CN111316519B - 防倒灌电路、电源及防倒灌方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种防倒灌电路，包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管、稳压模块以及比较模块，其中：所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接。本方案提供的防倒灌电路，能够实现电路损耗低且成本低，同时保证了冗余电源中多电源模块并联使用，当其中部分电源模块出现输出短路故障时，其它模块不受影响，仍可正常工作，能够保障系统设备正常运行。

Description

防倒灌电路、电源及防倒灌方法

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，具体涉及一种防倒灌电路、电源及防倒灌方法。

背景技术

冗余电源是指由2个及以上电源模块同时给系统设备供电的电源。

高端服务器产品中普遍采用具有冗余功能的电源系统，且要求电源输出电流较大，正常工作时，所有电源板块共同为系统供电，而当其中一块或几块电源板块出现故障时，剩余的电源板块将承担所有的负载，而实现这些需要每个电源模块的输出端都设置有防倒灌电路。应用于高端服务器等场合的高性能冗余电源无论处于正常或者异常状态，防倒灌电路都是必不可少的。

另一方面，传统的冗余电源系统实现方法有两种。第一种是电源模块输出母线串联二极管，然后并入输出总线，如图1所示，该方式虽然简单，但由于二极管有较大导通压降，当输出电流较大时，二极管产生较大的损耗、损失效率；第二种是针对大电流场合，通常选用Rds(导通电阻)为几个毫欧的MOSFET替代二极管，如图2所示，采用MOSFET方式，可以大幅降低导通损耗，但需要增加专用驱动控制电路，成本较高，且其目前主要针对输出60V以下的较低电压的应用场合。

发明内容

本申请实施例提供一种防倒灌电路、电源及防倒灌方法，能够实现电路损耗低且成本低。

本申请实施例的第一方面提供了一种防倒灌电路，包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管、稳压模块以及比较模块，其中：

所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；

所述第一MOS管用于控制所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的导通或断开，所述比较模块用于判断所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的电平高低，所述稳压模块用于当所述防倒灌电路出现短路时，防止所述比较模块的反相输入电平过高而损坏所述防倒灌电路。

在一个实施例中，所述比较模块包括第一比较器，其中：

所述第一比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第一比较器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。

在一个实施例中，所述比较模块包括第二比较器、第三比较器和参考电压控制模块，其中：

所述第二比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第二比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第二比较器的输出端与所述第三比较器的正相输入端连接，所述第三比较器的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第三比较器的输出端与所述第一MOS管的栅极连接。

在一个实施例中，所述比较模块包括第四比较器、第五比较器、参考电压控制模块和第二MOS管、第三MOS管、第一三极管和第二三极管，其中：

所述第四比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第四比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第四比较器的输出端与所述第五比较器的正相输入端连接，所述第五比较器的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第五比较器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二三极管的集电极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一三极管的基极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的集电极与所述第三MOS管的源极连接，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一MOS管的栅极连接。

在一个实施例中，所述防倒灌电路还包括第一电容，其中：

所述第一电容的一端与所述第四比较器的输出端连接，所述第一电容的另一端与所述稳压管的正极连接。

在一个实施例中，所述稳压模块还包括第二电阻、第三电阻，其中：

所述第二电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第二电阻的另一端与所述第四比较器的正相输入端连接，所述第二电阻的另一端还与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述稳压管的正极连接。

在一个实施例中，所述比较模块还包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻，其中：

所述第四电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第四电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第五电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第五电阻的另一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第一三极管的发射极通过所述第七电阻与所述第一MOS管的栅极连接，所述第八电阻的一端与所述第七电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端与所述第一MOS管的源极连接。

本申请实施例的第二方面提供了一种电源，包括蓄电池，还包括至少一种所述的防倒灌电路。

本申请实施例的第三方面提供了一种防倒灌方法，应用于所述的防倒灌电路及所述的电源，包括：

当电源工作，第一电源端口的电平高于第二电源端口的电平时，第一MOS管导通；

当所述电源内部短路时，所述第一电源端口的电平低于所述第二电源端口的电平，所述第一MOS管截止。

实施本申请实施例，具有如下有益效果：

通过本申请实施例，该防倒灌电路中的各元器件采用分立设计，较现有技术的集成控制芯片来说，其降低电路损耗的同时也降低了成本；另一方面，通过控制本方案中的稳压模块，即可满足耐压要求，可以实现输出电压较高，适用性较强，较现有技术具有较大进步；且当电路出现短路时，该防倒灌电路可以快速关断防倒灌MOS驱动信号，MOS管体二极管反向，电流无法形成回路，从而达到电流防倒灌功能，有效保障设备或系统的正常运行。采用本方案，保障了电路的安全性及器件的寿命，可广泛应用于电子电路技术领域。

本申请的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

其中：

图1为现有技术的冗余电源系统示意图；

图2是现有技术的另一冗余电源系统示意图；

图3是本申请实施例提供的第一种防倒灌电路的模块连接示意图；

图4是本申请实施例提供的第二种防倒灌电路的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的第三种防倒灌电路的结构示意图；

图6是本申请实施例提供的第四种防倒灌电路的结构示意图；

图7是本申请实施例提供的第五种防倒灌电路的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

以下分别进行详细说明。

本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

以下，对本申请的现有技术做一个简要介绍，以便于本领域技术人员理解。

图1、图2均为现有技术中的冗余电源系统的示意图，其中，图1中，电源模块输出母线串联二极管，然后并入输出总线，虽然实现方式最简单，但由于二极管有较大导通压降，当输出电流较大时，二极管产生较大的损耗，损失效率；而图2中，采用MOSFET替代二极管，虽然可以大幅降低导通损耗，但需要增加专用驱动控制电路，成本较高。

基于此，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的第一种防倒灌电路的模块连接示意图，该防倒灌电路包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管Q1、稳压模块以及比较模块，其中：

所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管Q1的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；

所述第一MOS管Q1用于控制所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的导通或断开，所述比较模块用于判断所述第一电源端口、第二电源端口之间的电平高低，如当第一电源端口高于第二电源端口时，则所述第一MOS管Q1导通，当第一电源端口低于第二电源端口时，则所述第一MOS管Q1截止。所述稳压模块在本电路中的作用是为了防止因模块内部短路，所述比较模块中如比较器反向输入端电平过高导致损坏。相比传统低压防倒灌MOSFET专用驱动电路，本实施例中的电路的稳压模块，只需要调整电阻R1的参数即可满足耐压要求，适用性较强。

可以看出，通过本申请实施例，该防倒灌电路中的各元器件采用分立设计，较现有技术的集成控制芯片来说，其降低电路损耗的同时也降低了成本；另一方面，通过控制本方案中的稳压模块，可以实现输出电压较高，较现有技术具有较大进步；且当电路出现短路时，该防倒灌电路可以快速关断防倒灌MOS驱动信号，MOS管体二极管反向，电流无法形成回路，从而达到电流防倒灌功能，有效保障设备或系统的正常运行。采用本方案，保障了电路的安全性及器件的寿命，可广泛应用于电子电路技术领域。

请参阅图4，图4是本申请实施例提供的第二种防倒灌电路的结构示意图。该防倒灌电路包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管Q1、稳压模块以及比较模块，所述比较模块包括第一比较器，其中：

所述第一比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第一比较器的输出端与所述第一MOS管Q1的栅极连接；所述第一MOS管Q1的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述第一比较器的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；

所述第一MOS管Q1用于控制所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的导通或断开，所述第一比较器用于判断所述第一电源端口、第二电源端口之间的电平高低，所述稳压模块用于当防倒灌电路出现短路时，防止比较模块的反相输入电平过高而损坏所述防倒灌电路。

本申请实施例的防倒灌电路，其中比较模块包括第一比较器，通过第一比较器进行比较两电源端口的电平高低，进而实现所述第一MOS管Q1的导通或截止。采用本实施例，当电路出现短路时，该防倒灌电路可以快速关断防倒灌MOS驱动信号，MOS管体二极管反向，电流无法形成回路，从而达到电流防倒灌功能，其中还设有稳压模块，用于当防倒灌电路出现短路时，防止比较模块的反相输入电平过高而损坏所述防倒灌电路；采用本方案，保障了电路的安全性及器件的寿命，同时解决了冗余电源中多电源模块并联使用，当其中部分电源模块出现输出短路故障时，其它模块不受影响，仍可正常工作，保障系统设备正常运行；同时该防倒灌电路中的各元器件采用分立设计，较现有技术的集成控制芯片来说，其降低电路损耗的同时也降低了成本；另一方面，通过控制本方案中的稳压模块，即可满足耐压要求，可以实现输出电压较高，适用性较强，较现有技术具有较大进步。

请参阅图5，图5是本申请实施例提供的第三种防倒灌电路的结构示意图。该防倒灌电路包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管Q1、稳压模块以及比较模块，所述比较模块包括第二比较器U-A、第三比较器U-B和参考电压控制模块，其中：

所述第一MOS管Q1的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述第三比较器U-B的输出端连接，所述第二比较器U-A的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第二比较器U-A的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接，所述第二比较器U-A的输出端与所述第三比较器U-B的正相输入端连接，所述第三比较器U-B的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第三比较器U-B的输出端与所述第一MOS管Q1的栅极连接。

采用本申请的实施例，稳压模块在本电路中的作用是为了防止因模块内部短路，所述比较模块中如比较器反向输入端电平过高导致损坏。

请参阅图6，图6是本申请实施例提供的第四种防倒灌电路的结构示意图。该防倒灌电路包括第一电源端口(接a处)、第二电源端口(接b处)、第一MOS管Q1、稳压模块以及比较模块，所述比较模块包括第四比较器U-C、第五比较器U-D和参考电压控制模块，其中：

所述第一MOS管Q1的源极与所述第一电源端口a连接，所述第一MOS管Q1的漏极与所述第二电源端口b连接，所述第一MOS管Q1的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述第四比较器U-C的正相输入端通过电阻R6与所述第一电源端口a连接，所述第四比较器U-C的反相输入端通过电阻R1与所述第二电源端口b连接，所述稳压模块包括稳压管ZD1，所述稳压管ZD1的正极与电阻R9连接后并与所述第四比较器U-C的正相输入端连接，并通过电阻R6与所述第一电源端口a连接，所述稳压管ZD1的负极通过所述电阻R1与所述第二电源端口b连接，所述稳压管ZD1的负极还与所述第四比较器U-C的反相输入端连接；所述第四比较器U-C的输出端与所述第五比较器U-D的正相输入端连接，所述第五比较器U-D的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，具体地，所述参考电压控制模块为一基准参考电压，所述第五比较器U-D的反相输入端与所述基准参考电压VREF连接，所述第五比较器U-D的输出端与所述第一MOS管Q1的栅极连接。

进一步，所述第四比较器U-C的输出端与电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与所述稳压模块连接，具体地，所述电容C1的另一端与所述稳压管ZD1的正极连接，所述防倒灌电路还包括电阻R8，所述电阻R8的一端与所述第四比较器U-C的输出端连接，所述电阻R8的另一端与所述第四比较器U-C的正相输入端连接。

请参阅图7，图7是本申请实施例提供的第五种防倒灌电路的结构示意图。所述防倒灌电路包括第一电源端口(接a处)、第二电源端口(接b处)、第一MOS管Q1、稳压模块以及比较模块，其中：

所述比较模块包括第六比较器U-E、第七比较器U-F、参考电压控制模块和第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第一三极管Q4和第二三极管Q5，其中：

所述第六比较器U-E的正相输入端与所述第一电源端口a连接，优选的，在所述第六比较器U-E的正相输入端与所述第一电源端口a之间还包括电阻R6，所述第六比较器U-E的反相输入端与所述第二电源端口b连接，优选的，在所述第六比较器U-E的反相输入端与所述第二电源端口b之间还包括电阻R1，所述第六比较器U-E的输出端与所述第七比较器U-F的正相输入端连接，优选的，在所述第六比较器U-E的输出端与所述第六比较器U-E的正相输入端之间还连接有电阻R8，所述第七比较器U-F的反相输入端与所述参考电压控制模块连接；

优选的，所述参考电压控制模块为一基准参考电压，所述第七比较器U-F的输出端与所述第二MOS管Q2的栅极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述第一三极管Q4的集电极连接，所述第二MOS管Q2的漏极与所述第二三极管Q5的集电极连接，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一三极管Q4的基极与所述第三MOS管Q3的漏极连接，所述第一三极管Q4的发射极与所述第二三极管Q5的发射极连接，所述第二三极管Q5的集电极与所述第三MOS管Q3的源极连接，所述第二三极管Q5的基极与所述第一三极管Q4的基极连接，所述第一三极管Q4的发射极与所述第一MOS管Q1的栅极连接。

进一步地，在所述第六比较器U-E的正相输入端与所述第一电源端口a之间还包括电阻R6，所述第六比较器U-E的反相输入端与所述第二电源端口b连接，所述防倒灌电路还包括电阻R8，所述电阻R8的一端与所述第六比较器U-E的输出端连接，所述电阻R8的另一端与所述第六比较器U-E的正相输入端连接，所述第七比较器U-F的反相输入端连接一基准参考电压，所述第七比较器U-F的输出端与所述第二MOS管Q2的栅极连接，所述第二MOS管Q2的源极与所述第一三极管Q4的集电极连接，所述第二MOS管Q2的漏极通过电阻R4与所述第二三极管Q5的集电极连接，所述第三MOS管Q3的栅极与所述第二MOS管Q2的漏极连接，所述第一三极管Q4的基极与所述第三MOS管Q3的漏极连接，所述第一三极管Q4的发射极与所述第二三极管Q5的发射极连接，所述第二三极管Q5的集电极与所述第三MOS管Q3的源极连接，所述第二三极管Q5的基极与所述第一三极管Q4的基极连接，所述第一三极管Q4的发射极通过电阻R5与所述第一MOS管Q1的栅极连接，所述第一三极管Q4的发射极通过电阻R5与电阻R2连接后与所述第一电源端口a连接，所述第三MOS管Q3的漏极通过电阻R3与所述第二三极管Q5的集电极连接。其中，所述第六比较器U-E的输出端还与电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端与所述稳压模块连接，优选的，所述稳压模块包括稳压管ZD1、电阻R1、电阻R6和电阻R9，其中稳压管ZD1的正极与所述电容C1的另一端连接，所述稳压管ZD1的正极通过电阻R9、电阻R6与所述第一电源端口a连接，所述稳压管ZD1的负极通过电阻R1与所述第二电源端口b连接。

采用本申请的实施例，通过运放检测MOSFET源极与漏极Vab两点之间的压降，当电源工作时，电流从a点流向b点，Va＞Vb，U-E正相输入端高于反相输入端，运放输出置高。U-F反相输入端设定一个合适的参考电压值，当U-E输出端电压高于VREF时，U-F输出端置高，Q2导通，Q3截止，Q5导通，Q1导通。当电源内部短路时，此时Vb点电压为输出母线电压，经R1，ZD1后，反相输入端电压大于正相输入端电压，U-E输出置低，U-F输出置低，Q2截止，Q3导通，Q4导通，Q1截止。

在一个可能的示例中，本申请实施例提供的防倒灌电路中的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管，可以为MOSFET管等。

在一个可能的示例中，本申请实施例提供一种电源，包括蓄电池，还包括至少一种所述的防倒灌电路，所述蓄电池与所述防倒灌电路连接。

本申请还提供一种防倒灌方法，应用于所述的防倒灌电路，及所述的电源，包括：

当电源工作，第一电源端口的电平高于第二电源端口的电平时，第一MOS管导通；

当所述电源内部短路时，所述第一电源端口的电平低于所述第二电源端口的电平，所述第一MOS管截止。

需要说明的是，对于前述的各申请实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必须的。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (7)

1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括第一电源端口、第二电源端口、第一MOS管、稳压模块以及比较模块，其中：

所述比较模块包括第一输入端、第二输入端以及输出端，所述第一MOS管的源极与所述第一电源端口连接，所述第一MOS管的漏极与所述第二电源端口连接，所述第一MOS管的栅极与所述比较模块的输出端连接，所述比较模块的第一输入端与所述第一电源端口连接，所述比较模块的第二输入端与所述第二电源端口连接，所述稳压模块包括稳压管和第一电阻，所述稳压管的正极与所述第一电源端口连接，所述稳压管的负极通过所述第一电阻与所述第二电源端口连接；

所述比较模块还包括第四比较器、第五比较器、参考电压控制模块和第二MOS管、第三MOS管、第一三极管和第二三极管，其中：

所述第四比较器的正相输入端与所述第一电源端口连接，所述第四比较器的反相输入端与所述第二电源端口连接，所述第四比较器的输出端与所述第五比较器的正相输入端连接，所述第五比较器的反相输入端与所述参考电压控制模块连接，所述第五比较器的输出端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二MOS管的漏极与所述第二三极管的集电极连接，所述第三MOS管的栅极与所述第二MOS管的漏极连接，所述第一三极管的基极与所述第三MOS管的漏极连接，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的发射极连接，所述第一三极管的集电极与所述第三MOS管的源极连接，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第一三极管的发射极与所述第一MOS管的栅极连接；

所述第一MOS管用于控制所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的导通或断开，其中，当所述第一电源端口高于第二电源端口时，则所述第一MOS管导通，当所述第一电源端口低于第二电源端口时，则所述第一MOS管截止；所述比较模块用于判断所述第一电源端口和所述第二电源端口之间的电平高低，所述稳压模块用于当所述防倒灌电路出现短路时，防止所述比较模块的反相输入电平过高而损坏所述防倒灌电路。

2.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述防倒灌电路还包括第一电容，其中：

所述第一电容的一端与所述第四比较器的输出端连接，所述第一电容的另一端与所述稳压管的正极连接。

3.根据权利要求2所述的防倒灌电路，其特征在于，所述稳压模块还包括第二电阻、第三电阻，其中：

所述第二电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第二电阻的另一端与所述第四比较器的正相输入端连接，所述第二电阻的另一端还与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述稳压管的正极连接。

4.根据权利要求3所述的防倒灌电路，其特征在于，所述比较模块还包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻，其中：

所述第四电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第四电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述第三MOS管的漏极连接，所述第五电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第五电阻的另一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第一三极管的发射极通过所述第七电阻与所述第一MOS管的栅极连接，所述第八电阻的一端与所述第七电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端与所述第一MOS管的源极连接。

5.根据权利要求1至4任一项所述的防倒灌电路，其特征在于，所述第一MOS管为MOSFET管。

6.一种电源，包括蓄电池，其特征在于，还包括至少一种如所述权利要求1至5任一项所述的防倒灌电路。

7.一种防倒灌方法，应用于权利要求1至5任一项所述的防倒灌电路，及权利要求6所述的电源，其特征在于，包括：

当电源工作，第一电源端口的电平高于第二电源端口的电平时，第一MOS管导通；

当所述电源内部短路时，所述第一电源端口的电平低于所述第二电源端口的电平，所述第一MOS管截止。

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