CN111384185A - 一种电极的加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 238000003754 machining Methods 0.000 title description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 236
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 25
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 37
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 32
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 24
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述加工方法包括：在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；在所述第二区域覆盖导电层。采用本发明实施例提供的加工方法加工的电极的性能好。
Description
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种电极的加工方法。
背景技术
太阳能薄膜电池包括发电膜层和贴合于发电膜层上的电极(包括前电极和/或背电极)，其中，电极包括导电层，为便于生产和安装，该导电层通常叠设于基板上。
在相关技术中，为了减少太阳能薄膜电池中各膜层不均匀而对电池的性能产生的不利影响。采用激光刻划的方式分别切割太阳能薄膜电池中的各个膜层，以将太阳能薄膜电池分割成众多子电池。
其中，利用激光刻划的方式在电极上划线，以将电极分割成预设尺寸。但是，由于激光刻划过程中将会产生大量的热量，影响电极的导电性能，同时还造成电极被分割的周沿参差不齐。从而在电极与发电膜层贴合后，电极上参差不齐的周沿将扎入发电膜层内，造成发电膜层内部短路甚至穿透发电膜层，降低了电极的性能。
由此可知，相关技术中加工电极的方法存在使电极的性能差的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种电极的加工方法，以解决相关技术中加工电极的方法存在的使电极的性能差的问题。
为解决以上技术问题，本发明采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述方法包括：
在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；
对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；
在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
在所述第二区域覆盖导电层。
可选的，所述对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括：
在所述负性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述负性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述负性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
可选的，所述在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶的步骤，包括：
在光照处理后，使用第一显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
所述在所述第二区域覆盖导电层的步骤，包括：
在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，其中，所述第一区域对应的负性光刻胶夹设于所述导电层与所述基板之间；
使用第二显影液对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的导电层脱离所述第二区域对应的导电层。
可选的，所述在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层的步骤，包括：
采用物理气相沉积PVD镀膜技术，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧镀上一层导电层。
第二方面，本发明实施例提供了一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，所述方法包括：
在基板的一表面覆盖导电层，在所述导电层的远离所述基板的一侧覆盖正性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；
对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；
在光照处理后，对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的正性光刻胶；
去除所述第一区域对应的导电层。
可选的，所述对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括
在所述正性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述正性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述正性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：
使用腐蚀液对所述第一区域对应的导电层进行第二预设时间长度的腐蚀处理，其中，所述腐蚀液与所述基板和所述正性光刻胶不反应。
可选的，所述导电层为钼金属导电层，所述腐蚀液包括硫酸溶液和/或双氧水溶液。
可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：
将叠设的所述基板、所述导电层以及所述正性光刻胶放入溅射设备，使所述溅射设备内的离子体与所述第一区域对应的导电层反应，以将所述第一区域对应的导电层转化为活性基团后脱离所述基板。
可选的，所述去除所述第一区域对应的导电层之后，所述方法还包括：
使用第三显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的正性光刻胶。
在本发明实施例中，先利用光刻技术和显影技术使光刻胶呈预设形状，然后根据该预设形状使电极中的导电层呈与光刻胶匹配的形状，从而达到在划分导电层的过程中，避免了导电层受到机械切割或者激光切割而使其边缘突出于导电层或者使其边缘因受热而降低性能的问题，从而提升了电极的整体性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的流程图；
图2是现有技术中电极的结构图；
图3a是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之一；
图3b是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之二；
图3c是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之三；
图3d是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的应用场景图之四；
图4是本发明实施例提供的另一种电极的加工方法的流程图；
图5a是本发明实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之一；
图5b是本发明实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之二；
图5c是本发明实施例提供的另一种电极的加工方法的应用场景图之三。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中提供的两种加工方法的原理相同，均利用光刻技术使光刻胶在光照后呈现不同化学性质；从而便于去除抗腐蚀性较差部分的光刻胶，并使导电层呈现与光刻胶匹配的形状，以将导电层划分为多块，用于解决导电层厚度不均匀而降低太阳能薄膜电池的性能的问题。
其中，光刻胶又可以称之为光致抗蚀剂，其包括正性光刻胶和负性光刻胶。
其中，正性光刻胶本身难溶于显影液，在曝光之后，形成一种溶于显影液的结构，例如：邻-叠氮醌类光刻胶。
正性光刻胶使用的显影液可以是碱性溶液，例如：四甲基氢氧化铵(Tetra MethylAmmonium Hydroxide，TMAH)、重量百分数为6.71％的四丁基氢氧化铵(Tetra ButylAmmonium Hydroxide，TBAH)水溶液等。
负性光刻胶未曝光部分溶于显影液，曝光部分会产生交联，使其结构加强而不溶于显影液，例如：聚肉桂酸酯类光刻胶、聚烃类-双叠氮类光刻胶等。
负性光刻胶使用的显影液可以是有机溶剂，例如：二甲苯、乙酸正丁酯(n-ButylAcetate，nBA)等。
另外，下列实施方式以铜铟镓硒CIGS电池中电极的结构为例，且该电极由金属钼(Mo)等材料制备而成。
根据本申请，所述光刻板上的沟槽的宽度和个数根据电池性能的设计而确定；也即通过电池性能的设计来确定第一区域和第二区域的面积大小以及间距等。
当然，该电极的加工方法还可以应用于砷化镓薄膜电池和碲化镉薄膜电池等中的电极加工，且该电极的材料还可以是TCO(Transparent Conducting Oxide，透明导电氧化物)等导电膜层。而且，通过发明实施例提供的方法制造出的电极，可以作为太阳能薄膜电池的前电极，也可以作为太阳能薄膜电池的背电极，从而提升了本发明实施例提供的电极的加工方法的适用性。
本发明实施例针对电极的加工方法提出改进，以避免利用激光刻划导电层时，使导电层的边缘参差不齐且使导电层的边缘受热后造成性能降低，从而造成太阳能薄膜电池的整体性能降低的问题。
实施例一
请参阅图1，是本发明实施例提供的一种电极的加工方法的流程图。该方法用于加工太阳能薄膜电池的电极，如图1所示，所述方法包括：
步骤101、在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域。
在现有技术中，利用先在基板的一侧覆盖一层导电层，再通过激光刻划的方式在导电层上进行刻划，以使刻划线将导电层划分割为多块。
例如：如图2所示，导电层22上具有1条刻划线21，以将导电层22划分两块子导电层：第一子导电层221和第二子导电层222。此时，所述第一区域可以与刻划线21所在的区域重叠，所述第二区域可以与第一子导电层221和第二子导电层222所在的区域重叠。
需要说明的是，图2中，导电层22上仅具有1条刻划线21，而在实际应用中，导电层22往往被分割为多个区域，从而具有多条刻划线，因此，对第一区域的形状和数量不作具体限定。
例如，所述第一区域还可以包括沿横向延伸的区域和沿纵向延伸的区域交叉后，从而形成呈“井”子格的第一区域，以将导电层划分为分别沿横向和纵向间隔设置的多个子导电层。
本实施方式中，所述基板为浮法玻璃；所述导电层为金属钼，其厚度为200～1000nm；所述负性光刻胶为聚肉桂酸酯类光刻胶，其厚度为1000nm。
当然，所述基板的材料并不会对加工过程产生影响，其可以是透明的也可以是不透明的，例如：所述基板可以由玻璃、陶瓷、不锈钢，聚酰亚胺薄膜等中的任意一种制造而成。
同理，所述导电层和所述正性光刻胶也可以采用其他材质或者其他厚度，在此不作具体限定。
本步骤中，在基板的一表面覆盖负性光刻胶，以经过步骤102至步骤103中的处理后，仅保留第一区域对应的负性光刻胶，为在第二区域覆盖导电层提供基础。
步骤102、对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理。
本实施方式中，采用紫外光线对第一区域对应的负性光刻胶进行光照处理，且光照时间为0.5～3分钟，从而改变负性光刻胶的化学性质，形成抗腐蚀的高分子化合物，从而与显影液不反应。未经过光照处理的负性光刻胶与显影液发生反应。
当然，根据所述负性光刻胶的材质不同，所述光照处理还可以是激光照射处理等中的任意一种。而且，根据光照处理方式的不同，所述第一预设时间长度也随之发生变化。例如：利用激光照射以改变第一区域对应的负性光刻胶的化学性质的时间小于利用紫外线照射以改变第一区域对应的负性光刻胶的化学性质的时间。
作为一种可选的实施方式，步骤102包括：
在所述负性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述负性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述负性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
其中，光刻板上的沟槽对应的基板的区域即第一区域，即沟槽与第一区域正对设置；沟槽外的光刻板对应的基板的区域为第二区域，即光刻板覆盖第二区域。
本实施方式中，通过在光刻板上设置与第一区域重叠的沟槽，以使透过光刻板的光线仅照射第一区域对应的负性光刻胶，从而避免照射过程中，光线与第二区域对应的负性光刻胶接触，从而提升了光照处理过程的精确度。
当然，还可以通过激光束照射第一区域对应的负性光刻胶的方式，避免激光束与第二区域对应的负性光刻胶接触。
本步骤中，利用光照处理改变第一区域对应的负性光刻胶的性质，从而便于在步骤103中通过腐蚀处理的方法，使腐蚀液与所述第二区域对应的未经过光照处理的负性光刻胶反应，而与所述第一区域对应的经过光照处理的负性光刻胶不反应，从而仅去除所述第二区域对应的负性光刻胶
步骤103、在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶。
作为一种可选的实施方式，步骤103包括：
在光照处理后，使用第一显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶。
本实施方式中，所述第一显影液为二甲苯，可以腐蚀掉所述第二区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶。
在具体应用过程中，可以将经过光照处理后的聚肉桂酸酯类光刻胶连同浮法玻璃基板一同置入二甲苯溶液中，由于二甲苯溶液仅与未经过光照处理的聚肉桂酸酯类光刻胶反应，从而使得二甲苯溶液仅腐蚀掉第二区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶，而保留第一区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶。
当然，在采用其他类型的负性光刻胶时，所采用的第一显影液和也将发生改变，在此仅以聚肉桂酸酯类光刻胶为例，但并不限定所述负性光刻胶为聚肉桂酸酯类光刻胶。
本步骤中，通过腐蚀处理去除所述第二区域对应的负性光刻胶，从而空余出导电层的覆盖位置，且通过腐蚀去除所述第二区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的负性光刻胶具有平整的边缘，从而在步骤104中在所述第二区域覆盖导电层后，可以使导电层的边缘平整。
步骤104、在所述第二区域覆盖导电层。
作为一种可选的实施方式，步骤104，包括：
在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，其中，所述第一区域对应的负性光刻胶夹设于所述导电层与所述基板之间；
使用第二显影液对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的导电层脱离所述第二区域对应的导电层。
本实施方式中，所述第二显影液为包含有机溶剂的碱性剥离剂，可为现有技术中常用的含有机溶剂的碱性剥离剂，如含乙醇的氢氧化钾溶液。
当然，第二显影液也可以称之为去胶液或者光刻胶剥离液。
本实施方式中，利用第一区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶夹设于所述金属钼层与浮法玻璃基板之间，从而便于在去除所述第一区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶后，一并去除所述第一区域对应的金属钼层。避免了针对被第一区域划分为多块的第二区域分别设置金属钼层，从而简化了在第二区域设置金属钼层的复杂程度，从而简化了所述电极的加工方法的复杂程度。
当然，还可以针对第二区域中被第一区域分割而成的每一个子区域，分别设置导电层的方式以在所述基板的第二区域覆盖导电层。
作为一种可选的实施方式，所述在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层的步骤，包括：
采用物理气相沉积PVD镀膜技术，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧镀上一层导电层。
本实施方式中，采用PVD镀膜技术在浮法玻璃涂有聚肉桂酸酯类光刻胶的一侧镀上一层金属钼。
这样，仅需要进行一个镀膜的步骤，便可以在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，简化了设置导电层的复杂程度，从而简化了所述电极的加工方法的复杂程度。
当然，还可以采用涂覆、3D打印等方式，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层。
在本发明实施例中，先利用光刻技术和显影技术使光刻胶呈预设形状，然后根据该预设形状使电极中的导电层呈与光刻胶匹配的形状，从而达到在划分导电层的过程中，避免了导电层受到机械切割或者激光切割而使其边缘突出于导电层或者使其边缘因受热而降低性能的问题，从而提升了电极的整体性能。
实施例二
如图3a至图3d所示，是如图1所示方法实施例的应用场景图。
第一步，如图3a所示，在基板31的一侧依次覆盖负性光刻胶32和光刻板33，且光刻板上穿设有沟槽331。此时沟槽对应的基板的区域即第一区域，沟槽外的光刻板对应的基板的区域为第二区域。从而在光刻板33远离负性光刻胶32的一侧进行光照处理时，光线仅穿过沟槽331而照射至负性光刻胶32上，以达到对第一区域对应的负性光刻胶进行光照处理，第二区域对应的负性光刻胶受到光刻板33的遮挡而不能受到光照。
需要说明的是，图3a中光刻板33上穿设有3条沟槽331在实际应用过程中，沟槽331的数量可以根据需求设置为任意数量，例如：1条、10条、100条等。在此对光刻板33上沟槽331的数量不做具体限定。
另外，基板31和负性光刻胶32之间连接，光刻板33可活动的设置于负性光刻胶32的远离基板31的一侧。在光照处理完成后，取下光刻板33即可。
第二步，利用碱性的显影液与负性光刻胶32进行反应。由于负性光刻胶32受到光照处理之后，将变成化学性质稳定的高分子化合物，从而与碱性的显影液不反应，而未受到光照处理的负性光刻胶32的化学性质活泼，从而与碱性的显影液反应后消融于碱性的显影液中。从而达到去除第二区域对应的负性光刻胶32。
形成如图3b所示的应用场景图，如图3b所示，基板31的所述表面仅保留相互间隔设置的负性光刻胶32，且负性光刻胶32位于第一区域内。
第三步，如图3c所示，在负性光刻胶32的远离基板31的一侧覆盖设置导电层35，以形成如图3c所示的应用场景图。
其中，导电层35可以是金属钼。
具体的，如图3c所示，在设置导电层35后，第一区域对应的导电层351与基板31之间夹设有负性光刻胶32，第二区域对应的导电层352贴设于基板31的表面。
而且导电层35的厚度小于或者等于负性光刻胶32的厚度。
这样，将所述导电层的厚度设置为小于或者等于所述负性光刻胶的厚度，可以在去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，使所述第一区域对应的导电层的相对两侧与所述第二区域对应的导电层脱离，且与所述基板间隔设置，从而完全脱离所述基板和所述第二区域对应的导电层，以去除所述第一区域对应的导电层。
当然，还可以采用腐蚀性较强的腐蚀液针对第一区域进行腐蚀，以将第一区域对应的负性光刻胶32和导电层35同时腐蚀掉。
最终，去除所述第一区域对应的导电层35后，形成如图3d所示的电极，该电极包括基板31，以及贴设于基板31的表面且相互间隔设置的多个子导电层352。
实施例三
请参阅图4，是本发明实施例提供的另一种电极的加工方法的流程图。所述电极的加工方法用于加工太阳能薄膜电池的电极，如图4所示，所述方法包括：
步骤401、在基板的一表面覆盖导电层，在所述导电层的远离所述基板的一侧覆盖正性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域。
本实施方式中，所述导电层为金属钼，其厚度为200～1000nm；所述基板为浮法玻璃，所述正性光刻胶为邻-叠氮醌类光刻胶，其厚度为1000nm。
其中，在基板的一表面覆盖导电层的方法可以与图1所示电极的加工方法中在基板的远离负性光刻胶的一侧设置导电层的方法相同。
不同之处在于，本实施方式中，导电层完全覆盖所述基板，而图1所示电极的加工方法中，第一区域对应的导电层与基板之间夹设有负性光刻胶。
另外，所述正性光刻胶与图1所示电极的加工方法中的负性光刻胶具有不同的化学性质。
具体的，所述正性光刻胶未经过光照处理前，其抗腐蚀性较强；所述正性光刻胶在经过光照处理后，其抗腐蚀性较弱。而负性光刻胶与之相反，在经过光照处理后，才提升抗腐蚀性能。
本步骤中，在导电层远离基板的一侧覆盖正性光刻胶，以在步骤402至步骤403中利用正性光刻胶的光敏反应去除第一区域对应的正性光刻胶，以便于在步骤404中去除第一区域对应的导电层，从而为步骤402至步骤404提供基础。
步骤402、对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理。
本实施方式中，对所述第一区域对应的邻-叠氮醌类光刻胶进行紫外线光照处理，且光照的时间长度为0.5～3分钟。
作为一种可选的实施方式，步骤402，包括：
在所述正性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述正性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述正性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
其中，光刻板上的沟槽对应的基板的区域即第一区域，即沟槽与第一区域正对设置；沟槽外的光刻板对应的基板的区域为第二区域，即光刻板覆盖第二区域。
本实施方式中，对第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的方法与如图1中所示方法实施例中对第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的过程相同。其不同之处仅在于，正性光刻胶受到光照处理后降低抗腐蚀性能，而负性光刻胶受到光照处理后提升抗腐蚀性能。但两者的目的相同，均用于使第一区域对应的光刻胶与第二区域对应的光刻胶呈现不同的抗腐蚀化学性能。因此，本实施方式与如图1所示方法实施例中对应的实施方式取得的有益效果相似，为避免重复，在此不再赘述。
本步骤中，对第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理，以降低第一区域对应的正性光刻胶的抗腐蚀性能，便于在步骤403中去除该部分的正性光刻胶。
步骤403、在光照处理后，对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的正性光刻胶。
本实施方式中，采用第三显影液：四甲基氢氧化铵(Tetra Methyl AmmoniumHydroxide，TMAH)与所述邻-叠氮醌类光刻胶接触2～5分钟，以去除所述第一区域对应的邻-叠氮醌类光刻胶。
本步骤中，通过腐蚀的方法去除第一区域对应的正性光刻胶的过程，与如图1所示方法实施例中，去除第二区域对应的负性光刻胶的过程相同，不同之处仅在于，图1所示方法实施例中，去除第二区域对应的负性光刻胶，而本实施方式中，去除所述第一区域对应的正性光刻胶。从而本步骤与如图1所示方式实施例中步骤103且取得相似的有益效果，为避免重复，在此不再赘述。
步骤404、去除所述第一区域对应的导电层。
作为一种可选的实施方式，步骤404包括：
使用腐蚀液对所述第一区域对应的导电层进行第二预设时间长度的腐蚀处理，其中，所述腐蚀液与所述基板和所述正性光刻胶不反应。
可选的，所述导电层为钼金属导电层，所述腐蚀液包括硫酸重量百分浓度为50％的硫酸溶液和双氧水重量百分浓度为30％浓度的双氧水溶液。例如：硫酸重量百分浓度为50％的硫酸溶液和双氧水重量百分浓度为30％浓度的双氧水溶液按照1:1的重量配比形成的腐蚀液。
本实施方式中，所述导电层为200～1000nm厚度的金属钼薄膜，所述第二预设时间长度为2～5分钟。
当然，该第二预设时间长度可以根据导电层的厚度和材质而发生改变。
另外，该腐蚀液还可以采用其他成分，例如：盐酸溶液和双氧水形成的腐蚀液。
例如，所述导电层还可以是TCO导电层或者铜、锌、钼形成的金属化合物等，跟随导电层材质或者结构的改变，所述腐蚀液和所述第二预设时间长度也将发生改变。
另外，经过步骤403中去除第一区域对应的正性光刻胶后，使第一区域对应的导电层外露于正性光刻胶，从而使腐蚀液能够与第一区域对应的导电层接触。而且由于第二区域对应的导电层受到正性光刻胶的遮挡，阻挡了腐蚀液与第二区域对应的导电层接触，从而避免腐蚀液腐蚀第二区域对应的导电层。
本实施方式中，利用腐蚀液腐蚀掉所述第一区域对应的导电层，导电层的边缘不会突出于导电层所在的平面，从而在叠设于发电层之后，不会造成导电层的边缘扎入发电层的情况，从而确保了太阳能薄膜电池的结构可靠性，并提升了太阳能薄膜电池的发电性能。
作为一种可选的实施方式，步骤404包括：
将叠设的所述基板、所述导电层以及所述正性光刻胶放入溅射设备，使所述溅射设备内的离子体与所述第一区域对应的导电层反应，以将所述第一区域对应的导电层转化为活性基团后脱离所述基板。
本实施方式中，将浮法玻璃基板、金属钼以及所述邻-叠氮醌类光刻胶形成的整体结构，放入溅射设备内的腔室中。由于溅射设备内部产生辉光放电现象，形成大量的等离子体，高能量的等离子体轰击外露于邻-叠氮醌类光刻胶的金属钼。被轰击后的金属钼转化为活性钼原子基团，从而脱离所述浮法玻璃基板。
另外，活性钼原子基团又可以称之为活性钼原子团，其化学活性强，从而易于与溅射设备内部的高能量的等离子体反应而脱离所述浮法玻璃基板。
当然，所述导电层可以是金属钼，也可以是：铜、锌、钼合金，在此仅以金属钼为例。
本实施方式中，利用溅射设备去除所述第一区域对应的金属钼，使金属钼层的边缘不会突出于金属钼所在的平面，且相对于采用腐蚀液腐蚀所述第一区域对应的金属钼的实施方式更加环保，从而提升了所述电极的加工方法的环保性能。
作为一种可选的实施方式，在执行完步骤404之后，所述方法还包括：
使用第四显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的正性光刻胶。
其中，所述第四显影液可以是与所述导电层和所述基板不发生化学反应的腐蚀液，从而将所述基板、所述导电层以及所述正性光刻胶置入第三显影液后，仅腐蚀第二区域对应的正性光刻胶，从而去除所述第二区域对应的正性光刻胶。
本实施方式中，所述第四显影液为：有机溶剂的碱性剥离剂。
当然，所述第四显影液可以是与所述导电层和所述基板发生化学反应的腐蚀液，在腐蚀的过程中，仅使第三显影液与所述第二区域对应的正性光刻胶接触。
本实施方式中，可以利用第四显影液去除第二区域对应的正性光刻胶，避免正性光刻胶遮挡所述导电层，避免了多数导电层叠设于发电层后，降低发电层与导电层之间的导电性能的问题，从而提升了所述太阳能薄膜电池的整体性能。
本发明实施例中，先利用光刻技术和显影技术使光刻胶呈预设形状，然后根据该预设形状使电极中的导电层呈与光刻胶匹配的形状，从而达到在划分导电层的过程中，避免了导电层受到机械切割或者激光切割而使其边缘突出于导电层或者使其边缘因受热而降低性能的问题，从而提升了电极的整体性能。
实施例四
如图5a至图5c所示，是如图4所示方法实施例的应用场景图。
第一步，如图5a所示，在导电层51的远离基板52的一侧覆盖设置一层正性光刻胶53之间，并在正性光刻胶53的远离导电层51的一侧设置光刻板54。
其中，光刻板54上穿设有沟槽541，此时沟槽对应的基板的区域即第一区域，沟槽外的光刻板对应的基板的区域为第二区域。从光刻板54的远离正性光刻胶53的一侧进行光照处理。
所述导电层51为金属钼层。
另外，导电层51、基板52和正性光刻胶53之间连接，光刻板54可活动的设置于正性光刻胶53的远离导电层51的一侧。在光照处理完成后，取下光刻板54即可。
这样，便能够使光线透过沟槽照射至第一区域对应的正性光刻胶上，使该区域的正性光刻胶呈化学活性较强的化合物，而未受到光照处理的正性光刻胶呈现化学性质稳定的高分子化合物。
第二步，利用碱性的显影液与正性光刻胶53进行反应。由于正性光刻胶53受到光照处理之后，将变成化学性质活泼的高分子化合物，从而与碱性的显影液反应后消融于碱性的显影液中，而未受到光照处理的正性光刻胶53的化学性质温度，从而与碱性的显影液不反应。从而达到去除第一区域对应的负性光刻胶32。，形成如图5b所示的应用场景图。
其中，如图5b所示，导电层51夹设于基板52与正性光刻胶53之间，且正性光刻胶53与第一区域对应的部分被去除，使第一区域对应的导电层51外露于正性光刻胶53远离基板52的一侧。
第三步，将腐蚀液(例如，包括：硫酸重量百分浓度为50％的硫酸溶液和双氧水重量百分浓度为30％浓度的双氧水溶液以1:1重量比混合的腐蚀液，其不与光刻胶发生化学反应，但是会快速的腐蚀导电层：金属钼薄膜)填充入相邻的正性光刻胶53之间的沟槽内，以腐蚀掉第一区域对应的导电层51。形成如图5c所示的应用场景图。
其中，如图5c所示，导电层51夹设于基板52与正性光刻胶53之间，且导电层51外露于正性光刻胶53的部分被去除，即第一区域对应的导电层51被去除。
第四步，利用碱性的显影液腐蚀掉第二区域对应的正性光刻胶53。
其中，碱性的显影液与正性光刻胶53反应，但不与金属钼反应。
通过本实施方式的处理后，最终形成如图3d所示的电极，该电极的结构与如图1所示方法实施例中加工形成的电极结构相同，在此不再赘述。
实施例五
在此提供一种利用负性光刻胶：聚肉桂酸酯类光刻胶，加工CIGS薄膜太阳能电池中电极。其具体加工过程如下：
在浮法玻璃的一侧涂覆一层聚肉桂酸酯类光刻胶，其中，该聚肉桂酸酯类光刻胶的厚度为1000nm。；
在聚肉桂酸酯类光刻胶远离浮法玻璃的一侧叠设光刻板，其中，该光刻板具有等间距排列的沟槽，沟槽的宽度为0.08毫米，沟槽之间的间距为5毫米，沟槽与第一区域正对设置，从而露出第一区域的聚肉桂酸酯类光刻胶，并遮挡第二区域的聚肉桂酸酯类光刻胶；
在光刻板的远离聚肉桂酸酯类光刻胶一侧进行紫外线光照处理，其中，光照处理的时间长度为0.5～3分钟，以改变收到光照处理的聚肉桂酸酯类光刻胶的化学性质，形成抗腐蚀的高分子化合物；
采用二甲苯对所述第二区域的聚肉桂酸酯类光刻胶进行腐蚀处理，以去除所述第二区域的聚肉桂酸酯类光刻胶；
采用PVD镀膜技术，在所述浮法玻璃的靠近所述聚肉桂酸酯类光刻胶的一侧镀上一层金属钼导电层，其中，金属钼导电层的厚度为200nm～1000nm；
采用0.1mol/L的氢氧化钾的乙醇溶液，去除第一区域对应的聚肉桂酸酯类光刻胶以及第一区域对应的金属钼导电层；
完成电极的加工。
本发明实施例中，利用聚肉桂酸酯类光刻胶的光学性能对CIGS薄膜太阳能电池中电极进行加工，以将金属钼导电层划分为多个间隔设置的子导电层，从而避免金属钼导电层的面积较大而造成的导电性不均匀。另外可以确保被划分后的子导电层的边缘不会像垂直于浮法玻璃的方向形成凸起，从而避免该凸起损坏CIGS薄膜太阳能电池，从而提升了CIGS薄膜太阳能电池的整体性能。
实施例六
在此提供一种利用正性光刻胶：邻-叠氮醌类光刻胶，加工CIGS薄膜太阳能电池中电极。其具体加工过程如下：
采用PVD镀膜技术，在浮法玻璃的一侧镀上一层金属钼导电层，其中，金属钼导电层的厚度为200nm～1000nm；
在金属钼导电层的远离所述浮法玻璃的一侧涂覆一层邻-叠氮醌类光刻胶，其中，邻-叠氮醌类光刻胶的厚度为1000nm；
在邻-叠氮醌类光刻胶远离金属钼导电层的一侧叠设光刻板，其中，该光刻板具有等间距排列的沟槽，所述沟槽的宽度为0.08毫米，沟槽之间的间距为5毫米，沟槽与第一区域正对设置，从而露出第一区域的邻-叠氮醌类光刻胶，并遮挡第二区域的邻-叠氮醌类光刻胶；
在光刻板的远离邻-叠氮醌类光刻胶一侧进行紫外线光照处理，其中，光照处理的时间长度为0.5～3分钟，以改变受到光照处理的邻-叠氮醌类光刻胶的化学性质，形成易腐蚀的高分子化合物；
采用四甲基氢氧化铵对所述第一区域的邻-叠氮醌类光刻胶进行腐蚀处理，以去除所述第一区域的邻-叠氮醌类光刻胶；
采用腐蚀液对第一区域对应的金属钼导电层进行腐蚀处理，以腐蚀掉第一区域对应的金属钼导电层，其中，所述腐蚀液由硫酸重量百分浓度为50％的硫酸溶液和双氧水重量百分浓度为30％浓度的双氧水溶液按照1:1的重量配比形成，腐蚀时间为2～5分钟；
采用0.1mol/L的氢氧化钾的乙醇溶液对所述第二区域对应的邻-叠氮醌类光刻胶进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的邻-叠氮醌类光刻胶；
完成电极的加工。
本实施例中，利用邻-叠氮醌类光刻胶的光学性能对CIGS薄膜太阳能电池中电极进行加工，以将金属钼导电层划分为多个间隔设置的子导电层，从而避免金属钼导电层的面积较大而造成的导电性不均匀。另外可以确保被划分后的子导电层的边缘不会像垂直于浮法玻璃的方向形成凸起，从而避免该凸起损坏CIGS薄膜太阳能电池，从而提升了CIGS薄膜太阳能电池的整体性能。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，其特征在于，所述方法包括：
在基板的一表面覆盖负性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；
对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；
在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
在所述第二区域覆盖导电层。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述对所述第一区域对应的负性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括：
在所述负性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述负性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述负性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在光照处理后，对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶的步骤，包括：
在光照处理后，使用第一显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的负性光刻胶；
所述在所述第二区域覆盖导电层的步骤，包括：
在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层，其中，所述第一区域对应的负性光刻胶夹设于所述导电层与所述基板之间；
使用第二显影液对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的负性光刻胶后，所述第一区域对应的导电层脱离所述第二区域对应的导电层。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧设置导电层的步骤，包括：
采用物理气相沉积PVD镀膜技术，在所述基板的靠近所述负性光刻胶的一侧镀上一层导电层。
5.一种电极的加工方法，用于加工太阳能薄膜电池的电极，其特征在于，所述方法包括：
在基板的一表面覆盖导电层，在所述导电层的远离所述基板的一侧覆盖正性光刻胶，其中，所述表面包括第一区域和由所述第一区域划分形成的第二区域；
对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理；
在光照处理后，对所述第一区域进行腐蚀处理，以去除所述第一区域对应的正性光刻胶；
去除所述第一区域对应的导电层。
6.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述对所述第一区域对应的正性光刻胶进行第一预设时间长度的光照处理的步骤，包括
在所述正性光刻胶的远离所述基板的一侧设置光刻板，其中，所述光刻板上贯穿设置有沟槽，所述沟槽在所述正性光刻胶上的正投影区域与所述第一区域重叠；
在所述光刻板的远离所述正性光刻胶的一侧进行第一预设时间长度的光照处理。
7.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：
使用腐蚀液对所述第一区域对应的导电层进行第二预设时间长度的腐蚀处理，其中，所述腐蚀液与所述基板和所述正性光刻胶不反应。
8.根据权利要求7所述的加工方法，其特征在于，所述导电层为钼金属导电层，所述腐蚀液包括硫酸溶液和/或双氧水溶液。
9.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述去除所述第一区域对应的导电层的步骤，包括：
将叠设的所述基板、所述导电层以及所述正性光刻胶放入溅射设备，使所述溅射设备内的离子体与所述第一区域对应的导电层反应，以将所述第一区域对应的导电层转化为活性基团后脱离所述基板。
10.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述去除所述第一区域对应的导电层之后，所述方法还包括：
使用第三显影液对所述第二区域进行腐蚀处理，以去除所述第二区域对应的正性光刻胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Country | Link |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing Applicant after: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing Daxing District Beijing economic and Technological Development Zone Rongchang East Street 7 hospital 6 Building 3001 room. Applicant before: BEIJING APOLLO DING RONG SOLAR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20210413 Address after: 518066 Room 201, building A, No. 1, Qian Wan Road, Qianhai Shenzhen Hong Kong cooperation zone, Shenzhen, Guangdong (Shenzhen Qianhai business secretary Co., Ltd.) Applicant after: Shenzhen Zhengyue development and Construction Co.,Ltd. Address before: 100076 6015, 6th floor, building 8, 9 Yingshun Road, Yinghai Town, Daxing District, Beijing Applicant before: Beijing Dingrong Photovoltaic Technology Co.,Ltd. |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20210916 Address after: 201203 3rd floor, no.665 Zhangjiang Road, China (Shanghai) pilot Free Trade Zone, Pudong New Area, Shanghai Applicant after: Shanghai zuqiang Energy Co.,Ltd. Address before: 518066 Room 201, building A, No. 1, Qian Wan Road, Qianhai Shenzhen Hong Kong cooperation zone, Shenzhen, Guangdong (Shenzhen Qianhai business secretary Co., Ltd.) Applicant before: Shenzhen Zhengyue development and Construction Co.,Ltd. |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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