CN111383828A - 线圈装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种防止导线浮动且可实现小型化、低高度化的线圈装置，在第二磁芯引导件(23)的端子设置部(24b)，第一通路(210)和第二通路(220)配置为以规定角度交叉，在方向变化部(240)的外侧的角部形成有从倾斜开始位置(232a)朝向端子(28b)的接线部(281b)的方向高度变低的具有倾斜面(233a)的倾斜壁(230a)。从线圈(30)引出的引线部(38b)配置为沿着倾斜壁(230a)的倾斜面(233a)引导并降低至第一通路(210)及第二通路(220)的底面(211、221)。由此，适当地防止导线(引线)浮动，可实现小型化、低高度化。

Description

线圈装置

技术领域

本发明涉及一种线圈装置。

背景技术

线圈装置以各种用途用于各种电气制品。作为线圈装置，例如已知有一种如下所述的专利文献1所示的线圈装置。专利文献1所示的线圈装置例如是用作变压器的线圈装置，通过设计从线圈引出的一对引线的引出结构，实现了具有稳定的泄漏特性且能够与大电流化对应的线圈装置。

但是，在专利文献1所示的线圈装置中，在将绕线架小型化的情况下，存在通过自动卷绕装置将导线卷绕于绕线架后难以将导线的引线从端子台引出的课题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018－101749号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是鉴于这样的实际情况而创建的，其目的在于，提供一种可实现小型化及低高度化且通过自动卷绕装置容易将导线卷绕于绕线架的线圈装置。

用于解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种线圈装置，其具有：

绕线架；

线圈，其安装于所述绕线架的外周；

引线，其从所述线圈引出；和

引线引出部，其备置于所述绕线架，将所述引线引出，其中，

所述引线引出部具有靠近所述线圈的第一通路和远离所述线圈的第二通路，

所述第一通路和所述第二通路在以规定角度交叉的方向变化部连通，

在所述方向变化部的外侧的角部形成有从倾斜开始位置朝向所述第二通路的外侧口的方向高度变低的倾斜壁，

将从所述线圈引出的引线从所述第一通路引导至所述第二通路。

在本发明的线圈装置中，从线圈引出的导线的引线首先导向第一通路，之后，沿着倾斜壁降低至第二通路的底面。其结果，引线从第一通路被顺利引导至第二通路的底面，之后，容易与端子的接线部连接。由此，与以往的线圈装置相比，能够实现适当地防止导线(引线)浮动、可实现小型化、低高度化、容易进行自动卷绕作业的线圈装置。另外，因为在方向变化部的外侧存在倾斜壁，所以容易确保引线和磁芯的绝缘。

优选的是，在所述引线引出部安装有端子，所述端子的接线部位于所述第二通路的外侧口附近。通过设为这种结构，从线圈引出的引线被立刻从第一通路导向第二通路，之后，从第二通路的外侧口引出的引线能够立刻与接线部连接。其结果，使用自动卷绕装置能够容易、可靠地防止引线(导线)浮动。

所述第一通路及所述第二通路也可以沿着大致垂直于所述线圈的卷绕轴的平面形成，所述接线部具有与所述平面大致平行地延伸的棒状突出部，所述引线也可以卷绕于所述棒状突出部。通过这样构成，能够提高线圈装置的低高度化，同时能够较适当地防止导线浮动。

优选的是，所述第一通路的外侧的侧面形成于相对于磁芯绝缘的绝缘壁。通过设为这种结构，能够较适当地确保引线和磁芯的绝缘，同时促进了线圈装置的小型化。

优选的是，在所述方向变化部的内侧形成有形成所述第一通路的内侧的侧面及所述第二通路的内侧的侧面的块部，所述块部的高度与所述绝缘壁的高度大致相同或比其低。通过将块部形成于方向变化部的内侧，能够以搭挂于块部的角部而卡止的状态配置引线，能够进一步可靠地防止导线浮动。另外，通过将块部的高度设为与绝缘壁的高度大致相同或在其以下，能够促进线圈装置的低高度化。

优选的是，在所述块部的顶部的高度位置，形成所述方向变化部的内侧的角部的所述块部的角部和所述绝缘壁之间的所述第一通路的宽度方向的间隔与所述引线的直径大致相同或在其以上。通过这样构成，将通过自动卷绕装置的绕线嘴等沿着第一通路拉动的引线沿着倾斜壁的上表面引导，容易导向第二通路。

优选的是，所述倾斜开始位置的高度与所述块部的高度大致相同或在其以上，在所述块部的顶部的高度位置，所述块部的所述角部和所述倾斜壁之间的所述第一通路的宽度方向的间隔与所述引线的直径大致相同或在其以上。通过这样构成，将通过自动卷绕装置的绕线嘴等沿着第一通路拉动的引线沿着倾斜壁的上表面引导，容易导向第二通路。

在所述绝缘壁和所述倾斜壁之间，也可以以规定长度形成以与所述倾斜开始位置大致相同的高度形成所述第二通路的外侧的侧面的平坦壁。通过平坦壁能够提高引线和磁芯的绝缘性。

端子也可以具有与接线部连接的安装部，所述安装部也可以从所述块部的顶部突出。通过这样构成，能够将块部的顶部安装于基板等。另外，也能够以线圈装置的底面侧为冷却面。

优选的是，所述第一通路和所述第二通路以150°～80°的角度连接。通过这样构成，容易自动卷绕从线圈引出的引线。另外，所述倾斜部可以为呈直线状高度变低的倾斜部，也可以为呈圆弧状高度变低的倾斜部。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的线圈装置的立体图。

图2是图1所示的线圈装置的分解立体图。

图3是将磁芯从图1所示的线圈装置拆下时的立体图。

图4是图1所示的线圈装置的设置有端子的绕线架的俯视图。

图5A是从图4所示的V的方向观察到的形成有倾斜壁的绕线架的部分侧视图。

图5B是从图4所示的V的方向观察到的其它实施方式的形成有倾斜壁的绕线架的部分侧视图。

图5C是从图4所示的V的方向观察到的另一实施方式的形成有倾斜壁的绕线架的部分侧视图。

图6A是表示将引线配置于图5A所示的磁芯引导件的工序的线圈装置的部分立体图。

图6B是表示图6A的后续工序的线圈装置的部分立体图。

图6C是表示图6B的后续工序的线圈装置的部分立体图。

图7是表示图1所示的线圈装置的另一实施方式的形成有倾斜壁的绕线架的立体图。

具体实施方式

下面，基于附图所示的实施方式对本发明进行说明。

图1所示的本发明的一实施方式的线圈装置10具有绕线架20、端子28a、28b、支承部件29、线圈30、以及磁芯40a、40b。此外，在附图中，X轴、Y轴及Z轴彼此垂直，Z轴与线圈装置10的高度(厚度)对应。在本实施方式中，在线圈装置10的Z轴方向的上方安装有电路板。Y轴与磁芯40a、40b的长边方向一致。而且，X轴与端子28a、28b的接线部281a、281b(継線部)的突出方向一致。

如图2所示，磁芯40a、40b在本实施方式中为相同的形状，在Z－Y截面具有截面E字形状，构成所谓的E型磁芯。此外，磁芯40a、40b的形态不限于图2所示的形态，也可以为将磁芯40a、40b沿着Y轴方向的大致中央位置与X－Z平面平行地切断而成的分割磁芯。

配置于Z轴方向的上侧的磁芯40a具有沿Y轴方向延伸的基体部44a、从基体部44a的Y轴方向的两端向Z轴方向突出的一对侧脚部48a、以及在这些侧脚部48a间从Y轴方向的中央向Z轴方向突出的中脚部46a。配置于Z轴方向的下侧的磁芯40b具有沿Y轴方向延伸的基体部44b、从基体部44b的Y轴方向的两端向Z轴方向突出的一对侧脚部48b、以及在这些侧脚部48b间从Y轴方向的中央向Z轴方向突出的中脚部46b。

中脚部46a从Z轴方向的上方插入绕线架20的磁芯脚用贯通孔21a的内部。同样，中脚部46b从Z轴方向的下方插入绕线架20的磁芯脚用贯通孔21a的内部。在磁芯脚用贯通孔21a的内部，中脚部46a和中脚部46b的前端可以构成为隔着规定间隙相向，也可以构成为相互接触而不形成间隙。

中脚部46a及中脚部46b以与磁芯脚用贯通孔21a的内周面形状一致的方式具有大致圆柱形状，但对其形状没有特别限定，也可以与磁芯脚用贯通孔21a的形状一致地使其变化。另外，侧脚部48a、48b具有与绕线架主体21的外周面形状一致的内侧凹曲面形状，其外表面具有平行于X－Z平面的平面。在本实施方式中，就各磁芯40a、40b的材质而言，可举出金属、铁氧体等软磁性材料，但没有特别限定。

如图3所示，线圈30由导线38绕绕线架20的绕线架主体21卷绕而形成。线圈30的卷绕轴与Z轴大致平行。对导线38的圈数及卷绕层数没有特别限定。另外，对导线38的卷绕方法没有特别限定，可以为正常卷绕，也可以为α卷绕。

形成线圈30的导线38可以由单线构成，也可以由绞线构成。另外，对导线38的外径没有特别限定，但优选0.2～0.8mm的范围。优选的是，在导线38上形成有绝缘被膜。

将第一引线部38a及第二引线部38b从线圈30引出。通过将这一对引线部38a、38b沿着分别形成于绕线架20的第二磁芯引导件23的端子设置部24a、24b的通路引导，将它们与端子28a、28b的接线部281a、281b连接。

具体而言，如图2所示，第一引线部38a及第二引线部38b具有沿线圈30的卷绕轴(Z轴)方向延伸的立起部381a、381b、朝向一对引线部38a、38b彼此的间隔扩展的方向的中间部382a、382b、沿远离线圈30的方向(Y轴)延伸的引出主体部383a、383b、以及卷绕于端子28a、28b的接线部281a、281b的端子卷绕部384a、384b。

就第一引线部38a和第二引线部38b的间隔而言，引出主体部383a、383b的间隔比立起部381a、381b的间隔宽。此外，立起部381a、381b也可以相对于Z轴倾斜而并非一定要平行。另外，引出主体部383a、383b也可以相对于Y轴和/或Z轴方向倾斜而并非一定要平行于X轴。

如图2所示，绕线架20具有绕线架主体21、和一体成形于绕线架主体21的X轴方向的两端上部的第一磁芯引导件22及第二磁芯引导件23。绕线架20例如由PPS、PET、PBT、LCP、尼龙等塑料构成，但也可以由其它绝缘部件构成。

绕线架主体21具有卷绕导线38的卷绕筒部21b。在卷绕筒部21b的Z轴方向的两端，端部隔壁凸缘21c、21d以向半径方向的外方延伸的方式与XY平面大致平行地一体成形。将端部隔壁凸缘21c、21d的高度(相对于卷绕轴的沿半径方向的长度)设定为一根以上(一层以上)导线可进入的高度，在本实施方式中，优选设定为能卷绕3～8层导线的高度。Z轴方向上侧的端部隔壁凸缘21c的高度和下侧的端部隔壁凸缘21d的高度优选相同，但也可以不同。

另外，如图2所示，绕线架脚部21e、21f一体成形于Z轴方向的下侧的端部隔壁凸缘21d的X轴方向的两端。

如图1所示，第一磁芯引导件22及第二磁芯引导件23是用于确保端子28a、28b及引线38a、38b相对于磁芯40a、40b的绝缘性的结构。如图4所示，第一磁芯引导件22和第二磁芯引导件23具有以Y轴为对称轴在X轴方向上大致对称的平面形状。另外，如图3所示，第一磁芯引导件22和第二磁芯引导件23的整体形状也为类似的形状。

如图3所示，在第二磁芯引导件23上配置有从线圈30引出的引线部38a、38b，并且设置有连接引线部38a、38b的端子28a、28b，发挥作为线圈装置10的端子台的作用。另一方面，在第一磁芯引导件22上无需将引线部从线圈30引出，也无需设置端子。

如图4所示，第一磁芯引导件22具有平板部22a、壁部22b、以及支承部件设置部22c。平板部22a是覆盖线圈30的上部的板状部，与线圈30的卷绕轴大致垂直地形成。壁部22b是相对于磁芯40a、40b的绝缘壁。如图3所示，支承部件设置部22c是形成于平板部22a的Y轴方向的大致中央部的壁厚部，设置有沿Z轴方向延伸的支承部件29。

支承部件29是矩形截面的规定长度的棒状部件。支承部件29在本实施方式中为金属制，但不限于此，也可以为任意材质。支承部件29的前端(Z轴方向最上部)的高度与后述的端子28a、28b的安装部283a、283b的前端(Z轴方向最上部)的高度大致相同。在将线圈装置10安装于基板等时，支承部件29与端子28a、28b一同支承线圈装置10。通过在端子28a、28b及支承部件29这三处支承线圈装置10，能够将电路板等稳定地支承在线圈装置10上。

此外，因为本实施方式的线圈装置10仅具有一个线圈，所以仅在第二磁芯引导件23上设置有端子，在第一磁芯引导件22上未设置端子。但是，在形成有两个以上线圈、配置有三个或三个以上引线部及端子的结构中，第一磁芯引导件22也可以构成为具有与第二磁芯引导件23同样的结构的端子台。

第二磁芯引导件23具有设置有线圈装置10的端子28a、28b且连接有从线圈30引出的引线部38a、38b的端子设置部(引线引出部)24a、24b。端子设置部24a、24b设置于第二磁芯引导件23的Y轴方向的两侧。另外，如图3所示，第二磁芯引导件23还具有形成于一对端子设置部24a、24b间的分离凸部25、和遍及第二磁芯引导件23的Y方向的大致全域形成于线圈30侧的绝缘壁27。

如图4所示，分离凸部25是在一对端子设置部24a、24b间的间隙以沿着X轴向外侧突出的方式形成的柱状部件。通过设置分离凸部25，在分离凸部25的Y轴方向的两侧形成有用于将一对引线部38a、38b从线圈30引出的导线引出槽26a、26b。

图3所示的绝缘壁27是用于确保相对于图1所示的磁芯40a、40b的绝缘性的壁。图3所示的绝缘壁27将从线圈30引出而配置的引线部38a、38b及连接引线部38a、38b的端子28a、28b和磁芯40a、40b绝缘。

如图4所示，一对端子设置部24a、24b以X轴为对称轴在Y轴方向上大致对称地构成。在端子设置部24a、24b的上表面(Z轴方向上部)形成有第一通路210、210及第二通路220、220。第一通路210、210配置于端子设置部24a、24b的靠近线圈30(参照图3)的位置，第二通路220、220配置于设置于其沿着X轴方向的外侧口附近的端子28a、28b的靠近接线部281a、281b的位置。端子设置部24a、24b沿着大致垂直于线圈30的卷绕轴的面形成，第一通路210、210的底面211、211及第二通路220、220的底面221、221也与线圈30的卷绕轴大致垂直地形成。

第一通路210、210的一端部配置于第二磁芯引导件23的导线引出槽26a、26b附近，第一通路210、210的另一端部在第二磁芯引导件23的Y轴方向的两端附近与第二通路220、220连通。第一通路210、210的另一端部配置为在X轴方向上比一端部侧稍微远离线圈30。为此，第一通路210、210以相对于Y轴稍微倾斜的角度形成。

第二通路220、220的一端部与第一通路210、210的另一端部连通，第二通路220、220的另一端部(外侧口)配置于端子设置部24a、24b的X轴负方向的端部。第二通路220、220与X轴方向大致平行地形成。

如图4所示，第一通路210、210和第二通路220、220在方向变化部240、240以规定角度θ交叉而连通。第一通路210、210和第二通路220、220交叉的角度优选为80°～150°，更优选为90°～120°。

当在本说明书中对第一通路210、210及第二通路220、220进行说明时，将形成方向变化部240、240的内侧(角的内侧)的侧面称为第一通路210、210及第二通路220、220的内侧面。另外，将形成方向变化部240、240的外侧(角的外侧)的侧面称为第一通路210、210及第二通路220、220的外侧面。此外，当对线圈装置10的结构进行说明时，将靠近线圈30的卷绕轴的一侧称为内侧，将远离线圈30的卷绕轴的一侧称为外侧。

如图4所示，在端子设置部24a、24b的方向变化部240、240的内侧形成有块部250、250。块部250、250在各端子设置部24a、24b的X轴方向的外侧端部彼此远离分离凸部25的Y轴方向的两侧而配置。如图3所示，块部250、250为大致长方体形状。

如图5A所示，在本实施方式中，块部250、250的顶部251的Z轴方向的高度H2优选比绝缘壁27的顶部的高度H1低，但块部250、250的高度H2不限于此，也可以与绝缘壁27的高度H1相同。将绝缘壁27的高度H1规定为绝缘壁27能够发挥相对于磁芯40a、40b的绝缘性能的规定高度。因此，如果块部250、250的高度H2在绝缘壁27的高度H1以下，则可以防止线圈装置10的高度因块部250、250的高度而变高，能够对线圈装置10的低高度化及小型化作出贡献。

如图3所示，在块部250、250，端子28a、28b通过例如嵌入成型进行一体化，但不限于此。在本实施方式中，如图2所示，端子28a、28b是将金属制棒状部件在中央部附近弯曲成大致直角，形成为L字形状的部件。端子28a、28b在弯曲部282a、282b的一侧具有连接引线部38a、38b的接线部281a、281b。另外，端子28a、28b在弯曲部282a、282b的另一侧具有将线圈装置10安装于基板等时的安装部283a、283b。

如图3所示，端子28a、28b的接线部281a、281b从块部250、250的接线部形成面252、252沿着X－Y平面大致平行地向X轴负方向突出。即，接线部281a、281b在大致垂直于线圈30的卷绕轴的平面内从线圈30向外侧突出。另外，接线部281a、281b与第二通路220、220大致平行地向远离线圈30的方向突出。

如图3所示，端子28a、28b的安装部283a、283b从块部250、250的顶部(上表面)251、251向Z轴方向突出。端子28a、28b以接线部281a、281b及安装部283a、283b分别向其相应方向突出的方式，将图2所示的弯曲部282a、282b埋设于图3所示的块部250、250中。

如图3所示，第一通路210、210的外侧的侧面212、212通过绝缘壁27的外侧的面形成，第一通路210、210的内侧的侧面213、213通过块部250、250的线圈30侧的侧面形成。另外，第二通路220的内侧的侧面223、223形成于块部250、250的指向Y轴方向外侧的侧面。

如图4所示，在方向变化部240、240的外侧的角部形成有与绝缘壁27的端部连续且沿着第二通路220、220的外侧配置的倾斜壁230a、230a。如图3所示，倾斜壁230a、230a以朝向第二通路220、220的X轴方向的外侧高度逐渐变低的方式形成，倾斜壁230a、230a的上表面形成于倾斜面233a、233a。

关于倾斜壁230a、230a的结构，参照图5A，以配置有第二引线部38b的第二端子设置部24b的倾斜壁230a为例进行说明。配置有图3所示的第一引线部38a的第一端子设置部24a的倾斜壁230a仅在于Y轴方向上线对称这一点上与形成于第二端子设置部24b的倾斜壁230a不同，其它结构或功能与第二端子设置部24b的倾斜壁230a相同。

如图5A所示，倾斜壁230a以从绝缘壁27的Y轴方向端部的倾斜开始位置232a沿着X轴朝向外侧(图3所示的远离线圈30的方向)以高度逐渐变低的方式形成。倾斜壁230a的上表面即倾斜面233a是在从图4所示的第一通路210卷绕到第二通路220时用于将第二引线部38b引导到第二通路220的底面221的倾斜面。

图5A所示，在端子设置部24b的块部250的顶部251的高度位置(Z方向位置)，块部250的角部253和绝缘壁27之间的第一通路210的宽度W1优选与第二引线部38b的直径大致相同或在其以上。其原因在于，容易通过图4所示的方向变化部240将第二引线部38b从第一通路210卷绕到第二通路220。

另外，在本实施方式中，倾斜面233a从绝缘壁27开始倾斜的倾斜开始位置232a的高度(Z轴方向的位置)H3与端子设置部24b的块部250的高度H2大致相同，但如后述，不限于此。另外，如图4所示，倾斜开始位置232a的X－Y平面内的位置是第一通路210的外侧面212(绝缘壁27的外侧面)的Y轴方向的外侧端部。

如图6A所示，在通过自动卷绕装置的绕线嘴50等拉动第二引线部38b而将其从第一通路210卷绕到第二通路220时，如果将沿着第一通路210呈大致直线状拉动的第二引线部38b向Z轴方向下侧拉下，则如图5A所示与倾斜壁230a的倾斜面233a相接。

在该状态下，为了将第二引线部38b引导到图4所示的第二通路220，如图5A所示，在块部250的顶部251的高度位置(Z轴方向位置)，块部250的角部253和倾斜壁230a之间的间隔W1优选与第二引线部38b的直径大致相同或在其以上。通过这样构成，使第二引线部38b与倾斜壁230a的倾斜面233a接触，并容易将其从图4所示的第一通路210朝向第二通路220引导。

在本实施方式中，如图5A所示，倾斜面233a开始倾斜的倾斜开始位置232a的高度与块部250的高度H2相同，且位于第一通路210的外侧面212上，因此，块部250的角部253和倾斜壁230a之间的第一通路210的宽度方向的间隔W1与图4所示的第一通路210的宽度相等。

将第二引线部38b向倾斜壁230a引导，将其中途部分与块部250的角部253卡合，并将其从第一通路210适当地卷绕到第二通路220。另外，通过倾斜壁230a的倾斜面233a、233a，将第二引线部38b可靠地拉下到第二通路220的底面221。因此，第二引线部38b沿着端子设置部24b的第一通路210及第二通路220的底面配置，导线浮动的可能性低。

此外，具有直线状的倾斜面233a的倾斜壁230a的形态不限于图5A所示的结构，例如也可以以图5B或图5C所示的形态构成。

图5B所示的倾斜壁230b具有如下结构：具有并不倾斜的平坦的上表面的平坦部231介于形成有倾斜面233b的倾斜壁230b和绝缘壁27之间。即，在图5B所示的倾斜壁230b，倾斜开始位置232b的X－Y平面内的位置为从第一通路210的外侧面212进入第一通路210的内侧一个平坦部231的量的位置。倾斜开始位置232b的高度H3与平坦部231的高度相同，与图5A所示的倾斜壁230a同样，与端子设置部24b的块部250的高度H2相同。

在具有这种结构的倾斜壁230b的第二磁芯引导件23b中，通过维持规定高度的平坦部231提高相对于磁芯40a、40b的绝缘性能。

另一方面，在图5B所示的结构中，与图5A所示的结构相比，块部250的顶部251的高度位置处的块部250的角部253和倾斜壁230b之间的第一通路210的宽度方向的间隔W2，比第一通路的宽度W1窄平坦部231的宽度方向的长度W3量。

在具有平坦部231的倾斜壁230b的结构中，优选将块部250的角部253和倾斜壁230b之间的第一通路210的宽度方向的间隔W2设为与第二引线部38b的直径大致相同或在其以上。通过这样构成，使第二引线部38b与倾斜壁230b的倾斜面233b接触，并容易将第二引线部38b从第一通路210适当地卷绕于第二通路220。

在图5C所示的倾斜壁230b，倾斜面233b的倾斜开始位置232c配置于比图5A所示的倾斜壁230a高的位置。即，如图5C所示，倾斜开始位置232c的高度(Z轴方向的位置)H4比端子设置部24b的块部250的高度H2高。倾斜开始位置232c的X－Y平面内的位置是图4所示的第一通路210的外侧面212的Y轴方向的端部，与图5A所示的倾斜壁230a相同。

具有这种结构的倾斜壁230c的第二磁芯引导件23c通过高度高的倾斜壁230c能够提高相对于磁芯40a、40b的绝缘性能。

如图5C所示，在本实施方式中，块部250的顶部251的高度位置的块部250的角部253和倾斜壁230c之间的第一通路210的宽度方向的间隔W4，比第一通路的宽度W1窄因倾斜开始位置232c变高且倾斜面233c在第一通路210的内部方向上进入的长度W5量。

即使在该实施方式中，也优选将块部250的角部253的高度位置处的块部250的角部253和倾斜壁230b之间的宽度方向的间隔W4设为与第二引线部38b的直径大致相同或在其以上。通过这样构成，使第二引线部38b与倾斜壁230c的倾斜面233c接触，并容易经由方向变化部240将第二引线部38b从图4所示的第一通路210卷绕到第二通路220。

此外，虽未图示，但倾斜壁(230a～230c)的倾斜开始位置(232a～232c)也可以比块部250的角部253的高度H2低。其中，为了提高绝缘性，倾斜开始位置(232a～232c)与块部250的角部253的高度H2相同或在其以上较好。

本实施方式的线圈装置10通过组装图2所示的各部件而制造。下面，使用图2等对线圈装置10的制造方法的一例进行说明。在线圈装置10的制作中，首先，准备绕线架20。对绕线架20的材质没有特别限定，但绕线架20通过树脂等绝缘材料形成。

接着，将导线38卷绕于绕线架20的卷绕筒部21b的外周，形成线圈30。作为用于形成线圈30的导线38，没有特别限定，但优选使用绝缘包覆导线等。另外，在本实施方式中，对将导线38卷绕于卷绕筒部21b的卷绕方法没有特别限定，可以为正常卷绕，也可以为α卷绕。将导线38卷绕于卷绕筒部21b的作业优选使用自动卷绕装置进行。

在本实施方式中，首先，将第一引线部38a卷绕于端子28a的接线部281a，接着，通过绕线架20的端子设置部24a的第二通路220及第一通路210，将导线绕图2所示的卷绕筒部21b卷绕而形成线圈30。

接着，将形成线圈30的导线38的第二引线部38b引出到绕线架20的第二磁芯引导件23的外侧。将第二引线部38b在立起部381b在Z轴方向上立起，经由第二磁芯引导件23的导线引出槽26b引出到第二磁芯引导件23的外侧上部。

如图6A所示，通过自动卷绕装置的绕线嘴50拉动被引出的第二引线部38b而将其与X－Y平面大致平行地弯曲90度，沿着第一通路210、210引导。此时，通过绕线嘴50呈大致直线状拉动的第二引线部38b的前端成为与位于第一通路210的延伸方向的倾斜壁230a的倾斜面233a接触的状态。此外，在图6A～图6C中，为了便于说明，示出了磁芯40a、40b，但卷绕作业在将磁芯40a、40b安装于绕线架20之前的状态下进行。

如图6B所示，从图6A所示的状态使绕线嘴50移动到Z轴的下侧，同时使其沿着X轴向绕线架20的外侧方向移动，由此，将引线部38b沿着倾斜壁230a的倾斜面233a引导。其结果，如图6C所示，将引线部38b与块部250的角部253卡合，同时将引线部38b的Z轴方向的位置拉到第一通路210及第二通路220的第一通路底面211及底面221的位置。

而且，通过使绕线嘴50移动到第二通路220的延长线上，引线部38b在与端子设置部24b的第二通路220的第二通路底面221紧密贴合的状态下适当地配置。

接着，将引线部38b卷绕于端子28b的接线部281a而进行连接，通过切断引线部38b，结束线圈30向绕线架20的设置。此外，在上述说明中，在将引线部38a卷绕于端子28a的接线部281a后，将导线绕图2所示的卷绕筒部21b卷绕，但也可以与此相反。

接着，从Z轴方向的上下方向安装磁芯40a、40b。即，使磁芯40a、40b的中脚46a、46b的前端彼此之间具有间隙G，同时将侧脚48a、48b的前端相互接合。作为磁芯40a、40b的材质，可举出金属、铁氧体等软磁性材料，但没有特别限定。此外，间隙G也可以为0。

通过以上工序，能够制造本实施方式的线圈装置10。

在本实施方式的线圈装置10中，从线圈30引出的第一或第二引线部38a、38b通过端子设置部24a、24b的第一通路210，通过方向变化部240沿着倾斜壁230a～230c的倾斜面233a～233c降低。其结果，配置为引线38a或引线38b降低至第一通路底面211、211及第二通路底面221、221。其结果，能够可靠地防止导线浮动。

另外，在本实施方式的线圈装置10中，通过使第一或第二引线部38a、38b与块部250、250卡合，使其与端子设置部24a、24b卡止而不使各引线部38a、38b松动。其结果，在防止线圈30松动的状态下，容易将各引线部38a、38b配置于端子设置部24a、24b，与端子28a、28b连接。

而且，在本实施方式的线圈装置10中，因为能够防止导线38的引线部38a、38b浮动，所以无需使用导线盖。另外，在本实施方式的线圈装置10中，与以往的线圈装置相比，能够实现一种适当地防止导线38的引线部38a、38b浮动、可实现小型化、低高度化、容易进行自动卷绕作业的线圈装置。另外，因为在方向变化部40的外侧存在倾斜壁230a～230c，所以容易确保引线部38a、38b和磁芯40a、40b的绝缘。

另外，在本实施方式的线圈装置10中，因为在第二磁芯引导件23的线圈侧形成有绝缘壁27，所以能够确保与磁芯40a、40b的良好绝缘。

另外，在本实施方式中，第一端子28a及第二端子28b的各安装部283a、283b的设置方向为Z轴方向的上方向。通过这样构成，容易使位于磁芯引导件22、23的相反侧(Z轴方向的下侧)的绕线架20的底面位于冷却侧，提高了线圈30、绕线架20及磁芯40a、40b的冷却效率。

而且，在上述的实施方式中，如图2所示，一对引线部38a、38b保持比立起部381a、381b间的距离宽的距离，同时作为引出主体部383a、383b向远离线圈30的方向延伸。因此，可以确保第一引线部38a和第二引线部38b之间的耐压，本实施方式的线圈装置10优选作为高电压用途的线圈装置使用。

此外，本发明不限于上述的实施方式，在本发明的范围内可以进行各种变更。

例如，在上述的实施方式中，形成于第二磁芯引导件23(23b及23c也同样)的倾斜壁230a～230c的各倾斜面233a～233c均为呈直线状高度逐渐变低的倾斜面。但是，形成于倾斜壁的倾斜面的形态不限于此，只要为以能够将引线部引导至通路的底面的方式高度逐渐变低的结构即可。例如，如图7所示，也可以为如下结构：具有呈圆弧状高度逐渐变低的倾斜面233d的倾斜壁230d。

另外，在上述的实施方式中，示例了将一个线圈卷绕于绕线架20的线圈装置，但也可以为卷绕两个以上线圈，例如优选作为变压器使用的线圈装置。如果将两根以上线圈形成于绕线架20，则将上述的实施方式的第一磁芯引导件22设为与第二磁芯引导件23同样的结构，也可以设置所需的端子。或者，也可以仅在第一磁芯引导件22或第二磁芯引导件23的一侧具备四个引线引出通路。

另外，在上述的实施方式中，作为引线引出部的端子设置部24a、24b与绕线架20一体化成形，但端子设置部24a、24b也可以与绕线架20分开地成形并通过嵌合或粘接等手段一体化。另外，在上述的实施方式中，在端子设置部24a、24b安装有端子28a、28b，但端子也可以与引线38a、38b的前端连接，而不一定要安装于在绕线架20具备的端子设置部。在该情况下，端子设置部24a、24b仅作为引线引出部发挥作用。

另外，对本实施方式的线圈装置10的具体用途没有特别限定，但可以优选用作扼流线圈或变压器等，例如，优选用于EV(Electric Vehicle：电动车)、PHV(Plug-in HybridVehicle：插电式混合动力车)或通勤(车辆)用车载用充电器、或LLC电路等。

标记说明

10：线圈装置

20：绕线架

21：绕线架主体

21a：磁芯脚用贯通孔

21b：卷绕筒部

21c、21d：端部隔壁凸缘

21e、21f：绕线架脚部

22：第一磁芯引导件

22a：平板部

22b：壁部

22c：支承部件设置部

23：第二磁芯引导件

24a、24b：端子设置部(引线引出部)

25：分离凸部

26a、26b：导线引出槽

27：绝缘壁

28a、28b：端子

210：第一通路

211：第一通路底面

212：第一通路外侧面

213：第一通路内侧面

220：第二通路

221：第二通路底面

222：第二通路外侧面

223：第二通路内侧面

230a～230d：倾斜壁

231：平坦部

232a～232c：倾斜开始位置

233a～233d：倾斜面

240：方向变化部

250：块部

251：顶部

252：接线部形成面

253：角部

30：线圈

38：导线

38a：第一引线部

38b：第二引线部

381a、381b：立起部

382a、382b：中间部

383a、383b：引出主体部

384a、384b：端子卷绕部

40a、40b：磁芯

44a、44b：基体部

46a、46b：中脚部

48a、48b：侧脚部

50：绕线嘴。

Claims (10)

1.一种线圈装置，其具有：

绕线架；

线圈，其安装于所述绕线架的外周；

引线，其从所述线圈引出；和

引线引出部，其设置于所述绕线架以将所述引线引出，其中，

所述引线引出部具有离所述线圈较近的第一通路和离所述线圈较远的第二通路，

所述第一通路和所述第二通路在以规定角度交叉的方向变化部连通，

在所述方向变化部的外侧的角部形成有随着从倾斜开始位置朝向所述第二通路的外侧口的方向去高度变低的倾斜壁，

从所述线圈引出的引线从所述第一通路被引导至所述第二通路。

2.根据权利要求1所述的线圈装置，其中，

在所述引线引出部安装有端子，所述端子的接线部位于所述第二通路的外侧口附近。

3.根据权利要求2所述的线圈装置，其中，

所述第一通路及所述第二通路沿着大致垂直于所述线圈的卷绕轴的平面形成，

所述端子的接线部具有与所述平面大致平行地延伸的棒状突出部，

所述引线卷绕于所述棒状突出部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的线圈装置，其中，

所述第一通路的外侧的侧面形成于与磁芯绝缘的绝缘壁。

5.根据权利要求4所述的线圈装置，其中，

在所述方向变化部的内侧形成有形成所述第一通路的内侧的侧面及所述第二通路的内侧的侧面的块部，

所述块部的高度与所述绝缘壁的高度大致相同或比其低。

6.根据权利要求5所述的线圈装置，其中，

在所述块部的顶部的高度位置，形成所述方向变化部的内侧的角部的所述块部的角部和所述绝缘壁之间的所述第一通路的宽度方向的间隔，与所述引线的直径大致相同或在其以上。

7.根据权利要求6所述的线圈装置，其中，

所述倾斜开始位置的高度与所述块部的高度大致相同或在其以上，

在所述块部的顶部的高度位置，所述块部的所述角部和所述倾斜壁之间的所述第一通路的宽度方向的间隔，与所述引线的直径大致相同或在其以上。

8.根据权利要求4所述的线圈装置，其中，

在所述绝缘壁和所述倾斜壁之间，以规定长度形成有以与所述倾斜开始位置大致相同的高度形成所述第二通路的外侧的侧面的平坦壁。

9.根据权利要求5所述的线圈装置，其中，

端子的安装部从所述块部的顶部突出。

10.根据权利要求1所述的线圈装置，其中，

所述第一通路和所述第二通路以150°～80°的角度交叉。

Images