CN115699309A - 包括低亮度区域的显示装置 - Google Patents
包括低亮度区域的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115699309A CN115699309A CN202180040834.3A CN202180040834A CN115699309A CN 115699309 A CN115699309 A CN 115699309A CN 202180040834 A CN202180040834 A CN 202180040834A CN 115699309 A CN115699309 A CN 115699309A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- led element
- led
- display device
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 34
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 34
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 34
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 25
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000001537 neural effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2085—Special arrangements for addressing the individual elements of the matrix, other than by driving respective rows and columns in combination
- G09G3/2088—Special arrangements for addressing the individual elements of the matrix, other than by driving respective rows and columns in combination with use of a plurality of processors, each processor controlling a number of individual elements of the matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/02—Composition of display devices
- G09G2300/026—Video wall, i.e. juxtaposition of a plurality of screens to create a display screen of bigger dimensions
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/028—Improving the quality of display appearance by changing the viewing angle properties, e.g. widening the viewing angle, adapting the viewing angle to the view direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2902—Disposition
- H01L2224/29021—Disposition the layer connector being disposed in a recess of the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
公开了一种显示装置。该显示装置包括衬底和以矩阵形式布置在衬底上的多个发光二极管(LED)元件,其中:该多个LED元件分别包括:具有第一发光层的第一LED元件、具有第二发光层的第二LED元件和具有第三发光层的第三LED元件;第一LED元件、第二LED元件和第三LED元件沿多个LED元件的列方向布置,并构成单个像素;并且第一发光层、第二发光层和第三发光层分别包括布置成行的第一低亮度区域、第二低亮度区域与第三低亮度区域。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置,并且更具体地,涉及一种包括多个发光二极管(LED)元件的显示装置,该多个发光二极管(LED)元件包括弱发光区域。
背景技术
显示装置已经发展为具有高亮度、高效率和低功率,并且具有大屏幕尺寸和高图像分辨率。LED显示器旨在取代液晶显示器(LCD),但是由于LED显示器的产率存在诸如价格高、尺寸大之类的问题,最近,微型LED引起了广泛关注以克服该问题。
微型LED是一种无需滤色器和背光源即可自行发光的超小型无机发光材料。微型LED可以指具有比一般LED芯片小的微米(μm)单元大小的超小型LED。
微型LED是通过外延工艺等在晶圆(生长衬底)上以芯片形式生长多个微型LED而制成的。将微型LED转移到目标衬底上以构成显示模块。
在相关技术中,当将微型LED转移到目标衬底时,可能要添加侧模制部以增加对比度,并且结果,可能在特定角度处降低亮度,或者可能无法保持白平衡。因此,需要一种用于减少或消除可能影响显示模块的图像质量的侧模制部的不利影响的技术。
发明内容
【技术问题】
本公开的目的在于提供了一种通过改变LED元件的弱发光区域的布置和晶体层的结构来改善亮度和白平衡,从而防止图像质量劣化的显示装置。
【技术方案】
根据本公开的一个方面,一种显示装置可以包括:衬底;以及多个发光二极管(LED)元件,以矩阵形式布置在衬底上,其中,多个LED元件包括:第一LED元件,包括第一发光层,并被配置为通过第一发光层发出第一颜色的第一光;第二LED元件,包括第二发光层,并被配置为通过第二发光层发射第二颜色的第二光;以及第三LED元件,包括第三发光层,并被配置为通过第三发光层发射第三颜色的第三光,其中,第一LED元件、第二LED元件和第三LED元件沿多个LED元件的列方向设置,并一起构成一个像素,其中,第一发光层包括第一弱发光区域,第二发光层包括第二弱发光区域,第三发光层包括第三弱发光区域,其中,第一弱发光区域、第二弱发光区域和第三弱发光区域在列方向上沿一条线对齐,并且其中,第一弱发光区域、第二弱发光区域和第三弱发光区域分别具有低于第一LED元件、第二LED元件和第三LED元件的平均亮度的亮度。
第一LED元件还可以包括:端子层,设置在第一发光层的下部处并连接到衬底;以及蓝宝石层,设置在第一发光层的上部上,其中,蓝宝石层可以具有从第一发光层在垂直方向上延伸的两个面对表面、以及从第一发光层以预设角度在倾斜方向上延伸的两个倾斜表面。
该两个倾斜表面可以在与形成第一弱发光区域的方向相反的方向上延伸。
在第一LED元件中,从第一弱发光区域到第一LED元件的与第一发光层的行方向平行的两侧的距离可以彼此不同。蓝宝石层的与列方向平行的第一侧表面可以在垂直方向上延伸,并且蓝宝石层的与行方向平行的第二侧表面可以在倾斜方向上延伸。
端子层可以包括阳极端子和阴极端子。衬底可以包括阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分。与多个LED元件之中的一个或多个LED元件耦接的阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分的布置可以和与多个LED元件之中的另一LED元件耦接的阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分的布置相反。
第一LED元件、第二LED元件和第三LED元件可以以预定间隔彼此间隔开。
显示装置还可以包括:侧模制部,设置在衬底上的多个LED元件之间的间隙处。
侧模制部可以包括使光透过的透光材料。
显示装置还可以包括:接合层,设置在衬底的上部上以将多个LED元件和侧模制部接合到衬底。
该接合层可以包括吸收透过透光材料的光的光吸收接合材料。
显示装置可以包括:透明模制层,设置在多个LED元件和侧模制部的上表面上。
透明模制层包括使光透过的透光材料。
显示装置还可以包括:光学膜,设置在透明模制层上,其中,光学膜可以是针对颜色具有中性特征的中性密度(ND)膜。
第二LED元件可以是绿色LED元件,第一LED元件可以是红色(R)LED元件或蓝色(B)LED元件中的任何一个,并且第三LED元件可以是R LED元件或B LED元件中的与第一LED元件不同的一个LED元件。
【发明效果】
根据各种实施例,一种显示装置可以通过改变LED元件的弱发光区域的布置和晶体层的结构来改善亮度和白平衡,从而防止图像质量劣化的显示装置。
附图说明
根据以下结合附图的描述,本公开的一些实施例的上述和其它方面、特征以及优点将更清楚,在附图中:
图1是示出了根据实施例的显示装置的图;
图2是示出了根据实施例的显示装置中包括的显示模块的图;
图3是示出了根据实施例的显示装置的框图;
图4是示出了根据实施例的包括4×3阵列形式的多个显示模块的显示装置的图;
图5是示出了根据实施例的显示装置的图;
图6是根据实施例的LED元件的透视图;
图7是示出了根据实施例的多个LED元件的布置的图;
图8a和图8b是示出了根据基于实施例的多个LED元件中的每一个的视场的亮度的图;
图9是根据实施例的LED元件的截面图;
图10是根据基于实施例的多个LED元件的视场的亮度的图;以及
图11是图7的显示装置的A-A’方向上的截面图。
具体实施方式
下面参考附图更详细地描述实施例。
在以下描述中,即使在不同附图中,相同附图标记也用于相同元件。提供描述中定义的内容(例如详细构造和元件)以帮助全面理解示例实施例。然而,应当清楚,即便在缺少这些具体定义的内容的情况下,也能够实践示例实施例。此外,由于公知的功能或构造会以不必要的细节使描述模糊,因此没有对其进行详细地描述。
在本公开和权利要求中使用的术语是考虑到本公开的实施例的功能而确定的一般术语。然而,这些术语可以根据相关领域的技术人员的意图、法律或技术解释、新技术的出现等而改变。另外,在某些情况下,申请人可以选择术语,在这种情况下,将在相应公开的描述中对该术语进行详细描述。因此,本公开中使用的术语应当基于术语的含义以及贯穿本公开的内容,而不是术语的简单名称,来定义。
在附图中示出并在具体实施方式中详细描述了本公开的一个或多个特定实施例。然而,应当理解,本公开不限于一个或多个特定实施例,而是在不脱离本公开的范围和精神的情况下包括所有修改、等同物和替代。此外,没有详细描述公知的功能或构造,因为它们会以不必要的细节模糊本公开。
在各种示例实施例中使用的诸如“第一”和“第二”之类的术语可以修饰各种元件,且不限制相应元件。这些术语可以用来将一个元件与另一元件区分开。
除非另外规定,否则单数表述包括复数表述。应当理解,诸如“包括”之类的术语可以例如用于表明存在特征、数量、步骤、操作、元件、组件或其组合,而不排除存在或添加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元素、组件或其组合的可能性。
诸如“模块”、“单元”、“部件”等的术语用于指代执行至少一个功能或操作的元件,并且这样的元件可以实现为硬件或软件、或者硬件和软件的组合。此外,除了当需要在单个硬件中实现多个“模块”、“单元”、“部件”等中的每一个时,这些组件可以集成在至少一个模块或芯片中,并且可以在至少一个处理器中实现。
在下文中,将参考附图对本公开的实施例进行详细描述,以使本公开所属领域的普通技术人员能够容易地实施本公开。然而,本公开可以以几种的不同形式来实现,且不限于本文描述的实施例。并且为了在附图中清楚地说明本公开,省略了与描述无关的部件,并且在整个公开中相同的部件被赋予相同的附图标记。
诸如“…中的至少一个”之类的表述当在元件列表之后时修饰整个元件列表,而不是修饰列表中的单独元件。例如,表述“a、b和c中的至少一个”应该被理解为仅包括a、仅包括b、仅包括c、包括a和b两者、包括a和c两者、包括b和c两者、包括全部a、b和c或包括上述示例的任何变型。
图1是示出了根据实施例的显示装置100的图。
根据实施例,显示装置100可以包括一个显示模块或多个显示模块110。
图2是示出了根据实施例的显示模块的图。
参考图2,多个显示模块110-1至110-12中的每一个可以实现为包括无机LED的LED显示模块。
每个LED显示模块可以包括多个像素,该多个像素包括红色(R)LED元件、绿色(G)LED元件和蓝色(B)LED元件。
参考图2,多个显示模块110-1至110-12耦接成4×3的阵列。布置成4×3阵列的LED显示模块仅为示例,并且可以对LED显示模块的布置的数量和类型进行各种改变。例如,可以根据制造商的目的、制造工艺等对显示模块110中包括的像素的数量进行各种改变,并且可以根据制造商的目的、制造工艺等对构成显示装置100的显示模块110的布置和数量进行各种改变。
例如,显示装置100可以实现为与多个显示模块110耦接的大型显示设备,例如,安装在公共场所或商业场所的数字标牌、墙显示器或视频墙。
包括多个显示模块110-1至110-12的显示装置100可以被统称为机柜和子屏幕。构成机柜或子屏幕的显示模块110的数量可以是不固定的,并且可以宽泛地改变。
图3是示出了根据实施例的显示装置100的框图。
参考图3,根据实施例的显示装置100可以包括显示模块110和处理器120。
显示装置100可以实现为电视(TV),但不限于此,并且可以适用于包括显示功能的任何设备,例如,视频墙、大型显示器(LFD)、数字标牌、以及数字信息显示器(DID)、投影仪显示器等。另外,显示装置100可以实现为各种类型的显示器,例如,液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)、硅基液晶(LCoS)、数字光处理(DLP)、量子点(QD)显示面板、量子点发光二极管(QLED)、微型发光二极管(μLED)或迷你LED。显示装置100可以实现为与触摸传感器耦接的触摸屏、柔性显示器、可卷曲显示器、三维(3D)显示器、或多个显示模块物理相连的显示器等。
根据实施例的显示装置100可以是构成模块化显示装置的多个显示装置之一,并且可以包括多个显示模块110。
显示模块110可以显示各种图像。该图像可以包括静止图像和运动图像,并且显示模块110可以显示诸如广播内容、多媒体内容等的各种图像。显示模块110可以显示用户界面(UI)和图标。
显示模块110可以包括集成电路(IC)芯片,并且该IC芯片可以基于从处理器120接收的图像信号来显示图像。例如,IC芯片可以基于从处理器120接收的图像信号来生成LED驱动信号,并通过基于该LED驱动信号控制包括在显示模块110中的多个像素的发光来显示图像。根据实施例,IC芯片可以是LED驱动IC芯片。
根据实施例的显示模块110可以实现为包括自发光元件的显示器。例如,显示模块110可以实现为各种类型的显示器,例如但不限于:液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、发光二极管(LED)、微型LED、迷你LED、等离子显示面板(PDP)、量子点(QD)显示器、量子点发光二极管(QLED)等。在显示模块110中,还可以包括背光单元、可以实现为a-si TFT、低温多晶硅(LTPS)TFT、有机TFT(OTFT)等的驱动电路。显示模块110可以实现为耦接到触摸传感器的触摸屏、柔性显示器、可卷曲显示器、三维(3D)显示器、其中多个显示模块110-1至110-12物理相连的显示器等。
处理器120可以控制显示装置100的整体操作。处理器120可以配置有一个或多个处理器。例如,处理器120可以通过执行存储在存储器中的至少一条指令来执行根据本公开的各种实施例的电子装置100的操作。
根据实施例的处理器120可以用例如(且不限于)用于数字图像信号的图像处理的数字信号处理器(DSP)、微处理器、图形处理器(GPU)、人工智能(AI)处理器、神经处理器或神经处理单元(NPU)、时间控制器(TCON)等来实现,但处理器不限于此。处理器120可以包括例如(且不限于)中央处理器(CPU)、微控制器单元(MCU)、微处理器(MPU)、控制器、应用处理器(AP)、通信处理器(CP)、高级精简指令集计算(RISC)机器(ARM)处理器之中的一种或多种,或可以被定义为相应的术语。处理器120可以用具有内置处理算法的片上系统(SoC)类型或大规模集成(LSI)类型、专用集成电路(ASIC)类型或现场可编程门阵列(FPGA)类型来实现。
处理器120可以驱动操作系统或应用程序来控制连接到处理器120的硬件或软件组件,并且可以执行各种数据处理和操作。处理器120可以将从其他组件中的至少一个组件接收的命令或数据加载到易失性存储器,并对其进行处理,并且可以将各种数据存储到非易失性存储器中。
参考图4和图5,将描述根据实施例的显示装置100和显示模块110。
图4是示出了根据实施例的包括4×3阵列形式的多个显示模块的显示装置的图。
根据实施例的显示装置100可以包括多个显示模块110-1至110-12。例如,多个显示模块110-1至110-12可以被布置为矩阵格式(例如,M×N,其中M和N是自然数)。矩阵可以是正方形布置(例如M=N,这里,M和N是自然数,16×16阵列,24×24阵列等),或者可以是不同的布置(例如M≠N,这里,M和N是自然数)。
根据实施例的LED显示模块的LED可以用微型LED实现。微型LED可以是5至100微米大小的LED,并且可以指没有滤色器的超小型自发射发光元件。
然而,LED显示模块仅是示例,并且显示模块可以实现为液晶显示(LCD)面板(即,平面显示面板)、有机LED(OLED)面板、有源矩阵OLED(AMOLED)面板、等离子显示面板(PDP)等。在下文中,为了描述方便,根据实施例的显示模块被例示为LED显示模块。
参考图4,根据实施例的显示装置100可以包括被布置为4×3阵列的多个显示模块110-1至110-12。这仅是示例,并且实施例不限于此。
根据实施例的显示模块110可以包括以矩阵形式布置的多个像素。参考图4,为了便于描述,显示模块110可以包括以120×180阵列布置的21,600个像素,但这仅是示例,并且实施例不限于此。
例如,显示模块110可以包括以240×180阵列布置的43,200个像素。显示模块110的大小和比例可以根据显示模块110中包括的像素的数量和相邻像素之间的距离(例如,像素间距)而改变。
图5是示出了根据实施例的显示装置100的图。
参考图5,根据实施例的显示装置100'可以用其中耦接了多个显示模块110或多个机柜的模块化显示装置100'来实现。
参考图5,为了便于描述,十二(12)个显示模块110被命名为一个子机柜,并示出了包括用四个子机柜实现的全高清(FHD)屏幕的模块化显示装置100’,但不限于此。例如,显示装置100可以实现为包括多个显示模块110、机柜或子屏幕的模块化显示装置100',从而包括诸如4K(例如,3840×2160)和8K等的各种分辨率。
参考图6至图11,将描述显示模块110中包括的多个LED元件的阵列和LED元件的结构。
图6是根据实施例的LED元件130的透视图。
参考图6,根据实施例的显示装置100可以包括衬底15和LED元件130。
衬底15可以是印刷电路板,并且可以向安装在衬底15的表面上的多个LED元件130供电。
LED元件130可以自行发光。在实施例中,微型LED元件130可以是由无机发光材料制成的宽度、长度和高度分别小于或等于10μm至100μm的半导体芯片,并且可以在供电时自行发光。然而,LED元件130的大小和结构不限于特定大小或特定结构。
多个LED元件130中的每一个可以包括发光层132、端子层134和蓝宝石层137。
多个LED元件130可以包括发射第一颜色的光的第一LED元件130-1、发射第二颜色的光的第二LED元件130-2、以及发射第三颜色的光的第三LED元件130-3。第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以以预定间隔彼此间隔开,并且可以构成一个像素10-1。
发光层132可以在作为上表面的发光表面的方向上发光,并且可以形成为具有弱发光区域133。弱发光区域133可以指亮度比发光层132的平均亮度低预设值的区域。弱发光区域133也可以被称为低亮度区域。
没有弱发光区域133的发光层132可以是理想的,但根据通过由阴极端子134-2和阳极端子134-1生成的电流流动来发光的LED元件130的特征,发光层132的一些区域可以不发光,或者可以发射微弱的光。因为在微型LED元件130的制造过程中端子连接到发光层132的上侧,并且通孔穿过该发光层132的一些区域,所以会形成弱发光区域133。电流可以通过通孔被供应到发光层132的上部,但是形成有通孔的区域相比其他区域可能具有劣化的发光性能,并且可能难以在超小型微型LED元件130中完全去除弱发光区域133,因此,会形成弱发光区域133。
弱发光区域133可以形成在发光层132的至少一些区域中,并且弱发光区域133的至少一部分可以包括非发光区域,并且可以仅配置有一个非发光区域。尽管为了方便起见,将弱发光区域133示为黑点,但弱发光区域133的边界可以变得比黑点更大或更小。弱发光区域133可以被定义为具有比其他相邻区域更低的亮度的区域,或者具有比发光层132的平均亮度低预设值的亮度的区域。
弱发光区域133形成的位置可以是多种多样的,并且参考图6,弱发光区域133可以形成在与LED元件130的中心部分的左侧(L)或右侧(R)相邻的位置处。
其中形成有包括阻挡光透射的侧模制部135在内的弱发光区域133的LED元件130可能带来根据视场的亮度偏差,结果,一个像素10-1可能带来根据视场而劣化的白平衡。
参考图6,在弱发光区域133沿左(L)方向形成在端子层134的上部上的实施例中,弱发光区域133对于在左侧(L)处的观察者的视线来说可能不是问题。然而,在右侧(R)处的观察者的视线中,除弱发光区域133外,光透射还被侧模制部135阻挡,使得可以主要看到弱发光区域133的发光层132。因此,LED元件130的亮度在右侧(R)的观察者的视线中可能会降低,并且在根据观察者的位置来改变视场的同时,可能产生亮度偏差。
在发射第一颜色的光的第一LED元件130-1、发射第二颜色的光的第二LED元件130-2和发射第三颜色的光的第三LED元件130-3构成一个像素10-1的结构中,一个LED元件130可以形成在弱发光区域133的左侧。当弱发光区域133形成在右侧时,在左侧或右侧的视线中,特定颜色可能会因弱发光区域133而带来较低的亮度。由于构成一个像素10-1的每个LED元件130的弱发光区域133的位置不同,所以当时视场改变时,白平衡可能劣化。
侧模制部135可以设置在衬底15上的多个LED元件130之中的间隙处,并且可以阻挡从LED元件130发射的光被透射。
侧模制部135可以在耦接多个LED元件130和衬底15的过程中提高耦接可靠性,并且可以通过阻挡光反射来提高对比度,从而提高显示装置100的图像质量,并且可以最小化多个显示模块110之间的偏差。
图7是示出了根据实施例的多个LED元件130的布置的图。
参考图7,显示模块110的一个像素10-1可以包括第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3。例如,第二LED元件130-2可以是G LED元件130,第一LED元件130-1可以是R LED元件130或B LED元件130中的任何一个,并且第三LED元件130-3可以实现为R LED元件130或B LED元件130之中的与第一LED元件130-1不同的一个LED元件。
根据实施例的多个LED元件130可以以矩阵形式布置在衬底15上,并且构成一个像素10-1的第一LED元件至第三LED元件130-1、130-2和130-3可以在列方向(即图中7所示的y轴方向)上布置。在下文中,为了便于说明,将图7中所示的x轴方向称为行方向,并且将y轴方向称为列方向。
构成一个像素10-1的第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以在列方向上对齐,并且可以设置在衬底15上。构成另一像素10-2的第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以在与一个像素10-1相同的列方向上布置。
图8a是示出了根据比较例中的多个LED元件中的每一个LED元件的视场而改变的亮度的曲线图。图8b是示出了根据实施例中的多个LED元件130中的每一个LED元件130的视场而改变的亮度的曲线图。
图8a是示出了在弱发光区域133未对齐的比较例中,根据第一LED元件至第三LED元件130-1、130-2和130-3的视场的亮度的图,并且图8b是示出了在弱发光区域133在一条线上对齐的实施例中,根据第一LED元件至第三LED元件130-1、130-2和130-3的视场的亮度的图。
参考图8a,在第一LED元件130-1中,在约50度处的左视场中的亮度可以保持等于或高于在0度处的中心视场中的亮度,但右视场中的亮度可以随着远离中心部分而逐渐降低。
在第二LED元件130-2和第三LED元件130-3中,在约50度处的右视场中的亮度可以保持与在0度处的中心视场中的亮度相同或相似,但左视场中的亮度可以随着远离中心部分而逐渐降低。
在具有如图8a中所示亮度的一个像素10-1中,第一LED元件130-1具有形成在其左侧上的弱发光区域133,并且第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以具有形成在其右侧的弱发光区域133。根据弱发光区域133未沿相同方向在一条线中对齐的比较例,发射R、G和B颜色之一的LED元件的亮度可以随着视场角度增加而降低,从而降低白平衡。
参考图8b,在约50度处的右视场中的第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3的亮度保持与中心视场中的亮度相同或相似,但左视场的亮度可以随着远离中心部分而逐渐降低。
即使亮度根据视场降低,第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3中的每一个的亮度也以相似的程度降低,因此各个LED元件130可以防止白平衡根据视场而劣化。
因为相应的弱发光区域133在列方向上对齐,所以第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以防止白平衡根据视场而劣化,并且可以提高显示装置100的图像质量。
图9是根据实施例的LED元件130的截面图。
参考图9,根据实施例的LED元件130可以包括蓝宝石层137。
蓝宝石层137可以设置在发光层132的上部上。在制造过程的切割工艺中,蓝宝石层137可以包括沿切割方向倾斜的形状。在延伸到发光层132的上部的四个侧表面中,两个相对侧面137a可以从发光层132竖直地延伸(即,如图9中所示的z轴方向),而另外两个侧面(即,也被称为“倾斜侧面”)137b可以沿切割方向以预定角度(θ)从发光层倾斜。两个倾斜侧面137b可以彼此平行。倾斜侧面137b之一与发光层132之间可以形成锐角,而另一个倾斜侧面137b与发光层132之间可以形成钝角。
由于两个侧面137b是倾斜的,所以从发光层132发射的光可以以更宽的角度朝向蓝宝石层137的倾斜方向透射。参考图9,蓝宝石层137在右方向(相对于发光层132的垂直方向)上倾斜,并且光在右方向上比在左方向上传播得更宽。
在蓝宝石层137中,两个倾斜侧面137b可以在与形成弱发光区域133的方向相反的方向上延伸。例如,当弱发光区域133形成在发光层132的左侧时,倾斜侧面137b向右(相对于垂直方向)倾斜。另一方面,当弱发光区域133形成在发光层132的右侧时,倾斜侧面137b向左(相对于垂直方向)倾斜。将参考图10来描述实施例的结果。
端子层134可以设置在发光层132下方,且可以连接LED元件130与衬底15。端子层134可以包括阳极端子134-1和阴极端子134-2,并且衬底15可以包括阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2。阳极端子耦接部分19-1可以连接到端子层134的阳极端子134-1,并且阴极端子耦接部分19-2可以连接到端子层134的阴极端子134-2,使得衬底15可以向LED元件130供电。
第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3中的一个LED元件的弱发光区域133可以形成为与阴极端子134-2相邻,并且第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3中的另一LED元件的弱发光区域133可以形成为与阳极端子134-1侧相邻。在比较例中,当衬底15的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2包括相同的布置时,可能难以使弱发光区域133在一条线上对齐。
根据一个实施例,耦接到多个LED元件130中的第一类型LED(例如,红色LED)的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向可以与多个LED元件130中的第二类型LED(例如,绿色LED)的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向相反,因此,可以在将LED元件130设置在衬底15上的过程中设置LED元件130的弱发光区域133被布置的方向。
例如,在根据实施例的衬底15中,用于将多个LED元件130安装在衬底15上的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向可以具有统一方向。
LED元件130上形成有弱发光区域133的位置可以与阳极端子134-1相邻或与阴极端子134-2相邻,并且第一LED元件130-1可以在阳极端子134-1的方向上形成有弱发光区域133,其他LED元件130-2和130-3可以在阴极端子134-2的方向上形成有弱发光区域。
因为耦接到第一LED元件130-1的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向可以与耦接到其他LED元件130-2和130-3的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分1902的布置方向相反,所以第一LED元件130-1、第二LED元件130-2和第三LED元件130-3可以使相应弱发光区域133在列方向上对齐。
在根据实施例的衬底15上,多个LED元件130中的至少一个LED元件130的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向与多个LED元件130中的至少另一个LED元件130的阳极端子耦接部分19-1和阴极端子耦接部分19-2的布置方向相反,使得多个LED元件130的弱发光区域133可以布置成线,而不受限于形成多个LED元件130的弱发光区域133的位置。
图10是示出了根据基于实施例的多个LED元件130的视场的亮度的图。
参考图10,线I表示根据多个LED元件130的理想视场的亮度,线E1表示根据具有弱发光区域133的多个LED元件130的视场的亮度,其中蓝宝石层137的切割方向是不倾斜的,并且线E2表示根据具有弱发光区域133的多个LED元件130的视场的亮度,其中蓝宝石层137的切割方向是倾斜的。
线I表示根据多个LED元件130的理想视场的亮度,并且更具体地,表示根据包括其中不形成弱发光区域133的发光层132的多个LED元件的视场的亮度。参考线I,可以在50度以内的视场处提供稳定的亮度,而在50度或更大的视场处,亮度值由于侧模制部135而降低。
线E1表示根据实施例中的视场的亮度,其中在包括形成有弱发光区域133的发光层132的多个LED元件130中,未调整(例如,不倾斜)蓝宝石层137的切割方向。随着在右方向上扩大视场,亮度逐渐降低,并且可以确认在向右50度的位置处的亮度为约70%或更低。然而,随着在左方向上扩大视场,亮度逐渐增加,并且可以确认在向左50度的位置处的亮度为约110%。
在线E1的实施例中,根据左方向和右方向的视场的亮度值存在很大差异,使得根据观察者的位置,某些观察者可能会看到显示器较暗,而对于某些观察者,显示器可能会显得较亮。
在包括其上形成有弱发光区域133的发光层132的多个LED元件130中,线E2表示根据实施例的视场的亮度,其中蓝宝石层137的两个侧面的倾斜方向与形成弱发光区域133的方向相反,并识别出在右方向上的向右50度位置处的亮度为约90%、以及在向左50度位置处的亮度为约90%。
在线E2的实施例中,随着在左方向或右方向上的视场变宽,亮度改变,但是当与线E1相比时,可以提供与线I相似的亮度分布,其比线E1更理想。
在根据实施例的显示装置100中,沿蓝宝石层137的中间方向(half direction)的两个侧面的倾斜方向与形成弱发光区域133的方向相反,并且即使当视场变宽时,也可以提供稳定的亮度。
在实施例中,弱发光区域133形成在沿发光层132的垂直方向的中心位置处,但在其他实施例中,发光层132可以具有从弱发光区域133到上侧面或下侧面的不同距离。
因此,在多个LED元件130之中的从弱发光区域133到与发光层132的行方向平行的两个侧面的距离相同的LED元件130中(例如,当弱发光区域133位于发光层132的中心位置处时),蓝宝石层137可以包括与行方向平行以在垂直方向(例如,发光层132的法线方向)上延伸的侧表面,并且与列方向平行的侧表面可以在倾斜方向上延伸。
在多个LED元件130之中的从弱发光区域133到与发光层132的行方向平行的两个侧面的距离不同的LED元件130中(例如,当弱发光区域133不位于发光层132的中心位置处时),蓝宝石层137可以包括与列方向平行以在垂直方向上延伸的侧表面,并且与行方向平行的侧表面可以在倾斜方向上延伸。与蓝宝石层137的行方向平行的侧表面可以包括在与形成弱发光区域133的方向相反的方向上的倾斜,从而实现根据观察者的注视高度来最小化亮度改变的效果。
图11是沿图7的显示装置100的A-A'方向的截面图。
参考图11,根据实施例的显示装置100还可以包括接合层138、透明的模制层17和光学膜18。
接合层138可以设置在衬底15的上部上以将多个LED元件130和侧模制部135接合到衬底15,并且可以由各向异性导电膜形成,或者可以是通过焊接工艺形成的接合层138。
透明的模制层17可以设置在多个LED元件130和侧模制部135的上表面上以透射光。透明的模制层17可以包括诸如环氧树脂、硅和UV等透明材料,并且也可以被称为透明模制层。光学膜18可以设置在透明的模制层17的上表面上,并且可以是相对于颜色具有中性特征的中性密度(ND)膜。
在上述实施例中,设置在与多个LED元件130间隔开的间隙中的侧模制部135具有通过阻挡从LED元件130发射的光来增加对比度的效果,但是可能限制LED元件130的视场。
在又一实施例中,侧模制部135可以透射光。接合层138可以包括光吸收接合材料以吸收穿透侧模制部135的光。
侧模制部135可以使10%至100%的入射光通过,并且可以不完全阻挡从侧LED元件130发射的光,从而有效地改善视场。
因为接合层138由光吸收材料制成,所以设置在侧模制部135下方的接合层138可以吸收光而不反射光,并且因此,如在侧模制部135阻挡光的实施例中,侧模制部135可以具有增加对比度的效果。
在该示例中,当接合层138覆盖衬底15的整个表面,并且完全阻挡光时,在衬底15上布置电极的过程中可能会发生错误,并且接合层138可以由包括预定的光吸收水平的接合材料制成。
接合层138可以通过吸收发射的光来保持对比度,并且侧模制部135可以通过使光通过来减少根据视场的亮度偏差,从而改善白平衡。
尽管已经示出和描述了本公开的示例实施例,但是本公开不限于上述特定实施例。本领域技术人员将理解,在不背离本公开的真实精神和全部范围且包括所附权利要求及其等同物的情况下,可以在形式和细节上进行各种改变。
Claims (15)
1.一种显示装置,包括:
衬底;以及
多个发光二极管LED元件,以矩阵形式布置在所述衬底上,
其中,所述多个LED元件包括:
第一LED元件,包括第一发光层,并被配置为通过所述第一发光层发出第一颜色的第一光,
第二LED元件,包括第二发光层,并被配置为通过所述第二发光层发射第二颜色的第二光,以及
第三LED元件,包括第三发光层,并被配置为通过所述第三发光层发射第三颜色的第三光,
其中,所述第一LED元件、所述第二LED元件和所述第三LED元件沿所述多个LED元件的列方向设置,并一起构成一个像素,其中,所述第一发光层包括第一弱发光区域,所述第二发光层包括第二弱发光区域,所述第三发光层包括第三弱发光区域,
其中,所述第一弱发光区域、所述第二弱发光区域和所述第三弱发光区域在所述列方向上沿一条线对齐,并且
其中,所述第一弱发光区域、所述第二弱发光区域和所述第三弱发光区域分别具有低于所述第一LED元件、所述第二LED元件和第三LED元件的平均亮度的亮度。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一LED元件还包括:
端子层,设置在所述第一发光层的下部处,并连接到所述衬底;以及
蓝宝石层,设置在所述第一发光层的上部上,
其中,所述蓝宝石层具有从所述第一发光层在垂直方向上延伸的两个相对表面、以及从第一发光层以预设角度在倾斜方向上延伸的两个倾斜表面。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述两个倾斜表面在与形成所述第一弱发光区域的方向相反的方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在所述第一LED元件中,从所述第一弱发光区域到所述第一LED元件的与所述第一发光层的行方向平行的两侧的距离彼此相等,
所述蓝宝石层的与所述行方向平行的第一侧表面在所述垂直方向上延伸,并且
所述蓝宝石层的与所述列方向平行的第二侧表面在所述倾斜方向上延伸。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,在所述第一LED元件中,从所述第一弱发光区域到所述第一LED元件的与所述第一发光层的行方向平行的两侧的距离彼此不同,
所述蓝宝石层的与所述列方向平行的第一侧表面在所述垂直方向上延伸,并且
所述蓝宝石层的与所述行方向平行的第二侧表面在所述倾斜方向上延伸。
6.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述端子层包括阳极端子和阴极端子,
其中,所述衬底包括阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分,并且
其中,与所述多个LED元件之中的一个或多个LED元件耦接的阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分的布置和与所述多个LED元件之中的另一LED元件耦接的阳极端子耦接部分和阴极端子耦接部分的布置相反。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一LED元件、所述第二LED元件和所述第三LED元件以预定间隔彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
侧模制部,设置在所述衬底上在所述多个LED元件之间的间隙处。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述侧模制部包括使光透过的透光材料。
10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:
接合层,设置在所述衬底的上部上以将所述多个LED元件和所述侧模制部接合到所述衬底。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述接合层包括光吸收接合材料,所述光吸收接合材料吸收透过所述透光材料的光。
12.根据权利要求8所述的显示装置,还包括:
透明模制层,设置在所述多个LED元件和所述侧模制部的上表面上。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述透明模制层包括使光透过的透光材料。
14.根据权利要求12所述的显示装置,还包括:
光学膜,设置在所述透明模制层上,
其中,所述光学膜是具有针对颜色的中性特征的中性密度ND膜。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二LED元件是绿色LED元件,
其中,所述第一LED元件是红色LED元件或蓝色LED元件中的任一个,并且
其中,所述第三LED元件是红色LED元件或蓝色LED元件中的与所述第一LED元件不同的LED元件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200111769A KR102541836B1 (ko) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | 디스플레이 장치 |
KR10-2020-0111769 | 2020-09-02 | ||
PCT/KR2021/006351 WO2022050530A1 (ko) | 2020-09-02 | 2021-05-21 | 약발광 영역을 포함하는 디스플레이 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115699309A true CN115699309A (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=80491267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180040834.3A Pending CN115699309A (zh) | 2020-09-02 | 2021-05-21 | 包括低亮度区域的显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230144026A1 (zh) |
EP (1) | EP4102561A4 (zh) |
KR (1) | KR102541836B1 (zh) |
CN (1) | CN115699309A (zh) |
WO (1) | WO2022050530A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102527697B1 (ko) * | 2022-05-04 | 2023-05-02 | 조성현 | 마이크로 led 표시 장치 및 이를 포함하는 표시 시스템 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4334321B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2009-09-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光ダイオードチップの作製方法 |
KR100683403B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2007-02-15 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조 방법 |
JP4915356B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2012-04-11 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP2010244848A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Canon Inc | 発光装置 |
JP2012013676A (ja) * | 2010-03-15 | 2012-01-19 | Seiko Instruments Inc | 紫外線測定装置および紫外線計測機能付電子腕時計 |
KR102059030B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2019-12-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 자외선 발광 소자 |
CN105895663B (zh) * | 2016-05-19 | 2018-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 |
US10878742B2 (en) * | 2017-01-24 | 2020-12-29 | Planar Systems, Inc. | Protective cover for direct view light emitting diode displays |
TWI650854B (zh) * | 2017-10-31 | 2019-02-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示面板及其製造方法 |
KR102519929B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2023-04-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102617582B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2023-12-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 네거티브형 감광성 착색 조성물, 경화막, 그것을 이용한 터치 패널 |
TWI687912B (zh) * | 2018-06-08 | 2020-03-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR102660614B1 (ko) * | 2018-09-10 | 2024-04-26 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102673060B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2024-06-10 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 led 소자 및 마이크로 led 제조 방법 |
US10892257B2 (en) * | 2019-01-21 | 2021-01-12 | Innolux Corporation | Foldable display device |
-
2020
- 2020-09-02 KR KR1020200111769A patent/KR102541836B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-05-21 CN CN202180040834.3A patent/CN115699309A/zh active Pending
- 2021-05-21 US US17/431,866 patent/US20230144026A1/en active Pending
- 2021-05-21 WO PCT/KR2021/006351 patent/WO2022050530A1/ko active Application Filing
- 2021-05-21 EP EP21864496.1A patent/EP4102561A4/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4102561A4 (en) | 2023-10-11 |
EP4102561A1 (en) | 2022-12-14 |
KR20220030052A (ko) | 2022-03-10 |
KR102541836B1 (ko) | 2023-06-09 |
WO2022050530A1 (ko) | 2022-03-10 |
US20230144026A1 (en) | 2023-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102473326B1 (ko) | 실리콘 상의 컬러 iled 디스플레이 | |
US10380930B2 (en) | Heterogeneous light emitter display system | |
JP5597258B2 (ja) | タイル型エレクトロルミネッセントディスプレイ装置 | |
US10396062B2 (en) | Micro light emitting diode display panel | |
CN110416275B (zh) | 显示面板、显示装置及其驱动方法 | |
CN113972196A (zh) | 显示器、用于其的led芯片、像素、控制法、计算机程序 | |
WO2021258489A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US20230363228A1 (en) | Display substrate and display device | |
US12117693B2 (en) | Active emitter multiview backlight, display, and method employing a diffuser | |
US11289463B2 (en) | Display panel | |
CN113053964A (zh) | 显示装置、显示面板及其驱动方法 | |
CN113053973B (zh) | 显示基板、彩膜基板、显示面板及显示装置 | |
US20230144026A1 (en) | Display apparatus including a low brightness area | |
US11054695B2 (en) | Chip-mounted board, display device, and method for producing chip-mounted board | |
CN106249469B (zh) | 背光单元 | |
JP2020060736A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
WO2022190235A1 (ja) | 自発光装置 | |
US20230027671A1 (en) | Display module and display apparatus including the same | |
US20230082737A1 (en) | Augmented reality content providing device | |
WO2023070524A1 (zh) | 像素排布结构及其驱动方法和显示基板及其制备方法 | |
WO2022252001A9 (zh) | 阵列基板、显示面板 | |
EP4391777A1 (en) | Display device and head-mounted display device | |
KR20230026128A (ko) | 디스플레이 장치 및 백라이트 유닛 | |
KR20240065862A (ko) | 반도체 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 | |
CN117157567A (zh) | 显示装置和背光单元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |