CN111364070B - 一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统 - Google Patents

一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统；属于电解铜箔生产设备技术领域；所述测厚仪组件至少包括：4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；述测厚仪组件用于检测铜箔边部与邻近边部区域的差值；所述测厚仪组件与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件连接。采用本申请的一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统，能够有效的避免后处理单体机的铜箔发生断箔现象。

Description

一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统
技术领域
本发明涉及电解铜箔领域，更具体地说，尤其涉及一种防断箔的后处理单体机、生产工艺、控制方法、控制系统。
背景技术
断箔是生箔、分切、后处理等工序中比较大的一种生产事故。然而，在上述不同的工序中，其发生的原因则不同。
现有技术中，对于断箔的研究如下：
如：申请号为：201721552080.7的中国实用新型专利，公开了一种生箔机断箔报警控制装置，包括光电传感器组和光电传感器安装板、中央处理器、声光报警器、声光报警控制电路、时钟模块和电源模块，光电传感器组包括两个光电传感器，光电传感器安装板固定设置于中间导辊上游进口处，所述的光电传感器均固定设置于光电传感器安装板上。
上述装置是一种报警装置，其无法预防断箔。
又如：CN 205821475 U公开了一种防止超薄铜箔撕边的切边收边装置，其包括：阳极槽，切边组件，其中所述阳极槽上不设边缘屏蔽装置，铜箔经阳极槽加工后进入所述切边组件进行切边动作。本实用新型的防止超薄铜箔撕边的切边收边装置，利用了电解生产中的边部效应，经过对电解阳极槽的调整、增加切边、收边料装置，以解决超薄铜箔因边部物理强度低而造成的频繁撕边断箔的现象，减少非质量原因的报废。
其本质上是一种切边装置，然而该装置无法应用于后处理单体机预防断箔中。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种防断箔的后处理单体机。
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种防断箔生产工艺。
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种防断箔的后处理单体机的控制方法。
本发明的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种防断箔的后处理单体机的控制系统。
一种防断箔的后处理单体机，包括：放卷辊、测厚仪组件、控制系统、收卷辊、至少1个以上的处理槽；
所述测厚仪组件至少包括：4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；
所述测厚仪组件用于检测铜箔边部与邻近边部区域的差值；
所述测厚仪组件与所述控制系统连接；
所述控制系统与后处理驱动电机组件连接，根据测厚仪组件的结果来决定是否调节后处理单体机的铜箔的运行速度；
所述测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间。
进一步，所述后处理驱动电机组件包括：放卷电机、收卷电机、驱动辊电机。
进一步，还包括：角度传感器，所述角度传感器用于检测任意一导辊的转动角度。
一种后处理单体机防断箔处理工艺，采用前述的处理装置，其包括以下步骤：
第一，至少4个测厚仪实时测量铜箔的厚度，且将上述数据实时传递给控制系统；
第二，控制系统进行计算得到：左边部面密度最大差值、右边部面密度最大差值，对后处理驱动电机组件进行控制：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值时，后处理单体机的运行速度不变，按照预设速度V0运行；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.8V0-0.9V0的线速度处理铜箔；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.65V0-0.75V0米/分钟的线速度处理铜箔；
当左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.5V0-0.6V0米/分钟的线速度处理铜箔。
一种防断箔的后处理单体机的控制方法，应用前述的后处理单体机防断箔处理装置，用于进行厚度在9微米以内的铜箔的后处理；
在后处理单体机的任一导辊上设置角度传感器；角度传感器测量导辊的转动角度记为β；
初始条件下，Vt0赋值为V0；放卷辊开始放卷后，经过测厚仪组件测试，根据任意时间t时刻下左侧、右侧测厚仪测量得到的数据，控制系统来控制铜箔的运行速度，其控制方法如下：
S1,计算左边部面密度最大差值，右边部面密度最大差值：
左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
其中，ρ表示铜箔的密度；
S2，判断t时刻下，左侧、右侧测厚仪是否测得异常断面：
按照左侧、右侧测厚仪数据来计算当前断面铜箔适应速度V适应t：
S2-1,计算V左适应t：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值时，V左适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V左适应t＝V1；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V左适应t＝V2；
当左边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V左适应t＝V3；
S2-2,计算V右适应t：
当：1g/㎡≥右边部面密度最大差值时，V右适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V右适应t＝V1；
当：2g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V右适应t＝V2；
当：右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V右适应t＝V3
S2-3,V适应t为V左适应t，V右适应t两者的较小值；
S2-4,当V适应t<V0时,βt＝0,即出现异常断面时，角度传感器测量值清零，重新测量；
当V适应t＝V0时,角度传感器继续测量；
S3,判断β设定与βt关系，来决定t时刻下是否需要调整后处理单体机的速度：
S3-1,当β设定≤βt时，Vt＝V0，即Vt进行赋值为V0；
S3-1-1,当Vt＝Vt-1时，控制系统不发出信号，即后处理单体机的运行速度已经是V0，不需要再给出信号进行调整；
S3-1-2,当Vt>Vt-1时,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V0；
S3-2,当β设定>βt时，Vt取为V适应t、Vt-1的较小值；
若Vt＝Vt-1,控制系统不发出信号，即后处理单体机的运行速度一样，不需要再给出信号进行调整；
若Vt<Vt-1,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为Vt。
其中，Vt、V适应t、V左适应t、V右适应t为控制器使用的相关参数；
β设定＝L/r导辊；L不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度，即铜箔在厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理；r导辊表示角度传感器监测的导辊的半径；
其中，V1＝0.8V0-0.9V0，V2＝0.65V0-0.75V0，V3＝0.5V0-0.6V0。
一种防断箔的后处理单体机的控制方法，应用前述的后处理单体机防断箔处理装置，用于进行厚度在9微米以内的铜箔的后处理；
在后处理单体机的任一导辊上设置角度传感器；角度传感器测量导辊的转动角度记为β；
初始条件下，Vt0赋值为V0；放卷辊开始放卷后，经过测厚仪组件测试，根据任意时间t时刻下左侧、右侧测厚仪测量得到的数据，控制系统来控制铜箔的运行速度，其控制方法如下：
S1,计算左边部厚度最大差值，右边部厚度最大差值：
左边部厚度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)；
右边部厚度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)；
S2，判断t时刻下，左侧、右侧测厚仪是否测得异常断面：
按照左侧、右侧测厚仪数据来计算当前断面铜箔适应速度V适应t：
S2-1,计算V左适应t：
当：0.11μm≥左边部厚度最大差值时，V左适应t＝V0；
当：0.17μm≥左边部厚度最大差值＞0.11μm时，V左适应t＝V1；
当0.22μm≥左边部厚度最大差值＞0.17μm时，V左适应t＝V2；
当左边部厚度最大差值＞0.22μm时，V左适应t＝V3；
S2-2,计算V右适应t：
当：0.11μm≥右边部厚度最大差值时，V右适应t＝V0；
当：0.17μm≥右边部厚度最大差值＞0.11μm时，V右适应t＝V1；
当：0.22μm≥右边部厚度最大差值＞0.17μm时，V右适应t＝V2；
当：右边部厚度最大差值＞0.22μm时，V右适应t＝V3
S2-3,V适应t为V左适应t，V右适应t两者的较小值；
S2-4,当V适应t<V0时,βt＝0,即出现异常断面时，角度传感器测量值清零，重新测量；
当V适应t＝V0时,角度传感器继续测量；
S3,判断β设定与βt关系，来决定t时刻下是否需要调整后处理单体机的速度：
S3-1,当β设定≤βt时，Vt＝V0，即Vt进行赋值为V0；
S3-1-1,当Vt＝Vt-1时，控制系统不发出信号，即后处理单体机的运行速度已经是V0，不需要再给出信号进行调整；
S3-1-2,当Vt>Vt-1时,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V0；
S3-2,当β设定>βt时，Vt取为V适应t、Vt-1的较小值；
若Vt＝Vt-1,控制系统不发出信号(即后处理单体机的运行速度一样，不需要再给出信号进行调整)；
若Vt<Vt-1,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为Vt。
其中，Vt、V适应t、V左适应t、V右适应t为控制器使用的相关参数；
β设定＝L/r导辊；L不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度，即铜箔在厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理；r导辊表示角度传感器监测的导辊的半径；
其中，V1＝0.8V0-0.9V0，V2＝0.65V0-0.75V0，V3＝0.5V0-0.6V0。
一种防断箔的后处理单体机的控制系统，包括：存储模块、计算模块、逻辑判断与执行模块；
β设定、V1、V2、V3、任意时刻t下的左侧、右侧测厚仪传送的数据、角度传感器测量值存储到控制系统中的存储模块；
计算模块用于计算面密度差值、右侧面密度差值、V左适应t、V右适应t、V适应t、Vt,且上述数据计算得到后均存储到存储模块中；
逻辑判断与执行模块用于读取上述左侧、右侧测厚仪传送的数据、角度传感器测量值、V左适应t、V右适应t、V适应t、Vt，进而输出控制信号。
本申请的优点在于：
(1)本申请的第一个发明点在于：发现了后处理单体机断箔的主要原因在于：铜箔在边部的不均匀分布；基于试验研究，给出了处理断箔的基础性工艺：通过降低异常断面在处理槽的运行速度，从而防止断箔；
具体而言，给出了以下工艺(面密度差值＝厚度差值×铜密度(8.9g/cm3))：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值时，后处理单体机的运行速度不变，按照预设速度V0运行；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.8V0-0.9V0的线速度处理铜箔；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.65V0-0.75V0米/分钟的线速度处理铜箔；
当左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.5V0-0.6V0米/分钟的线速度处理铜箔。
(2)本申请的第二个发明点在于：在上述基础性工艺的基础上，给出了防止断箔的装置设计。
(3)本申请的第三个发明点在于，如何使得上述基础性工艺应用在设备上，即控制方法是本申请的重点与难点：基于双参数Vt(其表示t时刻铜箔的目标运行速度)、βt来调节控制系统是否发送信号，来调节后处理单体机的运行速度；
具体而言，为：
S1,计算左边部面密度最大差值，右边部面密度最大差值：
左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
其中，ρ表示铜箔的密度；
S2，判断t时刻下，左侧、右侧测厚仪是否测得异常断面：
按照左侧、右侧测厚仪数据来计算当前断面铜箔适应速度V适应t：
S2-1,计算V左适应t：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值时，V左适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V左适应t＝V1；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V左适应t＝V2；
当左边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V左适应t＝V3；
S2-2,计算V右适应t：
当：1g/㎡≥右边部面密度最大差值时，V右适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V右适应t＝V1；
当：2g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V右适应t＝V2；
当：右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V右适应t＝V3
S2-3,V适应t＝min(V左适应t，V右适应t)(即V适应t为V左适应t，V右适应t两者的较小值)；
S2-4,当V适应t<V0时,βt＝0,即出现异常断面时，角度传感器测量值清零，重新测量；
当V适应t＝V0时,角度传感器继续测量(即角度传感器不清零)；
S3,判断β设定与βt关系，来决定t时刻下是否需要调整后处理单体机的速度：
S3-1,当β设定≤βt时，Vt＝V0(即Vt进行赋值为V0)；
S3-1-1,当Vt＝Vt-1＝V0时，控制系统不发出信号(即后处理单体机的运行速度已经是V0，不需要再给出信号进行调整)；
S3-1-2,当Vt>Vt-1时,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V0；
S3-2,当β设定>βt时，Vt＝min(V适应t，Vt-1)(即Vt进行赋值为V适应t与Vt-1的较小值)；
若Vt＝Vt-1,控制系统不发出信号(即后处理单体机的运行速度一样，不需要再给出信号进行调整)；
若Vt<Vt-1,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为Vt。
其中，β设定＝L/r导辊；L不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度，即铜箔在厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理。
特别的，上述控制方法：L距离内存在不同异常断面时，按照较严重的异常断面处理，保证质量。
附图说明
下面结合附图中的实施例对本发明作进一步的详细说明，但并不构成对本发明的任何限制。
图1是现有技术的后处理单体机的设计图。
图2是实施例1的一种防断箔的后处理单体机。
图3实施例1的测厚仪的位置布置图。
图4是实施例1的铜箔速度运行示意图。
图5是实施例1的控制系统的设计图。
附图标记说明如下：
放卷辊1、酸洗槽2、黑化槽3、第一水洗槽4、灰化槽5、第二水洗槽6、防氧化槽7、第三水洗槽8、第四水洗槽9、烘干箱10、收卷辊11、测厚仪组件12、控制系统14。
具体实施方式
实施例1，发明人经过长期的生产实践，在后处理单体机，发生断箔的原因主要是(与生箔机、分切机的断箔原因分析是不同的)：铜箔的厚度分布不均，导致受力产生差距，发生断箔。
上述更为具体的，在后处理单体机存在断箔的条件(例如：铜箔的厚度分布不均达到一定程度时)，发生在生箔机(发生断箔的铜箔在生箔机上生产时并未发生断裂，而在后处理单体机上处理时发生断箔)并不一定会发生断箔，因为，生箔机的生产线很短，仅仅几米，整个生产线中的摩擦力很小。
而在后处理单体机，发明人经过长期的研究，发现：铜箔发生的断箔的位置往往是在处理槽内，而在处理槽外基本没有发生过断箔现象。后处理单体机的长度一般在30-60米，这与生箔机很大的不同的是，铜箔在40米的过程中，其方向需要变换多次，在放卷-收卷过程中，需要设置多个驱动辊；铜箔-导向辊、铜箔-驱动辊之间的摩擦力不能忽视。
从铜箔断箔的事故规律出发，提出如下方案：
典型的后处理单体机，如图1所示，其包括：放卷辊1、酸洗槽2、黑化槽3、第一水洗槽4、灰化槽5、第二水洗槽6、防氧化槽7、第三水洗槽8、第四水洗槽9、烘干箱10、收卷辊11。
由于处理槽的数量较多，且在处理槽中，铜箔的转向角度较大，铜箔在此处的受力较为复杂。
一种防断箔的后处理单体机，包括：测厚仪组件12、控制系统14；
所述测厚仪组件12至少包括4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直(即4个测厚仪在铜箔的横幅上)；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；
所述测厚仪组件12与所述控制系统14连接；
所述控制系统14与后处理驱动电机组件连接；
所述后处理驱动电机组件包括：放卷电机、收卷电机、驱动辊电机。
测厚仪组件12设置在放卷辊1与第一个处理槽之间。
一种后处理单体机防断箔处理工艺，采用前述的处理装置，其包括以下步骤：
第一，4个测厚仪实时测量铜箔的厚度，且将上述数据实时传递给控制系统；
第二，控制系统进行计算得到：左边部面密度最大差值、右边部面密度最大差值，对后处理驱动电机组件进行控制：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值时，后处理单体机的运行速度不变，按照预设速度V0运行；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.8V0-0.9V0的线速度处理铜箔；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.65V0-0.75V0米/分钟的线速度处理铜箔；
当左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.5V0-0.6V0米/分钟的线速度处理铜箔。
具体而言，如图3所示，以双光9μm、幅宽1380mm的铜箔为例，将铜箔从左到右分为42等分小块，每32.85mm为一小块。
后处理放卷端左右两边各装一台测厚仪，将实时测量到的厚度数据送到ECU(电子控制单元)。
正常的设定速度V0为35米/分钟；
当检测到左边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：1.5g/㎡≥差值＞1g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到30米/分钟的线速度处理铜箔；
当检测到左边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：2g/㎡≥差值＞1.5g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到25米/分钟的线速度处理铜箔；
当检测到左边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：差值＞2g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到20米/分钟的线速度处理铜箔。
右边部42小块和41小块对比处理方法和左边部一样，即：
当检测到右边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：1.5g/㎡≥差值＞1g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到30米/分钟的线速度处理铜箔；
当检测到右边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：2g/㎡≥差值＞1.5g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到25米/分钟的线速度处理铜箔；
当检测到右边第一块与第二块面密度(即厚度)比较：差值＞2g/㎡时，ECU发送降速指令至主控制柜，主控制柜控制放卷电机降处理速度下降到20米/分钟的线速度处理铜箔。
经过发明人的不断研究，上述对应的差值-降速值，能够保证铜箔在经过处理槽中不断箔，同时还兼顾了生产效率。
如何兼顾安全与生产效率是本申请的所要解决的重点问题，也是本申请的核心构思。
上述方案，在运行时，还会存在以下问题：
1)铜箔发现“1.5g/㎡≥差值＞1g/㎡”，进行降速25米/分钟后，何时恢复到35米/分钟？
2)铜箔在短时间经历“差值＞2g/㎡”、“1.5g/㎡≥差值＞1g/㎡”，铜箔先降速到20米/分钟，然后在调速成30米/分钟，此时，前面“差值＞2g/㎡”的铜箔断面仍然会发生问题。
面对上述问题，提出如下方案：
在后处理单体机的任一导辊上设置角度传感器；角度传感器测量导辊的转动角度记为β；
初始条件下，Vt0赋值为V0，βt0赋值为β设定(βt0的初始值赋值是多少，并不影响控制方法的运行)；
放卷辊开始放卷后，经过测厚仪组件12测试，根据左侧、右侧测厚仪测量得到的数据，任意时间t时刻下的控制系统来控制铜箔的运行速度，其控制方法如下：
任意时刻t，控制系统得到左侧、右侧测厚仪的数据、角度传感器测量值βt，且存储到控制系统中的存储模块中；
S1，判断t时刻下，左侧、右侧测厚仪是否测得异常断面：
按照左侧、右侧测厚仪数据来计算当前断面铜箔适应速度V适应t：
S1-1,计算V左适应t：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值时，V左适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V左适应t＝V1；
当：2g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V左适应t＝V2；
当：左边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V左适应t＝V3；
S1-2,计算V右适应t：
当：1g/㎡≥右边部面密度最大差值时，V右适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V右适应t＝V1；
当：2g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V右适应t＝V2；
当：右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V右适应t＝V3
S1-3,V适应t＝min(V左适应t，V右适应t)(即V适应t为V左适应t，V右适应t两者的较小值)；
S1-4,当V适应t<V0时,βt＝0,即出现异常断面时，角度传感器测量值清零，重新测量；
当V适应t＝V0时,角度传感器继续测量(即角度传感器不清零)；
S2,判断β设定与βt关系，来决定t时刻下是否需要调整后处理单体机的速度：
S2-1,当β设定≤βt时，Vt＝V0(即Vt进行赋值为V0)；
S2-1-1,当Vt＝Vt-1＝V0时，控制系统不发出信号(即后处理单体机的运行速度已经是V0，不需要再给出信号进行调整)；
S2-1-2,当Vt>Vt-1时,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V0；
S2-2,当β设定>βt时，Vt＝min(V适应t，Vt-1)(即Vt进行赋值为V适应t与Vt-1的较小值)；
若Vt＝Vt-1,控制系统不发出信号(即后处理单体机的运行速度一样，不需要再给出信号进行调整)；
若Vt<Vt-1,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为Vt。
其中，β设定＝L/r导辊；L不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度(即附图2中铜箔自A点到B点的距离)，即铜箔在厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理。
上述方案中，V1＝0.8V0-0.9V0，V2＝0.65V0-0.75V0，V3＝0.5V0-0.6V0。
控制系统包括：存储模块、计算模块、逻辑判断与执行模块；
β设定、V1、V2、V3、任意时刻t下的左侧、右侧测厚仪传送的数据、角度传感器测量值存储到控制系统中的存储模块；
计算模块用于计算面密度差值、右侧面密度差值、V左适应t、V右适应t、V适应t、Vt,且上述数据计算得到后均存储到存储模块中；
逻辑判断与执行模块用于读取上述左侧、右侧测厚仪传送的数据、角度传感器测量值、V左适应t、V右适应t、V适应t、Vt，进而输出控制信号。
上述控制方案的特点是：
如图4所示，共计6个异常断面。
后处理单体机在处理时，采用上述的控制方法，在检测到第1个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V1；在检测到第2个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V2；
在距离第2个异常断面L的距离时，Vt赋值为V0；
在检测到第3个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V1；在检测到第4个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V 3；在检测到第5个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V3；在检测到第6个异常断面时，βt赋值为0,Vt赋值为V3；
在距离第6个异常断面L的距离时，Vt赋值为V0。
以上所举实施例为本发明的较佳实施方式，仅用来方便说明本发明，并非对本发明作任何形式上的限制，任何所属技术领域中具有通常知识者，若在不脱离本发明所提技术特征的范围内，利用本发明所揭示技术内容所作出局部更动或修饰的等效实施例，并且未脱离本发明的技术特征内容，均仍属于本发明技术特征的范围内。

Claims (4)

1.一种防断箔生产工艺，采用后处理单体机，其中，后处理单体机为一种防断箔的后处理单体机，包括：放卷辊、测厚仪组件、控制系统、收卷辊、至少1个以上的处理槽；所述测厚仪组件至少包括：4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；所述测厚仪组件用于检测铜箔边部与邻近边部区域的差值；所述测厚仪组件与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件连接，根据测厚仪组件的结果来决定是否调节后处理单体机的铜箔的运行速度；所述测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间；
其特征在于，包括以下步骤：
第一，至少4个测厚仪实时测量铜箔的厚度，且将测得的铜箔的厚度数据实时传递给控制系统；
第二，控制系统进行计算得到：左边部面密度最大差值、右边部面密度最大差值，对后处理驱动电机组件进行控制：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值时，后处理单体机的运行速度不变，按照预设速度V0运行；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.8V0-0.9V0的线速度处理铜箔；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.65V0-0.75V0米/分钟的线速度处理铜箔；
当左边部面密度最大差值或右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，控制系统发送降速指令，控制后处理驱动电机组件，使得后处理单体机的铜箔运行速度下降到0.5V0-0.6V0米/分钟的线速度处理铜箔；
其中，左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
其中，ρ表示铜箔的密度。
2.如权利要求1所述的防断箔生产工艺，其特征在于，V0＝35米/分钟，V1＝30米/分钟，V2＝25米/分钟，V3＝20米/分钟。
3.一种防断箔的后处理单体机的控制方法，其特征在于，应用一种防断箔的后处理单体机，其用于生产厚度在9微米以下的电解铜箔的后处理；
其中，所述的后处理单体机，包括：放卷辊、测厚仪组件、控制系统、收卷辊、至少1个以上的处理槽；所述测厚仪组件至少包括：4个测厚仪，其中4个测厚仪分别两两布置在铜箔横幅的两侧，且4个测厚仪与铜箔的前进方向垂直；分布在铜箔一侧的两个测厚仪用于测量边部以及邻近边部区域的铜箔厚度；所述测厚仪组件用于检测铜箔边部与邻近边部区域的差值；所述测厚仪组件与所述控制系统连接；所述控制系统与后处理驱动电机组件连接，根据测厚仪组件的结果来决定是否调节后处理单体机的铜箔的运行速度；所述测厚仪组件设置在放卷辊与第一个处理槽之间；
在后处理单体机的任一导辊上设置角度传感器；角度传感器测量导辊的转动角度记为β；
初始条件下，Vt0赋值为V0；放卷辊开始放卷后，经过测厚仪组件测试，根据任意时间t时刻下左侧、右侧测厚仪测量得到的数据，控制系统来控制铜箔的运行速度，其控制方法如下：
S1，判断t时刻下，左侧、右侧测厚仪是否测得异常断面：
按照左侧、右侧测厚仪数据来计算当前断面铜箔适应速度V适应t：
S1-1,计算V左适应t：
当：1g/㎡≥左边部面密度最大差值时，V左适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V左适应t＝V1；
当2g/㎡≥左边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V左适应t＝V2；
当左边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V左适应t＝V3；
S1-2,计算V右适应t：
当：1g/㎡≥右边部面密度最大差值时，V右适应t＝V0；
当：1.5g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1g/㎡时，V右适应t＝V1；
当2g/㎡≥右边部面密度最大差值＞1.5g/㎡时，V右适应t＝V2；
当右边部面密度最大差值＞2g/㎡时，V右适应t＝V3
S1-3,V适应t为V左适应t，V右适应t两者的较小值；
S1-4,当V适应t<V0时,βt＝0,即出现异常断面时，角度传感器测量值清零，重新测量；
当V适应t＝V0时,角度传感器继续测量；
S2,判断β设定与βt关系，来决定t时刻下是否需要调整后处理单体机的速度：
S2-1,当β设定≤βt时，Vt＝V0，即Vt进行赋值为V0；
S2-1-1,当Vt＝Vt-1时，控制系统不发出信号，即后处理单体机的运行速度已经是V0，不需要再给出信号进行调整；
S2-1-2,当Vt>Vt-1时,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为V0；
S2-2,当β设定>βt时，Vt取为V适应t、Vt-1的较小值；
若Vt＝Vt-1,控制系统不发出信号，即后处理单体机的运行速度一样，不需要再给出信号进行调整；
若Vt<Vt-1,控制系统给后处理驱动电机组件发出信号，调整铜箔的线速度为Vt；
其中，Vt、V适应t、V左适应t、V右适应t为控制器使用的相关参数；
β设定＝L/r导辊；L不小于铜箔自测厚仪到最后一个处理槽后面的第一个导辊的铜箔长度，即铜箔在厚度不均匀问题时，在此区域内实行降速处理；r导辊表示角度传感器监测的导辊的半径；
其中，V1＝0.8V0-0.9V0，V2＝0.65V0-0.75V0，V3＝0.5V0-0.6V0；
其中，左边部面密度最大差值＝(铜箔左侧布置的测厚仪测得的最大值-铜箔左侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
右边部面密度最大差值＝(铜箔右侧布置的测厚仪的最大值-铜箔右侧布置的测厚仪测得的最小值)×ρ；
其中，ρ表示铜箔的密度。
4.如权利要求3所述的一种防断箔的后处理单体机的控制方法，其特征在于，V0＝35米/分钟，V1＝30米/分钟，V2＝25米/分钟，V3＝20米/分钟。
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