优点。
本公开实施例还提供一种显示基板。该显示基板包括上述任一实施例的像素排布结构。
本公开实施例还提供一种像素排布结构的驱动方法。该像素排布结构的驱动方法用于驱动任一实施例的像素排布结构。如图17所示，该像素排布结构的驱动方法，包括以下步骤1701～1702：
在步骤1701中，针对每个像素单元，根据待显示图像的图像数据确定像素单元的发光颜色的色坐标。
在本实施例中，当像素排布结构应用于显示基板时，显示基板在接收到待显示图像的图像数据后，可根据待显示图像的图像数据确定每个像素单元的发光颜色的色坐标。
在步骤1702中，若色坐标位于第二子像素对应的第一色域中，则控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，若色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中，则控制第一子像素发光。
在本实施例中，针对每个像素单元的发光颜色的色坐标，若确定色坐标位于第二子像素对应的第一色域中，则控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，若确定色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中，则控制第一子像素发光。这样，可以减少第一子像素发光的累计时长，有利于延长第一子像素的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基 板同时具备色域广与寿命长的优点。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图18所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤1801～1802：
在步骤1801中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路与第二像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光。
在步骤1802中，形成发光层，发光层包括第一子像素与第二子像素，第一子像素与第一像素电路电连接，第二子像素与第二像素电路电连接。
在本实施例中，由于显示基板包括上述的像素排布结构，像素排布结构的每个像素单元包括第一子像素与第二子像素，第一子像素包括第一量子点发光二极管，第二子像素包括无机发光二极管，第二子像素的发光颜色与第一子像素的发光颜色相同，或为白色，又由于第一子像素发光时像素单元的发光颜色的色域比第二子像素发光时像素单元的发光颜色的色域广，第二子像素比第一子像素更稳定，以及第二子像素的寿命比第一子像素的寿命更长，因此，使得可以根据待显示图像的图像数据确定每个像素单元的发光颜色的色坐标，并在对应的像素单元的发光颜色的色坐标位于第二子像素对应的第一色域中时，控制第二子像素发光，禁止第一子像素发光，而在像素单元的发光颜色的色坐标位于第一色域外且位于第一子像素对应的第二色域中时，控制第一子像素发光，这样，在上述的像素排布结构应用于显示基板时，可以减少第一子像素发光的累计时长，有利于延长第一子像素的寿命，进而有利于延长显示基板的寿命，使显示基板同时具备色域广与寿命长的优点。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图19所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤1901～1906：
在步骤1901中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路与第四像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光，第三像素电路用于驱动第三子像素发光，第四像素电路用于驱动第四子像素发光。
在本实施例中，在步骤1901后，可得到如图20所示的中间结构。图20中，驱动电路层16位于衬底15上。驱动电路层16包括第一像素电路161、第二像素电路162、第三像素电路163与第四像素电路164。
在本实施例中，第一像素电路161包括暴露的第一电极，第三像素电路163包括暴露的第一电极，第四像素电路164包括暴露的第一电极。第二像素电路162包括暴露的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘用于与第二子像素的第三电极电连接，第二焊盘用于与第二子像素的第四电极电连接。
在本实施例中，驱动电路层包括薄膜晶体管(TFT)或场效应晶体管(MOS)中的至少一种。例如，驱动电路层包括薄膜晶体管，或包括场效应晶体管，或包括薄膜晶体管或场效应晶体管。
在步骤1902中，制备第二子像素。
在本实施例中，制备第二子像素的步骤与在衬底上形成驱动电路层的步骤可调换顺序。
在步骤1903中，采用转印工艺将第二子像素放置在驱动电路层上，并将第二子像素与第二像素电路电连接。
在本实施例中，采用的转印工艺可以为薄膜转印工艺。在其他实施例中，转印工艺还可以为静电力转印工艺、范德华力转印工艺、磁力转印工艺或自组装工艺。
在本实施例中，将第二子像素放置在驱动电路层上后，可将第一焊盘与第二子像素的第三电极电连接，将第二焊盘与第二子像素的第四电极电连接，实现第二子像素与第二像素电路电连接。
在步骤1904中，形成像素界定层，像素界定层位于驱动电路层远离衬底的一侧，像素界定层包括像素界定层开口，像素界定层开口与第一电极的接触面在衬底上的投影位于第一电极在衬底上的投影内。
在本实施例中，在步骤1904后，可得到如图21所示的中间结构。如图21所示，可在驱动电路层16远离衬底15的一侧形成像素界定层17，像素界定层17上设置有像素界定层开口171，像素界定层开口171与第一电极的接触面在衬底15上的投影位于第一电极在衬底15上的投影内。像素界定层17不覆盖第二子像素12，第二子像素12在衬底15上的投影位于像素界定层17在衬底15上的投影外。
在步骤1905中，采用打印工艺在像素界定层开口中制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，第一量子点发光层位于与第一像素电路连接的第一电极上，第二量子点发光层位于与第三像素电路连接的第一电极上，第三量子点发光层位于与第四像素电路连接的第一电极上。
在本实施例中，如图22所示，第一量子点发光层111位于与第一像素电路161连接的第一电极上，第二量子点发光层131位于与第三像素电路163连接的第一电极上，第三量子点发光层141位于与第四像素电路164连接的第一电极上。第一量子点发光层111用于发蓝光，第二量子点发光层131用于发红光，第三量子点发光层141用于发绿光。
在本实施例中，打印工艺可以为喷墨打印工艺(ink-jet printing)或电流体动力喷墨打印工艺(e-jet printing)，但不限于此。
在步骤1906中，制备第二电极，第二电极位于第一量子点发光层远离第一电极的一侧、第二量子点发光层远离第一电极的一侧以及第三量子点发光层远离第一电极的一侧，第一量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第一子像素，第二量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第三子像素，第三量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电 极构成第四子像素。
在本实施例中，形成像素界定层之前，驱动电路层远离衬底的表面相对比较平坦，采用转印工艺将第二子像素放置在驱动电路层上，可以避免影响转印工艺的质量。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图23所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤2301～2306：
在步骤2301中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路与第四像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光，第三像素电路用于驱动第三子像素发光，第四像素电路用于驱动第四子像素发光。
在本实施例中，在步骤2301后，可得到如图20所示的中间结构。
在本实施例中，第一像素电路161包括暴露的第一电极，第三像素电路163包括暴露的第一电极，第四像素电路164包括暴露的第一电极。第二像素电路162包括暴露的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘用于与第二子像素的第三电极电连接，第二焊盘用于与第二子像素的第四电极电连接。
在步骤2302中，形成像素界定层，像素界定层位于驱动电路层远离衬底的一侧，像素界定层包括像素界定层开口与通孔，像素界定层开口与第一电极的接触面在衬底上的投影位于第一电极在衬底上的投影内，通孔在衬底上的投影位于第二像素电路在衬底上的投影内。
在本实施例中，如图24所示，在驱动电路层16远离衬底15的一侧形成像素界定层17，像素界定层17可包括像素界定层开口171与两个通孔241，像素界定层开口171与第一电极的接触面在衬底15上的投影位于第一电极在衬底15上的投影内，两个通孔241中，一个通孔241在衬底15上的投影位于第一焊盘在衬底15上的投影内，另一个通孔241在衬底15上的投影位于 第二焊盘在衬底15上的投影内。
在步骤2303中，制备导电件，导电件位于通孔中，导电件的第一端从像素界定层中露出，第二端与第二像素电路电连接。
在本实施例中，如图25所示，制备两个导电件251，一个导电件251位于两个通孔241中的一个通孔241中，另一个导电件251位于两个通孔241中的另一个通孔241中。两个导电件251中一个导电件251的第二端与第一焊盘连接，第一端从像素界定层17中露出。另一个导电件251的第二端与第二焊盘连接，第一端从像素界定层17中露出。
在步骤2304中，采用打印工艺在像素界定层开口中制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，第一量子点发光层位于与第一像素电路连接的第一电极上，第二量子点发光层位于与第三像素电路连接的第一电极上，第三量子点发光层位于与第四像素电路连接的第一电极上。
在本实施例中，如图26所示，第一量子点发光层111位于与第一像素电路161连接的第一电极上，第二量子点发光层131位于与第三像素电路163连接的第一电极上，第三量子点发光层141位于与第四像素电路164连接的第一电极上。第一量子点发光层111用于发蓝光，第二量子点发光层131用于发红光，第三量子点发光层141用于发绿光。
在步骤2305中，制备第二电极，第二电极位于第一量子点发光层远离第一电极的一侧、第二量子点发光层远离第一电极的一侧以及第三量子点发光层远离第一电极的一侧，第一量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第一子像素，第二量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第三子像素，第三量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第四子像素。
在步骤2306中，采用转印工艺将制备的第二子像素放置在导电件上，并将第二子像素与导电件电连接。
在本实施例中，制备第二子像素的步骤位于步骤2306之前即可，例如，制备第二子像素的步骤可位于步骤2301之前，或，位于步骤2305之后且位于步骤2306之前，但不限于此。
在本实施例中，转印工艺可以为静电力转印工艺，但不限于此。
在本实施例中，可将第二子像素12的第三电极通过一个导电件与第一焊盘连接，第四电极通过另一个导电件与第二焊盘连接，实现第二子像素12与第二像素电路162电连接。
在本实施例中，由于像素界定层远离衬底的一侧的表面为平面，因此，即使先制备第一子像素、第三子像素与第四子像素，然后，再采用转印工艺将制备的第二子像素放置在导电件上，也可以避免影响转印工艺的质量。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图28所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤2801～2806：
在步骤2801中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路与第四像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光，第三像素电路用于驱动第三子像素发光，第四像素电路用于驱动第四子像素发光。
在本实施例中，在步骤2801后，可得到如图20所示的中间结构。
在本实施例中，第一像素电路161包括暴露的第一电极，第三像素电路163包括暴露的第一电极，第四像素电路164包括暴露的第一电极。第二像素电路162包括暴露的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘用于与第二子像素的第三电极电连接，第二焊盘用于与第二子像素的第四电极电连接。
在步骤2802中，形成像素界定层，像素界定层位于驱动电路层远离衬底的一侧，像素界定层包括像素界定层开口与通孔，像素界定层开口与第一电极的接触面在衬底上的投影位于第一电极在衬底上的投影内，通孔在衬底 上的投影位于第二像素电路在衬底上的投影内。
在本实施例中，如图24所示，在驱动电路层16远离衬底15的一侧形成像素界定层17，像素界定层17可包括像素界定层开口171与两个通孔241，像素界定层开口171与第一电极的接触面在衬底15上的投影位于第一电极在衬底15上的投影内，两个通孔241中，一个通孔241在衬底15上的投影位于第一焊盘在衬底15上的投影内，另一个通孔241在衬底15上的投影位于第二焊盘在衬底15上的投影内。
在步骤2803中，制备导电件，导电件位于通孔中，导电件的第一端从像素界定层中露出，第二端与第二像素电路电连接。
在本实施例中，如图25所示，制备两个导电件251，一个导电件251位于两个通孔241中的一个通孔241中，另一个导电件251位于两个通孔241中的另一个通孔241中。两个导电件251中一个导电件251的第二端与第一焊盘连接，第一端从像素界定层17中露出。另一个导电件251的第二端与第二焊盘连接，第一端从像素界定层17中露出。
在步骤2804中，采用转印工艺将制备的第二子像素放置在导电件上，并将第二子像素与导电件电连接。
在本实施例中，制备第二子像素的步骤位于步骤2804之前即可，例如，制备第二子像素的步骤可位于步骤2801之前，或，位于步骤2803之前，但不限于此。
在本实施例中，转印工艺可以为静电力转印工艺，但不限于此。
在本实施例中，如图29所示，可采用转印工艺将制备的第二子像素放置在导电件251上，并可将第二子像素12的第三电极通过一个导电件与第一焊盘连接，第四电极通过另一个导电件与第二焊盘连接，实现第二子像素12与第二像素电路162电连接。
在步骤2805中，采用打印工艺在像素界定层开口中制备第一量子点发 光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，第一量子点发光层位于与第一像素电路连接的第一电极上，第二量子点发光层位于与第三像素电路连接的第一电极上，第三量子点发光层位于与第四像素电路连接的第一电极上。
在本实施例中，如图27所示，第一量子点发光层111位于与第一像素电路161连接的第一电极上，第二量子点发光层131位于与第三像素电路163连接的第一电极上，第三量子点发光层141位于与第四像素电路164连接的第一电极上。第一量子点发光层111用于发蓝光，第二量子点发光层131用于发红光，第三量子点发光层141用于发绿光。
在步骤2806中，制备第二电极，第二电极位于第一量子点发光层远离第一电极的一侧、第二量子点发光层远离第一电极的一侧以及第三量子点发光层远离第一电极的一侧，第一量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第一子像素，第二量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第三子像素，第三量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第四子像素。
在本实施例中，由于像素界定层远离衬底的一侧的表面为平面，因此，即使在制备像素界定层后，采用转印工艺将制备的第二子像素放置在像素界定层上，也可以避免影响转印工艺的质量。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图30所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤3001～3005：
在步骤3001中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路与第四像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光，第三像素电路用于驱动第三子像素发光，第四像素电路用于驱动第四子像素发光，驱动电路层包括暴露的第一电极，第一像素电路与对应的第一电极连接，第三像素 电路与对应的第一电极连接，第四像素电路与对应的第一电极连接。
在本实施例中，在步骤3001后，可得到如图20所示的中间结构。
在本实施例中，第二像素电路162包括暴露的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘用于与第二子像素的第三电极电连接，第二焊盘用于与第二子像素的第四电极电连接。
在步骤3002中，制备第二子像素。
在本实施例中，制备第二子像素的步骤与在衬底上形成驱动电路层的步骤可调换顺序。
在步骤3003中，采用转印工艺将第二子像素放置在驱动电路层上，并将第二子像素与第二像素电路电连接。
在本实施例中，采用的转印工艺可以为范德华力转印工艺。在其他实施例中，转印工艺还可以为静电力转印工艺、磁力转印工艺或自组装工艺。
在本实施例中，如图31所示，将第二子像素放置在驱动电路层上后，可将第一焊盘与第二子像素的第三电极电连接，将第二焊盘与第二子像素的第四电极电连接，实现第二子像素12与第二像素电路电连接。
在步骤3004中，采用光刻工艺制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，第一量子点发光层位于与第一像素电路连接的第一电极上，第二量子点发光层位于与第三像素电路连接的第一电极上，第三量子点发光层位于与第四像素电路连接的第一电极上。
在本实施例中，如图32所示，第一量子点发光层111位于与第一像素电路161连接的第一电极上，第二量子点发光层131位于与第三像素电路163连接的第一电极上，第三量子点发光层141位于与第四像素电路164连接的第一电极上。第一量子点发光层111用于发蓝光，第二量子点发光层131用于发红光，第三量子点发光层141用于发绿光。
在本实施例中，第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层的材料可为光刻胶，可采用光刻工艺制备。由于采用光刻工艺制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，因此，可以不必制备像素界定层，节约了工序，可以降低成本。
在步骤3005中，制备第二电极，第二电极位于第一量子点发光层远离第一电极的一侧、第二量子点发光层远离第一电极的一侧以及第三量子点发光层远离第一电极的一侧，第一量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第一子像素，第二量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第三子像素，第三量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第四子像素。
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，用于制备上述任一实施例的显示基板。如图33所示，该显示基板的制备方法，包括以下步骤3301～3304：
在步骤3301中，在衬底上形成驱动电路层，驱动电路层包括第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路与第四像素电路，第一像素电路用于驱动第一子像素发光，第二像素电路用于驱动第二子像素发光，第三像素电路用于驱动第三子像素发光，第四像素电路用于驱动第四子像素发光，驱动电路层包括暴露的第一电极，第一像素电路与对应的第一电极连接，第三像素电路与对应的第一电极连接，第四像素电路与对应的第一电极连接。
在本实施例中，在步骤3301后，可得到如图20所示的中间结构。
在本实施例中，第二像素电路162包括暴露的第一焊盘与第二焊盘，第一焊盘用于与第二子像素的第三电极电连接，第二焊盘用于与第二子像素的第四电极电连接。
在步骤3302中，采用光刻工艺制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，第一量子点发光层位于与第一像素电路连接的第 一电极上，第二量子点发光层位于与第三像素电路连接的第一电极上，第三量子点发光层位于与第四像素电路连接的第一电极上。
在本实施例中，如图34所示，第一量子点发光层111位于与第一像素电路161连接的第一电极上，第二量子点发光层131位于与第三像素电路163连接的第一电极上，第三量子点发光层141位于与第四像素电路164连接的第一电极上。第一量子点发光层111用于发蓝光，第二量子点发光层131用于发红光，第三量子点发光层141用于发绿光。
在本实施例中，第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层的材料可为光刻胶，可采用光刻工艺制备。由于采用光刻工艺制备第一量子点发光层、第二量子点发光层与第三量子点发光层，因此，可以不必制备像素界定层，节约了工序，可以降低成本。
在步骤3303中，制备第二电极，第二电极位于第一量子点发光层远离第一电极的一侧、第二量子点发光层远离第一电极的一侧以及第三量子点发光层远离第一电极的一侧，第一量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第一子像素，第二量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第三子像素，第三量子点发光层与位于其两侧的第一电极、第二电极构成第四子像素。
在步骤3304中，采用转印工艺将制备的第二子像素放置在驱动电路层上，并将第二子像素与第二像素电路电连接。
在本实施例中，制备第二子像素的步骤位于步骤3304之前即可，例如，制备第二子像素的步骤可位于步骤3301之前，或，位于步骤3303之前，但不限于此。
在本实施例中，转印工艺可以为静电力转印工艺，但不限于此。
在本实施例中，如图32所示，可采用转印工艺将制备的第二子像素放置在驱动电路层上，并可将第二子像素12的第三电极与第一焊盘连接，第四 电极与第二焊盘连接，实现第二子像素12与第二像素电路162电连接。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
虽然本公开披露如上，但本公开并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本公开的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (14)

  1. 一种像素排布结构，其特征在于，包括：呈阵列排布的像素单元，每个所述像素单元包括第一子像素与第二子像素，所述第一子像素包括第一量子点发光二极管，所述第二子像素包括无机发光二极管，所述第二子像素的发光颜色与所述第一子像素的发光颜色相同，或为白色。
  2. 根据权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，包括两个所述第二子像素，一个所述第二子像素的发光颜色与所述第一子像素的发光颜色相同，另一个所述第二子像素的发光颜色为白色。
  3. 根据权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，所述第一子像素的发光颜色为蓝色。
  4. 根据权利要求3所述的像素排布结构，其特征在于，所述第二子像素为Micro LED或Mini LED。
  5. 根据权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，所述第二子像素的尺寸小于或等于所述第一子像素的尺寸。
  6. 根据权利要求1所述的像素排布结构，其特征在于，每个所述像素单元还包括第三子像素与第四子像素；
    所述第三子像素包括第二量子点发光二极管，所述第三子像素的发光颜色为红色；
    所述第四子像素包括第三量子点发光二极管，所述第四子像素的发光颜色为绿色。
  7. 一种像素排布结构的驱动方法，其特征在于，用于驱动权利要求1至6任一项所述的像素排布结构，所述方法，包括：
    针对每个所述像素单元，根据待显示图像的图像数据确定所述像素单元的发光颜色的色坐标；
    若所述色坐标位于所述第二子像素对应的第一色域中，则控制所述第二子像素发光，禁止所述第一子像素发光，若所述色坐标位于所述第 一色域外且位于所述第一子像素对应的第二色域中，则控制所述第一子像素发光。
  8. 一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的像素排布结构。
  9. 一种显示基板的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求8所述的显示基板，所述方法，包括：
    在衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括第一像素电路与第二像素电路，所述第一像素电路用于驱动所述第一子像素发光，所述第二像素电路用于驱动所述第二子像素发光；
    形成发光层，所述发光层包括所述第一子像素与所述第二子像素，所述第一子像素与所述第一像素电路电连接，所述第二子像素与所述第二像素电路电连接。
  10. 根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光层，包括：
    制备所述第二子像素；
    采用转印工艺将所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接；
    接着，形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；
    采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
    制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素。
  11. 根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光层，包括：
    形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口与通孔，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；所述通孔在所述衬底上的投影位于所述第二像素电路在所述衬底上的投影内；
    制备导电件，所述导电件位于所述通孔中，所述导电件的第一端从所述像素界定层中露出，第二端与所述第二像素电路电连接；
    采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
    制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素；
    接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述导电件上，并将所述第二子像素与所述导电件电连接。
  12. 根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光层，包括：
    形成像素界定层，所述像素界定层位于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述像素界定层包括像素界定层开口与通孔，所述第一像素电路包括第一电极，所述像素界定层开口与所述第一电极的接触面在所述衬底上的投影位于所述第一电极在所述衬底上的投影内；所述通孔在所述衬底上的投影位于所述第二像素电路在所述衬底上的投影内；
    制备导电件，所述导电件位于所述通孔中，所述导电件的第一端从所述像素界定层中露出，第二端与所述第二像素电路电连接；
    接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述导电件上，并将所述第二子像素与所述导电件电连接；
    接着，采用打印工艺在所述像素界定层开口中制备量子点发光层；
    制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所 述第一子像素。
  13. 根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光层，包括：
    制备所述第二子像素；
    采用转印工艺将所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接；
    接着，采用光刻工艺制备量子点发光层，所述驱动电路层包括暴露的第一电极，所述第一电极与所述第一像素电路连接，所述量子点发光层位于所述第一电极上；
    制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素。
  14. 根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光层，包括：
    采用光刻工艺制备量子点发光层，所述驱动电路层包括暴露的第一电极，所述第一电极与所述第一像素电路连接，所述量子点发光层位于所述第一电极上；
    接着，制备第二电极，所述第二电极位于所述量子点发光层远离所述第一电极的一侧，所述第一电极、所述量子点发光层与所述第二电极构成所述第一子像素；
    接着，采用转印工艺将制备的所述第二子像素放置在所述驱动电路层上，并将所述第二子像素与所述第二像素电路电连接。
CN202180003190.0A 2021-10-29 2021-10-29 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法 Pending CN116490915A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2021/127423 WO2023070524A1 (zh) 2021-10-29 2021-10-29 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116490915A true CN116490915A (zh) 2023-07-25

Family

ID=86158821

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180003190.0A Pending CN116490915A (zh) 2021-10-29 2021-10-29 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240244913A1 (zh)
CN (1) CN116490915A (zh)
WO (1) WO2023070524A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010020154A (ja) * 2008-07-11 2010-01-28 Canon Inc 発光表示装置およびその駆動方法
WO2013018136A1 (ja) * 2011-08-03 2013-02-07 パナソニック株式会社 表示パネルおよびその製造方法
CN108878493B (zh) * 2018-06-29 2020-11-27 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109243365B (zh) * 2018-09-20 2021-03-16 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示装置的显示方法、显示装置
CN109346506A (zh) * 2018-10-25 2019-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN111261662A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
CN111490070B (zh) * 2019-04-11 2023-02-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示面板
CN111584584B (zh) * 2020-05-15 2023-12-05 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112038383A (zh) * 2020-09-14 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、制备方法及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023070524A1 (zh) 2023-05-04
US20240244913A1 (en) 2024-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10380930B2 (en) Heterogeneous light emitter display system
JP4121514B2 (ja) 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
CN111656526B (zh) 阵列基板、显示装置及其驱动方法
US10431774B2 (en) Display unit, method for manufacturing the same and array substrate
US11276675B2 (en) Display device having display sub-pixel regions and backup sub-pixel regions and including anodes and cathodes, manafacturing method thereof, and display apparatus thereof
JP6521610B2 (ja) 画像表示装置
TW201526222A (zh) 顏色轉換層、有機電致發光顯示面板及液晶顯示面板
CN111370461B (zh) 显示面板和显示装置
CN112714955B (zh) 显示基板、显示面板及显示基板的制备方法
WO2022257951A1 (zh) 电致发光单元、显示面板及电子设备
WO2021249537A1 (zh) 显示面板及显示装置
CN108987431A (zh) 像素结构及其制作方法
CN109119438B (zh) 显示基板及其制造方法、显示装置
US7659664B2 (en) System for displaying image
CN108258023B (zh) 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN110716345B (zh) 芯片安装基板、显示装置以及芯片安装基板的制造方法
KR20210125220A (ko) 투명 마이크로 디스플레이 장치
CN109920835B (zh) 显示基板及制造方法和亮度补偿方法、显示装置
CN116490915A (zh) 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法
CN111584584B (zh) 显示面板及显示装置
CN114863876A (zh) 显示面板及其显示驱动方法以及电子设备
CN114520300A (zh) 显示面板及显示装置
CN114335122A (zh) 显示面板和显示装置
CN115699309A (zh) 包括低亮度区域的显示装置
JP2008153237A (ja) 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination