CN2836301Y - 一种电源防反接电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种电源防反接电路,包括电源、一个功率MOS管、两个电阻和负载,其中,MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,MOS管的G管脚通过第一电阻接MOS管的D管脚,并通过第二电阻接电源端。两个电阻为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。由于功率MOS管的内阻很小,现在的器件技术已经能够做到毫欧级,解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电路,尤其涉及一种电源防反接电路。
背景技术
在使用外接电源的电子系统中,外接电源接反会造成设备永久性的损坏,因此必须要防止外接电源接反。
目前通用的电源防反接方法是在电路中串入一个二极管,利用二极管的单向导通特性达到防止电源反接损坏设备的目的。图1为使用二极管防电源反接电路图。如果电源V1反接,二极管D1反向截止,线路中没有电流流过,从而保护了负载。
但是现有技术存在以下缺点:由于二极管存在固定的压降,对于一些低电压应用来说,可能造成系统工作不正常。比如说输入电源3.3V,由于二极管存在0.3V到0.7V的压降,使得负载上得到的电压只有2.6-3V。负载可能无法工作。另外,对于一些大电流的应用来说,由于二极管的压降固定,造成二极管上消耗的功率过大,二极管散热困难,电路可靠性降低,并且电源效率也降低了。比如对于10A的电流,二极管上的功耗有3W-7W,需要加很大的散热器才能保证电路能够正常工作。
实用新型内容
鉴于上述现有技术所存在的问题,本实用新型的目的是提供的一种电源防反接电路,以避免现有技术中存在的压降和功耗大的缺陷。
为实现上述目的,本电源防反接电路包括电源、一个功率MOS管、两个电阻和负载,其中,MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,MOS管的G管脚通过第一电阻接MOS管的D管脚,并通过第二电阻接电源端。两个电阻为MOS管提供电压偏置,利用MOS管的开关特性控制电路的导通和断开,从而防止电源反接给负载带来损坏。
由于功率MOS管的内阻很小,现在的器件技术已经能够做到毫欧级。如果一个功率MOS管的内阻是6毫欧,对于10A的工作电流来说,功率MOS管上的压降只有0.06V,小于已有二极管方案的0.3V-0.7V。同样功率MOS管上的功耗是0.6W,小于已有二极管方案的3W-7W。因此该方案能够很好的解决现有二极管方案存在的问题。
附图说明
图1为现有技术的电源防反接电路图;
图2为使用P型功率MOS管的电源防反接电路图;
图3为使用N型功率MOS管的电源防反接电路图。
具体实施方式
参照图1,在现有技术的电路中,二极管串接于电源与负载之间。当电源正常接入时,二极管导通,负载工作;当电源反接时,二极管反向截止,电路中没有电流流过。
图2是本实用新型使用P型功率MOS管的一个具体实施例。该电路含有电源V1、一个功率MOS管M1、两个电阻R1、R2和负载load。其中,功率MOS管M1的S管脚接电源正极,D管脚接负载load,负载load另一端接电源负极。MOS管M1的G管脚通过一个电阻R1接MOS管M1的D管脚。MOS管M1的G管脚通过一个电阻R2接电源负极。电源V1正常接入时,两个电阻为功率MOS管M1的G、S管脚之间提供正向电压偏置,功率MOS管M1导通,负载load正常工作。电源V1反接时,功率MOS管M1的G、S管脚之间得到反向电压偏置,功率MOS管M1关闭,电路中没有电流流过,防止了负载load因为反向电压而损坏。
图3是本实用新型使用N型功率MOS管的另一个具体实施例。该电路含有电源V1、一个功率MOS管M1、两个电阻R1、R2和负载load。其中,功率MOS管M1的S管脚接电源负极,D管脚接负载load,负载load另一端接电源正极。MOS管M1的G管脚通过一个电阻R1接MOS管M1的D管脚。MOS管M1的G管脚通过一个电阻R2接电源正极。电源V1正常接入时,两个电阻为功率MOS管M1的G、S管脚之间提供正向电压偏置,功率MOS管M1导通,负载load正常工作。电源V1反接时,功率MOS管M1的G、S管脚之间得到反向电压偏置,功率MOS管M1关闭,电路中没有电流流过,防止了负载load因为反向电压而损坏。
虽然通过参照本实用新型的某些优选实施例,已经对本发明进行了图示和描述,但本领域的普通技术人员应该明白,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本实用新型的精神和范围。
Claims (3)
1、一种电源防反接电路,其特征在于:包括电源、一个功率MOS管、两个电阻和负载,其中,MOS管通过S管脚和D管脚串接于电源和负载之间,MOS管的G管脚通过第一电阻接MOS管的D管脚,并通过第二电阻接电源端。
2、根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于:当所述功率MOS管为P型MOS管时,MOS管S管脚接电源正极,D管脚接负载,负载一端接电源负极,MOS管G管脚通过第二电阻接电源负极。
3、根据权利要求1所述的电源防反接电路,其特征在于:当所述功率MOS管为N型MOS管时,MOS管S管脚接电源负极,D管脚接负载,负载一端接电源正极,MOS管G管脚通过第二电阻接电源正极。
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