CN111352295A - Euv防尘薄膜张紧的诱导应力 - Google Patents

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Abstract

一种保护光掩模(210)的方法(100)。该方法包括：提供(110)光掩模(210)，提供(120)边框(220)，在边框(220)上沉积(130)至少两个电触头(230)，将包含碳纳米管的膜(240)安装(140)在边框(220)上，以使所述膜(240)包含自立部分，其中在安装(140)和沉积(130)步骤之后，电触头(230)与膜(240)接触，通过偏置至少一对电触头(230)，诱导(150)电流通过膜(240)的自立部分，从而获得通过膜(240)的自立部分的电流，将边框(220)安装(170)在光掩模(210)的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模(210)上方。

Description

EUV防尘薄膜张紧的诱导应力
技术领域
本发明涉及光刻领域。更具体地，本发明涉及一种通过在光掩模上方提供自立式防尘薄膜来保护光掩模的方法。
背景技术
在光刻中，需要防尘薄膜(pellicle)来防止颗粒掉落到图案化的表面掩模上。在存储、处理和光刻曝光过程中，颗粒可能会掉在光掩模上。安装在图案化的光掩模表面上方的防尘薄膜会将颗粒悬浮在离焦平面上，这样，当在光刻曝光工具中对光掩模成像时，大多数颗粒不会产生晶片图案错误。防尘薄膜优选地包括透明膜，该透明膜不改变光的路径并且不影响成像。
先进的光刻工具可将光掩模暴露在以13.5nm为中心的极紫外(EUV)光下。由于该波长容易被所有材料吸收，因此很难形成强度足以自立且透明度足以用于防尘薄膜应用的足够薄的膜。
碳纳米管(CNT)已被证明是一个很强的候选者，其提供对颗粒的保护，同时仅对曝光的光造成微小的改变。CNT膜在13.5nm曝光波长的光下通常可以达到96％以上的透射率，在其他计量波长(190-500nm)下保持透明，并且本质上很坚固。任何防尘薄膜的关注点在于平衡膜应力，以使膜张力不至于使其断裂，但又足够张紧以避免下垂。对于基于CNT的膜，在膜形成之后和随着时间的推移均观察到CNT-CNT结合的松弛，导致膜的下垂。这种下垂损害了防尘薄膜的机械完整性和光学一致性。由于下垂，防尘薄膜可能会接触到扫描仪、处理系统或掩模载体的组件。另外，如果光和防尘薄膜之间存在相互作用，则该相互作用可能由于下垂而改变，因为光将以一定角度穿过防尘薄膜。
因此，在光刻工艺中需要这样的防尘薄膜和在制造这些防尘薄膜的方法，其中这些防尘薄膜包括对EUV光具有良好透明性的膜，由此防止下垂。
发明内容
本发明实施方式的一个目的是提供一种获得用于保护光掩模的良好防尘薄膜的方法。
上述目的是通过本发明所述的方法和装置实现的。
本发明的实施方式涉及保护光掩模的方法。该方法包括：
-提供光掩模，
-提供边框(border)，
-在边框上沉积至少两个电触头，
-将包含碳纳米管的膜安装在边框上，以使该膜包含自立部分，
-其中在安装和沉积步骤之后，电触头与膜接触，
-通过偏置至少一对电触头，使电流通过膜的自立部分，
-将边框安装在光掩模的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模上方。
本发明的实施方式的优点在于，无需额外的材料、复杂的工具或困难的过程即可符合防尘薄膜的要求(防尘薄膜是包括膜和边框的结构)。在本发明的一些实施方式中，通过施加电流来改变形成防尘薄膜膜的自立式CNT，从而在形成防尘薄膜的边框的顶部上产生拉伸的CNT膜。该过程可以根据需要重复多次，可以在扫描仪外部进行，并且可以应用于已经安装在分划板上的防尘薄膜。
根据需要，通过施加电流在基于CNT的膜上引起张力。这可以使用现成的设备来实现。电流的施加可以在洁净室中进行，而没有增加颗粒的风险。
电流发生器可以与成对的电触头连接以直接引入电流，或者可以施加电压差以诱导电流通过膜的自立部分。
磁场变化也可以诱导出电流。因此，根据本发明实施方式的另一方法可以包括以下步骤：
-提供光掩模，
-提供边框，
-将包含碳纳米管的膜安装在边框上，以使该膜包含自立部分，
-通过在膜的自立部分中施加变化的磁场来诱导电流通过膜的自立部分，
-将边框安装在光掩模的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模上方。
该方法提供了针对相同问题的替代解决方案，并且旨在通过在光掩模上方提供膜的自立部分来保护光掩模。
通过诱导电流通过膜的自立部分来在基于CNT的膜上引起张力。
本发明的实施方式的一个优点是，可以通过诱导电流通过膜的自立部分来减少或者甚至完全消除膜的下垂和起皱。
在本发明的实施方式中，通过偏置至少两对电触头来诱导电流。
本发明的实施方式的优点在于，当在至少两对触头上施加电压时，获得更好的电流分布。施加在膜的自立部分上的电场越均匀，膜的拉伸强度就越均匀。
在本发明的一些实施方式中，单电流脉冲被诱导通过膜的自立部分。这可以通过在至少一对电触头上施加偏置脉冲以使至少一对电触头偏置来实现，或者通过在膜的自立部分中施加磁场脉冲来实现。
在本发明的一些实施方式中，具有预定占空比的电流脉冲串被诱导通过膜的自立部分。这可以通过在至少一对触头上施加偏置脉冲串以使至少一对电触头偏置来实现，或者通过在膜的自立部分中施加磁场脉冲串来实现。
在本发明的实施方式中，所提供的边框是硅边框。
在本发明的实施方式中，通过提供基于硅的材料并通过部分去除基于硅的材料来提供边框。
在本发明的实施方式中，通过沉积钛籽晶层，然后沉积钯来获得电触头。
在本发明的实施方式中，通过碳纳米管的干转移来制备膜。
可以通过浮动催化剂化学气相沉积法来生长碳纳米管，或者可以使用真空过滤将碳纳米管从溶液中提取到滤纸上。本领域技术人员已知的方法，例如，浮动气溶胶CVD反应物沉积到滤纸上，CVD森林拉制成膜，真空过滤CNT溶液，旋涂到中间基材上。在本发明的实施方式中，膜的安装包括将碳纳米管放置在滤纸的顶部上或从碳纳米管森林(carbonnanotube forest)拉出片材，并且通过将滤纸或拉出的片材压到边框上来安装膜。
本发明的实施方式的一个优点是，由固定催化剂CVD生长的垂直取向的CNT森林拉制CNT片可以产生更对齐的膜。
在本发明的实施方式中，该方法包括在沉积膜之后在膜上施加异丙醇。
本发明的实施方式的一个优点是，通过在膜上施加异丙醇(蒸气，喷雾或湿式)，可获得增加的致密化和/或增加的附着力。
在本发明的实施方式中，该方法包括在膜上提供涂层。
本发明的实施方式的一个优点是延长了在氢自由基环境中的CNT膜寿命。即使在氢自由基中的蚀刻速率有限，但防尘薄膜可以具有有限的寿命，因为CNT的制造并不昂贵。
在本发明的实施方式中，可以在CNT膜上涂覆一层或多层。在本发明的实施方式中，可以在膜的两侧上提供涂层。
可以在施加电压或电流之前或之后提供涂层。
在本发明的实施方式中，可以在膜上提供部分涂层。
本发明的实施方式的一个优点在于，通过减少涂层材料的量，提高了所得CNT膜的EUV透射率。
在本发明的实施方式中，可以通过在包含碳纳米管的膜中沉积或装饰缺陷来提供部分涂层。
在本发明的实施方式中，在膜上提供完整的涂层。
本发明实施方式的一个优点是，由于根据本发明实施方式的受控且完全地涂覆，CNT膜的寿命甚至可以更长(与部分涂覆相比)。
在本发明的实施方式中，可以提供保形涂层。在本发明的实施方式中，可以通过物理气相沉积或原子层沉积或化学气相沉积或电化学沉积来提供完整的涂层。
在本发明的实施方式中，该方法包括在光掩模上进行光刻步骤，该光掩模被包含碳纳米管的已安装膜保护。
本发明特定和优选的方面在所附独立和从属权利要求中阐述。可以将从属权利要求中的特征与独立权利要求中的特征以及其它从属权利要求中的特征进行适当组合，而并不仅限于权利要求书中明确所述的情况。
本发明的这些和其它方面将参考下文所述的实施方式披露并阐明。
附图说明
图1显示依据本发明实施方式的示例性方法的流程图。
图2显示使用根据本发明实施方式的方法获得的光掩模上的防尘薄膜的侧视示意图。
图3显示根据本发明实施方式的安装在边框上的CNT膜的俯视示意图，其中CNT膜具有由边框界定的正方形自立部分，并且其中电触头存在于边框上。
图4显示根据本发明实施方式的CNT膜的俯视示意图，该CNT膜具有安装在边框上的矩形自立部分，该边框上具有触头。
图5显示根据本发明实施方式的偏置方案，其中一对电触头被偏置。
图6显示根据本发明实施方式的偏置方案，其中两对电触头被偏置。
图7显示在施加通过膜的自立部分的电流之前膜的扫描电子显微镜(SEM)图像。
图8显示依据本发明的实施方式，在施加通过膜的自立部分的电流之后膜的扫描电子显微镜(SEM)图像。
权利要求书中的任何引用符号不应理解为限制本发明的范围。在不同的图中，相同的附图标记表示相同或类似的元件。
具体实施方式
将就具体实施方式并参照某些附图对本发明进行描述，但本发明并不受此限制，仅由权利要求书限定。描述的附图仅是说明性的且是非限制性的。在附图中，一些元素的尺寸可能被夸大且未按比例尺绘画以用于说明目的。所述尺寸和相对尺寸不与本发明实践的实际减小相对应。
在说明书和权利要求书中的术语第一、第二等用来区别类似的元件，而不一定是用来描述时间、空间、等级顺序或任何其它方式的顺序。应理解，如此使用的术语在合适情况下可互换使用，本发明所述的实施方式能够按照本文所述或说明的顺序以外的其它顺序进行操作。
此外，在说明书和权利要求书中，术语顶、之下等用于描述目的，而不一定用于描述相对位置。应理解，如此使用的术语在合适情况下可互换使用，本发明所述的实施方式能够按照本文所述或说明的取向以外的其它取向进行操作。
应注意，权利要求中使用的术语“包含”不应解释为被限制为其后列出的部分，其不排除其它元件或步骤。因此，其应被理解为指出所述特征、整数、步骤或组分的存在，但这并不排除一种或多种其它特征、整数、步骤或组分或其组合的存在或添加。因此，表述“包括部件A和B的装置”的范围不应被限制为所述装置仅由组件A和B构成。其表示对于本发明，所述装置的相关组件仅为A和B。
说明书中提及的“一个实施方式”或“一种实施方式”是指连同实施方式描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方式中。因此，在说明书中各处出现的短语“在一个实施方式中”或“在一种实施方式中”不一定全部指同一个实施方式，但可能全部都指同一个实施方式。此外，具体特征、结构或特性可以任何合适方式在一个或多个实施方式中组合，这对于本领域普通技术人员而言是显而易见的。
类似地，应理解，在本发明的示例性实施方式的描述中，本发明的不同特征有时组合成一个单一实施方式、特征或其描述，这是为了简化公开内容并帮助理解本发明的一个或多个不同方面。然而，本公开内容中的方法不应被理解为反映一项发明，请求保护的本发明需要比各权利要求中明确引用的具有更多的特征。并且，如同所附权利要求所反映的那样，发明方面包括的特征可能会少于前述公开的一个单一实施方式的全部特征。因此，具体说明之后的权利要求将被明确地纳入该具体说明，并且各权利要求本身基于本发明独立的实施方式。
此外，当本文所述的一些实施方式包括一些但不包括其它实施方式中所包括的其它特征时，不同实施方式的特征的组合应意在包括在本发明范围内，并且形成不同的实施方式，这应被本领域技术人员所理解。例如，在之后的权利要求中，所请求保护的任何实施方式可以任何组合形式使用。
本文的描述中阐述了众多的具体细节。然而应理解，本发明的实施方式可不用这些具体细节进行实施。在其它情况中，为了不混淆对该说明书的理解，没有详细描述众所周知的方法、步骤和技术。
在本发明的实施方式中，当提到膜时，是指保护光掩模的罩子。该膜也可以称为“防尘罩”。
在本发明的实施方式中，当提到防尘薄膜时，是指已安装的膜加上边框，准备在扫描仪中用于曝光。
本发明的实施方式涉及保护光掩模210的方法100。该方法包括：
-提供110光掩模210，
-提供120边框220，
-在边框220上沉积130至少两个电触头230，
-将包含碳纳米管的膜240安装140在边框220上，以使该膜240包含自立部分，
-其中在安装140和沉积130步骤之后，电触头230与膜240接触，
-偏置150至少一对电触头230，使获得通过膜的自立部分的电流，
-将边框220安装170在光掩模210的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模210上方。
边框220和膜240附接到光掩模210。这可以直接地或通过使用另外的间隔框架来完成。边框可以安装在光掩模的两侧上。
步骤不一定按上述顺序进行。至少两个电触头230的沉积130可以例如在安装140包含碳纳米管的膜240之前或之后进行。例如，也可以刚好在边框120安装170到光掩模210之前，提供110光掩模。
也可以通过在膜的自立部分中施加变化的磁场来诱导电流。在那种情况下，不一定需要电触头。变化的磁场可能会在膜中诱导出涡流电流。膜中变化的磁场例如可以由交流变压器或电磁体产生，该交流变压器或电磁体被定位成使得在运行期间在膜的自立部分中产生变化的磁场。
本发明的实施方式的优点在于，通过偏置至少一对触头从而获得通过膜的自立部分的电流来增加膜的自立部分中的张力。例如，这可能得到符合扫描仪要求的CNT拉伸网：例如，在2Pa压差下小于0.7mm的最大挠度。在本发明的实施方式中，可以进行鼓胀试验测量以量化膜的张力。鼓胀试验机可以例如用于量化膜的最大挠度。可以使用不同类型的设备测试膜上的张力。
图1例示了依据本发明实施方式的示例性方法的流程图。图2显示使用根据本发明实施方式的方法获得的被包含碳纳米管的膜保护的光掩模的示意图。
在示例性方法中，提供120边框。该边框220可以例如从Si晶片获得。
例如，可以通过提供基材(例如，硅晶片)，在基材上沉积掩模材料(例如，SiN)并且通过部分去除基材来制造边框220。例如，可以在基材上沉积30到50nm之间的掩模材料(例如，SiN)。可以通过激光切割或通过构图/蚀刻工艺(例如，蚀刻KOH 20％，70摄氏度，8小时，并用去离子水/IPA清洁)来实现部分去除。可以使用其他边框220。例如，边框可以包含高温陶瓷。
在本发明的实施方式中，在边框220上沉积至少两个电触头230(也称为焊盘(pad))。这可以在安装140包含碳纳米管的膜240之前或之后进行。焊盘230可以具有不同的尺寸，并且可以由不同的导电材料组成，并且取决于期望的效果而不同地放置。在本发明的实施方式中，可以通过形成金属触头来获得电触头230，例如通过沉积130钛粘合层，然后沉积钯来获得。例如，可以沉积0.3-2nm的钛层，在其上生长50nm的钯触头(Ti/Pd)。在本发明的实施方式中，出于多种原因可以选择电触头的材料，从而获得有利的低电阻。例如，钯(Pd)，金(Au)和铂(Pt)均具有低电阻。
可以将包含碳纳米管(CNT)的膜组装成自立膜240，其形态取决于制造工艺。
当通过干转移利用浮动催化剂化学气相沉积(CVD)法生长的CNT，或通过真空过滤分散在溶液中的CNT然后去除过滤膜来制备时，膜240中的CNT可以随机取向。
从通过固定催化剂CVD生长的垂直取向CNT森林中拉制CNT片材，可以在膜中产生更对齐的CNT，它们可以一层或多层排列。
在实施方式中，通过将CNT膜放置在支撑边框220的顶部上来安装140CNT膜，以形成自立膜240。例如，可以将滤纸(气溶胶收集方法)或拉制片材(垂直森林生长)压在边框上进行粘附。
任选地，可以施加IPA(蒸气，喷雾或湿法)以致密化和/或粘附。由于许多原因，例如，为了提高化学稳定性，平衡应力或提高CNT或焊盘的粘附力，边框可能会沉积有SiN、TiN或其他材料的薄层(5-50nm)。
自立膜可以进行进一步处理–清洁，涂布或拉伸。
由于在纳米级上占优势的CNT之间的范德华力，CNT形成了膜。随着时间的流逝，可能会观察到下垂现象，这会引起两个问题–降低打印质量的可变光学影响以及扫描仪中压力波动期间发生挠曲的风险。
因此，在本发明的实施方式中，迫使电流通过安装在边框220处的膜240。施加该电流可以导致宏观尺度上的视觉外观变化，并且强烈地减小或者甚至消除了下垂和起皱。
在本发明的实施方式中，在边框220上放置至少两个但通常四个或更多个电触头230(也称为焊盘)，从而可以通过直接施加电流或通过施加电压差以在膜上诱导电流来将电流引导通过膜。在本发明的实施方式中，焊盘230可以沿着边框分布在不同的位置上。焊盘230可以是细长的触头(例如，其长/宽比仅受边框的尺寸和将一个焊盘与另一个焊盘隔离的需要所限制。焊盘230被配置为当通过偏置至少两个焊盘230来施加通过膜的电流时，在膜上引起期望的张力。
边框220被安装170在光掩模210上，使得膜240的自立部分在光掩模上方。在图2的实例中，示出了所得堆叠体的示意图。该图示出了在其上示意性地绘制了图案的光掩模210。在光掩模的顶部上存在防尘薄膜，其边框220附接到光掩模210，并且膜240在光掩模210上方。尽管在该示意图中未示出，但是防尘薄膜可以存在于光掩模的两侧上。在该示意图中，还示出了电触头230。这些电触头230被绘制在边框的顶部上。
在图3和图4的配置中分别示出了在不同尺寸的边框上的焊盘230。图3示出了用于测试样品的外尺寸为3x3cm2的边框220，其中四个焊盘230沉积在边框220的边上。边框220位于外正方形和内正方形之间。CNT膜240(由图案示出)在中心250处自立并且支撑在边框220上。图4示出了更大的样品的示意图，该样品与外尺寸为120x150cm2的全尺寸防尘薄膜更兼容，其中沉积了8个焊盘230，基于硅的边框220的每个边上有两个焊盘230。边框220位于外矩形和内矩形之间。CNT膜240不仅在中心250处自立，而且在边缘处支撑在边框220上。
在本发明的实施方式中，边框包围开放空间。通过在该边框上提供膜，该空间上方的膜是膜的自立部分。膜的自立区域的形状由包围该区域的边框决定。在图3和图4的例子中，示出了正方形或矩形的膜的自立部分。然而，本发明不限于此。其他配置，例如圆形的，也是可能的。这些由边框220决定。
在本发明的实施方式中，在一对或多对电触头230上进行偏置。在图3的例子中，如果从触头2到触头4施加电流，该电流施加处理将使膜在2–4方向上变得更具张力。如果从2到1施加电流，则由于施加的电流，只有触头2和触头1之间的有限处理区域会变得更具张力。可以沿着单个路径诱导单个电流，或者可以在多个接触焊盘之间诱导多个电流。例如，可以在触头1和触头3上施加第一电压，同时，可以在触头2和触头4上施加第二电压。这样，在节点1和3之间获得第一电流，在节点2和4之间获得第二电流。第一电压可以与第二电压不同，另外，第一电流可以与第二电流不同。
在本发明的实施方式中，可以使用范德堡(van der Pauw)法来测量膜240的电阻，以监测膜的变化。可以在张紧之前，期间和之后测量电阻，以量化该过程。采样过程可能涉及测量电阻，然后在两个触头之间施加电流或电压(图5中的I24/V24)。这样做时，可以测量电阻，并可以目测检查膜的外观是否光滑，无皱纹。也可以测量张力(例如间接地通过鼓胀试验测量，其向膜施加压力，同时测量挠曲度)。如果需要额外的张紧，可以使用另外一对触头来施加电流或电压。例如，I13/V13。可以在不同的触头对(I12/V12，I34/V34，I41/V41，I23/V23，I24/V24或I13/V13)上重复此过程，同时监测电阻并检查膜上是否有光滑、无皱纹的张紧。可以重复对不同的电触头对230进行偏置，直到获得均匀的应力，膜光滑且无皱纹并且电阻已稳定到恒定值为止。目的是利用电流策略性地在整个膜上引起均匀诱导的拉伸应力。
如上所述，在本发明的实施方式中，可以使用范德堡法来监测膜的电阻变化。这是参考电阻。电流或电压可以同时施加在多个电触头上。在图6中示意性地示出了这种配置的例子，其中显示了触头对1和3(I13或V13)以及触头对2和4(I24或V24)上的电压或电流源。例如，同时I24或V24与I13或V13接触以创建双通道配置。在本发明的实施方式中，其中多对电触头被偏置的这种多通道方法可以被扩展到一组复杂的触头，并且电流/电压用于如图6所示的配置或用于具有更多接触焊盘的任何配置。
在本发明的实施方式中，该方法适用于由未涂覆的CNT膜组成的防尘薄膜，以及适用于由涂覆有不同材料的CNT膜形成的防尘薄膜。在本发明的实施方式中，可以在将接触焊盘放置130在边框上并且安装140未涂覆的CNT膜之后进行CNT膜的涂覆160。
在本发明的实施方式中，偏置一对电触头从而获得通过膜的自立部分的电流所持续的时间量例如可以在几毫秒至几秒的范围内。施加的电流可以例如在几毫安至200mA或更高的范围内，并且施加的电压可以例如在零至40V之间变化，施加的电压可以例如在20V以上或甚至在40V以上，但它们不是该过程的必然限制条件。
在本发明的实施方式中，可以将偏置脉冲串(电流或电压)用于引起这种应力。例如，这种脉冲串的开/关比可以是可调的。开/关比可以例如大于20％，40％，60％，80％。但是，这不是严格要求的。
在本发明的实施方式中，可以施加电流以使得膜的自立部分的加热受到限制。在偏置期间，膜的温度可以例如保持低于200℃或甚至低于30℃。例如，这可以通过控制对流气流和所施加电流或电压的占空比来实现。因此，电流可以被限制为最大值，和/或脉冲的持续时间可以被限制为最大值，和/或在脉冲串的情况下，开/关比可以被限制为最大值。
发明人已经注意到，CNT膜的电阻随着施加的电流而增加。不受理论的束缚，假设电阻和电流之间的这种关系暗示了膜本身的纳米级变化。图7显示在施加通过膜的自立部分的电流之前膜的扫描电子显微镜(SEM)图像。图8显示在施加电流使得在膜中获得增加的张力之后的SEM图像。从这些图中可以看出，SEM没什么区别。因此，发明人认为该变化可能与纳米形态(修复键)或挥发的污染物有更多关联。
在本发明的实施方式中，可以在膜上提供160涂层。这是任选步骤，例如可以在偏置150至少一对电触头从而迫使电流通过膜的自立部分之前进行。然而，本发明不限于此，并且也可以在偏置触头对之后进行涂覆。
CNT膜240可以部分或全部被涂覆。可以通过非常薄(例如，厚度小于3nm)的CNT缺陷的沉积或装饰来获得部分涂层。可以例如通过以下方法来沉积完整的涂层：物理气相沉积(PVD)，即电子束或热蒸发，远程等离子体溅射；原子层沉积(ALD)，化学气相沉积(CVD)，电化学沉积(ECD)和溶胶-凝胶技术，或多种方法的组合。涂层可以例如包括以下材料：Zr，Y，B，Ti，Ru，Mo以及相关的成分，氮化物或氧化物。但是，列表不限于这些材料。
图1中示出的工艺流程是根据本发明一个实施方式的示例性工艺流程。然而，本发明不限于此。如果不需要，则可以跳过步骤(例如涂覆)。也可以更改步骤的顺序(例如，在施加电流之后对膜进行涂覆)。
该涂层可以包括自立式碳纳米管(CNT)膜的多层涂层(优选双层，但是可以是多层)。该涂层可保护膜免受侵蚀性环境的侵害，例如，如果用作EUV防尘薄膜，则可免受氢自由基的侵害。涂层还可以提高发射率，以进行更多的辐射冷却。
如果用作EUV防尘薄膜，则将自立式CNT膜引入扫描仪内部带有氢自由基(H*)的环境中。膜(也称为隔膜)中的CNT结构可能会受到H*的攻击，由于碳气化成碳氢化合物分子而导致CNT的去除，从而造成防尘薄膜受损。为避免防尘薄膜降解，必须保护CNT膜以减少或消除H*损害。这可以通过用由一层或多层组成的薄膜涂覆(例如从两侧)CNT膜来实现。还可通过在膜内部沿着CNT管的薄弱部位进行有针对性的沉积来实现保护。
原子层沉积(ALD)可用于在复杂结构上进行保形薄膜沉积。但是，由于CNT表面的化学惰性以及在膜生长开始时ALD成核的活性位点较少，在CNT上形成保形和无针孔涂层是有难度的。
在本发明的实施方式中，第一涂层可以是部分涂层。这可以通过利用原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)选择性地涂覆缺陷来实现。H*蚀刻很可能从CNT的缺陷部位开始，然后沿管长传播。已知ALD/CVD在缺陷部位开始成核，从而可以选择性地保护CNT缺陷不受H*的影响。本发明的一个优点是，与未涂覆的CNT防尘薄膜相比，部分涂覆CNT缺陷将延长涂覆的CNT防尘薄膜的寿命。
任选地，可以在CNT膜的一侧或两侧上，在部分ALD/CVD涂层的顶部上添加第二涂层，以提高发射率。可以通过上面已经列出的各种薄膜沉积技术(例如,热或电子束蒸发，溅射等)来施加该涂层。
在本发明的实施方式中，可以在CNT膜240上提供完整的涂层以用于保护。该层可以通过保形涂覆步骤来实现。
该保形涂层可以通过在ALD涂层之前施加籽晶(粘合)层来实现，该籽晶(粘合)层是通过热或电子束蒸发来沉积的。这种籽晶层沉积方法对CNT结构无害，可保留原始的CNT属性。为了籽晶层的均匀性，可以在一定角度(例如15度)下进行蒸发，但是该角度也可以是1度至89度，并在沉积过程中旋转基材。在经过引晶的CNT结构顶部上的ALD将是均匀且保形的。
本发明的实施方式的优点在于，上述籽晶层在后续层的沉积期间用作CNT膜的保护，该后续层的沉积涉及使CNT暴露于严酷的反应条件(例如基于等离子体的溅射)或强氧化剂(例如某些ALD过程)，已知这些反应条件或强氧化剂在工艺过程中会损坏CNT。
在本发明的实施方式中，可以在刚性涂层膜之间添加中间可变形薄膜涂层以减少多层涂层的应力，例如碳。
在实施方式中，可以使用保形涂覆来施加两层。通过施加两层，可以平衡应力，因为净应力是由各层引起的压缩应力或拉伸应力的组合。这可以产生更具张力的膜，以及皱纹数减少的膜或者甚至没有皱纹的膜。
在本发明的实施方式中，可以提供有利于保形涂覆的CNT结构。CNT防尘薄膜可以例如包含N掺杂的CNT。由于引入了反应性表面物质，所以用异质原子掺杂CNT膜可使CNT膜更适合ALD或CVD成核。
CNT膜可以包含多壁CNT，以使其更适合于保形涂覆。在那种情况下，壁之一可以用作牺牲CNT壁以使其具有允许ALD引晶的功能。
在本发明的实施方式中，通过在经过引晶的CNT的顶部上提供涂层，可以减少获得连续且保形的ALD涂层所需的ALD循环的次数。例如，可以通过ALD提供超薄层(例如钌涂层)。
在实施方式中，干法可以应用于保形涂覆。在那种情况下，不使用溶液来沉积涂层。
本发明的实施方式的一个优点是，通过避免在籽晶层生长期间CNT的损坏，保留了CNT的固有结构、机械和电学性能。
本发明的实施方式的一个优点在于，一旦CNT被籽晶层保护而不会在例如涂覆期间被离子轰击，则可以允许使用各种涂覆方法。
根据本发明的实施方式的保形涂覆的优点在于，其可应用于单壁CNT的高度透明的自立膜，已知单壁CNT与多壁CNT相比具有更少的缺陷。
本发明的实施方式的一个优点在于，CNT结构适于保形涂覆，因为其允许CNT表面的缺陷工程，以进行受控的ALD涂覆，同时保持自立CNT膜。
依据本发明实施方式的方法可以包括在光掩模上进行的光刻步骤，该光掩模被包含碳纳米管的已安装膜保护。
在本发明的实施方式中，通过将CNT膜安装在升高的边框之间并且通过将电流施加到膜的自立部分来制备CNT防尘薄膜。本发明的实施方式的一个优点在于，CNT防尘薄膜是用于光刻分划板保护的解决方案。
在本发明的实施方式中，光刻可以是具有13.5nm波长的极紫外光刻。然而，本发明不限于该波长。例如，波长可以在3至248nm之间的范围内。有利的是，使用碳纳米管可以制成非常薄的膜，以至于不影响EUV光通过该膜。此外，有利的是，可以通过根据本发明实施方式的方法来增加拉伸应力，并且该拉伸应力甚至可以维持更长的时间。例如，拉伸应力可以永久地保持稳定。

Claims (14)

1.一种保护光掩模(210)的方法(100)，所述方法包括：
-提供(110)光掩模(210)，
-提供(120)边框(220)，
-在边框(220)上沉积(130)至少两个电触头(230)，
-将包含碳纳米管的膜(240)安装(140)在边框(220)上，以使所述膜(240)包含自立部分，
-其中在安装(140)和沉积(130)步骤之后，电触头(230)与膜(240)接触，
-通过偏置至少一对电触头(230)，诱导(150)电流通过膜(240)的自立部分，
-将边框(220)安装(170)在光掩模(210)的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模(210)上方。
2.一种保护光掩模(210)的方法(100)，所述方法包括：
-提供(110)光掩模(210)，
-提供(120)边框(220)，
-将包含碳纳米管的膜(240)安装(140)在边框(220)上，以使所述膜(240)包含自立部分，
-通过在膜的自立部分中施加变化的磁场来诱导(150)电流通过膜(240)的自立部分，
-将边框(220)安装(170)在光掩模(210)的至少一侧上，使膜的自立部分在光掩模(210)上方。
3.如权利要求1所述的方法(100)，其中，在至少两对电触头(230)上进行所述偏置(150)。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，单电流脉冲被诱导(150)通过膜(240)的自立部分。
5.如权利要求1-3中任一项所述的方法(100)，其中，具有预定占空比的电流脉冲串被诱导通过膜(240)的自立部分。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，提供(120)的边框(220)是硅边框。
7.如权利要求6所述的方法(100)，其中，通过提供基于硅的材料并通过部分去除基于硅的材料来提供(120)边框(220)。
8.如权利要求1所述的方法(100)，其中，通过沉积(130)钛籽晶层，然后沉积钯来获得电触头(230)。
9.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，其中，通过干转移碳纳米管或通过使用真空过滤将碳纳米管从溶液中提取到滤纸上来制备膜(240)。
10.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，所述方法包括在沉积膜之后在膜上施加异丙醇。
11.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，所述方法包括在膜(240)上提供(160)涂层。
12.如权利要求11所述的方法(100)，其中，在膜(240)上提供(160)部分涂层。
13.如权利要求11所述的方法(100)，其中，在膜(240)上提供(160)完整涂层。
14.如前述权利要求中任一项所述的方法(100)，所述方法包括在光掩模上施加光刻步骤，所述光掩模被包含碳纳米管的已安装膜保护。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI776625B (zh) * 2021-05-12 2022-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 防護組件及形成倍縮光罩組件及增加防護薄膜壽命的方法
CN115943346A (zh) * 2020-09-16 2023-04-07 琳得科美国股份有限公司 用于euv光刻的超薄超低密度膜

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102514088B1 (ko) * 2020-08-04 2023-03-27 주식회사 에스앤에스텍 1차원 나노물질을 사용하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 이의 제조방법
KR102585401B1 (ko) * 2020-11-17 2023-10-10 주식회사 에스앤에스텍 독립된 박막 형태의 캡핑층을 갖는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법
WO2022196182A1 (ja) * 2021-03-19 2022-09-22 三井化学株式会社 ペリクル、露光原版、露光装置、ペリクルの製造方法及び半導体装置の製造方法
FI20225350A1 (en) * 2022-04-27 2023-10-28 Canatu Oy SELF-SUPPORTING PROTECTIVE MEMBRANE HANDLING HARM STRUCTURES

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003140320A (ja) * 2001-11-01 2003-05-14 Hitachi Ltd マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
CN1950680A (zh) * 2004-05-25 2007-04-18 国际商业机器公司 光散射euvl掩模
US20110244639A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing a pattern formed body, method for manufacturing a functional element, and method for manufacturing a semiconductor element
CN104290317A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 帕洛阿尔托研究中心公司 在薄聚合物膜上连续制造数字微米尺度图案
CN106169630A (zh) * 2015-05-21 2016-11-30 三星电子株式会社 锂空气电池和制造其的方法
CN107561853A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 三星电子株式会社 用于光掩模的薄膜以及包括该薄膜的曝光装置
CN108431693A (zh) * 2015-10-22 2018-08-21 Asml荷兰有限公司 制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法
CN108878259A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 形成防尘薄膜的方法
CN108873600A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 一种光刻掩模板系统
CN108873596A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 用于形成碳纳米管防护件薄膜的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7110195B2 (en) 2004-04-28 2006-09-19 International Business Machines Corporation Monolithic hard pellicle
KR100790216B1 (ko) * 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 ｃｎｔ 투명전극 및 그의 제조방법
TWI478865B (zh) * 2008-11-28 2015-04-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 奈米碳管膜
CN101958394B (zh) * 2009-07-17 2011-11-30 清华大学 电致伸缩复合材料及电致伸缩元件
TWI658321B (zh) 2013-12-05 2019-05-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於製造一表膜的裝置與方法，以及一表膜
KR102345543B1 (ko) * 2015-08-03 2021-12-30 삼성전자주식회사 펠리클 및 이를 포함하는 포토마스크 조립체
US9950349B2 (en) 2015-09-15 2018-04-24 Internationa Business Machines Corporation Drying an extreme ultraviolet (EUV) pellicle
CA3008477A1 (en) 2015-12-17 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. Pellicle and pellicle assembly
KR102185991B1 (ko) * 2018-04-10 2020-12-03 한양대학교 산학협력단 반도체 제조용 막

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003140320A (ja) * 2001-11-01 2003-05-14 Hitachi Ltd マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
CN1950680A (zh) * 2004-05-25 2007-04-18 国际商业机器公司 光散射euvl掩模
US20110244639A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for manufacturing a pattern formed body, method for manufacturing a functional element, and method for manufacturing a semiconductor element
CN104290317A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 帕洛阿尔托研究中心公司 在薄聚合物膜上连续制造数字微米尺度图案
CN106169630A (zh) * 2015-05-21 2016-11-30 三星电子株式会社 锂空气电池和制造其的方法
CN108431693A (zh) * 2015-10-22 2018-08-21 Asml荷兰有限公司 制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法
JP2018531426A (ja) * 2015-10-22 2018-10-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用のペリクルを製造する方法、リソグラフィ装置用のペリクル、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、ペリクルを処理するための装置、及びペリクルを処理する方法
CN107561853A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 三星电子株式会社 用于光掩模的薄膜以及包括该薄膜的曝光装置
CN108878259A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 形成防尘薄膜的方法
CN108873600A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 一种光刻掩模板系统
CN108873596A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 Imec 非营利协会 用于形成碳纳米管防护件薄膜的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115943346A (zh) * 2020-09-16 2023-04-07 琳得科美国股份有限公司 用于euv光刻的超薄超低密度膜
US12085844B2 (en) 2020-09-16 2024-09-10 Lintec Of America, Inc. Ultra-thin, ultra-low density films for EUV lithography
TWI776625B (zh) * 2021-05-12 2022-09-01 台灣積體電路製造股份有限公司 防護組件及形成倍縮光罩組件及增加防護薄膜壽命的方法

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Publication number Publication date
US20200201169A1 (en) 2020-06-25
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JP2020101788A (ja) 2020-07-02
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KR20200078310A (ko) 2020-07-01
US11163229B2 (en) 2021-11-02

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