CN212366814U

CN212366814U - 一种输入欠压与过压保护电路

Info

Publication number: CN212366814U
Application number: CN202020762354.0U
Authority: CN
Inventors: 赵志华; 施培源
Original assignee: Shenzhen Zhongfu Photoelectric Technology Co ltd
Current assignee: Shenzhen Zhongfu Photoelectric Technology Co ltd
Priority date: 2020-05-11
Filing date: 2020-05-11
Publication date: 2021-01-15
Anticipated expiration: 2030-05-11

Abstract

本实用新型公开了一种输入欠压与过压保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3，MOSFET Q1、Q2、Q3，稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3；所述MOSFET Q1分别连接电阻R1、R2、R4、R7，电容C1，MOSFET Q2，稳压二极管ZD1；所述MOSFET Q2分别连接电阻R3、R4，电容C2，MOSFET Q1，MOSFET Q3，稳压二极管ZD2；所述MOSFET Q3分别连接电阻R3、R4、R5、R6，电容C2、C3，MOSFET Q2，稳压二极管ZD2、ZD3。本实用新型的电路可以做到在输入电压超出电源的输入电压适用范围之内时启动工作，让电源处于待机状态或低功率工作的状态。

Description

一种输入欠压与过压保护电路

技术领域

本实用新型涉及电源电路，具体涉及一种输入欠压与过压保护电路。

背景技术

目前,电源长期工作在超出标称范围内输入电压时，会对电源使用寿命产生影响，在严重的情况下会导致电源因过流或过压烧毁功率开关MOSFET，使得电源失效。因此，电源对输入欠压与过压保护功能就有了需求。

发明内容

本实用新型针对上述问题，提供一种输入欠压与过压保护电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3，MOSFET Q1、Q2、 Q3，稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3；

所述MOSFET Q1分别连接电阻R1、R2、R4、R7，电容C1，MOSFET Q2，稳压二极管ZD1；

所述MOSFET Q2分别连接电阻R3、R4，电容C2，MOSFET Q1，MOSFET Q3，稳压二极管ZD2；

所述MOSFET Q3分别连接电阻R3、R4、R5、R6，电容C2、C3，MOSFET Q2，稳压二极管ZD2、ZD3；

所述稳压二极管ZD1、电容C1、电阻R2并联后，跨接于MOSFET Q1的源极和栅极之间；电阻R1一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD1的负极，稳压二极管ZD1的正极连接流电源负极DC-；

所述稳压二极管ZD2、电容C2、电阻R4并联后，跨接于MOSFET Q2的源极和栅极之间；电阻R3一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD2的负极，稳压二极管ZD2的正极连接流电源负极DC-；

所述稳压二极管ZD3、电容C3、电阻R6并联后，跨接于MOSFET Q3的源极和栅极之间；电阻R5一端连接直流电源正极DC+，另一端连接稳压二极管ZD3的负极，稳压二极管ZD3的正极连接流电源负极DC-；

所述电阻R7一端分别连接MOSFET Q1的漏极、MOSFET Q2的漏极、MOSFET Q3的漏极，另一端连接VCC/芯片使能端。

进一步地，所述电阻R1阻值为33千欧，R2阻值为2千欧,R3阻值为 22千欧,R4阻值为14千欧,R5阻值为30千欧,R6的阻值为6.2千欧,R7的阻值为1千欧。

更进一步地，所述电容C1、C2、C3均为16V 2.2uF的电容。

更进一步地，所述MOSFET Q1、Q2、Q3均为2A 60V NPN型。

更进一步地，所述稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3均为10V的稳压二极管。

本实用新型的优点：

本实用新型的电路可以做到在输入电压超出电源的输入电压适用范围之内时启动工作，让电源处于待机状态或低功率工作的状态。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。

图1是本实用新型实施例的输入欠压与过压保护电路原理图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参考图1，如图1所示，一种输入欠压与过压保护电路，包括电阻R1、 R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3，MOSFET Q1、Q2、Q3，稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3；

所述MOSFET Q3分别连接电阻R3、R4、R5、R6，电容C2、C3，MOSFET Q2，稳压二极管ZD2、ZD3。

以输入电压10VDC-32VDC为例，所述电阻R1阻值为33千欧，R2阻值为2千欧,R3阻值为22千欧,R4阻值为14千欧,R5阻值为30千欧,R6的阻值为6.2千欧,R7的阻值为1千欧。

所述电容C1、C2、C3均为16V 2.2uF的电容。

所述MOSFET Q1、Q2、Q3均为2A 60V NPN型。

所述稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3均为10V的稳压二极管。

本实用新型电路的工作原理：

利用电阻分压原理给MOSFET Q1、Q2、Q3供电驱动，利用MOSFET的是电压驱动的特性，MOSFET在25℃的环境下，栅极相对源极的加载电压≥2V 时MOSFET开始导通，当MOSFET导通后通过拉低电源的使能端的电压让电源处于待机状态或低功率工作的状态。MOSFETQ1与外围器件R1、R2、R7、 C1、ZD1组成输入过压保护电路，电阻R1、R2是利用电阻原理给MOSFET Q1 提供驱动电压，电阻R7是拉低电源使能端时的限流电阻，电容C1起滤波作用，稳压二极管ZD1防止输入电压过高时，栅极的驱动电压过高而烧毁 MOSFET Q1；MOSFET Q2、MOSFET Q3与外围器件R3、R4、R5、R6、R7、C2、 C3、ZD1、ZD2组成输入欠压保护电路，电阻R3、R4、R5、R6的功能与电阻 R1、R2相同，电容C2、C3的功能与电容C1也相同，稳压二极管ZD2、ZD3 的功能与ZD1同样相同，电源在适用输入电压范围内工作时MOSFET Q3工作在导通状态，当电源的输入电压低于适用输入电压范围时MOSFET Q3工作在闭合状态，导致MOSFETQ2栅极电压恢复正常，从而通过电阻R7拉低电源使能端电压。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims

1.一种输入欠压与过压保护电路，其特征在于，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，电容C1、C2、C3，MOSFET Q1、Q2、Q3，稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3；

2.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述电阻R1阻值为33千欧，R2阻值为2千欧,R3阻值为22千欧,R4阻值为14千欧,R5阻值为30千欧,R6的阻值为6.2千欧,R7的阻值为1千欧。

3.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述电容C1、C2、C3均为16V 2.2uF的电容。

4.根据权利要求1所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述MOSFET Q1、Q2、Q3均为2A 60V NPN型。

5.根据权利要求1至4任一所述的输入欠压与过压保护电路，其特征在于，所述稳压二极管ZD1、ZD2、ZD3均为10V的稳压二极管。