CN219086802U - 一种dc-dc输入防反接电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种DC‑DC输入防反接电路，该电路中电阻R1的一端与电源正极端DC+、电容CD1的一端连接；二极管DZ1的负极与电容C1的一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、场效应晶体管Q1的栅极连接，电容C1的另一端与电阻R2的另一端、二极管DZ1的正极、场效应晶体管Q1的源极、电容CD1的另一端连接，场效应晶体管Q1的漏极与电源负极端DC‑连接。本实用新型在输入反接时场效应晶体管栅极处于低电位不导通，整个电源电路处于开路状态，防止误操作导致损坏设备。本实用新型结构简单，兼顾使用寿命、温升综合指标，提高了电路工作的安全性及可靠性，使用稳定性好。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及DC电源技术领域，尤其涉及一种DC-DC输入防反接电路。
背景技术
众所周知，DC电源模块的应用已非常广泛，在应用过程中经常遇到的一个问题是输入反接，工程技术人员在维护、调试、测试的过程中由于端子定义标识不清晰或操作不当，可能会误操作，将输入接反，输入接反会造成电源永久性损坏，为防止这种情况发生，在进行电源设计时目前会要求增加防反接电路，输入反接时电源不损坏，接正确后，电源正常工作。现有的防反接电路是在输入端串联一个二极管，当输入接反时二极管反向截止，保护设备不受损，但是，这种防反接电路只能适用于小电流电路，二极管在承受较大的反向电压时可能会被击穿，从而失去单向导通特性；而且当输入功率增大，输入电流也将增大，二极管功耗增大，发热量增加，不仅降低了应用电源产品的性能，而且导致整个产品温升增加，降低了产品使用寿命。
以上问题亟待解决。
实用新型内容
为解决相关技术问题，本实用新型提供一种DC-DC输入防反接电路，来解决以上背景技术部分提到的问题。
为实现上述目的，本实用新型实施例采用如下技术方案：
本实用新型实施例提供了一种DC-DC输入防反接电路，该电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2、二极管DZ1、电容CD1以及场效应晶体管Q1；所述电阻R1的一端与电源正极端DC+、电容CD1的一端连接；所述二极管DZ1的负极与电容C1的一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电容C1的另一端与电阻R2的另一端、二极管DZ1的正极、场效应晶体管Q1的源极、电容CD1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与电源负极端DC-连接。
作为一种可选的实施方式，所述电源正极端DC+与电源输入端Vin+连接，所述场效应晶体管Q1的源极接地GND。
作为一种可选的实施方式，所述场效应晶体管Q1采用但不限于MOS管。
作为一种可选的实施方式，所述二极管DZ1采用稳压二极管；所述电容CD1采用电解电容。
本实用新型实施例的技术方案采用电阻R1、电容C1、电阻R2、二极管DZ1、电容CD1以及场效应晶体管Q1构成的防反接电路，在输入反接时场效应晶体管Q1的漏极与源极不通，栅极处于低电位，达不到场效应晶体管Q1的开启电压而截止，整个电源电路处于开路状态，防止误操作导致损坏设备，有效保护电路及应用电源设备的安全，而且场效应晶体管的通电阻小，通常只有几个毫欧姆，大幅降低了电路损耗，解决了压降和功耗过大发热的问题。本实用新型结构简单，兼顾了使用寿命、温升综合指标，提高了电路工作的安全性及可靠性，使用稳定性好。
附图说明
为了更清楚地说明及理解本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型背景技术、实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本实用新型实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的DC-DC输入防反接电路结构图。
具体实施方式
为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参照图1所示，图1为本实用新型实施例提供的DC-DC输入防反接电路结构图。
本实施例中DC-DC输入防反接电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2、二极管DZ1、电容CD1以及场效应晶体管Q1；所述电阻R1的一端与电源正极端DC+、电容CD1的一端连接；所述二极管DZ1的负极与电容C1的一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电容C1的另一端与电阻R2的另一端、二极管DZ1的正极、场效应晶体管Q1的源极、电容CD1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与电源负极端DC-连接。
示例性的，在本实施例中所述电源正极端DC+与电源输入端Vin+连接，所述场效应晶体管Q1的源极接地GND。示例性的，在本实施例中所述场效应晶体管Q1采用但不限于MOS管。示例性的，在本实施例中所述二极管DZ1采用稳压二极管；所述电容CD1采用电解电容。
具体的，在工作时，由于电路中MOS管的漏极接电源负极端DC-，MOS管的源极接负载负极(接地GND)，在正常输入端正接时，因为MOS管上存在体二极管，所以上电初始阶段源极被拉低，电阻R1和电阻R2分压，其中电阻R2上分得的电压为MOS管提供偏置使漏源极导通；二极管DZ1为稳压二极管，为电阻R2上的电压钳位在MOS管导通所需电压。在电路中电容C1与电阻R2并联连接，从而减小了电阻R2上的电压波动。一旦MOS管导通，输入持续稳定给电解电容CD1充电。当输入直流电压正、负极反接时，MOS管的漏源极不通，MOS管的栅极电位较低，达不到MOS管的开启电压而截止，整个电路处于开路状态，无法构成回路，实现防反接保护，从而可以防止反接误操作导致损坏设备，有效保护了电路及设备安全。此外，MOS管的导通电阻小，通常只有几个毫欧姆，从而可以大幅降低电路的损耗，解决压降和功耗过大问题，使得本实用新型能够兼顾使用寿命、温升综合指标，提高了电路的工作的安全性及可靠性。本实用新型实施例提供的DC-DC输入防反接电路结构简单，成本低，使用稳定性好，适宜推广应用。
注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (4)
1.一种DC-DC输入防反接电路，其特征在于，该电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2、二极管DZ1、电容CD1以及场效应晶体管Q1；所述电阻R1的一端与电源正极端DC+、电容CD1的一端连接；所述二极管DZ1的负极与电容C1的一端、电阻R1的另一端、电阻R2的一端、场效应晶体管Q1的栅极连接，所述电容C1的另一端与电阻R2的另一端、二极管DZ1的正极、场效应晶体管Q1的源极、电容CD1的另一端连接，所述场效应晶体管Q1的漏极与电源负极端DC-连接。
2.根据权利要求1所述的DC-DC输入防反接电路，其特征在于，所述电源正极端DC+与电源输入端Vin+连接，所述场效应晶体管Q1的源极接地GND。
3.根据权利要求2所述的DC-DC输入防反接电路，其特征在于，所述场效应晶体管Q1采用但不限于MOS管。
4.根据权利要求1至3之一所述的DC-DC输入防反接电路，其特征在于，所述二极管DZ1采用稳压二极管；所述电容CD1采用电解电容。
Priority Applications (1)
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| CN202223581290.2U CN219086802U (zh) | 2022-12-31 | 2022-12-31 | 一种dc-dc输入防反接电路 |
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Publications (1)
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| CN219086802U true CN219086802U (zh) | 2023-05-26 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN219086802U (zh) |
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2022
- 2022-12-31 CN CN202223581290.2U patent/CN219086802U/zh active Active
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