CN111371299B - 高压预充电电路及其充电方法、计算机设备、存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种高压预充电电路及其充电方法、计算机设备、存储介质，高压预充电电路包括充电电容、第一支路、第二支路、开关器件和驱动装置，充电电容并联在负载上；第一支路连接在充电电容的第一极和高压电源的正极之间；第二支路连接在充电电容的第二极和高压电源的负极之间；开关器件设置在第一支路或第二支路上；驱动装置与开关器件相连，驱动装置用于输出第一驱动信号以在预充电阶段周期性开闭开关器件，在预充电阶段内，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，且第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。本发明提供的高压预充电电路，通过输出高频低占空比的第一驱动信号实现充电电容的快速预充电，精简了电路，能够减小损耗。

Description

高压预充电电路及其充电方法、计算机设备、存储介质

技术领域

本发明涉及电动汽车技术领域，具体而言，涉及一种高压预充电电路、一种高压预充电电路的充电方法、一种计算机设备、一种计算机可读存储介质以及一种车辆。

背景技术

电动汽车的电源系统包括作为动力电源的高压电源和为电器元件供电的低压电源，低压电源先上电以实现开门锁、报警等基本功能，此后，由于高压回路中通常都设有电容，若直接高压上电会造成电容短路，进而跳闸，因此一般控制系统都需要对高压电进行预充电，以减小对供电系统的冲击。

常规的高压预充电电路如图1所示，利用充电电阻R1’、缓冲电感L1’和防反接二极管D1’向充电电容C1’预充电，充电电阻R1’用于限制预充电电流，当电压达到预期时，闭合继电器RL1’，完成预充电。预充电电流与充电电阻R1’、上电电压高度关联，需要充分考虑不同电压、不同环境温度下充电电阻R1’的发热。继电器RL1’的选型也非常关键，而且为维持继电器RL1’导通，需要持续提供电流给继电器RL1’的线圈，一般是12V、40mA。另外直流系统的继电器驱动需要反向供电才能使继电器RL1’的触点断开，继电器RL1’的寿命有限，关闭时有电弧发生，会影响触点电阻。此外，继电器RL1’的体积比较大，占用空间比较大。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的第一个方面在于，提出一种高压预充电电路。

本发明的第二个方面在于，提出一种高压预充电电路的充电方法。

本发明的第三个方面在于，提出一种计算机设备。

本发明的第四个方面在于，提出一种计算机可读存储介质。

本发明的第五个方面在于，提出一种车辆。

有鉴于此，根据本发明的第一个方面，提供了一种高压预充电电路，包括充电电容、第一支路、第二支路、开关器件和驱动装置，充电电容并联在负载上；第一支路连接在充电电容的第一极和高压电源的正极之间；第二支路连接在充电电容的第二极和高压电源的负极之间；开关器件设置在第一支路或第二支路上；驱动装置与开关器件相连，驱动装置用于输出第一驱动信号以在预充电阶段周期性开闭开关器件，在预充电阶段内，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，且第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。

本发明提供的高压预充电电路，通过输出高频低占空比的第一驱动信号实现开关器件的周期性短时闭合，构成高频开关电路，可周期性导通充电回路，实现充电电容的快速预充电，省掉了相关技术中的预充电继电器和充电电阻，有助于精简电路，并能够减小损耗。

另外，根据本发明提供的上述技术方案中的高压预充电电路，还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，优选地，驱动装置包括第一驱动电源，第一驱动电源与开关器件直接或间接相连，第一驱动电源用于输出驱动脉冲以周期性导通开关器件。

在该技术方案中，输入高频低占空比的驱动脉冲以实现开关器件的周期性导通，可实现充电电容的快速高压预充电，能够减小损耗，且充电迅速，并省掉了相关技术中的预充电继电器和充电电阻，有助于精简电路。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：防反接二极管，防反接二极管设置在第一支路上且其导通方向为由高压电源的正极至充电电容的第一极，或防反接二极管设置在第二支路上且其导通方向为由充电电容的第二极至高压电源的负极。

在该技术方案中，通过在回路中设置防反接二极管，可在高压电源反接时确保电路无法导通，实现了防反接检测，避免了高压电源反接造成的元件损坏，提高了电路的可靠性和安全性。

在上述任一技术方案中，优选地，当开关器件内寄生有寄生二极管时，寄生二极管的导通方向与防反接二极管的导通方向相反。

在该技术方案中，由于结构和加工的不同，有的开关器件内部会天然寄生有二极管。本方案充分考虑了开关器件中寄生的二极管的导通性质，限定了作为预充电元件的开关器件内寄生的寄生二极管的导通方向与防反接二极管相反，这是由于在高压电源启动后，若电源未反接而回路处于闭合状态，则会出现高压直接上电而令充电电容短路的情况。虽然开关器件未被第一驱动电源导通而确保了回路未闭合，但若寄生二极管的导通方向与防反接二极管相同，则可能造成回路闭合，预充电失效，因此，通过限定其导通方向可确保防反接检测阶段高压电源不直接上电，提高了高压预充电电路的安全性和可靠性。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：防反接MOS(Mental OxideSemiconductor，金属-氧化物-半导体)管，防反接二极管寄生在防反接MOS管中，或防反接二极管外接在防反接MOS管上；驱动装置还包括第二驱动电源，第二驱动电源与防反接MOS管直接或间接相连，第二驱动电源在预充电阶段输出低电平的第二驱动信号以令防反接MOS管断开，第二驱动电源在预充电结束后输出高电平的第二驱动信号以令防反接MOS管导通。

在该技术方案中，通过设置防反接MOS管可减小后期运行过程中的导通损耗。具体而言，高压电源启动后虽然可利用防反接二极管实现防反接检测，但预充电完成后回路需保持闭合运行，此时由于二极管的导通电压为0.7V，会产生较大的损耗，而MOS管的导通电压仅为0.1V，可有效减小导通损耗。但为保证防反接检测功能的实现，驱动防反接MOS管的第二驱动电源需在预充电阶段输出低电平，使得防反接MOS管在预充电阶段保持断开，在预充电完成后再输入高电平的第二驱动信号以令防反接MOS管在正常工作阶段保持导通。具体设置时，可直接利用防反接MOS管内寄生的二极管作为防反接二极管，不会增加电器元件数量，也可将防反接二极管外接在防反接MOS管上，此时不必区分防反接MOS管内寄生的二极管的导通方向。

在上述任一技术方案中，优选地，防反接MOS管和开关器件串联在第一支路或第二支路中。

在该技术方案中，将防反接MOS管和开关器件串联，可就近布置第一驱动电源和第二驱动电源，使得电路更简洁。

在上述任一技术方案中，优选地，驱动装置还包括：第一电阻，其一端连接防反接MOS管的栅极，其另一端连接防反接MOS管的源极；第二电阻，其一端连接防反接MOS管的栅极，其另一端连接第二驱动电源，第二电阻小于第一电阻；第三电阻，其一端连接开关器件的栅极，其另一端连接开关器件的源极；第四电阻，其一端连接开关器件的栅极，其另一端连接第一驱动电源，第四电阻小于第三电阻。

在该技术方案中，第二驱动电源在第一电阻和第二电阻之间分压，第一电阻两端的电压大于导通电压时，防反接MOS管导通，类似地，第一驱动电源在第三电阻和第四电阻之间分压，第三电阻两端的电压大于导通电压时，开关器件导通。第一电阻和第三电阻还可分别避免防反接MOS管和开关器件浮空，进而在驱动电源未输出或输出低电压时避免防反接MOS管和开关器件误导通，提高了电路的可靠性。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：缓冲电感，缓冲电感串联在第一支路或第二支路上。

在该技术方案中，第一支路或第二支路上设置有缓冲电感，利用电感的性能可限制电路中的电流突然增加，实现稳定可靠的预充电。

根据本发明的第二个方面，提供了一种高压预充电电路的充电方法，用于如上述任一技术方案所述的高压预充电电路，包括：输出周期性的第一驱动信号，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。

本发明提供的充电方法，应用于上述任一技术方案所述的高压预充电电路，通过输出高频低占空比的第一驱动信号实现开关器件的周期性短时闭合，可周期性导通充电回路，实现充电电容的快速预充电。

另外，根据本发明提供的上述技术方案中的高压预充电电路的充电方法，还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，优选地，在输出周期性的第一驱动信号的操作之后，还包括：监控充电电容两端的电压；当电压不再上升时，按预设规则增大第一驱动信号的占空比，直到第一驱动信号的占空比达到100％。

在该技术方案中，持续监控充电电容两段的电压，可了解预充电状态，当达到满电状态后，采用逐步增大占空比直到直通的方式完成预充电，提高了预充电过程的可靠性，避免了突然增大占空比带来的冲击。

根据本发明的第三个方面，提供了一种计算机设备，包括：存储器，配置为存储可执行指令；处理器，处理器配置为执行可执行指令以实现如上述任一技术方案所述方法的步骤，因而具备该高压预充电电路的充电方法的全部技术效果，在此不再赘述。

根据本发明的第四个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行指令，可执行指令被处理器执行时实现如上述任一技术方案所述方法的步骤，因而具备该高压预充电电路的充电方法的全部技术效果，在此不再赘述。

根据本发明的第五个方面，提供了一种车辆，包括：如上述任一技术方案所述的高压预充电电路；或如上述技术方案所述的计算机设备；或如上述技术方案所述的计算机可读存储介质，因而具备该高压预充电电路或计算机设备或计算机可读存储介质的全部技术效果，在此不再赘述。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了相关技术中高压预充电电路的电路图；

图2示出了本发明一个实施例的高压预充电电路的电路图；

图3示出了本发明一个实施例的高压预充电电路的充电方法的示意流程图；

图4示出了本发明另一个实施例的高压预充电电路的充电方法的示意流程图；

图5示出了本发明一个实施例的计算机设备的示意框图。

其中，图1中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

C1’充电电容，D1’防反接二极管，L1’缓冲电感，R1’充电电阻，RL1’继电器；

图2中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

C1充电电容，10第一支路，20第二支路，30驱动装置，R1第一电阻，R2第二电阻，R3第三电阻，R4第四电阻，D1防反接二极管，Q1防反接MOS管，Q2 MOS管，D2寄生二极管，L1缓冲电感。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

如图2所示，本发明第一方面的实施例提供了一种高压预充电电路，包括充电电容C1、第一支路10、第二支路20、开关器件和驱动装置30，充电电容C1并联在负载上；第一支路10连接在充电电容C1的第一极和高压电源的正极HV+之间；第二支路20连接在充电电容C1的第二极和高压电源的负极HV-之间；开关器件设置在第二支路20上；驱动装置30与开关器件相连，驱动装置30用于输出第一驱动信号以在预充电阶段周期性开闭开关器件，在预充电阶段内，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，且第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。

本发明提供的高压预充电电路，通过输出高频低占空比的第一驱动信号实现开关器件的周期性短时闭合，构成高频开关电路，可周期性导通充电回路，实现充电电容C1的快速预充电，省掉了相关技术中的预充电继电器RL1’和充电电阻R1’，有助于精简电路，并能够减小损耗。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，开关器件为MOS管Q2；驱动装置30包括第一驱动电源(图中未示出)，第一驱动电源与MOS管Q2直接或间接相连，第一驱动电源用于输出驱动脉冲以周期性导通MOS管Q2。

在该实施例中，输入高频低占空比的驱动脉冲以实现开关器件的周期性导通，可实现充电电容C1的快速高压预充电，能够减小损耗，且充电迅速，并省掉了相关技术中的预充电继电器RL1’和充电电阻R1’，有助于精简电路。可选地，开关器件可为MOS管、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、SCR(Silicon ControllerRectifier，可控硅)或三极管，优选地，如图2所示，以MOS管Q2作为开关器件(以下实施例均以MOS管Q2作为开关器件)，对于大功率工况，可大幅减小损耗。具体而言，在大功率工况下，三极管的损耗可达600W以上，而MOS管Q2仅在50W至60W。具体地，本方案应用于电动汽车的高压电源系统，第一驱动电源由低压电源隔离输出。进一步地，当预充电完成后正常工作时，第一驱动信号维持高电平。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，还包括：防反接二极管D1，防反接二极管D1设置在第二支路20上且其导通方向为由充电电容C1的第二极至高压电源的负极HV-。

在该实施例中，通过在回路中设置防反接二极管D1，可在高压电源反接时确保电路无法导通，实现了防反接检测，避免了高压电源反接造成的元件损坏，提高了电路的可靠性和安全性。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，当MOS管Q2内寄生有寄生二极管D2时，寄生二极管D2的导通方向与防反接二极管D1的导通方向相反。

在该实施例中，由于结构和加工的不同，有的开关器件内部会天然寄生有二极管，例如MOS管，其内部本身就包含有两个P-N结，因而会天然寄生有二极管。本方案充分考虑了开关器件中寄生的二极管的导通性质，限定了作为预充电开关器件的MOS管Q2内寄生的寄生二极管D2的导通方向与防反接二极管D1相反，这是由于在高压电源启动后，若电源未反接而回路处于闭合状态，则会出现高压直接上电而令充电电容C1短路的情况。虽然MOS管Q2未被第一驱动电源导通而确保了回路未闭合，但若寄生二极管D2的导通方向与防反接二极管D1相同，则可能造成回路闭合，预充电失效，因此，通过限定其导通方向可确保防反接检测阶段高压电源不直接上电，提高了高压预充电电路的安全性和可靠性。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，还包括：防反接MOS管Q1，防反接二极管D1寄生在防反接MOS管Q1中，或防反接二极管D1外接在防反接MOS管Q1上；驱动装置还包括第二驱动电源(图中未示出)，第二驱动电源与防反接MOS管Q1直接或间接相连，第二驱动电源在预充电阶段输出低电平的第二驱动信号以令防反接MOS管Q1断开，第二驱动电源在预充电结束后输出高电平的第二驱动信号以令防反接MOS管Q1导通。

在该实施例中，通过设置防反接MOS管Q1可减小后期运行过程中的导通损耗。具体而言，高压电源启动后虽然可利用防反接二极管D1实现防反接检测，但预充电完成后回路需保持闭合运行，此时由于二极管的导通电压为0.7V，会产生较大的损耗，而MOS管Q2的导通电压仅为0.1V，可有效减小导通损耗。但为保证防反接检测功能的实现，驱动防反接MOS管Q1的第二驱动电源需在预充电阶段输出低电平，使得防反接MOS管Q1在预充电阶段保持断开，在预充电完成后再输入高电平的第二驱动信号以令防反接MOS管Q1在正常工作阶段保持导通。具体设置时，可直接利用防反接MOS管Q1内寄生的二极管作为防反接二极管D1，不会增加电器元件数量，也可将防反接二极管D1外接在防反接MOS管Q1上，此时不必区分防反接MOS管Q1内寄生的二极管的导通方向。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，防反接MOS管Q1和MOS管Q2串联在第二支路20中。

在该实施例中，将防反接MOS管Q1和MOS管Q2串联，可就近布置第一驱动电源和第二驱动电源，使得电路更简洁。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，驱动装置30还包括：第一电阻R1，其一端连接防反接MOS管Q1的栅极，其另一端连接防反接MOS管Q1的源极；第二电阻R2，其一端连接防反接MOS管Q1的栅极，其另一端连接第二驱动电源，第二电阻R2小于第一电阻R1；第三电阻R3，其一端连接MOS管Q2的栅极，其另一端连接MOS管Q2的源极；第四电阻R4，其一端连接MOS管Q2的栅极，其另一端连接第一驱动电源，第四电阻R4小于第三电阻R3。

在该实施例中，第二驱动电源在第一电阻R1和第二电阻R2之间分压，第一电阻R1两端的电压大于导通电压时，防反接MOS管Q1导通，类似地，第一驱动电源在第三电阻R3和第四电阻R4之间分压，第三电阻R3两端的电压大于导通电压时，MOS管Q2导通。第一电阻R1和第三电阻R3还可分别避免防反接MOS管Q1和MOS管Q2浮空，进而在驱动电源未输出或输出低电压时避免防反接MOS管Q1和MOS管Q2误导通，提高了电路的可靠性。

如图2所示，在本发明的一个实施例中，优选地，还包括：缓冲电感L1，缓冲电感L1串联在第一支路10上。

在该实施例中，第一支路10或第二支路20上设置有缓冲电感L1，利用电感的性能可限制电路中的电流突然增加，实现稳定可靠的预充电。

综上所述，本发明提供的高压预充电电路包括由缓冲电感L1、充电电容C1、MOS管Q2和防反接二级管D1组成的预充电电路，以及由防反接二极管D1和防反接MOS管Q1组成的防反接电路，实现了预充电电路与防反接电路并用。高压充电时，由低压电源给高压电源系统提供隔离的驱动电源，即给MOS管Q2发送驱动脉冲，不驱动防反接MOS管Q1。高压电源通过缓冲电感L1、防反接二级管D1和MOS管Q2向充电电容C1充电，如图2所示，在预充电阶段，电流路径为由高压电源的正极HV+出发，依次经缓冲电感L1、充电电容C1、MOS管Q2和防反接二级管D1返回高压电源的负极HV-。当检测到高压电压不再上升时，逐步增加驱动脉冲的占空比，到直通，完成预充电，进入正常工作阶段。如图2所示，在正常工作阶段，电流路径为由高压电源的正极HV+出发，依次经缓冲电感L1、充电电容C1、MOS管Q2、防反接MOS管Q1和防反接二级管D1返回高压电源的负极HV-。本发明采用高频低占空比驱动，使用MOS高速开关，利用EMC(Electromagnetic Compatibility，电磁兼容性)滤波电路的电感，实现高压预充电，省掉了相关技术中预充电的继电器RL’和充电电阻R1’，同时与防反接电路并用，精简了电路。具体地，经实验测试，当采用10KHz、10％占空比的驱动脉冲时，本发明提供的高压预充电电路可在启动后约20ms完成预充电，实现了高压快速上电。

本发明第二个方面的实施例提供了一种高压预充电电路的充电方法，用于如上述任一实施例所述的高压预充电电路。

图3示出了本发明一个实施例的高压预充电电路的充电方法的示意流程图。如图3所示，该充电方法包括：

S102，输出周期性的第一驱动信号，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。

本发明提供的充电方法，应用于上述任一实施例所述的高压预充电电路，通过输出高频低占空比的第一驱动信号实现开关器件的周期性短时闭合，可周期性导通充电回路，实现充电电容的快速预充电。

图4示出了本发明另一个实施例的高压预充电电路的充电方法的示意流程图。如图4所示，该充电方法包括：

S202，输出周期性的第一驱动信号，第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值；

S204，监控充电电容两端的电压；

S206，当电压不再上升时，按预设规则增大第一驱动信号的占空比，直到第一驱动信号的占空比达到100％。

在该实施例中，持续监控充电电容两段的电压，可了解预充电状态，当达到满电状态后，采用逐步增大占空比直到直通的方式完成预充电，提高了预充电过程的可靠性，避免了突然增大占空比带来的冲击。

此外，对于设置了防反接MOS管的情况，防反接MOS管由第二驱动信号驱动。在预充电阶段输出低电平的第二驱动信号，以断开防反接MOS管，确保防反接功能的实现；在预充电完成后，输出高电平的第二驱动信号以导通防反接MOS管。

如图5所示，本发明第三个方面的实施例提供了一种计算机设备4，包括：存储器42，配置为存储可执行指令；处理器44，处理器44配置为执行可执行指令以实现如上述任一实施例所述方法的步骤，因而具备该高压预充电电路的充电方法的全部技术效果，在此不再赘述。

具体地，上述存储器42可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器42可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、软盘驱动器、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，存储器42可包括可移除或不可移除(或固定)的介质。在合适的情况下，存储器42可在综合网关容灾设备的内部或外部。在特定实施例中，存储器42是非易失性固态存储器。在特定实施例中，存储器42包括只读存储器(ROM)。在合适的情况下，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、电可改写ROM(EAROM)或闪存或者两个或更多个以上这些的组合。

处理器44可以包括中央处理器(CPU)，或者特定集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)，或者可以被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路。

本发明第四个方面的实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行指令，可执行指令被处理器执行时实现如上述任一实施例所述方法的步骤，因而具备该高压预充电电路的充电方法的全部技术效果，在此不再赘述。

计算机可读存储介质可以包括能够存储或传输信息的任何介质。计算机可读存储介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RF)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。

本发明的第五个方面的实施例提供了一种车辆，包括：如上述任一实施例所述的高压预充电电路；或如上述实施例所述的计算机设备4；或如上述实施例所述的计算机可读存储介质，因而具备该高压预充电电路或计算机设备4或计算机可读存储介质的全部技术效果，在此不再赘述。

可选地，车辆为电动汽车，通过采用上述电动汽车的电源系统，能够实现快速预充电。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种高压预充电电路，其特征在于，包括：

充电电容，所述充电电容并联在负载上；

第一支路，连接在所述充电电容的第一极和高压电源的正极之间；

第二支路，连接在所述充电电容的第二极和所述高压电源的负极之间；

开关器件，设置在所述第一支路或所述第二支路上；及

驱动装置，其与所述开关器件相连，所述驱动装置用于输出第一驱动信号以在预充电阶段周期性开闭所述开关器件，在所述预充电阶段内，所述第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，且所述第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值；

防反接二极管；

防反接MOS管，所述防反接二极管寄生在所述防反接MOS管中，或所述防反接二极管外接在所述防反接MOS管上；

所述防反接MOS管和所述开关器件串联在所述第一支路或所述第二支路中。

2.根据权利要求1所述的高压预充电电路，其特征在于，

所述驱动装置包括第一驱动电源，所述第一驱动电源与所述开关器件直接或间接相连，所述第一驱动电源用于输出驱动脉冲以周期性导通所述开关器件。

3.根据权利要求2所述的高压预充电电路，其特征在于，

所述防反接二极管设置在所述第一支路上且其导通方向为由所述高压电源的正极至所述充电电容的第一极，或所述防反接二极管设置在所述第二支路上且其导通方向为由所述充电电容的第二极至所述高压电源的负极。

4.根据权利要求3所述的高压预充电电路，其特征在于，

当所述开关器件内寄生有寄生二极管时，所述寄生二极管的导通方向与所述防反接二极管的导通方向相反。

5.根据权利要求4所述的高压预充电电路，其特征在于，还包括：

所述驱动装置还包括第二驱动电源，所述第二驱动电源与所述防反接MOS管直接或间接相连，所述第二驱动电源在预充电阶段输出低电平的第二驱动信号以令所述防反接MOS管断开，所述第二驱动电源在预充电结束后输出高电平的第二驱动信号以令所述防反接MOS管导通。

6.根据权利要求5所述的高压预充电电路，其特征在于，

所述驱动装置还包括：

第一电阻，其一端连接所述防反接MOS管的栅极，其另一端连接所述防反接MOS管的源极；

第二电阻，其一端连接所述防反接MOS管的栅极，其另一端连接所述第二驱动电源，所述第二电阻小于所述第一电阻；

第三电阻，其一端连接所述开关器件的栅极，其另一端连接所述开关器件的源极；

第四电阻，其一端连接所述开关器件的栅极，其另一端连接所述第一驱动电源，所述第四电阻小于所述第三电阻。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的高压预充电电路，其特征在于，还包括：

缓冲电感，缓冲电感串联在所述第一支路或所述第二支路上。

8.一种高压预充电电路的充电方法，用于如权利要求1至7中任一项所述的高压预充电电路，其特征在于，包括：

输出周期性的第一驱动信号，所述第一驱动信号的频率大于等于频率阈值，所述第一驱动信号的占空比小于等于占空比阈值。

9.根据权利要求8所述的高压预充电电路的充电方法，其特征在于，在所述输出周期性的第一驱动信号的操作之后，还包括：

监控充电电容两端的电压；

当所述电压不再上升时，按预设规则增大所述第一驱动信号的占空比，直到所述第一驱动信号的占空比达到100％。

10.一种计算机设备，其特征在于，包括：

存储器，配置为存储可执行指令；

处理器，所述处理器配置为执行所述可执行指令以实现如权利要求8或9所述方法的步骤。

11.一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行指令，其特征在于，所述可执行指令被处理器执行时实现如权利要求8或9所述方法的步骤。

12.一种车辆，其特征在于，包括：

如权利要求1至7中任一项所述的高压预充电电路；或

如权利要求10所述的计算机设备；或

如权利要求11所述的计算机可读存储介质。

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