CN111320376B - 光纤预制棒及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光纤预制棒的制备方法，包括以下步骤：采用气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中在芯层中通入包含碱金属的掺杂物，形成含碱金属的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒；将粉末棒放置在烧结炉中进行脱羟及玻璃化烧结；采用掺氟工艺依次制备沟渠层、中包层及辅助中包层；采用气相沉积工艺或纯二氧化硅套管工艺制备外包层，得到光纤预制棒。本发明提供的光纤预制棒的制备方法有效改善芯层、内包层及两者边界之间的粘度匹配性，降低光纤损耗。

Description

光纤预制棒及其制备方法
技术领域
本发明涉及光纤领域，尤其涉及一种光纤预制棒及其制备方法。
背景技术
随着光通信技术的发展，光纤损耗的降低将有利于系统的建设和维护成本。对于光纤制造企业而言，在保证光纤的截止波长、模场直径、零色散波长在可控的范围内，需考虑如何降低光纤损耗。同时在制备出满足光纤超低损耗和光学参数的同时，需考虑如何实现制造工艺的简单可控及其降低光纤制造成本。众所周知，光纤的衰减、光学参数性能取决于光纤预制棒的性能，对于石英光纤，在600nm～1600nm的损耗主要来自瑞利散射，为了降低光纤损耗，通过降低光纤掺杂浓度，可以有效降低光纤的瑞利散射。但是光纤的瑞利散射除了受掺杂浓度的影响，还受密度波动影响。传统工艺中采用的纯硅芯设计容易引起芯层与包层之间粘度不匹配以致引起密度波动，无法改善瑞利散射，无法降低损耗。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种光纤预制棒制备方法，其能够有效改善芯层与包层间的粘度匹配，降低光纤损耗。
一种光纤预制棒的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，采用气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中在芯层中通入包含碱金属的掺杂物，形成含碱金属的纯硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒；
步骤2，将粉末棒放置在烧结炉中进行脱羟及玻璃化烧结；
步骤3，采用掺氟工艺依次制备沟渠层、中包层及辅助中包层；
步骤4，采用气相沉积工艺或纯二氧化硅套管工艺制备外包层，得到光纤预制棒。
进一步的，所述方法还包括通入四氯化硅、含氮气体、氧气及氩气，在沉积设备中反应生成的SiOxNy和SiO2产物沉积于所述步骤4制备的外包层的表面，形成第二外包层，其中1<x<2，0<y<1。
进一步的，所述步骤4中的外包层为纯二氧化硅层，所述第二外包层为掺氮的石英玻璃层。
进一步的，所述沉积设备包括喷灯、与喷灯连通的玻璃管以及设置在所述玻璃管外的等离子谐振腔，所述喷灯包括位于中心的第一含氮气体管路、与所述第一含氮气体管路依次同心设置的四氯化硅气体管路、氧气管路及氩气管路，所述氧气管路中设有多个第二含氮气体管路。
进一步的，所述步骤5中的含氮气体包括N2、NO及NO2中的一种。
进一步的，所述步骤1中的掺杂物通过载气带入，所述载气为氩气、氧气及氮气中的一种，所述载气的流量为20cc/min～150cc/min。
进一步的，所述步骤1中的掺杂物还包括锗、氟化物或两者结合。
进一步的，所述碱金属包括锂、钠、钾、铷中的一种或至少两种的组合。
进一步的，所述步骤2中在脱羟结束后，将玻璃化温度升至1200℃～1300℃后，通入四氯化硅气体，流量为0.5g/min～5g/min，恒温时间为2～6h，再通入氟化物气体流量为200cc/min～1000cc/min，恒温时间2～6h，此阶段结束后，再进一步升温至1350℃以上进行烧结直至粉末棒形成透明玻璃体。
进一步的，所述氟化物包括SiF4、CF4、SF6、C2F6、SOF2及C2F2Cl2中的一种或至少两种的组合。
进一步的，所述步骤3中的中包层与辅助中包层为阶跃型折射率分布或渐变型折射率分布。
进一步的，所述步骤3中的掺氟工艺包括气相合成掺氟烧结工艺、管内掺氟沉积工艺及掺氟套管熔缩工艺。
一种采用所述光纤预制棒的制备方法制备的光纤预制棒，所述光纤预制棒由内到外依次包括芯层、内包层、沟渠层、中包层、辅助中包层、第一外包层及第二外包层，所述芯层的半径r1为3～7μm，所述芯层的折射率为△n1为-0.05％～0.05％，粘度η1为3.0×107～3.5×107Pa·s；所述内包层的半径r2为6～20μm，内所述包层的折射率△n2为-0.15％～-0.25％，粘度η2为3.3×107～3.8×107Pa·s；所述沟渠层的半径r3为15～28μm，沟渠层所述的折射率△n3为-0.3％～-0.5％，粘度η3为3.0×107～3.6×107Pa·s；所述中包层的半径r4为25～33μm，所述中包层的折射率△n4为-0.15％～-0.20％，粘度η4为3.8×107～4.4×107Pa·s；所述辅助中包层的半径r5为35～45μm，所述辅助中包层的折射率△n5为-0.05％～-0.1％，粘度η5为4.7×107～5.0×107Pa·s；所述第一外包层的半径r6为55～62.5μm，折射率为△n6为0％，粘度η6为5.1×107～5.2×107Pa·s；所述第二外包层的半径r7为62.5μm，折射率△n7为0.02％～0.04％，粘度η7为5.5×107～6.8×107Pa·s。
本发明提供的光纤预制棒及其制备方法，在沉积过程中通入含碱金属的掺杂物，可大幅降低芯层粘度，且掺杂物元素在玻璃中具有极易扩散的特性，通入掺杂物元素，使芯层径向的掺杂物浓度由内到外呈渐变的趋势，改善内外层粘度过渡性；外包层外侧采用含氮的结构，有效提高外包层的粘度；烧结过程中掺入内包层的氟元素、氯元素从内包层向芯层扩散呈线性渐弱趋势，再结合掺杂物元素浓度分布，这种模式消除或大幅缓解芯层与内包层的边界效应，改善芯层、内包层以及两者边界之间的粘度匹配性，降低光纤损耗。
附图说明
图1为本发明一实施方式中的沉积设备的结构示意图。
图2为图1所示沉积设备中的喷灯的结构示意图。
图3为本发明一实施方式中的光纤预制棒的制备方法的流程示意图。
图4为本发明一实施方式中的中包层和辅助中包层为渐变型折射率示意图。
图5为本发明一实施方式中的中包层和辅助中包层为渐变型折射率另一示意图。
图6为本发明一实施方式中的中包层和辅助中包层为阶跃型分布折射率示意图。
图7为本发明一实施方式中的光纤预制棒的折射率分布示意图。
图8为图5光纤预制棒折射率分布对应的粘度分布示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当组件被称为“装设于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“或/及”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1，图1为本发明一实施方式中的沉积设备100的结构示意图，所述沉积设备100包括喷灯10、玻璃管20及等离子谐振腔30，所述喷灯10与所述玻璃管20的一端连通，所述玻璃管20的的另一端正对光纤预制棒40，所述等离子谐振腔30套设于所述玻璃管20的外侧，所述等离子谐振腔30用于将进入所述玻璃管20内的气体激发成等离子体31，进而反应生成产物沉积于所述光纤预制棒40的表面。
请一并参阅图2，图2为所述喷灯10的结构示意图，所述喷灯10包括位于中心的第一含氮气体管路11、与所述第一含氮气体管路11依次同心设置的四氯化硅气体管路12、氧气管路13及氩气管路14，所述氧气管路13中还设有多个第二含氮气体管路15。在本实施方式中，所述第二含氮气体管路15的数量为6个且沿所述氧气管路13的圆周方向均匀排布。
请参阅图3，本发明还提供一种光纤预制棒的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤S31，采用气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中在芯层中通入包含碱金属的掺杂物，形成含碱金属的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒；
步骤S32，将粉末棒放置在烧结炉中进行脱羟及玻璃化烧结；
步骤S33，采用掺氟工艺依次制备沟渠层、中包层及辅助中包层；
步骤S34，采用气相沉积工艺或纯二氧化硅套管工艺制备外包层，得到光纤预制棒。
上述方法还包括通入四氯化硅气体、含氮气体、氧气及氩气，在沉积设备中反应生成的SiOxNy(1<x<2，0<y<1)和SiO2产物沉积于所述步骤S34中的外包层的表面，形成第二外包层。所述第二外包层由所述沉积设备100制备完成，具体的，在所述喷灯10的各个管路依次通入对应的四氯化硅气体、含氮气体、氧气及氩气，各种气体进入所述玻璃管20后，经所述等离子谐振腔30激发成等离子体31(如图1所示)，反应生成SiOxNy(1<x<2，0<y<1)和SiO2产物沉积于光纤预制棒40的外包层的表面，形成第二外包层。所述含氮气体包括N2、NO及NO2中的一种。
所述步骤S31中的掺杂物通过载气带入，所述载气为氩气、氧气及氮气中的一种，所述载气的流量为20cc/min～150cc/min。所述碱金属包括锂、钠、钾及铷中的一种或至少两种的组合。所述掺杂物还包括锗、氟化物或两者结合。所述步骤S31中的芯层通过芯层喷灯进行沉积，所述芯层喷灯沿水平方向设置且与水平方向的夹角为30°～90°。
所述步骤S32中在脱羟结束后，将玻璃化温度升至1200℃～1300℃后，通入四氯化硅气体，流量为0.5g/min～5g/min，恒温时间为2～6h，再通入氟化物气体，流量为200cc/min～1000cc/min，恒温时间2～6h，此阶段结束后，再进一步升温至1350℃以上进行烧结直至粉末棒形成透明玻璃体。所述步骤S31和步骤S32中的氟化物包括SiF4、CF4、SF6、C2F6、SOF2及C2F2Cl2中的一种或至少两种的组合。
如图4、图5所示，所述步骤S33中的中包层与辅助中包层为渐变型折射率分布。如图6所示，所述步骤S33中的中包层与辅助中包层为阶跃型折射率分布。
所述步骤S33中的掺氟工艺包括气相合成掺氟烧结工艺、管内掺氟沉积工艺及掺氟套管熔缩工艺。
所述步骤S34中的外包层为纯二氧化硅，所述第二外包层为掺氮的石英玻璃层。
请一并参阅图7及图8，采用上述方法制备的光纤预制棒由内到外依次包括芯层、内包层、沟渠层、中包层、辅助中包层、第一外包层及第二外包层，所述芯层的半径r1为3～7μm，所述芯层的折射率为△n1为-0.05％～0.05％，粘度η1为3.0×107～3.5×107Pa·s；所述内包层的半径r2为6～20μm，所述内包层的折射率△n2为-0.15％～-0.25％，粘度η2为3.3×107～3.8×107Pa·s；所述沟渠层的半径r3为15～28μm，所述沟渠层的折射率△n3为-0.3％～-0.5％，粘度η3为3.0×107～3.6×107Pa·s；所述中包层的半径r4为25～33μm，所述中包层的折射率△n4为-0.15％～-0.20％，粘度η4为3.8×107～4.4×107Pa·s；所述辅助中包层的半径r5为35～45μm，所述辅助中包层的折射率△n5为-0.05％～-0.1％，粘度η5为4.7×107～5.0×107Pa·s；所述第一外包层的半径r6为55～62.5μm，折射率为△n6为0％，粘度η6为5.1×107～5.2×107Pa·s；所述第二外包层的半径r7为62.5μm，折射率△n7为0.02％～0.04％，粘度η7为5.5×107～6.8×107Pa·s。所述粘度值为在1700℃下的粘度值。所述光纤预制棒拉丝后得到的光纤有效面积为80μm2～130μm2，在1550nm波长的衰减低于0.165dB/km，以弯曲半径R为10mm绕一圈时，在1550nm和1625nm波长的弯曲损耗均低于0.02dB，缆波长低于1530nm。
下面将结合具体的实施例对本发明做进一步说明。
例子1
首先，采用VAD气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中芯层通入KCl，KCl通过载气Ar带入，Ar流量控制在20cc/min，通入GeCl4气体，流量控制在50cc/min，形成含K的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒。
沉积结束的粉末棒在烧结炉中进行脱羟、玻璃化烧结。其中，在脱羟结束，玻璃化温度升至1200℃后，通入SiCl4气体，流量为0.5g/min，恒温时间6h，再通入SiF4气体，流量为200cc/min，恒温时间6h。恒温阶段结束后，再进一步升温至1350℃，进行烧结直至成透明玻璃体。
采用OVD气相合成掺氟烧结工艺，逐层沉积沟渠层、中包层、辅助中包层，形成不同尺寸和折射率的剖面结构。
采用OVD气相沉积工艺制备外包层，得到光纤预制棒。
获得的光纤预制棒折射率剖面特征：芯层半径r1为3.8μm，芯层的相对折射率△1为0.05％，粘度η1为3.47×107Pa·s；内包层半径r2为8μm，内包层的相对折射率△2为-0.15％，粘度η2为3.62×107Pa·s；沟渠层半径r3为16μm，沟渠层的相对折射率△3为-0.35％，粘度η3为3.42×107Pa·s；中包层半径r4为25μm，中包层的相对折射率△4为-0.16％，粘度η4为4.2×107Pa·s；辅助中包层半径r5为35μm，辅助中包层的相对折射率△5为-0.07％，粘度η5为4.82×107Pa·s，中包层与辅助中包层为阶跃型折射率分布；外包层半径r6为62.5μm，外包层的相对折射率△6为0％，粘度η6为5.1×107Pa·s。
光纤预制棒通过拉丝，光纤测试结果：光纤有效面积为82μm2，1550nm衰减0.169dB/km，以弯曲半径R为10mm绕一圈时，1550nm和1625nm弯曲损耗分别是0.014dB和0.019dB，缆波长1420nm。
例子2
首先，采用VAD气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中芯层通入KBr，KBr通过载气O2带入，O2流量控制在80cc/min，通入GeCl4气体，流量控制在80cc/min，通入SiF4气体，流量控制在100cc/min，形成含K的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒。
沉积结束的粉末棒在烧结炉中进行脱羟、玻璃化烧结。其中，在脱羟结束，玻璃化温度升至1200℃后，通入SiCl4气体，流量为2.5g/min，恒温时间6h，再通入SiF4气体，流量为600cc/min，恒温时间4h。恒温阶段结束后，再进一步升温至1350℃，进行烧结直至成透明玻璃体。
采用MCVD气相合成掺氟烧结工艺，沉积沟渠层、中包层、辅助中包层，其中，MCVD沉积过程中，制备沟渠层时的掺氟流量保持稳定通入，制备中包层、辅助中包层时掺氟流量成渐变型变化，形成不同尺寸和折射率的剖面结构。
采用纯二氧化硅套管工艺制备外包层，得到光纤预制棒。
获得的光纤预制棒折射率剖面特征：芯层半径r1为5.3μm，芯层的相对折射率△1为0.03％，粘度η1为3.26×107Pa·s；内包层半径r2为15μm，内包层的相对折射率△2为-0.2％，粘度η2为3.42×107Pa·s；沟渠层半径r3为20μm，沟渠层的相对折射率△3为-0.4％，粘度η3为3.3×107Pa·s；中包层半径r4和辅助中包层半径r5总和为40μm，中包层的相对折射率△4到辅助中包层△5的相对折射率由-0.15％渐变为0％，粘度η4由4.0×107Pa·s渐变为5.1×107Pa·s，中包层与辅助中包层为渐变型折射率分布；外包层半径r6为62.5μm，外包层的相对折射率△6为0％，粘度η6为5.1×107Pa·s。
光纤预制棒通过拉丝，光纤测试结果：光纤有效面积为95μm2，1550nm衰减0.165dB/km，以弯曲半径R为10mm绕一圈时，1550nm和1625nm弯曲损耗分别是0.011dB和0.018dB，缆波长1480nm。
例子3
首先，采用VAD气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中芯层通入KBr，KBr通过载气Ar带入，Ar流量控制在120cc/min，通入GeCl4气体，流量控制在80cc/min，通入SiF4气体，流量控制在120cc/min，形成含K的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒。
沉积结束的粉末棒在烧结炉中进行脱羟、玻璃化烧结。其中，在脱羟结束，玻璃化温度升至1200℃后，通入SiCl4气体，流量为5g/min，恒温时间4h，再通入CF4气体，流量为200cc/min，恒温时间6h。恒温阶段结束后，再进一步升温至1350℃，进行烧结直至成透明玻璃体。
采用OVD气相合成掺氟烧结工艺，逐层沉积沟渠层、中包层、辅助中包层，形成不同尺寸和折射率的剖面结构。
采用OVD气相沉积工艺制备外包层，将完成外包层沉积的玻璃棒，延伸至60mm后，将玻璃棒放置在带有等离子谐振腔的机台上，进行第二外包层沉积，得到光纤预制棒。
获得的光纤预制棒折射率剖面特征：芯层半径r1为6.5μm，芯层的相对折射率△1为0.02％，粘度η1为3.1×107Pa·s；内包层半径r2为18μm，内包层的相对折射率△2为-0.2％，粘度η2为3.38×107Pa·s；沟渠层半径r3为27μm，沟渠层的相对折射率△3为-0.45％，粘度η3为3.25×107Pa·s；中包层半径r4为32μm，中包层的相对折射率△4为-0.18％，粘度η4为3.87×107Pa·s；辅助中包层半径r5为40μm，辅助中包层的相对折射率△5为-0.07％，粘度η5为4.8×107Pa·s，中包层与辅助中包层为阶跃型折射率分布；外包层半径r6为55μm，外包层的相对折射率△6为0％，粘度η6为5.1×107Pa·s；第二外包层半径r7为62.5μm，第二外包层的相对折射率△7为0.02％，粘度η7为6.5×107Pa·s。
光纤预制棒通过拉丝，光纤测试结果：光纤有效面积为125μm2，1550nm衰减0.163dB/km，以弯曲半径R为10mm绕一圈时，1550nm和1625nm弯曲损耗分别是0.012dB和0.018dB，缆波长1525nm。
本发明提供的光纤预制棒的制备方法，在沉积过程中通入碱金属，可大幅降低芯层粘度，且碱金属元素在玻璃中具有极易扩散的特性，通入碱金属元素，使芯层径向的碱金属浓度由内到外呈渐变的趋势，改善内外层粘度过渡性；外包层外侧采用含氮的结构，有效提高外包层的粘度；烧结过程中掺入内包层的氟元素、氯元素从内包层向芯层扩散呈线性渐弱趋势，再结合碱金属元素浓度分布，这种模式消除或大幅缓解芯层与内包层的边界效应，改善芯层、内包层以及两者边界之间的粘度匹配性，降低光纤损耗。
本技术领域的普通技术人员应当认识到，以上的实施方式仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上实施方式所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围内。

Claims (12)

1.一种光纤预制棒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，采用气相沉积工艺制备芯层和内包层，沉积过程中在芯层中通入包含碱金属的掺杂物，形成碱金属的硅芯层，纯二氧化硅粉末的内包层围绕在芯层表面形成粉末棒；
步骤2，将粉末棒放置在烧结炉中进行脱羟，在脱羟结束后，通入四氯化硅气体，再通入氟化物气体，再进一步升温进行烧结直至粉末棒形成透明玻璃体；
步骤3，采用掺氟工艺依次制备沟渠层、中包层及辅助中包层；
步骤4，采用气相沉积工艺或纯二氧化硅套管工艺制备外包层，通入四氯化硅、含氮气体、氧气及氩气，在沉积设备中反应生成的SiOxNy和SiO2产物沉积于外包层的表面，形成第二外包层，得到光纤预制棒，其中1<x<2，0<y<1。
2.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤4中的外包层为纯二氧化硅层，所述第二外包层为掺氮的石英玻璃层。
3.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述沉积设备包括喷灯、与喷灯连通的玻璃管以及设置在所述玻璃管外的等离子谐振腔，所述喷灯包括位于中心的第一含氮气体管路、与所述第一含氮气体管路依次同心设置的四氯化硅气体管路、氧气管路及氩气管路，所述氧气管路中设有多个第二含氮气体管路。
4.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述含氮气体包括N2、NO及NO2中的一种。
5.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的掺杂物通过载气带入，所述载气为氩气、氧气及氮气中的一种，所述载气的流量为20cc/min～150cc/min。
6.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的掺杂物还包括锗、氟化物或两者结合。
7.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述碱金属包括锂、钠、钾、铷中的一种或至少两种的组合。
8.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤2中在脱羟结束后，将玻璃化温度升至1200℃～1300℃后，通入四氯化硅气体，流量为0.5g/min～5g/min，恒温时间为2～6h，再通入氟化物气体流量为200cc/min～1000cc/min，恒温时间2～6h，此阶段结束后，再进一步升温至1350℃以上进行烧结直至粉末棒形成透明玻璃体。
9.如权利要求6或8所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述氟化物包括SiF4、CF4、SF6、C2F6、SOF2及C2F2Cl2中的一种或至少两种的组合。
10.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的中包层与辅助中包层为阶跃型折射率分布或渐变型折射率分布。
11.如权利要求1所述的光纤预制棒的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的掺氟工艺包括气相合成掺氟烧结工艺、管内掺氟沉积工艺及掺氟套管熔缩工艺。
12.一种采用如权利要求1-11任意一项所述光纤预制棒的制备方法制备的光纤预制棒，其特征在于：所述光纤预制棒由内到外依次包括芯层、内包层、沟渠层、中包层、辅助中包层、第一外包层及第二外包层，所述芯层的半径r1为3～7μm，所述芯层的折射率为△n1为-0.05％～0.05％，粘度η1为3.0×107～3.5×107Pa·s；所述内包层的半径r2为6～20μm，内所述包层的折射率△n2为-0.15％～-0.25％，粘度η2为3.3×107～3.8×107Pa·s；所述沟渠层的半径r3为15～28μm，沟渠层所述的折射率△n3为-0.3％～-0.5％，粘度η3为3.0×107～3.6×107Pa·s；所述中包层的半径r4为25～33μm，所述中包层的折射率△n4为-0.15％～-0.20％，粘度η4为3.8×107～4.4×107Pa·s；所述辅助中包层的半径r5为35～45μm，所述辅助中包层的折射率△n5为-0.05％～-0.1％，粘度η5为4.7×107～5.0×107Pa·s；所述第一外包层的半径r6为55～62.5μm，折射率为△n6为0％，粘度η6为5.1×107～5.2×107Pa·s；所述第二外包层的半径r7为62.5μm，折射率△n7为0.02％～0.04％，粘度η7为5.5×107～6.8×107Pa·s。
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