CN111323979A - 电致变色器件及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电致变色器件及制备方法。该电致变色器件，包括：依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底；所述第一透明导电层包括至少两个第一导电部，所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置。本发明通过将第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置，解决了电致变色器件的局部变色的问题，达到了实现局部不透明度的调节效果，促进了电致变色器件在局部可调节不透明度系统的应用。

Description

电致变色器件及制备方法

技术领域

本发明实施例涉及电致变色领域，尤其涉及一种电致变色器件及制备方法。

背景技术

随着各种显示技术的发展，局部可调节不透明度系统的市场需求愈发强烈。 例如，局部可调节不透明度系统可应用于头戴式显示器，通过局部不透明度的 增加使得来自指定物体的光被减弱或被阻挡，从而增加在物体上方的显示出的 计算机生成的虚拟内容的对比度，同时实现增强现实和显示虚拟现实。电致变 色器件，可以在外加电场下发生稳定可逆的颜色和/或透过率的变化，在消费电 子方面有巨大的应用市场。然而，现有的电致变色器件两侧的导电层是连续地 布满需要变色的全部区域，因此无法实现局部变色，限制了它在局部可调节不 透明系统的应用。

发明内容

本发明提供一种电致变色器件及制备方法，以实现局部不透明度的调节效 果，而且，该局部变色区域的位置和面积均可方便地调节，因此促进了电致变 色器件在局部可调节不透明度系统的应用。

第一方面，本发明实施例提供了一种电致变色器件，包括：依次叠加的第 一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第二 透明导电层和第二透明基底；所述第一透明导电层包括至少两个第一导电部， 所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导电部的延伸方向和 所述第二导电部的延伸方向相交设置。

以从第一透明基底指向第二透明基底的方向为垂直方向，每个第一导电部 和每个第二导电部在垂直方向上的投影重叠的区域对应一个局部的电致变色器 件单元，可以理解的是，多个第一导电部和多个第二导电部把一个整体的电致 变色器件划分为若干个局部的电致变色器件单元；每个局部的电致变色器件单 元均可被控制发生独立变色(本发明全文所述及的变色包括颜色变化、透明度 变化)，这样可以便捷地调节局部变色区域的位置；也可以选择多个局部的电 致变色器件单元同时发生变色，这样可以便捷地调节局部变色区域的位置和面 积。因此，本发明的电致变色器件通过对导电层的上述结构设计，方便地实现 了控制电致变色器件局部变色的效果，而且，该局部变色区域的位置和面积均可方便地调节。

第一透明导电层和第二透明导电层分别包括至少两个第一导电部和至少两 个第二导电部。可选地，所述第一透明基底包括至少两个第一透明基底区部， 各个所述第一透明基底区部在所述第一透明导电层上的投影与各所述第一导电 部分别重合；和/或所述第二透明基底包括至少两个第二透明基底区部，各个所 述第二透明基底区部在所述第二透明导电层上的投影与各所述第二导电部分别 重合；和/或所述离子存储层包括至少两个离子存储区部，各个所述离子存储区 部在所述第一透明导电层上的投影与各所述第一导电部分别重合，或各个所述 离子存储区部在所述第二透明导电层上的投影与各所述第二导电部分别重合； 和/或所述离子转移层包括至少两个离子转移区部，各个所述离子转移区部在所 述第一透明导电层上的投影与各所述第一导电部分别重合，或各个所述离子转 移区部在所述第二透明导电层上的投影与各所述第二导电部分别重合；和/或所 述电致变色层包括至少两个电致变色区部，各个所述电致变色区部在所述第一 透明导电层上的投影与各所述第一导电部分别重合，或各个所述电致变色区部 在所述第二透明导电层上的投影与各所述第二导电部分别重合。除了对第一透 明导电层和第二透明导电层单独进行前述的结构设计，还可以进一步把本发明 的电致变色器件的其它结构层一起或分别划分为各个区部。由于透明导电层的 厚度一般较薄，单独将整体的透明导电层分为至少两个导电部对工艺的精度要 求较高，将靠近透明导电层的一层或多层也进行分块，则大大降低了工艺精度 要求，有利于降低加工难度，大大提高产品的生产效率。

可选的，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度为0.1纳米至 10微米，优选地01纳米至1微米。

可选的，所述第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向的夹角 为0度到90度；当第一导电部和第二导电部的延伸方向的夹角为0度时，第一 导电部和第二导电部平行；优选地，所述第一导电部的延伸方向和所述第二导 电部的延伸方向的夹角为10度到90度。本发明实施例对第一导电部和第二导 电部的形状、尺寸等不做具体限定，可以根据使用场景的需求进行调整。例如 第一导电部和第二导电部可以是矩形，也可以是圆环形的部分，也可以是波浪 条形等。可选地，多个第一导电部的尺寸可以相同或不相同，多个第二导电部 的尺寸可以相同或不相同。

可选地，每个所述第一导电部均分别连接至少一根透明导线，每个所述第 二导电部均分别连接至少一根透明导线。

可选地，每个第一导电部上可以连接一根或多根透明导线，当连接多根透 明导线时，还可以实现该第一导电部对应的局部区域的均匀变色效果。

可选地，每个第二导电部上可以连接一根或多根透明导线，当连接多根透 明导线时，还可以实现该第二导电部对应的局部区域的均匀变色效果。

本发明实施例中的透明导线的引出方式可以采用现有技术中的从第一导电 部/第二导电部的外侧边引出。

也可以采用本发明的第三导电部的引出方式：

可选地，至少两个所述第一导电部和/或至少两个所述第二导电部之间还包 括凹槽，至少两个所述第一导电部和/或至少两个所述第二导电部之间的所述凹 槽内还设置有至少一个透明导线，所述透明导线与所述第一导电部，和/或所述 透明导线与所述第二导电部的侧面相连；

可选地，设置贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述电致变 色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第二导电部的凹槽，所述贯穿 所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层 和所述离子存储层至所述第二导电部的凹槽内还包括与所述第二导电部连接的 透明引线；和/或设置贯穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述离子 存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第一导电部的凹槽，所述贯 穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移 层和所述电致变色层至所述第一导电部的凹槽内还包括与所述第一导电部连接 的透明引线。

第二方面，本发明实施例提供了一种电致变色器件的制备方法，包括：

采用掩膜法或激光法制备第一子单元体的至少两个第一导电部，所述第一 子单元体包括依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层；

采用所述掩膜法或所述激光法制备第二子单元体的至少两个第二导电部， 所述第二子单元体包括依次叠加的电致变色层、第二透明导电层和第二透明基 底；

将离子转移层与所述第一子单元体和所述第二子单元体复合；其中，所述 第一子单元体的至少两个第一导电部的延伸方向与所述第二子单元体的至少两 个第二导电部的延伸方向相交放置。

本发明实施例对上述三个步骤的顺序的发生先后可以是任意的，即可以首 先制备第一子单元体的至少两个第一导电部，以及制备第二子单元体的至少两 个第二导电部，再将第一子单元体、离子转移层和第二子单元体复合；也可以 先将第一子单元体、离子转移层和第二子单元体复合，再制备第一子单元体的 至少两个第一导电部，以及制备第二子单元体的至少两个第二导电部。

在制备第一子单元体的至少两个第一导电部的步骤中，采用掩膜法或激光 法将第一透明导电层分为至少两个第一导电部；在制备第二子单元体的至少两 个第二导电部的步骤中，采用掩膜法或激光法将第二透明导电层分为至少两个 第一导电部。可选地，在制备第一子单元体的至少两个第一导电部的步骤中， 还可以进一步采用掩膜法或激光法将第一透明基底分为至少两个第一透明基底 区部，和/或采用掩膜法或激光法将离子存储层分为至少两个离子存储区部；

和/或在制备第二子单元体的至少两个第二导电部的步骤中，还可以进一步 采用掩膜法或激光法将第二透明基底分为至少两个第二透明基底区部，和/或采 用掩膜法或激光法将电致变色层分为至少两个电致变色区部；

和/或在将离子转移层与所述第一子单元体和所述第二子单元体复合的步 骤中，还可以进一步采用掩膜法或激光法将离子转移层分为至少两个离子转移 区部。

可选地，电致变色器件的制备方法还包括：

制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每 个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线；

可选地，所述制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线， 以及制备与每个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤包括：

通过掩膜法在所述第一透明基底和/或第二透明基底上的预设位置处沉积 透明导线；

可选地，所述制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线， 以及制备与每个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤包括：

采用激光法依次刻穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述电致 变色层、所述离子转移层、和所述离子存储层至所述第一导电部以形成贯穿所 述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层、 和所述离子存储层至所述第一导电部的凹槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与 所述第一导电部连接；和/或

采用激光法依次刻穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述离子 存储层、所述离子转移层、和所述电致变色层至所述第二导电部以形成贯穿所 述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层、 和所述电致变色层至所述第二导电部的凹槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与 所述第二导电部连接。

第三方面，本发明实施例提供了一种电致变色器件，包括：依次叠加的第 三透明基底、第三透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第四 透明导电层和第四透明基底；其中，所述第三透明导电层包括呈矩阵排列的多 个第三导电部且所述第四透明导电层为覆盖所述第四透明基底的单个导电部， 或所述第三透明导电层为覆盖所述第三透明基底的单个导电部且所述第四透明 导电层包括呈矩阵排列的多个第四导电部。

可选的，所述第三透明导电层为覆盖所述第三透明基底的单个导电部且所 述第四透明导电层为覆盖所述第四透明基底的单个导电部。

以从第三透明基底指向第四透明基底的方向为垂直方向，与每个第三导电 部在垂直方向的投影重叠的区域对应一个局部的电致变色器件单元，可以理解 的是多个第三导电部把一个整体的电致变色器件划分为多个局部的电致变色器 件单元；或以从第四透明基底指向第三透明基底的方向为垂直方向，与每个第 四导电部在垂直方向的投影重叠的区域对应一个局部的电致变色器件单元，可 以理解的是多个第四导电部把一个整体的电致变色器件划分为多个局部的电致 变色器件单元；每个局部的电致变色器件单元均可被控制发生独立变色，这样 可以便捷地调节局部变色区域的位置和面积。因此，本发明的电致变色器件通 过对导电层的上述结构设计，方便地实现了控制电致变色器件局部变色的效果， 而且，该局部变色区域的位置和面积均可方便地调节。

第三透明导电层包括至少两个第三导电部。可选地，所述第三透明基底包 括至少两个第三透明基底区部，各个所述第三透明基底区部在所述第三透明导 电层上的投影与各所述第三导电部分别重合；和/或所述离子存储层包括至少两 个离子存储区部，各个所述离子存储区部在所述第三透明导电层上的投影与各 所述第三导电部分别重合；和/或所述离子转移层包括至少两个离子转移区部， 各个所述离子转移区部在所述第三透明导电层上的投影与各所述第三导电部分 别重合；和/或所述电致变色层包括至少两个电致变色区部，各个所述电致变色 区部在所述第三透明导电层上的投影与各所述第三导电部分别重合。除了对第 三透明导电层单独进行前述的结构设计，还可以进一步把本发明的电致变色器 件的其它结构层一起或分别划分为各个区部。由于透明导电层的厚度一般较薄， 单独将整体的透明导电层分为至少两个导电部对工艺的精度要求较高，将靠近 透明导电层的一层或多层也进行分块，则大大降低了工艺精度要求，有利于降 低加工难度，大大提高产品的生产效率。

可选的，所述第三导电部的形状不做具体限定，可以包括规则或不规则的 多边形或/和曲边形，优选地，正六边形、矩形、平行四边形。本发明实施例对 第三导电部的尺寸不做具体限定，可以根据使用场景的需求进行调整。可选地， 多个第三导电部的尺寸可以相同或不相同。

可选的，至少两个所述第三导电部或至少两个所述第四导电部之间还包括 凹槽，所述凹槽内设置有至少一个透明导线，所述透明导线与所述第三导电部 或所述第四导电部的侧面相连。

可选的，所述电致变色器件还包括：

贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离 子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽，所述贯穿所述第四透明 基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存 储层至所述第三导电部的凹槽内还包括与所述第三导电部连接的透明引线；或

贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离 子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽，所述贯穿所述第三透明 基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变 色层至所述第四导电部的凹槽内还包括与所述第四导电部连接的透明引线。

可选地，所述透明引线与所述第三导电部或第四导电部的连接结构包括以 下形式：

透明引线的头部连接第三导电部或第四导电部的侧面或下底面或上表面， 或透明引线的头部插入第三导电部或第四导电部的内部，并且透明引线的主体 部分从相邻的两个第三导电部或第四导电部之间的间隙中引出；这样可以避免 透明引线的主体部分与其它第三导电部或第四导电部接触，实现单根透明引线 与单个第三导电部或第四导电部的连接；

或透明引线的头部连接第三导电部或第四导电部的下底面或插入第三导电 部或第四导电部的内部，并且透明引线的主体部分从第三透明导电层底部引出， 且所述透明引线的主体部分的外侧覆盖绝缘层；当透明引线的主体部分的外侧 覆盖绝缘层(头部不覆盖绝缘层)，这样透明引线与其它第三导电部或第四导 电部不会导电，实现单根透明引线与单个第三导电部或第四导电部的连接；

或透明引线的头部从第四透明基底一侧穿过第四透明基底、第四透明导电 层、电致变色层、离子转移层、和离子存储层，与第三导电部的上表面连接或 插入第三导电部的内部；或透明引线的头部从第三透明基底一侧穿过第三透明 基底、第三透明导电层、离子存储层、离子转移层和电致变色层，与第四导电 部的上表面连接或插入第四导电部的内部；这样也可以实现单根透明引线与单 个第三导电部或第四导电部的连接；

可选地，每个第三导电部或第四导电部上可以连接一根或多根透明引线， 当连接多根透明引线时，还可以实现该第三导电部或第四导电部对应的局部区 域的均匀变色效果。

可选地，所述透明引线与所述第三透明导电层构成单个导电部或与所述第 四透明导电层构成单个导电部的连接结构包括以下形式：

透明引线的头部连接所述第三透明导电层构成单个导电部或与所述第四透 明导电层构成单个导电部的外侧边缘，由于所述第三透明导电层构成单个导电 部或与所述第四透明导电层构成单个导电部为整体的单个导电部，其引线连出 可以采用现有技术中的引线连出方式；

可选地，每个所述第三透明导电层构成单个导电部或与所述第四透明导电 层构成单个导电部上可以连接一根或多根透明引线，当连接多根透明引线时， 还可以减小电流传递阻抗，加快电子到达局部区域的速度，从而加快局部区域 的变色速度。

可选的，所述第三透明导电层和所述第四透明导电层的厚度为0.1纳米至 10微米，优选地1纳米至1微米。

第四方面，本发明实施例提供了一种电致变色器件的制备方法，包括：

采用掩膜法或激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第三导电部， 所述第三子单元体包括依次叠加的第三透明基底、第三透明导电层和离子存储 层；或

采用掩膜法或激光法制备第四子单元体的呈矩阵排列的多个第四导电部， 所述第四子单元体包括依次叠加的第四透明基底、第四透明导电层和电致变色 层；

将离子转移层与所述第三子单元体和第四子单元体复合。

本发明实施例对上述两个步骤的顺序的发生先后可以是任意的，即可以首 先制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第三导电部，再将离子转移层与所述 第三子单元体和所述第四子单元体复合；也可以先将离子转移层与所述第三子 单元体和所述第四子单元体复合，再制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第 三导电部。

可选地，当第三子单元体包括依次叠加的第三透明基底、第三透明导电层 和离子存储层时，在制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第三导电部的步骤 中，除了将第三透明导电层分为多个第三导电部外，还可以进一步采用掩膜法 或激光法将第三透明基底分为多个第三透明基底区部，和/或采用掩膜法或激光 法将离子存储层分为多个离子存储区部；当第三子单元体包括依次叠加的第三 透明基底、第三透明导电层和电致变色层时，在制备第三子单元体的呈矩阵排 列的多个第三导电部的步骤中，除了将第三透明导电层分为多个第三导电部外， 还可以进一步采用掩膜法或激光法将第三透明基底分为多个第三透明基底区部， 和/或采用掩膜法或激光法将电致变色层分为多个电致变色区部；

和/或在将离子转移层与所述第三子单元体和所述第四子单元体复合的步 骤中，还可以进一步采用掩膜法或激光法将离子转移层分为多个离子转移区部， 和/或进一步采用掩膜法或激光法将离子存储层/电致变色层分为多个离子存储 区部/电致变色区部。

可选的，还包括：

采用激光法制备贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致 变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽，并将透 明引线穿过所述凹槽与所述第三导电部连接；或

采用激光法制备射穿贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述 离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽，并 将透明引线穿过所述凹槽与所述第四导电部连接。

可选地，制备与每个所述第三导电部分别连接的至少一根透明导线，以及 制备与每个所述第四导电部分别连接的至少一根透明导线；

本发明实施例中制备与第三导电部和/或第四导电部相连的透明导线的方 法包括以下多种：

可选地，在一种制备方式中，所述对每个所述第三导电部，制备至少一个 与其相连的透明导线的步骤包括：

通过掩膜法在所述第三透明基底上的预设位置处沉积透明导线；或通过掩 膜法在所述第四透明基底上的预设位置处沉积透明导线；具体地，将设有预设 镂空位置的掩膜板覆盖在第三透明基底上，其中，预设镂空形状与透明导线的 分布形状相同，蒸镀制备透明导线，将掩膜板取下后，在掩膜板的预设镂空位 置处即可形成透明导线；优选地，还可以进一步在透明导线的主体部分外侧覆 盖绝缘层；覆盖绝缘层的方法可以采用掩膜法在透明导线的主体部分外侧沉积 绝缘层(透明导线的头部不沉积绝缘层)，也可以采用绝缘掩板直接盖住透明 导线的主体部分。该透明导线的制备方式适用于采用首先制备第三子单元体的 多个导电部，再将离子转移层与所述第三子单元体和第四子单元体复合的工艺 的电致变色器件。

可选地，在另一种制备方式中，所述对每个所述第三导电部，制备至少一 个与其相连的透明导线的步骤包括：

从第四透明基底一侧开设穿过第四透明基底、第四透明导电层、离子存储 层、离子转移层和电致变色层的凹槽，将透明导线的头部穿过该凹槽与第三导 电部的上表面连接或插入第三导电部的内部。该透明导线的制备方式对采用首 先制备第三子单元体的多个导电部，再将离子转移层与所述第三子单元体和第 四子单元体复合的工艺的电致变色器件适用；同时对首先将离子转移层与所述 第三子单元体和第四子单元体复合，再制备第三子单元体的多个导电部的工艺 的电致变色器件也适合，第三导电部的主体部分从第四透明基底一侧引出，在 采用激光法切割制备多个导电部时，不存在会发生切断透明导线的问题。

第五方面，本发明实施例还提供了一种电子显示设备，包括上述任一电致 变色器件的结构。所述电子显示设备包括但不限于包括本发明的电致变色器件 的墨镜、滑雪镜、VR/AR设备、眼镜、护目镜、放大镜、后视镜、建筑幕墙、 建筑玻璃、显示屏、电子书等。

本发明一方面通过将第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向 相交设置，解决了电致变色器件的局部变色的问题，达到了实现局部不透明度 的调节效果，而且，该局部变色区域的位置和面积均可方便地调节。另一方面 通过设置呈矩阵排列的第三导电部与整片式的第四透明导电层，解决了电致变 色器件的局部变色的问题，达到了实现局部不透明度的调节效果，而且，该局 部变色区域的位置和面积均可方便地调节。本发明因此促进了电致变色器件在 局部可调节不透明度系统的应用。

附图说明

下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技 术人员更清楚本发明实施例的上述及其他特征和优点，附图中：

图1是本发明实施例一中的提供的电致变色器件的制备方法的流程图；

图2是本发明实施例一中的制备了第一导电部的第一子单元体的结构示意 图；

图3是本发明实施例一中的制备了第一导电部的第一子单元体的结构示意 图；

图4是本发明实施例一中的制备了第一导电部的第一子单元体的结构示意 图；

图5是本发明实施例一中的制备了第二导电部的第二子单元体的结构示意 图；

图6是本发明实施例一中的制备了第二导电部的第二子单元体的结构示意 图；

图7是本发明实施例一中的制备了第二导电部的第二子单元体的结构示意 图；

图8是本发明实施例一中的电致变色器件的结构的主视图；

图9是本发明实施例一中的电致变色器件的结构的左视图或右视图；

图10是本发明实施例一中的电致变色器件的结构的俯视图；

图11是本发明实施例二中的提供的电致变色器件的引线制备方法的流程 图；

图12是本发明实施例一中的带有引线电致变色器件的结构的左视图或右 视图；

图13是本发明实施例一中的带有引线电致变色器件的结构的左视图或右 视图；

图14是本发明实施例一中的带有透明引线的第一透明基底的结构示意图；

图15是本发明实施例二中的提供的电致变色器件的制备方法的流程图；

图16是本发明实施例二中的第三导电部的俯视图；

图17是本发明实施例二中的第三导电部的俯视图；

图18是本发明实施例二中的第三导电部的俯视图；

图19是本发明实施例二中的制备了第三导电部的第三子单元体的结构示 意图；

图20是本发明实施例二中的制备了第三导电部的第三子单元体的结构示 意图；

图21是本发明实施例二中的制备了第三导电部的第三子单元体的结构示 意图；

图22是本发明实施例二中的制备了第四导电部的第四子单元体的结构示 意图；

图23是本发明实施例二中的制备了第四导电部的第四子单元体的结构示 意图；

图24是本发明实施例二中的制备了第四导电部的第四子单元体的结构示 意图；

图25是本发明实施例二中的电致变色器件的结构的示意图；

图26是本发明实施例二中的电致变色器件的结构的示意图；

图27是本发明实施例二中的制备了透明导线的电致变色器件的结构的俯 视图；

图28是本发明实施例二中的电致变色器件的结构的俯视图；

图29是本发明实施例二中的带有透明引线的第三透明基底的结构示意图；

图30是本发明实施例二中的带有引线电致变色器件的结构的主视图；

图31是本发明实施例二中的带有引线电致变色器件的结构的主视图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以 理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对发明的限定。 另外还需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全 部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有创造性劳动 前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术 领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中使用的术语 只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的 术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

此外，术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种方向、动作、 步骤或元件等，但这些方向、动作、步骤或元件不受这些术语限制。这些术语 仅用于将第一个方向、动作、步骤或元件与另一个方向、动作、步骤或元件区 分。举例来说，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第二导电部为第二导 电部，且类似地，可将第二导电部称为第二导电部。第二导电部和第二导电部 两者都是导电部，但其不是同一导电部。术语“第一”、“第二”等而不能理 解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特 征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除 非另有明确具体的限定。

在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被 描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各步骤描述成顺序的处理， 但是其中的许多步骤可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各步骤的顺 序可以被重新安排。当其操作完成时处理可以被终止，但是还可以具有未包括 在附图中的附加步骤。

实施例一

图1为本发明实施例一提供的电致变色器件的制备方法的流程图，具体包 括如下步骤：

步骤110、采用掩膜法或激光法制备第一子单元体的至少两个第一导电部， 所述第一子单元体包括依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层和离子存储 层。

本实施例中，采用掩膜法制备第一子单元体的至少两个第一导电部包括：

步骤A1、采用掩膜法在第一透明基底上制备第一透明导电层，所述第一透 明导电层包括至少两个第一导电部。

本步骤中，具体的，将掩膜覆盖在第一透明基底上，通过磁控溅射法、真 空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第一透明导电层。将掩膜取下 后，即可获得至少两个第一导电部和两个相邻的第一导电部之间的凹槽。

步骤A2、在所述至少两个第一导电部上形成离子存储层。

示例性的，可以采用涂布法在至少两个第一导电部上形成离子存储层。

本实施例中，参见图2，采用步骤A1-步骤A2所得的结构包括：依次叠加 的第一透明基底11、第一透明导电层12和离子存储层13，其中，第一透明导 电层12包括至少两个第一导电部121，两个相邻的第一导电部121之间还包括 一个凹槽122。

在其他实施例中，还可以将掩膜覆盖在第一透明基底上，通过磁控溅射法、 真空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第一透明导电层和离子存储 层。将掩膜取下后，即可获得射穿第一透明导电层和离子存储层的凹槽，该凹 槽还可以将第一透明导电层分割成至少两个第一导电部。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第一子单元体的至少两个第一导 电部包括：

步骤B1、在第一透明基底上制备第一透明导电层；

步骤B2、采用激光切割所述第一透明导电层，以将所述第一透明导电层分 割为至少两个第一导电部；

步骤B3、在所述第一导电部上形成离子存储层。

本实施例中，采用步骤B1-步骤B3所得的结构和采用步骤A1-步骤A2所得 的结构相同，具体可参考图2。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第一子单元体的至少两个第一导 电部包括：

步骤C1、在第一透明基底上制备第一透明导电层；

步骤C2、在所述第一透明导电层上形成离子存储层；

步骤C3、采用激光切割所述第一透明导电层和所述离子存储层，以将所述 第一透明导电层分割为至少两个第一导电部；

本实施例中，参见图3，采用步骤C1-步骤C3所得的结构包括：依次叠加 的第一透明基底11、第一透明导电层12和离子存储层13，其中，第一透明导 电层12包括至少两个第一导电部121，两个相邻的第一导电部121之间还包括 一个凹槽122，该凹槽122还贯穿离子存储层13。由于激光法切割导电部时， 导电层的厚度较薄(0.1微米至10微米)，激光切割的精度的调整难度大，因 此，采用激光同时切割第一透明导电层和离子存储层，整体切割厚度提升，可 以降低激光切割的难度，提高激光切割的良率。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第一子单元体的至少两个第一导 电部包括：

步骤D1、采用激光切割所述第一透明基底和所述第一透明导电层，以将所 述第一透明导电层分割为至少两个第一导电部。

本实施例中，参见图4，采用步骤D1所得的结构包括：依次叠加的第一透 明基底11、第一透明导电层12和离子存储层13，其中，第一透明导电层12包 括至少两个第一导电部121，两个相邻的第一导电部121之间还包括一个凹槽 122，该凹槽122还贯穿第一透明基底11。采用激光同时切割第一透明导电层 和第一透明基底，整体切割厚度提升，可以降低激光切割的难度，提高激光切 割的良率。在其他实施例中，还可以采用激光切割所述第一透明基底、所述第 一透明导电层和离子存储层，以将所述第一透明导电层分割为至少两个第一导 电部，两个相邻的第一导电部之间的凹槽还贯穿第一透明基底和离子存储层。

步骤120、采用所述掩膜法或所述激光法制备第二子单元体的至少两个第 二导电部，所述第二子单元体包括依次叠加的电致变色层、第二透明导电层和 第二透明基底。

本实施例中，采用掩膜法制备第二子单元体的至少两个第二导电部包括：

步骤E1、采用掩膜法在第二透明基底上制备第二透明导电层，所述第二透 明导电层包括至少两个第二导电部。

本步骤中，具体的，将掩膜覆盖在第二透明基底上，通过磁控溅射法、真 空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第二透明导电层。将掩膜取下 后，即可获得至少两个第二导电部和两个相邻的第二导电部之间的凹槽。

步骤E2、在所述至少两个第二导电部上形成电致变色层。

示例性的，可以采用涂布法在至少两个第二导电部上形成电致变色层。

本实施例中，参见图5，采用步骤E1-步骤E2所得的结构包括：依次叠加 的第二透明基底21、第二透明导电层22和电致变色层23，其中，第二透明导 电层22包括至少两个第二导电部221，两个相邻的第二导电部221之间还包括 一个凹槽222。

在其他实施例中，还可以将掩膜覆盖在第二透明基底上，通过磁控溅射法、 真空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第二透明导电层和电致变色 层。将掩膜取下后，即可获得射穿第二透明导电层电致变色层的凹槽，该凹槽 还可以将第二透明导电层分割成至少两个第二导电部。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的至少两个第二导 电部包括：

步骤F1、在第二透明基底上制备第二透明导电层；

步骤F2、采用激光切割所述第二透明导电层，以将所述第二透明导电层分 割为至少两个第二导电部；

步骤F3、在所述第二导电部上形成电致变色层。

本实施例中，采用步骤F1-步骤F3所得的结构和采用步骤E1-步骤E2所得 的结构相同，具体可参考图5。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的至少两个第二导 电部包括：

步骤G1、在第二透明基底上制备第二透明导电层；

步骤G2、在所述第二透明导电层上形成电致变色层；

步骤G3、采用激光切割所述第二透明导电层和所述电致变色层，以将所述 第二透明导电层分割为至少两个第二导电部；

本实施例中，参见图6，采用步骤G1-步骤G3所得的结构包括：依次叠加 的第二透明基底21、第二透明导电层22和电致变色层23，其中，第二透明导 电层22包括至少两个第二导电部221，两个相邻的第二导电部221之间还包括 一个凹槽222，该凹槽222还贯穿电致变色层23。由于激光法切割导电部时， 导电层的厚度较薄(0.1微米至10微米)，激光切割的精度的调整难度大，因 此，采用激光同时切割第二透明导电层和电致变色层，整体切割厚度提升，可 以降低激光切割的难度，提高激光切割的良率。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的至少两个第二导 电部包括：

步骤H1、采用激光切割所述第二透明基底和所述第二透明导电层，以将所 述第二透明导电层分割为至少两个第二导电部。

本实施例中，参见图7，采用步骤H1所得的结构包括：依次叠加的第二透 明基底21、第二透明导电层22和电致变色层23，其中，第二透明导电层22包 括至少两个第二导电部221，两个相邻的第二导电部221之间还包括一个凹槽 222，该凹槽222还贯穿第二透明基底21。采用激光同时切割第二透明导电层 和第二透明基底，整体切割厚度提升，可以降低激光切割的难度，提高激光切 割的良率。在其他实施例中，还可以采用激光切割所述第二透明基底、所述第 二透明导电层和电致变色层，以将所述第二透明导电层分割为至少两个第二导 电部，两个相邻的第二导电部之间的凹槽还贯穿第二透明基底和电致变色层。

步骤130、将离子转移层与所述第一子单元体和所述第二子单元体复合。

本实施例中，所述第一子单元体的至少两个第一导电部的延伸方向与所述 第二子单元体的至少两个第二导电部的延伸方向相交放置。

本实施例中，上述离子转移层为凝胶态电解质层、液态电解质层或固态电 解质层。将上述离子转移层与第一子单元体和第二子单元体复合的方式包括多 种，示例性地，可以是在第一子单元体的离子存储层或第二子单元体的电致变 色层上制备胶框，将第一子单元体和第二子单元体贴合后注入液态或凝胶态的 电解质；也可以是在第一子单元体的离子存储层上涂布形成离子转移层，将第 二子单元体的电致变色层覆盖在离子转移层上，再将离子转移层进行加热或者 紫外照灯，以固化离子转移层，固化后的离子转移层即可将第一子单元体和第 二子单元体连接；也可以是在第二子单元体的电致变色层上涂布形成离子转移 层，将第一子单元体的离子存储层覆盖在离子转移层上，再将离子转移层进行 紫外照灯，以固化离子转移层存储层，固化后的离子转移层即可将第一子单元 体和第二子单元体连接。在将第二子单元体的电致变色层覆盖在离子转移层上 时，还需要保持所述第一子单元体的至少两个第一导电部的延伸方向与所述第 二子单元体的至少两个第二导电部的延伸方向相交放置，其中，所述第一导电 部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向的夹角为30度到90度。在其他实 施例中，在将第二子单元体的电致变色层覆盖在离子转移层上时，还需要在至 少两个第一导电部的延伸方向的一端和至少两个第二导电部的延伸方向的一端 预留导电部引出位置，用于通过导电部引出位置焊接导线。

本实施例中，步骤110、步骤120和步骤130的发生先后可以是任意的， 在最终所得的结构中，第一子单元体为步骤110所得的任一包含至少两个第一 导电部的子单元体；第二子单元体为步骤120所得的任一包含至少两个第二导 电部的子单元体。示例性的，可以先执行步骤130再执行步骤110和/或步骤 120，其中步骤110和步骤120的既可以是先后执行也可以是同时执行。

具体的，首先将离子转移层与第一子单元体和第二子单元体复合，其中， 第一子单元体包括依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层； 得而子单元体包括依次叠加的第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层， 复合之后，形成的结构为依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存 储层、离子转移层、电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底。再同时或 分别采用激光法至少切割所述第一子单元体的第一透明基底和第一透明导电层 以及第二子单元体的第二透明基底和第二透明导电层；经过激光法切割之后的 结构为依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、 电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底，所述第一透明导电层包括至少 两个第一导电部，所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导 电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置。其中，至少两个第一 导电部包括一个第一凹槽，该第一凹槽还贯穿第一子单元体的第一透明基底； 至少两个第二导电部之间还包括一个第二凹槽，该第二凹槽还贯穿第二子单元 体的第二透明基底。

在其他实施例中，采用激光法切割第一子单元体时，还可以同时切割第一 透明基底、第一透明导电层和离子存储层；采用激光法切割第二子单元体时， 还可以同时切割第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层。因此，第一凹 槽还可以同时贯穿第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层；第一凹槽还 可以同时贯穿第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层。

本实施例中，通过步骤110、步骤120和步骤130所得的电致变色器件的 结构包括：依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转 移层、电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底；所述第一透明导电层包 括至少两个第一导电部，所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述 第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置。

本实施例中，第一透明基底和所述第二透明基底的材料为柔性材料或刚性 材料。当第一透明基底和所述第二透明基底的材料为柔性材料时，整个电致变 色器件可以任意弯折，可加工在曲面结构上，示例性的，该曲面为眼镜片的一 面。

本实施例中，第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向的夹角 为30度到90度。第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度均在0.1纳米 至10微米之间，优选为1纳米至1微米。第一透明导电层和所述第二透明导电 层的材料各自独立地由ITO(indium-tin oxide，氧化铟锡)、AZO(aluminum zinc oxide，氧化锌铝)、FTO(fluorinedoped tin oxide，氟掺杂氧化锡)、 银纳米线、石墨烯、碳纳米管、金属网格或银纳米颗粒形成。

本实施例中，离子存储层的厚度为1纳米至10000纳米。离子存储层的材 料包括七个副族以及VIII族中金属元素形成的在电化学反应时储蓄离子的氧 化物或络合物中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述金属包括钛、钒、 铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、铱、镍、铜或锌中的任意一种或至少两种 的组合；优选地，所述络合物选自普鲁士绿、普鲁士白、普鲁士棕、普鲁士蓝、 KFeFe(CN)6、FeNiHCF、FeHCF、NiHCF或铁化合物XmYn{Fe(CN)6}中的一种或至 少两种的组合，其中X为Na+或K+，Y为Fe3+、Co3+、Ni+、Mn2+、Zn2+或Cu2+。 示例性的，可以是某一种金属氧化物，或者两种以上金属氧化物的组合，或者 某种金属络合物，或者两种以上金属络合物的组合，或者金属络合物和金属氧 化物的组合。

本实施例中，电致变色层的厚度为1纳米至10000纳米。电致变色层的颜 色变化可根据电致变色材料的种类进行调节，例如可以是黑色与透明之间的变 化、黑色与红色之间的变化、黑色与黄色之间的变化等，优选的电致变色层为 可以实现透明度调整的材料。电致变色层的材料选自氧化钨等电致变色金属氧 化物、聚癸基紫精及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚噻 吩及其衍生物、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)及其衍生物、聚噻吩并[3,4-b][1,4]二 氧杂环庚烷及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚咔唑及其衍 生物中的一种或至少两种的组合，和/或，上述聚合物的单体或低聚物与缺电子单体形成的共聚物。优选地，所述缺电子单体包括苯并噻二唑、苯并硒二唑、 苯并恶唑、苯并三唑、苯并咪唑、喹喔啉或吡咯并吡咯二酮中的任意一种或至 少两种的组合。

本实施例中，离子转移层的厚度为0.1微米至200微米。离子转移层为凝 胶态电解质层、液态电解质层或固态电解质层，优选地，离子转移层为固态电 解质层。

以步骤110中采用掩膜法制备第一子单元体的至少两个第一导电部和步骤 120中采用掩膜法制备第一子单元体的至少两个第一导电部，第一导电部的延 伸方向和所述第二导电部的延伸方向的夹角为90度为例，参见图8和图9，图 8为电致变色器件的主视图，图9为电致变色器件的右视图。电致变色器件的 结构包括：依次叠加的第一透明基底11、第一透明导电层12、离子存储层13、 离子转移层、电致变色层23、第二透明导电层和第二透明基底21；所述第一透 明导电层12包括至少两个第一导电部121，所述第二透明导电层22包括至少 两个第二导电部221，所述第一导电部121的延伸方向和所述第二导电部221 的延伸方向垂直相交设置。第一导电部121延伸方向的一端还与导线相连；第 二导电部221延伸方向的一端还与导线相连。在其他实施例中，至少两个第一 导电部121之间的凹槽122还贯穿第一透明基底11或离子存储层13；至少两 个第二导电部221之间的凹槽222还贯穿第二透明基底21或电致变色层23， 此处不做限制。

示例性的，参见图10，图10为电致变色器件的俯视图，若控制变色器 件的局部亮起，若需控制a1、a2、a3、a4区域亮起，则将a1和a3区域对应的 第一导电部1211以及a2和a4区域对应的第一导电部1212连接电源正极(或 负极)；则将a1和a2区域对应的第二导电部2211以及a3和a4区域对应的第 二导电部2212连接电源负极(或正极)。

本实施例的技术方案，提供了一种电致变色器件以及变色器件的制备方法， 通过将第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置，解决了 电致变色器件的局部变色的问题，达到了实现局部不透明度的调节效果，而且， 该局部变色区域的位置和面积均可方便地调节，因此促进了电致变色器件在局 部可调节不透明度系统的应用。

替代实施例中，参见图11，在步骤110、步骤120、和/或步骤130之后还 包括：

步骤140、采用激光法制备贯穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、 所述电致变色层、所述离子转移层、和所述离子存储层至所述第一导电部的凹 槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与所述第一导电部连接；

和/或

步骤150、采用激光法制备贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、 所述离子存储层、所述离子转移层、和所述电致变色层至所述第二导电部的凹 槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与所述第二导电部连接。

示例性的，参见图12，经过步骤140和/或步骤150所得的结构包括：依 次叠加的第一透明基11、第一透明导电层12、离子存储层13、离子转移层14、 电致变色层23、第二透明导电层22和第二透明基底21；所述第一透明导电层 12包括至少两个第一导电部121，所述第二透明导电层22包括至少两个第二导 电部，所述第一导电部121的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置； 依次贯穿所述第二透明基底21、所述第二透明导电层22、所述电致变色层23、 所述离子转移层14、和所述离子存储层13至所述第一导电部121的第三凹槽 16，所述第三凹槽16内还包括贯穿所述第三凹槽16与第一导电部121连接的 透明导线15。

示例性的，参见图13，经过步骤140和/或步骤150所得的结构包括：依 次叠加的第一透明基11、第一透明导电层12、离子存储层13、离子转移层14、 电致变色层23、第二透明导电层22和第二透明基底21；所述第一透明导电层 12包括至少两个第一导电部121，所述第二透明导电层22包括至少两个第二导 电部，所述第一导电部121的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置； 贯穿所述第一透明基11、所述第一透明导电层12、所述离子存储层13、所述 离子转移层14和所述电致变色层23、至所述第二导电部221的第四凹槽26，所述第四凹槽26内还包括贯穿所述第四凹槽26与第二导电部221连接的透明 导线25。

示例性的，经过步骤140和/或步骤150所得的结构包括：依次叠加的第一 透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第二透 明导电层和第二透明基底；所述第一透明导电层包括至少两个第一导电部，所 述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导电部的延伸方向和所 述第二导电部的延伸方向相交设置；依次贯穿所述第二透明基底、所述第二透 明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层、和所述离子存储层至所述第一 导电部的第三凹槽，和贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述离 子存储层、所述离子转移层、和所述电致变色层至所述第二导电部的第四凹槽，所述凹槽内还包括贯穿所述凹槽与第一导电部连接的透明导线。所述第三凹槽 内和第四凹槽内还包括贯穿所述凹槽与第一导电部连接的透明导线。

本替代实施例中，所述第一子单元体的第一透明基底上还包括透明引线和/ 或所述第二子单元体的第二透明基底上还包括透明引线。

示例性的，参见图14，以第一子单元体的第一透明基底11上还包括透明 引线111为例，透明引线111的头部1111设置在第一导电部124的预设位置， 在制备第一导电部之后，第一导电部可以通过透明导线111的头部1111与透明 导线连接。

本替代实施例中，第一导电部还与透明引线连接和/或第二导电部还与透明 引线连接。所述第一子单元体的第一透明基底上还包括透明引线或所述第二子 单元体的第二透明基底上还包括透明引线时，步骤110中，仅能采用掩膜法制 备第一子单元体的第一导电部和/或第二子单元体的第二导电部。

具体的，第一透明基底上的透明引线或第二透明基底的透明引线可以采用 掩膜法进行制备。在步骤A1中采用掩膜法在第一透明基底上制备第一透明导电 层之前还包括在透明引线的预设位置上覆盖绝缘材料，或步骤E1采用掩膜法在 第二透明基底上制备第二透明导电层之前还包括在透明引线的预设位置上覆盖 绝缘材料，覆盖绝缘材料一方面可以起到保护透明引线的作用，另一方面可以 防止引线将多个第一导电部或多个第二导电部导通，透明引线与预设第一导电 部或第二导电部连接的部分不覆盖绝缘材料。

本发明实施例中，每个所述第一导电部均分别连接至少一根透明导线，每 个所述第二导电部均分别连接至少一根透明导线。

本发明实施例中，透明导线的引出方式可以采用现有技术中的从第一导电 部/第二导电部的外侧边引出，也可以采用上述替代实施例中的引出方式。

可选地，每个第一导电部上可以连接一根或多根透明导线，当连接多根透 明导线时，还可以实现该第一导电部对应的局部区域的均匀变色效果。

可选地，每个第二导电部上可以连接一根或多根透明导线，当连接多根透 明导线时，还可以实现该第二导电部对应的局部区域的均匀变色效果。

实施例二

图15为本发明实施例二提供的电致变色器件的制备方法的流程图，具体包 括如下步骤：

步骤210、采用掩膜法或激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第 三导电部，所述第三子单元体包括依次叠加的第三透明基底、第三透明导电层 和离子存储层。

本实施例中，采用掩膜法制备第一子单元体的至少两个第一导电部包括：

步骤I1、采用掩膜法在第三透明基底上制备第三透明导电层，所述第三透 明导电层包括呈矩阵排列的多个第三导电部。

本步骤中，具体的，将掩膜覆盖在第三透明基底上，通过磁控溅射法、真 空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第三透明导电层。将掩膜取下 后，即可获得呈矩阵排列的多个第三导电部和两个相邻的第三导电部之间的凹 槽。

本步骤中，制备的第三子单元体的呈矩阵排列的多个第三导电部的示意图 参见图16，第三导电部321为矩形，呈矩阵均匀分布在第三透明基底31上。 在其他实施例中，参见图17，第三导电部321为平行四边形；参见图18，第三 导电部321为正六边形；此处不做限制。

在其他实施例中，还可以将掩膜覆盖在第三透明基底上，通过磁控溅射法、 真空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第三透明导电层和离子存储 层。将掩膜取下后，即可获得射穿第三透明导电层和离子存储层的凹槽，该凹 槽还可以将第三透明导电层分割成呈矩阵排列的多个第三导电部。

本步骤中，具体的，将掩膜覆盖在第三透明基底上，通过磁控溅射法、真 空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第三透明导电层。将掩膜取下 后，即可获得呈矩阵排列的多个第三导电部和两个相邻的第三导电部之间的凹 槽。

步骤I2、在所述呈矩阵排列的多个第三导电部上形成离子存储层。

示例性的，可以采用涂布法在呈矩阵排列的多个第三导电部上形成离子存 储层。

本实施例中，参见图19，采用步骤I1-步骤I3所得的结构包括：依次叠加 的第三透明基底31、第三透明导电层32和离子存储层33，其中，第三透明导 电层32包括呈矩阵排列的多个第三导电部321，两个相邻的第三导电部321之 间还包括一个凹槽322。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多 个第三导电部包括：

步骤J1、在第三透明基底上制备第三透明导电层；

步骤J2、采用激光切割所述第三透明导电层，以将所述第三透明导电层分 割为呈矩阵排列的多个第三导电部；

步骤J3、在所述第三导电部上形成离子存储层。

本实施例中，采用步骤J1-步骤J3所得的结构和采用步骤I1-步骤I2所得 的结构相同，具体可参考图19。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多 个第三导电部包括：

步骤K1、在第三透明基底上制备第三透明导电层；

步骤K2、在所述第三透明导电层上形成离子存储层；

步骤K3、采用激光切割所述第三透明导电层和所述离子存储层，以将所述 第三透明导电层分割为呈矩阵排列的多个第三导电部；

本实施例中，参见图20，采用步骤K1-步骤K3所得的结构包括：依次叠加 的第三透明基底31、第三透明导电层32和离子存储层33，其中，第三透明导 电层32包括呈矩阵排列的多个第三导电部321，两个相邻的第三导电部321之 间还包括一个凹槽322，该凹槽322还贯穿离子存储层33。由于激光法切割导 电部时，导电层的厚度较薄(0.1微米至10微米)，激光切割的精度的调整难 度大，因此，采用激光同时切割第三透明导电层和离子存储层，整体切割厚度 提升，可以降低激光切割的难度，提高激光切割的良率。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多 个第三导电部包括：

步骤L1、采用激光切割所述第三透明基底和所述第三透明导电层，以将所 述第三透明导电层分割为呈矩阵排列的多个第三导电部。

本实施例中，参见图21，采用步骤L1所得的结构包括：依次叠加的第三 透明基底31、第三透明导电层32和离子存储层33，其中，第三透明导电层32 包括呈矩阵排列的多个第三导电部321，两个相邻的第三导电部321之间还包 括一个凹槽322，该凹槽322还贯穿第三透明基底31。采用激光同时切割第三 透明导电层和第三透明基底，整体切割厚度提升，可以降低激光切割的难度， 提高激光切割的良率。在其他实施例中，还可以采用激光切割所述第三透明基 底、所述第三透明导电层和离子存储层，以将所述第三透明导电层分割为至少 两个第三导电部，两个相邻的第三导电部之间的凹槽还贯穿第三透明基底和离 子存储层。

或

步骤220、采用掩膜法或激光法制备第四子单元体的呈矩阵排列的多个第 四导电部，所述第四子单元体包括依次叠加的第四透明基底、第四透明导电层 和电致变色层；

本实施例中，采用掩膜法制备第二子单元体的呈矩阵排列的多个第四导电 部包括：

步骤M1、采用掩膜法在第二透明基底上制备第二透明导电层，所述第二透 明导电层包括呈矩阵排列的多个第四导电部。

本步骤中，具体的，将掩膜覆盖在第二透明基底上，通过磁控溅射法、真 空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第二透明导电层。将掩膜取下 后，即可获得呈矩阵排列的多个第四导电部和两个相邻的第二导电部之间的凹 槽。

步骤M2、在所述呈矩阵排列的多个第四导电部上形成电致变色层。

示例性的，可以采用涂布法在呈矩阵排列的多个第四导电部上形成电致变 色层。

本实施例中，参见图22，采用步骤M1-步骤M4所得的结构包括：依次叠加 的第二透明基底41、第二透明导电层42和电致变色层43，其中，第二透明导 电层42包括呈矩阵排列的多个第四导电部421，两个相邻的第二导电部421之 间还包括一个凹槽422。

在其他实施例中，还可以将掩膜覆盖在第二透明基底上，通过磁控溅射法、 真空蒸发沉积、溶胶凝胶或化学气相沉积法等形成第二透明导电层和电致变色 层。将掩膜取下后，即可获得射穿第二透明导电层电致变色层的凹槽，该凹槽 还可以将第二透明导电层分割成呈矩阵排列的多个第四导电部。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的呈矩阵排列的多 个第四导电部包括：

步骤N1、在第二透明基底上制备第二透明导电层；

步骤N2、采用激光切割所述第二透明导电层，以将所述第二透明导电层分 割为呈矩阵排列的多个第四导电部；

步骤N3、在所述第二导电部上形成电致变色层。

本实施例中，采用步骤N1-步骤N3所得的结构和采用步骤M1-步骤M2所得 的结构相同，具体可参考图22。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的呈矩阵排列的多 个第四导电部包括：

步骤O1、在第二透明基底上制备第二透明导电层；

步骤O2、在所述第二透明导电层上形成电致变色层；

步骤O3、采用激光切割所述第二透明导电层和所述电致变色层，以将所述 第二透明导电层分割为呈矩阵排列的多个第四导电部；

本实施例中，参见图23，采用步骤O1-步骤O3所得的结构包括：依次叠 加的第二透明基底41、第二透明导电层42和电致变色层43，其中，第二透明 导电层42包括呈矩阵排列的多个第四导电部421，两个相邻的第二导电部421 之间还包括一个凹槽422，该凹槽422还贯穿电致变色层43。由于激光法切割 导电部时，导电层的厚度较薄(0.1微米至10微米)，激光切割的精度的调整 难度大，因此，采用激光同时切割第二透明导电层和电致变色层，整体切割厚 度提升，可以降低激光切割的难度，提高激光切割的良率。

本实施例中，示例性的，采用激光法制备第二子单元体的呈矩阵排列的多 个第四导电部包括：

步骤P1、采用激光切割所述第二透明基底和所述第二透明导电层，以将所 述第二透明导电层分割为呈矩阵排列的多个第四导电部。

本实施例中，参见图24，采用步骤P1所得的结构包括：依次叠加的第二 透明基底41、第二透明导电层42和电致变色层43，其中，第二透明导电层42 包括呈矩阵排列的多个第四导电部421，两个相邻的第二导电部421之间还包 括一个凹槽422，该凹槽422还贯穿第二透明基底41。采用激光同时切割第二 透明导电层和第二透明基底，整体切割厚度提升，可以降低激光切割的难度， 提高激光切割的良率。在其他实施例中，还可以采用激光切割所述第二透明基 底、所述第二透明导电层和电致变色层，以将所述第二透明导电层分割为呈矩 阵排列的多个第四导电部，两个相邻的第二导电部之间的凹槽还贯穿第二透明 基底和电致变色层。

步骤230、将离子转移层与所述第三子单元体和第四子单元体复合。

本步骤中，上述离子转移层为凝胶态电解质层、液态电解质层或固态电解 质层。将上述离子转移层与第三子单元体和第四子单元体复合的方式包括多种， 示例性地，可以是在第三子单元体的离子存储层或第四子单元体的电致变色层 上制备胶框，将第三子单元体和第四子单元体贴合后注入液态或凝胶态的电解 质；也可以是在第三子单元体的离子存储层上涂布形成离子转移层，将第四子 单元体的电致变色层覆盖在离子转移层上，再将离子转移层进行加热或者紫外 照灯，以固化离子转移层，固化后的离子转移层即可将第三子单元体和第四子 单元体连接；也可以是在第四子单元体的电致变色层上涂布形成离子转移层， 将第三子单元体的离子存储层覆盖在离子转移层上，再将离子转移层进行紫外照灯，以固化离子转移层存储层，固化后的离子转移层即可将第三子单元体和 第四子单元体连接。

示例性的，参见图25，通过步骤210以及步骤230所得的结构，包括：依 次叠加的第三透明基31、第三透明导电层32、离子存储层33、离子转移层34、 电致变色层43、第四透明导电层42和第四透明基底41，其中，所述第三透明 导电层31包括呈矩阵排列的多个第三导电部321且所述第四透明导电层32为 覆盖所述第四透明基底41的单个导电部。

示例性的，参见图26，通过步骤220以及步骤230所得的结构，包括：依 次叠加的第三透明基31、第三透明导电层32、离子存储层33、离子转移层34、 电致变色层43、第四透明导电层42和第四透明基底41，其中，或所述第三透 明导电层32为覆盖所述第三透明基底31的单个导电部且所述第四透明导电层 42包括呈矩阵排列的多个第四导电部421。

本实施例中，第三透明导电层包括至少两个第三导电部。可选地，所述第 三透明基底包括至少两个第三透明基底区部，各个所述第三透明基底区部在所 述第三透明导电层上的投影与各所述第三导电部分别重合；和/或所述离子存储 层包括至少两个离子存储区部，各个所述离子存储区部在所述第三透明导电层 上的投影与各所述第三导电部分别重合；和/或所述离子转移层包括至少两个离 子转移区部，各个所述离子转移区部在所述第三透明导电层上的投影与各所述 第三导电部分别重合；和/或所述电致变色层包括至少两个电致变色区部，各个 所述电致变色区部在所述第三透明导电层上的投影与各所述第三导电部分别重 合。除了对第三透明导电层单独进行前述的结构设计，还可以进一步把本发明 的电致变色器件的其它结构层一起或分别划分为各个区部。由于透明导电层的 厚度一般较薄，单独将整体的透明导电层分为至少两个导电部对工艺的精度要 求较高，将靠近透明导电层的一层或多层也进行分块，则大大降低了工艺精度 要求，有利于降低加工难度，大大提高产品的生产效率。

本实施例中，步骤210和步骤230的发生先后可以是任意的；步骤220和 步骤230的发生先后页可以是任意的。

示例性的，可以先执行步骤130再执行步骤110和/或步骤120，其中步骤 110和步骤120的既可以是先后执行也可以是同时执行。

具体的，首先将离子转移层与第一子单元体和第二子单元体复合，其中， 第一子单元体包括依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层； 得而子单元体包括依次叠加的第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层， 复合之后，形成的结构为依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存 储层、离子转移层、电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底。再同时或 分别采用激光法至少切割所述第一子单元体的第一透明基底和第一透明导电层 以及第二子单元体的第二透明基底和第二透明导电层；经过激光法切割之后的 结构为依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、 电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底，所述第一透明导电层包括至少 两个第一导电部，所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导 电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置。其中，至少两个第一 导电部包括一个第一凹槽，该第一凹槽还贯穿第一子单元体的第一透明基底； 至少两个第二导电部之间还包括一个第二凹槽，该第二凹槽还贯穿第二子单元 体的第二透明基底。

在其他实施例中，采用激光法切割第一子单元体时，还可以同时切割第一 透明基底、第一透明导电层和离子存储层；采用激光法切割第二子单元体时， 还可以同时切割第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层。因此，第一凹 槽还可以同时贯穿第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层；第一凹槽还 可以同时贯穿第二透明基底、第二透明导电层和电致变色层。本实施例中，相 邻的两个第三导电部之间还包括一个凹槽，在其他实施例中，至少两个第三导 电部之间的凹槽还贯穿第三透明基底或离子存储层，此处不做限制。

本实施例中，所述第三导电部或第四导电部的形状包括4-16边形，优选地 正六边形、矩形、平行四边形等。通过设置不同的形状，可以满足不同的应用 需求，带来更加多样化的变色效果。

本实施例中，第三透明基底和所述第四透明基底的材料为柔性材料或刚性 材料。当第三透明基底和所述第四透明基底的材料为柔性材料时，整个电致变 色器件可以任意弯折，可加工在曲面结构上，示例性的，该曲面为眼镜片的一 面。

本实施例中，第一透明导电层和所述第二透明导电层的厚度均在3微米至 300微米之间，优选为5微米至250微米。第一透明导电层和所述第二透明导 电层的材料各自独立地由ITO(indium-tin oxide，氧化铟锡)、AZO(aluminum zinc oxide，氧化锌铝)、FTO(fluorine doped tin oxide，氟掺杂氧化锡)、 银纳米线、石墨烯、碳纳米管、金属网格或银纳米颗粒形成。

本实施例中，离子存储层的厚度为1纳米至10000纳米。离子存储层的材 料包括七个副族以及VIII族中金属元素形成的在电化学反应时储蓄离子的氧 化物或络合物中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述金属包括钛、钒、 铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、铱、镍、铜或锌中的任意一种或至少两种 的组合；优选地，所述络合物选自普鲁士绿、普鲁士白、普鲁士棕、普鲁士蓝、 KFeFe(CN)6、FeNiHCF、FeHCF、NiHCF或铁化合物XmYn{Fe(CN)6}中的一种或至 少两种的组合，其中X为Na+或K+，Y为Fe3+、Co3+、Ni+、Mn2+、Zn2+或Cu2+。 示例性的，可以是某一种金属氧化物，或者两种以上金属氧化物的组合，或者 某种金属络合物，或者两种以上金属络合物的组合，或者金属络合物和金属氧 化物的组合。

本实施例中，电致变色层的厚度为1纳米至10000纳米。电致变色层的颜 色变化可根据电致变色材料的种类进行调节，例如可以是黑色与透明之间的变 化、黑色与红色之间的变化、黑色与黄色之间的变化等，优选的电致变色层为 可以实现透明度调整的材料。电致变色层的材料选自氧化钨等电致变色金属氧 化物、聚癸基紫精及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚噻 吩及其衍生物、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)及其衍生物、聚噻吩并[3,4-b][1,4]二 氧杂环庚烷及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚咔唑及其衍 生物中的一种或至少两种的组合，和/或，上述聚合物的单体或低聚物与缺电子单体形成的共聚物。优选地，所述缺电子单体包括苯并噻二唑、苯并硒二唑、 苯并恶唑、苯并三唑、苯并咪唑、喹喔啉或吡咯并吡咯二酮中的任意一种或至 少两种的组合。

本实施例中，离子转移层的厚度为0.1微米至200微米。离子转移层为凝 胶态电解质层、液态电解质层或固态电解质层，优选地，离子转移层为固态电 解质层。

替代实施例中，在步骤110之后还包括：

在至少两个所述第三导电部之间制备与至少一个第三导电部相连的透明导 线，或在至少两个所述第四导电部之间制备与至少一个第四导电部相连的透明 导线。

本替代实施例中，在导电部制备完毕后，通过掩膜法在至少两个所述第三 导电部或第四导电部之间制备与至少一个第三导电部或第四导电部相连的透明 导线。具体的，将掩膜板覆盖在已经制备好呈矩阵排列的多个第三导电部或第 四导电部的第三子单元体或第四子单元体上，采用蒸镀法蒸镀制备透明导线， 将掩膜板取下后，在掩膜板的预留位置处即可形成透明导线。

本替代实施例中，示例性的，参见图27，电致变色器件在至少两个所述第 三导电部321之间还包括凹槽322，所述凹槽322内设置有至少一个透明导线 323，透明导线323相互独立，所述透明导线323与所述第三导电部321的侧面 相连。透明导线323形成在至少两个第三导电部321之间的凹槽322内，透明 导线323的一端与至少一个第三导电部321相连。

示例性的，参见图28，图28为电致变色器件的俯视图，若控制变色器件 的局部亮起，若需控制b1、b2、b3、b4区域亮起，则将b1、b2、b3、b4区域 通过各自的透明导线(图中未示出)连接电源正极(或负极)；并且同时将第 四透明导电层连接电源负极(或正极)。

本实施例的技术方案，提供了一种电致变色器件以及变色器件的制备方法， 通过设置呈矩阵排列的第三导电部与整片式的第四透明导电层，解决了电致变 色器件的局部变色的问题，达到了实现局部不透明度的调节效果，而且，该局 部变色区域的位置和面积均可方便地调节，因此促进了电致变色器件在局部可 调节不透明度系统的应用。

本替代实施例中，所述第三子单元体的第三透明基底上还包括透明引线或 所述第四子单元体的第四透明基底上还包括透明引线。

示例性的，以第三子单元体的第三透明基底31上还包括透明引线311为例， 透明引线311的头部3111设置在第三导电部324的预设位置，在制备第三导电 部之后，第三导电部可以通过透明导线311的头部3111与透明导线连接。

本替代实施例中，第三导电部还与透明引线连接或第四导电部还与透明引 线连接。所述第三子单元体的第三透明基底上还包括透明引线或所述第四子单 元体的第四透明基底上还包括透明引线时，步骤210中仅能采用掩膜法制备第 三子单元体的第三导电部；步骤220中仅能采用掩膜法制备第四子单元体的第 四导电部。

具体的，第三透明基底上的透明引线或第四透明基底的透明引线可以采用 掩膜法进行制备。在步骤I1采用掩膜法在第三透明基底上制备第三透明导电层 之前还包括在透明引线的预设位置上覆盖绝缘材料，或步骤M1中采用掩膜法在 第四透明基底上制备第四透明导电层之前还包括在透明引线的预设位置上覆盖 绝缘材料，覆盖绝缘材料一方面可以起到保护透明引线的作用，另一方面可以 防止引线将多个第三导电部或多个第四导电部导通，透明引线与预设第三导电 部或第四导电部连接的部分不覆盖绝缘材料。

替代实施例中，在步骤210、或步骤220、或步骤130之后还包括：

步骤240、采用激光法制备贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、 所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽， 并将透明引线穿过所述凹槽与所述第三导电部连接；或

步骤250、采用激光法制备射穿贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导 电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部 的凹槽，并将透明引线穿过所述凹槽与所述第四导电部连接。

示例性的，参见图29，经过步骤240和/或步骤250所得的结构包括：依 次叠加的第三透明基,31、第三透明导电层32、离子存储层33、离子转移层34、 电致变色层43、第四透明导电层42和第四透明基底41；其中，所述第三透明 导电层32包括呈矩阵排列的多个第三导电部324且所述第四透明导电层42为 覆盖所述第四透明基底41的单个导电部；该结构还进一步包括：贯穿所述第四 透明基底41、所述第四透明导电层42、所述电致变色层43、所述离子转移层 34和所述离子存储层33至所述第三导电部321的凹槽36，所述凹槽36内还包 括与所述第三导电部321连接的透明引线35。

示例性的，参见图29，经过步骤240和/或步骤250所得的结构包括：依 次叠加的第三透明基,31、第三透明导电层32、离子存储层33、离子转移层34、 电致变色层43、第四透明导电层42和第四透明基底41；其中，所述第三透明 导电层32为覆盖所述第三透明基底31的单个导电部且所述第四透明导电层42 包括呈矩阵排列的多个第四导电部421。该结构还进一步包括：贯穿所述第三 透明基底31、所述第三透明导电层32、所述离子存储层33、所述离子转移层 34和所述电致变色层43至所述第四导电部421的凹槽46，所述凹槽43内还包 括与所述第四导电部43连接的透明引线45。

实施例三

本实施例三提供了一种电子显示设备，该电子显示设备包括上述任一电致 变色器件的结构。

本实施例中，电致变色器件的结构可以是其中任意一种子单元体、任意一 种制备子单元体过程中的中间结构、任意一种电致变色器件的结构或任意一种 制备电致变色器件过程中的中间结构。所述电子显示设备包括但不限于包括本 发明的电致变色器件的墨镜、滑雪镜、VR/AR设备、眼镜、护目镜、放大镜、 后视镜、建筑幕墙、建筑玻璃、显示屏、电子书等。可以根据需要将本发明制 备的电致变色器件贴附于上述电子显示设备的显示界面，由于本发明制备的电 致变色器件可以便捷地调节局部变色区域的位置和面积，则由其制备而得的下 游产品电子显示设备也具有该优点。可以根据具体场景的需求，调节电子显示设备的变色区域的位置和面积，本发明在此不对每种场景的应用进行一一赘述， 示例性地说明，例如将某些区域调节为透明用于显示现实环境的场景，将某些 区域调节为不透明用于显示虚拟信息；又例如将某些区域调节为第一颜色(深 色)，将某些区域调节为第二颜色(浅色)，从而便于用户可以将注意力集中 在第二颜色对应的环境场景中。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员 会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进 行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽 然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以 上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例， 而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种电致变色器件，其特征在于，包括：依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底；所述第一透明导电层包括至少两个第一导电部，所述第二透明导电层包括至少两个第二导电部，所述第一导电部的延伸方向和所述第二导电部的延伸方向相交设置。

2.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，每个所述第一导电部均分别连接至少一根透明导线，每个所述第二导电部均分别连接至少一根透明导线；

优选地，所述透明导线从所述第一导电部的外侧边缘引出，和/或所述透明导线从所述第二导电部的外侧边缘引出；

优选地，至少两个所述第一导电部和/或至少两个所述第二导电部之间还包括凹槽，至少两个所述第一导电部和/或至少两个所述第二导电部之间的凹槽内还设置有至少一个透明导线，所述透明导线与所述第一导电部，和/或所述透明导线与所述第二导电部的侧面相连；

优选地，设置贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第二导电部的凹槽，所述贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第二导电部的凹槽内还包括与所述第二导电部连接的透明引线；和/或设置贯穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第一导电部的凹槽，所述贯穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第一导电部的凹槽内还包括与所述第一导电部连接的透明引线。

3.一种电致变色器件的制备方法，其特征在于，包括：

采用掩膜法或激光法制备第一子单元体的至少两个第一导电部，所述第一子单元体包括依次叠加的第一透明基底、第一透明导电层和离子存储层；

采用所述掩膜法或所述激光法制备第二子单元体的至少两个第二导电部，所述第二子单元体包括依次叠加的电致变色层、第二透明导电层和第二透明基底；

将离子转移层与所述第一子单元体和所述第二子单元体复合；

其中，所述第一子单元体的至少两个第一导电部的延伸方向与所述第二子单元体的至少两个第二导电部的延伸方向相交放置。

4.根据权利要求3所述的电致变色器件的制备方法，其特征在于，还包括：

制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线；

优选地，所述制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤包括：

通过掩膜法在所述第一透明基底和/或第二透明基底上的预设位置处沉积透明导线；

优选地，所述制备与每个所述第一导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第二导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤包括：

采用激光法制备贯穿所述第二透明基底、所述第二透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层、和所述离子存储层至所述第一导电部的凹槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与所述第一导电部连接；和/或

采用激光法制备贯穿所述第一透明基底、所述第一透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层、和所述电致变色层至所述第二导电部的凹槽，将所述透明引线穿过所述凹槽与所述第二导电部连接。

5.一种电致变色器件，其特征在于，包括：依次叠加的第三透明基底、第三透明导电层、离子存储层、离子转移层、电致变色层、第四透明导电层和第四透明基底；其中，所述第三透明导电层包括呈矩阵排列的多个第三导电部且所述第四透明导电层为覆盖所述第四透明基底的单个导电部，或所述第三透明导电层为覆盖所述第三透明基底的单个导电部且所述第四透明导电层包括呈矩阵排列的多个第四导电部。

6.根据权利要求5所述的电致变色器件，其特征在于，至少两个所述第三导电部或至少两个所述第四导电部之间还包括凹槽，所述凹槽内设置有至少一个透明导线，所述透明导线与所述第三导电部或所述第四导电部的侧面相连。

7.根据权利要求5所述的电致变色器件，其特征在于，所述电致变色器件还包括：

贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽，所述贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽内还包括与所述第三导电部连接的透明引线；或

贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽，所述贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽内还包括与所述第四导电部连接的透明引线。

8.一种电致变色器件的制备方法，其特征在于，包括：

采用掩膜法或激光法制备第三子单元体的呈矩阵排列的多个第三导电部，所述第三子单元体包括依次叠加的第三透明基底、第三透明导电层和离子存储层；或

采用掩膜法或激光法制备第四子单元体的呈矩阵排列的多个第四导电部，所述第四子单元体包括依次叠加的第四透明基底、第四透明导电层和电致变色层；

将离子转移层与所述第三子单元体和第四子单元体复合。

9.根据权利要求8所述的电致变色器件的制备方法，其特征在于，还包括：

制备与每个所述第三导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第四导电部分别连接的至少一根透明导线；

优选地，所述制备与每个所述第三导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第四导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤，包括：

通过掩膜法在所述第三透明基底上的预设位置处沉积透明导线；或通过掩膜法在所述第四透明基底上的预设位置处沉积透明导线；

优选地，所述制备与每个所述第三导电部分别连接的至少一根透明导线，以及制备与每个所述第四导电部分别连接的至少一根透明导线的步骤，包括：

采用激光法制备贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽，并将透明引线穿过所述贯穿所述第四透明基底、所述第四透明导电层、所述电致变色层、所述离子转移层和所述离子存储层至所述第三导电部的凹槽与所述第三导电部连接；或

采用激光法制备贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽，并将透明引线穿过所述贯穿所述第三透明基底、所述第三透明导电层、所述离子存储层、所述离子转移层和所述电致变色层至所述第四导电部的凹槽与所述第四导电部连接。

10.一种电子显示设备，其特征在于，包括权利要求1-2或5-7任一电致变色器件的结构。

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