CN220775375U - 一种过压欠压保护电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种过压欠压保护电路及电子设备，包括：过压保护模块的过压保护第一端口与电控模块的电控第一端口电性连接，用于连接外电源输出端，过压保护模块的过压保护第二端口与电控模块的电控第二端口电性连接后接地，过压保护模块的过压保护第三端口与电控模块的电控第三端口电性连接；输出控制模块的输出控制第一端口和输出控制第二端口电性连接后与电控第一端口电性连接，输出控制模块的输出控制第四端口与电控模块的电控第四端口电性连接，输出控制模块的输出控制第三端口作为后级电路输入端。本申请电路简单，成本低，可靠性高，可以保证受电设备正常工作。

Description

一种过压欠压保护电路及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电压保护技术领域，尤其是指一种过压欠压保护电路及电子设备。

背景技术

常用的过压欠压保护电路是用比较器或含有比较器和锁存器的芯片来设计电路，除了用比较器搭建的过压欠压判断电路外，还需要一个比较器的供电电路，以及需要额外的芯片供电电路，电路成本高且复杂，难以适应电压范围宽、电压高的场合，另外，过压欠压电路不能为芯片和芯片的供电电路提供保护，增加电路损坏的风险。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种成本低、可靠性高的过压欠压保护电路及电子设备。

第一方面，提供了一种过压欠压保护电路，包括：过压保护模块、电控模块、输出控制模块；

所述过压保护模块的过压保护第一端口与所述电控模块的电控第一端口电性连接，用于连接外电源输出端，所述过压保护模块的过压保护第二端口与所述电控模块的电控第二端口电性连接后接地，所述过压保护模块的过压保护第三端口与所述电控模块的电控第三端口电性连接；

所述输出控制模块的输出控制第一端口和输出控制第二端口电性连接后与所述电控第一端口电性连接，所述输出控制模块的输出控制第四端口与所述电控模块的电控第四端口电性连接，所述输出控制模块的输出控制第三端口作为后级电路输入端。

进一步地，所述电控模块包括第一电控子模块、第二电控子模块和第三电控子模块；

所述第一电控子模块的第一电控第一端口与所述第二电控子模块的第二电控第一端口电性连接后作为所述电控第一端口，所述第一电控子模块的第一电控第二端口与所述第三电控子模块的第三电控第一端口电性连接后作为所述电控第二端口，所述第一电控子模块的第一电控第四端口为所述电控第三端口，所述第三电控子模块的第三电控第三端口为所述电控第四端口；

所述第二电控子模块的第二电控第二端口与所述第一电控第三端口电性连接，所述第二电控子模块的第二电控第三端口与所述第三电控子模块的第三电控第二端口电性连接。

进一步地，所述过压保护模块包括第一电阻、第二电阻和第一晶体管；

所述第一电阻的一端作为所述过压保护第一端口，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电性连接后与第一晶体管第一极电性连接，所述第二电阻的另一端与第一晶体管第三极电性连接后作为所述过压保护第二端口，第一晶体管第二极作为所述过压保护第三端口。

进一步地，所述第一电控子模块包括第三电阻、第四电阻和第二晶体管；

所述第三电阻的一端作为所述第一电控第一端口，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端电性连接后与第二晶体管第一极电性连接，所述第四电阻的另一端与第二晶体管第三极电性连接后作为所述第一电控第二端口，第二晶体管第二极作为所述第一电控第三端口。

进一步地，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻及所述第四电阻之间满足如下情形：

其中，R₁'表示第一电阻的电阻值，R'₂表示第二电阻的电阻值，R'₃表示第三电阻的电阻值，R'₄表示第四电阻的电阻值。

进一步地，所述第二电控子模块包括第五电阻、第六电阻、第七电阻和第三晶体管；

所述第五电阻的一端与第三晶体管第三极电性连接后作为所述第二电控第一端口，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端电性连接后与所述第七电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端作为所述第二电控第二端口，所述第七电阻的另一端与第三晶体管第一极电性连接，第三晶体管第二极作为所述第二电控第三端口。

进一步地，所述第三电控子模块包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第四晶体管；

所述第九电阻的一端和第四晶体管第三极电性连接后作为所述第三电控第一端口，所述第九电阻的另一端与所述第八电阻的一端电性连接后与所述第十电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端作为所述第三电控第二端口，所述第十电阻的另一端与第四晶体管第一极电性连接，第四晶体管第二极作为所述第三电控第三端口。

进一步地，所述输出控制模块包括开关、线圈、二极管；

所述开关的一端作为所述输出控制第二端口，所述开关的另一端作为所述输出控制第三端口，所述线圈的一端作为所述输出控制第一端口，所述线圈的另一端作为所述输出控制第四端口；

所述二极管的阴极与所述线圈的一端电性连接，所述二极管的阳极与所述线圈的另一端电性连接。

进一步地，所述电路还包括第十一电阻、第十二电阻；

所述第十一电阻的一端与第一晶体管第一极电性连接，所述第十一电阻的另一端与第二晶体管第二极电性连接；

所述第十二电阻的一端与第二晶体管第一极电性连接，所述第十二电阻的另一端与第三晶体管第二极电性连接。

进一步地，还包括第一电容、第二电容；

所述第一电容的一端与第一晶体管第三极电性连接，所述第一电容的另一端与第一晶体管第一极电性连接；

所述第二电容的一端与第二晶体管第三极电性连接，所述第二电容的另一端与第二晶体管第一极电性连接。

第二方面，提供了一种电子设备，该电子设备包括第一方面所述的过压欠压保护电路。

与现有技术相比，本实用新型基于过压保护模块、电控模块和输出控制模块搭建了一种过压欠压保护电路，在无额外的比较器芯片和供电电路情况下，电路简单，成本低，可靠性高，过压欠压保护电压范围广，可设置过压或欠压后的恢复电压，避免频繁给受电设备通断电，从而保证受电设备获取到的供电电压在正常的电压范围内，进而避免因供电电压过低或者过高导致的受电设备损坏，以保证受电设备正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型的过压欠压保护电路的结构框图；

图2是本实用新型的过压欠压保护电路的电控模块结构框图；

图3是本实用新型的过压欠压保护电路的电路原理示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一：下面参考图1～图3描述根据本实用新型实施例的一种过压欠压保护电路。

参见图1所示，是本实用新型提供的一种过压及欠压保护电路的一个优选实施例的结构框图，所述电路包括过压保护模块100、电控模块200、输出控制模块300；

其中，所述过压保护模块100的过压保护第一端口与所述电控模块200的电控第一端口电性连接，用于连接外电源VCC的输出端，所述过压保护模块100的过压保护第二端口与所述电控模块200的电控第二端口电性连接后接地GND，所述过压保护模块100的过压保护第三端口与所述电控模块200的电控第三端口电性连接；

所述输出控制模块300的输出控制第一端口和输出控制第二端口电性连接后与所述电控第一端口电性连接，所述输出控制模块300的输出控制第四端口与所述电控模块200的电控第四端口电性连接，所述输出控制模块300的输出控制第三端口作为后级电路输入端DC_OUT，所述后级电路输入端为受电设备的输入端。

在具体实施时，从外电源VCC的输出端获取供电电压，通过过压保护模块对供电电压进行过压判断，当供电电压大于预设的高压阈值时，所述过压保护模块处于开启状态，通过过压保护模块的作用使得所述电控模块处于断开状态，进而使得输出控制模块处于断开状态，以断开外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，从而实现对受电设备的过压保护，当供电电压不大于预设的高压阈值或从高压下降到过压恢复电压值时，所述过压保护模块处于断开状态，所述电控模块处于正常开启状态，所述输出控制模块处于正常开启状态，供电电压通过所述电控模块向后级电路传输；进一步的，通过电控模块对供电电压进行欠压判断，当供电电压小于预设的低压阈值时，通过所述电控模块的作用使得所述输出控制模块处于断开状态，以断开外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，从而实现对受电设备的欠压保护，使得受电设备获取到的供电电压在正常的电压范围内，当供电电压不小于预设的低压阈值或从欠压升高到欠压恢复电压值时，所述电控模块处于正常开启状态，所述输出控制模块处于正常开启状态，此时，供电电压通过外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路为受电设备供电，其中，高压阈值和过压恢复值之间根据实际需求设置预设的电压差，该电压差大于实际电压波动，示例性的，过压恢复值为34V，高压阈值为38V，同样的，低压阈值和欠压恢复值之间根据实际需求设置预设的电压差，该电压差大于实际电压波动，示例性的，欠压恢复值为19V，低压阈值为16V，基于上述电路，高压阈值和低压阈值可设置为几伏到上百伏，电压保护范围广，通过设置的过压和欠压后的恢复电压，能够保证避免频繁给受电设备通断电，并且能够保证受电设备获取到的供电电压在正常的电压范围内，进而避免因供电电压过低或者过高导致的受电设备损坏。

本实用新型实施例所提供的一种过压及欠压保护电路，通过将过压保护模块、电控模块、输出控制模块依次串联连接在外电源和受电设备之间，当过压保护模块检测到外电源的供电电压大于高压阈值时，供电电压过高可能导致受电设备被损坏，则控制输出控制模块断开供电通路，当电控模块检测到供电电压小于低压阈值时，供电电压过低可能导致受电设备启动不良，则控制输出控制模块断开供电通路，使得受电设备获取到的供电电压在正常的电压范围内，避免因供电电压过低或者过高导致的受电设备损坏，在检测到供电电压达到过压恢复值或欠压恢复值时，控制电控模块处于正常开启状态，使得输出控制模块启动供电通路，从而确保为受电设备提供供电电压，其中，低压阈值和欠压恢复值、高压阈值和过压恢复值之间可以根据实际需求设置有电压差，从而能够保证避免频繁给受电设备通断电，提高供电可靠性。

参见图2所示，在一些实施方式中，所述电控模块包括第一电控子模块201、第二电控子模块202和第三电控子模块203；

所述第一电控子模块201的第一电控第一端口与所述第二电控子模块202的第二电控第一端口电性连接后作为所述电控第一端口，所述第一电控子模块201的第一电控第二端口与所述第三电控子模块203的第三电控第一端口电性连接后作为所述电控第二端口，所述第一电控子模块201的第一电控第四端口为所述电控第三端口，所述第三电控子模块203的第三电控第三端口为所述电控第四端口；

所述第二电控子模块202的第二电控第二端口与所述第一电控第三端口电性连接，所述第二电控子模块202的第二电控第三端口与所述第三电控子模块203的第三电控第二端口电性连接。

在具体实施时，结合上述实施方式，当检测到外电源VCC的供电电压小于低压阈值时，第一电控子模块处于断开状态，使得第二电控子模块和第三电控子模块均处于断开状态，以断开外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，从而实现对受电设备的欠压保护，当检测到供电电压恢复到欠压恢复值时，第一电控子模块处于开启状态，使得第二电控子模块和第三电控子模块均处于开启状态，以开启外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，从而实现对受电设备的欠压恢复，提升了欠压保护电路的供电可靠性。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述过压保护模块包括第一电阻R₁、第二电阻R₂和第一晶体管Q₁，其中，第一晶体管Q₁可以是常用的三极管、MOS管，也可以是其他类型的开关器件，本申请实施例不作具体限定，图3所示的第一晶体管Q₁采用的是NPN型三极管，第一晶体管Q₁的第一极、第二极和第三极分别为基极、集电极和发射极；

所述第一电阻R₁的一端作为所述过压保护第一端口，所述第一电阻R₁的另一端与所述第二电阻R₂的一端电性连接后与第一晶体管Q₁第一极电性连接，所述第二电阻R₂的另一端与第一晶体管Q₁第三极电性连接后作为所述过压保护第二端口，第一晶体管Q₁第二极作为所述过压保护第三端口。

在具体实施时，结合上述实施方式，在外电源VCC进行供电时，当检测到第一电阻和第二电阻分压后达到第一晶体管的导通电压时，第一晶体管导通使得所述电控模块处于断开状态，从而使所述输出控制模块处于断开状态，以断开外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，停止给受电设备供电，从而实现对受电设备的过压保护，当检测到外电源VCC的供电电压从过压下降到设置的过压恢复电压值时，第一晶体管截止，使得所述电控模块处于开启状态，从而使所述输出控制模块处于开启状态，以开启外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，恢复对受电设备供电，实现过压恢复，提高了过压保护电路的供电可靠性。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述第一电控子模块201包括第三电阻R₃、第四电阻R₄和第二晶体管Q₂，其中，第二晶体管Q₂可以是常用的三极管、MOS管，也可以是其他类型的开关器件，本申请实施例不作具体限定，图3所示的第二晶体管Q₂采用的是NPN型三极管，第二晶体管Q₂的第一极、第二极和第三极分别为基极、集电极和发射极；

所述第三电阻R₃的一端作为所述第一电控第一端口，所述第三电阻R₃的另一端与所述第四电阻R₄的一端电性连接后与第二晶体管Q₂第一极电性连接，所述第四电阻R₄的另一端与第二晶体管Q₂第三极电性连接后作为所述第一电控第二端口，第二晶体管Q₂第二极作为所述第一电控第三端口。

在具体实施时，结合上述实施方式，当检测到第三电阻和第四电阻分压不足以达到第二晶体管的导通电压时，第二晶体管截止，使得所述第二电控子模块和第三电控子模块处于断开状态，从而使所述输出控制模块处于断开状态，以断开外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，停止给受电设备供电，从而实现对受电设备的欠压保护，当检测到外电源VCC的供电电压从过压上升到设置的欠压恢复电压值时，第二晶体管导通，使得所述第二电控子模块和第三电控子模块处于开启状态，从而使所述输出控制模块处于开启状态，以开启外电源VCC的输出端到后级电路输入端DC_OUT的供电通路，恢复对受电设备供电，实现欠压恢复，提高了欠压保护电路的供电可靠性。

在优选实施方式中，所述第一电阻R₁、所述第二电阻R₂、所述第三电阻R₃及所述第四电阻R₄之间满足如下情形：

其中，R₁'表示第一电阻的电阻值，R'₂表示第二电阻的电阻值，R'₃表示第三电阻的电阻值，R'₄表示第四电阻的电阻值。

在具体实施时，结合上述实施方式，当外电源提供供电电压时，第四电阻的分压值大于第二电阻的分压值时，使得该电路在供电电压大于高压阈值时，通过导通第一晶体管，使得所述电控模块关闭，以停止给受电设备供电，从而实现对受电设备的过压保护，提高过压保护电路的供电可靠性。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述第二电控子模块202包括第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇和第三晶体管Q₃，其中，第三晶体管Q₃可以是常用的三极管、MOS管，也可以是其他类型的开关器件，本申请实施例不作具体限定，图3所示的第三晶体管Q₃采用的是PNP型三极管，第三晶体管Q₃的第一极、第二极和第三极分别为基极、集电极和发射极；

所述第五电阻R₅的一端与第三晶体管Q₃第三极电性连接后作为所述第二电控第一端口，所述第五电阻R₅的另一端与所述第六电阻R₆的一端电性连接后与所述第七电阻R₇的一端连接，所述第六电阻R₆的另一端作为所述第二电控第二端口，所述第七电阻R₇的另一端与第三晶体管Q₃第一极电性连接，第三晶体管Q₃第二极作为所述第二电控第三端口。

在具体实施时，结合上述实施方式，当供电电压重新达到过压恢复电压值或欠压恢复电压值时，第二晶体管导通，基于第五电阻、第六电阻和第九电阻的作用，使得第三晶体管导通，以用于控制外电源VCC输入的供电电压向受电设备输出，实现供电电压的稳定输出。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述第三电控子模块203包括第八电阻R₈、第九电阻R₉、第十电阻R₁₀和第四晶体管Q₄，其中，第四晶体管Q₄可以是常用的三极管、MOS管，也可以是其他类型的开关器件，本申请实施例不作具体限定，图3所示的第四晶体管Q₄采用的是NPN型三极管，第四晶体管Q₄的第一极、第二极和第三极分别为基极、集电极和发射极；

所述第九电阻R₉的一端和第四晶体管Q₄第三极电性连接后作为所述第三电控第一端口，所述第九电阻R₉的另一端与所述第八电阻R₈的一端电性连接后与所述第十电阻R₁₀的一端连接，所述第八电阻R₈的另一端作为所述第三电控第二端口，所述第十电阻R₁₀的另一端与第四晶体管Q₄第一极电性连接，第四晶体管Q₄第二极作为所述第三电控第三端口。

在具体实施时，结合上述实施方式，当供电电压重新达到过压恢复电压值或欠压恢复电压值时，第二晶体管导通使得第三晶体管导通，基于第八电阻、第九电阻和第十电阻的作用，使得第四晶体管导通，以用于控制外电源VCC输入的供电电压向受电设备输出，实现供电电压的稳定输出。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述输出控制模块包括开关、线圈、二极管D₁，其中，开关和线圈在继电器J₁中；

所述开关的一端作为所述输出控制第二端口，所述开关的另一端作为所述输出控制第三端口，所述线圈的一端作为所述输出控制第一端口，所述线圈的另一端作为所述输出控制第四端口；

所述二极管D₁的阴极与所述线圈的一端电性连接，所述二极管D₁的阳极与所述线圈的另一端电性连接。

在具体实施时，结合上述实施方式，当供电电压处于过压或欠压状态时，第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均截止，使得继电器J₁线圈断电，开关断开，以停止给受电设备供电，当供电电压恢复到正常供电范围时，继电器J₁线圈通电，开关闭合，以给受电设备供电，并利用二极管的稳压作用，提高过压欠压保护电路的供电可靠性。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述电路还包括第十一电阻RF₁、第十二电阻RF₂；

所述第十一电阻RF₁的一端与第一晶体管Q₁第一极电性连接，所述第十一电阻RF₁的另一端与第二晶体管Q₂第二极电性连接；

所述第十二电阻RF₂的一端与第二晶体管Q₂第一极电性连接，所述第十二电阻RF₂的另一端与第三晶体管Q₃第二极电性连接。

在具体实施时，结合上述实施方式，当出现过压情况时，第二晶体管截止后集电极电位升高，经第十一电阻反馈到第一晶体管基极，第一晶体管基极电位上升，加深第一晶体管的导通程度，以防止供电电压波动重新给受电设备供电，当出现欠压情况时，第三晶体管截止后，第三晶体管集电极电位下降，经第十二电阻反馈到第二晶体管基极，第二晶体管基极电位下降，从而加速了第二晶体管进入截止状态，防止供电电压波动重新给受电设备供电，保证了受电设备的获取到的供电电压在正常的电压范围内，进而避免因供电电压过低或者过高导致的受电设备损坏，以保证受电设备正常工作，当外电源供电电压达到过压恢复值时，第一电阻和第二电阻的分压加上第十一电阻的反馈电压不足以使得第一晶体管导通时，第一晶体管截止，第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管重新导通，基于第二晶体管的导通，使得第二晶体管集电极电位降低，经第十一电阻反馈到第一晶体管基极，该基极电位下降，加速第一晶体管的进入截止状态，使得电压稳定输出，当外电源供电电压达到欠压恢复值时，通过第十二电阻反馈到第二晶体管基极，基极电位上升，加深第二晶体管的导通状态，使得输出电压稳定，上述电路通过第十一电阻和第十二电阻的作用，使得外电源的供电电压能够稳定输出，提高了过压欠压保护电路的可靠性。

参见图3所示，在一些实施方式中，所述电路还包括第一电容C₁、第二电容C₂；

所述第一电容C₁的一端与第一晶体管Q₁第三极电性连接，所述第一电容C₁的另一端与第一晶体管Q₁第一极电性连接；

所述第二电容C₂的一端与第二晶体管Q₂第三极电性连接，所述第二电容C₂的另一端与第二晶体管Q₂第一极电性连接。

在具体实施时，结合上述实施方式，通过第一电容和第二电容的设置，可以通过调节电容器的电容值，实现对电压波动的补偿，使电路中电压稳定，提高了整个电路的可靠性。

工作原理：通过外电源上电，当电路的供电电压上升到欠压恢复电压值时，第三电阻和第四电阻的分压达到第二晶体管的导通电压，第二晶体管导通，分别基于第五电阻、第六电阻和第七电阻以及第八电阻、第九电阻和第十电阻的作用，使第三晶体管和第四晶体管导通，继电器的线圈通电，开关闭合给受电设备供电，其中，第三电阻导通时，第八电阻和第九电阻上的分压上升，经过第十二电阻正反馈到第二晶体管基极，第二晶体管基极电位上升，加深第二晶体管导通状态，使输出电压稳定；当供电电压继续上升达到高压阈值时，第一电阻和第二电阻分压后达到第一晶体管的导通电压，第一晶体管导通使第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管截止，继电器的线圈断电，开关断开停止给受电设备供电，其中，第二晶体管截止后集电极电位升高，经第十一电阻反馈到第一晶体管基极，第一晶体管基极电位上升，加深第一晶体管导通程度，防止输入电压波动重新给后面设备供电；当供电电压从过压下降到设置的过压恢复电压值时，第一电阻和第二电阻的分压加上第十一电阻的反馈电压不足以使第一晶体管导通时，第一晶体管截止，第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管重新导通，继电器的线圈通电，开关闭合重新给受电设备供电，同时第二晶体管的导通，使第二晶体管集电极电位降低，经第十一电阻反馈到第一晶体管基极，基极电位下降，加速第一晶体管进入截止状态，使电压稳定输出；当供电电压继续下降到设置的欠压保护电压值时，第三电阻和第四电阻的分压加上第十二电阻的反馈电压不足以使第二晶体管导通时，第二晶体管截止，第三晶体管和第四晶体管也截止，继电器的线圈断电，开关断开停止给受电设备供电，同时，第三晶体管截止后，第三晶体管集电极电位降低，经第十二电阻反馈到第三晶体管基极，第三晶体管基极电位下降，加速第二晶体管进入截止状态，防止输入电压波动重新给受电设备供电，基于上述构建的过压欠压保护电路，无需额外的比较器芯片和供电电路，电路简单，成本低，高压阈值或低压阈值可设置成几伏到上百伏，过压欠压保护电压范围广，且可设置过压或欠压后的恢复电压，避免频繁给受电设备通断电，从而保证受电设备获取到的供电电压在正常的电压范围内，进而避免因供电电压过低或者过高导致的受电设备损坏，以保证受电设备正常工作，可靠性高。

实施例2：与上述实施例一相对应的，本申请实施例还提供了一种电子设备，该电子设备安装有上述实施例一中的过压欠压保护电路，该电子设备包括但不限于T-BOX、船用卫星通信服务器、开关电源前端设备。其中，本实施例中，与实施例一相同或相应的内容，请参考上文介绍，后续不再赘述。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其它等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种过压欠压保护电路，其特征在于，包括：过压保护模块、电控模块、输出控制模块；

所述过压保护模块的过压保护第一端口与所述电控模块的电控第一端口电性连接，用于连接外电源输出端，所述过压保护模块的过压保护第二端口与所述电控模块的电控第二端口电性连接后接地，所述过压保护模块的过压保护第三端口与所述电控模块的电控第三端口电性连接；

所述输出控制模块的输出控制第一端口和输出控制第二端口电性连接后与所述电控第一端口电性连接，所述输出控制模块的输出控制第四端口与所述电控模块的电控第四端口电性连接，所述输出控制模块的输出控制第三端口作为后级电路输入端。

2.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述电控模块包括第一电控子模块、第二电控子模块和第三电控子模块；

所述第一电控子模块的第一电控第一端口与所述第二电控子模块的第二电控第一端口电性连接后作为所述电控第一端口，所述第一电控子模块的第一电控第二端口与所述第三电控子模块的第三电控第一端口电性连接后作为所述电控第二端口，所述第一电控子模块的第一电控第四端口为所述电控第三端口，所述第三电控子模块的第三电控第三端口为所述电控第四端口；

所述第二电控子模块的第二电控第二端口与第一电控第三端口电性连接，所述第二电控子模块的第二电控第三端口与所述第三电控子模块的第三电控第二端口电性连接。

3.根据权利要求2所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述过压保护模块包括第一电阻、第二电阻和第一晶体管；

所述第一电阻的一端作为所述过压保护第一端口，所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端电性连接后与第一晶体管第一极电性连接，所述第二电阻的另一端与第一晶体管第三极电性连接后作为所述过压保护第二端口，第一晶体管第二极作为所述过压保护第三端口。

4.根据权利要求3所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述第一电控子模块包括第三电阻、第四电阻和第二晶体管；

所述第三电阻的一端作为所述第一电控第一端口，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端电性连接后与第二晶体管第一极电性连接，所述第四电阻的另一端与第二晶体管第三极电性连接后作为所述第一电控第二端口，第二晶体管第二极作为所述第一电控第三端口。

5.根据权利要求4所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻及所述第四电阻之间满足如下情形：

其中，R₁'表示第一电阻的电阻值，R'₂表示第二电阻的电阻值，R'₃表示第三电阻的电阻值，R'₄表示第四电阻的电阻值。

6.根据权利要求4所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述第二电控子模块包括第五电阻、第六电阻、第七电阻和第三晶体管；

所述第五电阻的一端与第三晶体管第三极电性连接后作为所述第二电控第一端口，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端电性连接后与所述第七电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端作为所述第二电控第二端口，所述第七电阻的另一端与第三晶体管第一极电性连接，第三晶体管第二极作为所述第二电控第三端口。

7.根据权利要求4所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述第三电控子模块包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第四晶体管；

所述第九电阻的一端和第四晶体管第三极电性连接后作为所述第三电控第一端口，所述第九电阻的另一端与所述第八电阻的一端电性连接后与所述第十电阻的一端连接，所述第八电阻的另一端作为所述第三电控第二端口，所述第十电阻的另一端与第四晶体管第一极电性连接，第四晶体管第二极作为所述第三电控第三端口。

8.根据权利要求1所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述输出控制模块包括开关、线圈、二极管；

所述开关的一端作为所述输出控制第二端口，所述开关的另一端作为所述输出控制第三端口，所述线圈的一端作为所述输出控制第一端口，所述线圈的另一端作为所述输出控制第四端口；

所述二极管的阴极与所述线圈的一端电性连接，所述二极管的阳极与所述线圈的另一端电性连接。

9.根据权利要求6所述的过压欠压保护电路，其特征在于，所述电路还包括第十一电阻、第十二电阻；

所述第十一电阻的一端与第一晶体管第一极电性连接，所述第十一电阻的另一端与第二晶体管第二极电性连接；

所述第十二电阻的一端与第二晶体管第一极电性连接，所述第十二电阻的另一端与第三晶体管第二极电性连接。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的过压欠压保护电路。