CN111312735B - 包括噪声阻挡结构的图像感测装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。该图像感测装置包括：半导体基板，其被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到逻辑电路以减少逻辑电路所产生的噪声的噪声阻挡结构。噪声阻挡结构形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于第一方向的第二方向穿过半导体基板。

Description

包括噪声阻挡结构的图像感测装置
技术领域
本专利文档中公开的技术和实现涉及图像感测装置。
背景技术
图像感测装置是用于使用对光起反应的半导体特性来捕获至少一个图像的装置。近来，随着计算机产业和通信产业的越来越多的发展，在例如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、监控相机、医用微型相机、机器人等的各种领域中对高质量和高性能图像传感器的需求正在迅速增长。
图像感测装置大致可以分类为基于CCD(电荷耦合器件)的图像感测装置和基于CMOS(互补金属氧化物半导体)的图像感测装置。近来，由于模拟控制电路和数字控制电路可以直接实现为单个集成电路(IC)，因此基于CMOS的图像感测装置已迅速得到广泛使用。
发明内容
所公开的技术的各种实施方式涉及一种包括噪声阻挡结构的图像感测装置。所公开的技术的一些实现涉及一种图像感测装置，其能够高效地防止从嵌入其内的逻辑电路块产生的噪声泄漏到逻辑电路块外部并防止对图像感测装置的其它块造成不期望的影响。
根据所公开的技术的实施方式，图像感测装置可以包括：半导体基板，其被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到逻辑电路以减少由逻辑电路产生的噪声的噪声阻挡结构。噪声阻挡结构可以形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于第一方向的第二方向穿过半导体基板。
根据所公开的技术的另一实施方式，图像感测装置可以包括：半导体基板，其被配置为包括在检测到入射光时产生信号的图像像素和处理由图像像素产生的信号的逻辑电路区域；以及噪声阻挡结构，其设置在半导体基板上。噪声阻挡结构可以包括：第一阻挡结构，其包括通过开口彼此分隔开并且部分地围绕逻辑电路区域的第一噪声阻挡部分，每个第一噪声阻挡部分以直线延伸；以及第二阻挡结构，其设置在开口周围，以防止噪声从第一阻挡结构泄漏出来并包括以直线延伸的第二噪声阻挡部分。
根据所公开的技术的另一实施方式，图像感测装置可以包括：像素区域，其设置有在检测到入射光时产生信号的多个图像像素；以及逻辑区域，其位于像素区域的外部。逻辑区域可以包括：逻辑电路块，其被配置为处理由图像像素产生的信号；第一噪声阻挡结构，其设置在逻辑电路的外部，并且不连续地围绕逻辑电路；以及第二噪声阻挡结构，其设置在第一噪声阻挡结构的外部，并包括以迷宫状布局构造的多个离散部分。
应理解，所公开的技术的前述概括描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
当结合附图考虑时，参照以下详细描述，本公开的上述特征以及有益方面和其它特征以及有益方面将变得显而易见。
图1是例示了基于所公开的技术的一些实施方式的图像感测装置的示例的平面图的示例。
图2是例示了沿图1中所示的线X-X'截取的图像感测装置的示例的截面图。
图3是例示了基于所公开的技术的一些实现的噪声阻挡结构的示例的平面图。
图4的(a)和图4的(b)示出了基于所公开的技术的一些实现的图像感测装置的噪声阻挡膜中发生的缺陷的示例。
图5至图10是例示了基于所公开的技术的一些实现的用于形成图1和图2中所示的噪声阻挡结构的方法的示例的截面图。
图11是例示了基于所公开的技术的一些实现的噪声阻挡结构的示例的平面图。
具体实施方式
现在将参照某些实施方式详细进行说明，其示例在附图中例示出。尽可能在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。在以下描述中，将省略对本文包含的相关已知配置或功能的详细描述，以避免模糊本主题。
图像感测装置可以包括：像素阵列、用于驱动像素阵列和读出像素阵列的信号的模拟块、以及用于处理从模拟块读出的信号的数字块。作为提升图像质量的一种方法，可以考虑将包括像素阵列的模拟块设计为受外部噪声影响较小。例如，高清晰度图像感测装置需要高速操作，这会引起噪声。如果将由高速操作引起的噪声施加到模拟块，则会对图像质量产生负面影响。
所公开的技术能够被实现为提供包括噪声阻挡结构的图像感测装置，该噪声阻挡结构能够防止在逻辑电路块中产生的噪声对图像感测装置的其它部件产生负面影响。
图1是例示了根据所公开的技术的实施方式的图像感测装置1的平面图的示例。图2是例示了沿图1中所示的线X-X'截取的图像感测装置的截面图。
参照图1和图2，图像感测装置1可以包括像素区域100、逻辑区域200和焊盘区域300。
像素区域100可以包括多个图像像素(PX)，每个图像像素检测入射光并输出与检测到的光对应的电信号。图像像素(PX)可以选择性地检测红光(R)、绿光(G)或蓝光(B)，并且可以以拜耳图案排列。
用于限定单位像素(PX)的有源区域的至少一个器件隔离膜112可以形成在像素阵列100的半导体基板110中。由器件隔离膜112限定的有源区域可以包括形成有光电转换元件(例如，光电二极管)114的第一有源区域和形成有用于读出光电转换信号的晶体管的第二有源区域。
读出光电转换信号以及控制单位像素的多个感测元件(像素晶体管)、多个层间绝缘膜124、和形成在层间绝缘膜124中的多条金属线126可以形成在像素区域100中的半导体基板110的前侧。在像素区域100中的半导体基板110的后侧，可以形成多个滤色器132、多个微透镜134和栅格结构136。多个滤色器132可以执行对可见光的过滤，使得仅可见光当中的特定颜色光R、G或B能够穿过滤色器层132的滤色器。微透镜134可以聚焦从外部接收的入射光并且可以将经聚焦的入射光透射到滤色器层132。栅格结构136可以设置在滤色器132之间，以防止在相邻单位像素之间出现串扰。
逻辑区域200可以位于像素区域100的外壁，并且可以包括多个逻辑电路块210，用于处理从像素区域100读出的信号的逻辑电路以块为单位形成在逻辑电路块210中。逻辑电路块210可以形成在半导体基板110的前侧，而滤色器132和微透镜134可以形成在半导体基板100的后侧。尽管图1的逻辑区域200为了便于描述而包括一个逻辑电路块210，但是逻辑区域中包括的逻辑电路块的数量不限于一个，并且其它实现也是可以的。
在半导体基板110的逻辑区域200中，可以形成噪声阻挡结构220以防止从逻辑电路块210产生的噪声进入像素区域100。在一些实现中，噪声阻挡结构220可以形成为围绕相应的逻辑电路块210。噪声阻挡结构220可以包括第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b，以穿过逻辑区域200的半导体基板110。在一些实现中，第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b具有挡板结构。噪声阻挡结构220被构造为阻挡与逻辑电路块210中的不期望噪声相关联的电荷载流子进入装置的其它部件以对装置的信号处理性能产生负面影响。
第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b中的每一个可以包括金属膜222和气隙224。尽管它被描述为金属膜222，但是它不只限于膜，并且能够使用包含金属的任何其它结构。在这种情况下，金属膜222可以由材料(例如，钨)形成或包括材料(例如，钨)。在一些实现中，金属膜222的材料不仅可以与屏蔽逻辑区域200的屏蔽金属膜230的材料相同，而且可以与像素区域100的栅格结构136的材料相同。在一些实现中，屏蔽金属膜230是指在逻辑区域200处形成的结构。例如，当形成用于屏蔽逻辑区域200的金属膜时，相应金属材料可进入穿入区域，导致形成金属膜222。
在一些实现中，在水平平面中，第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b中的每一个可形成为以直线延伸。因此，在第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b中的每一个中不存在弯曲部分(边缘)，如图1所示。在图1的示例中，第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b可以具有彼此隔开的多个部分。第一阻挡结构220a的多个部分中的一些部分在水平平面中沿第一方向延伸，并且第一阻挡结构220a的多个部分中的一些其它部分沿垂直于第一方向的第二方向延伸。在一些实现中，在垂直于水平平面的垂直平面中，第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b可以穿过半导体基板，如图2中所示。在一些实现中，第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b可以包括多个挡板状或板状噪声阻挡膜。
假设在水平平面中连续形成噪声阻挡膜以围绕整个逻辑电路块210的情况，则噪声阻挡膜具有特定部分，其中噪声阻挡膜在噪声阻挡膜的该特定部分(例如，角部)周围弯曲。例如，由于噪声阻挡结构形成为围绕逻辑电路，噪声阻挡结构具有沿不同方向延伸的部分，并且因此存在噪声阻挡膜的延伸方向改变的特定部分。这种部分(例如，角部)的存在使得在这样的部分处或周围难以蚀刻半导体基板110和/或在半导体基板110中形成通孔。因此，当通过在半导体基板110中蚀刻或形成通孔来形成噪声阻挡结构时，如果噪声阻挡结构具有弯曲部分，则噪声阻挡结构可能不会按照设计形成，并且噪声阻挡结构可能无法按预期操作。为了防止这种不期望的情况，所公开的技术提供了包括多个噪声阻挡部分(例如，膜)的噪声阻挡结构220，每个部分形成为线性形状，其中在水平平面中不存在弯曲部分。
噪声阻挡结构200可以包括在水平平面中以线形状形成的噪声阻挡部分(例如，膜，以下为了便于描述而称为线形噪声阻挡膜，但是除了膜之外的其它结构可以用于噪声阻挡结构200)。例如，噪声阻挡结构220可以包括设置有多个线形噪声阻挡膜的第一阻挡结构220a和设置有多个线形噪声阻挡膜的第二阻挡结构220b。在一些实现中，第一阻挡结构220a可以布置为围绕逻辑电路块210。第一阻挡结构220a的线形噪声阻挡膜可以具有围绕逻辑电路块210的带状。第一阻挡结构220a可以包括设置在相邻两个线形噪声阻挡膜之间的开口，在该开口中不存在噪声阻挡膜。在图1的示例中，线形噪声阻挡膜未设置在线形噪声阻挡膜之间的开口处，并且线形噪声阻挡膜之间的开口敞开而不存在线形噪声阻挡膜。第二阻挡结构220b的线形噪声阻挡膜可以在第一阻挡结构220a的开口部分周围以迷宫状布局设置。在一些实现中，噪声阻挡膜在开口部分中以迷宫方式布置为多层。随后将在本专利文档中更详细地描述噪声阻挡结构220。
焊盘区域300可以包括多个焊盘310，图像感测装置通过多个焊盘310联接到外部装置。焊盘310可以通过穿过半导体基板110的通孔320联接到在半导体基板110的前侧上形成的金属线。
图3是例示了基于所公开的技术的一些实现的噪声阻挡结构的平面图的示例。
参照图3，噪声阻挡结构220可以包括第一阻挡结构220a(包括第一噪声阻挡膜220a1至220a4)和第二阻挡结构220b(包括第二噪声阻挡膜220b1至220b4)。第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b不限于具有膜结构，其它结构可以用于提供第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b。
第一阻挡结构220a可以包括多个线形噪声阻挡膜220a1至220a4。第一阻挡结构220a可以以线形噪声阻挡膜220a1至220a4彼此间隔开预定距离的方式形成，并围绕逻辑电路块210(即，半导体基板110中包括逻辑电路的区域)。例如，第一阻挡结构220a可以包括布置在除了线形噪声阻挡膜220a1至220a4之间的特定部分之外的半导体基板110中的多个线形噪声阻挡膜220a1至220a4。当第一阻挡结构220a具有围绕逻辑电路块210的带状时，相邻两个线形噪声阻挡膜220a1至220a4之间的特定部分是敞开的而不包括第一阻挡结构220a，从而在第一阻挡结构220a中提供开口。在一些实现中，噪声阻挡膜220a1至220a4可以沿不同的方向(例如，X轴和Y轴方向)布置，并且噪声阻挡膜220a1至220a4可以彼此间隔开预定距离而彼此不接触。
如上所述，第一阻挡结构220a可以形成为包括彼此间隔开预定距离而不是形成为连续延伸结构的多个线形噪声阻挡膜220a1至220a4。因此，除了多个线形噪声阻挡膜220a1至220a4中的相邻两个之间的开口之外，第一阻挡结构220a可以不连续地围绕逻辑电路块210。通过将第一阻挡结构220a配置为具有多个部分并将第一阻挡结构220a的多个部分设置在除了多个部分之间的开口之外的半导体基板110处，第一阻挡结构220a不具有任何弯曲部分。噪声阻挡膜220a1至220a4可以形成为沿Z轴方向穿过半导体基板110，如图2所示。因此，噪声阻挡膜220a1至220a4可以沿水平方向(包括例如X轴和Y轴方向)形成为线形，使得噪声阻挡膜220a1至220a4中的每一个在水平方向上不具有任何弯曲部分。在一些实现中，噪声阻挡膜220a1至220a4可以沿垂直方向穿过半导体基板110，并且可以沿垂直方向(例如，Z轴方向)上形成为挡板形状。
图4的(a)示出了噪声阻挡结构形成为完全连接的单个噪声阻挡单元(例如，膜)以连续地围绕整个逻辑电路块210的情况。在这种情况下，如图4的(a)所示，完全连接的单个单元在该单元的特定部分处具有弯曲部分。如上所述，噪声阻挡结构中弯曲部分的存在使得难以在噪声阻挡结构的这种弯曲部分处或其周围形成半导体基板中的通孔。因此，如果噪声阻挡膜形成为穿过半导体基板，则很有可能噪声阻挡膜在弯曲部分(例如，角部)中无法穿过半导体基板，如图4的(b)所示。在这种情况下，当在边缘部分中异常地形成噪声阻挡膜时，噪声可以通过边缘部分泄漏到外部。
因此，所公开的技术的一些实现建议噪声阻挡结构220的设计仅包括线形噪声阻挡膜而不包括任何弯曲部分。在一些实现中，第一阻挡结构220a可以以噪声阻挡膜220a1到220a4除了噪声阻挡膜220a1到220a4之间的特定部分之外围绕逻辑电路块210的方式形成。在一些实现中，第二阻挡结构220b可以形成于噪声阻挡膜220a1到220a4之间的特定部分中以围绕在噪声阻挡膜220a1到220a4之间形成的间隙。如果噪声阻挡结构220仅包括第一阻挡结构220a(例如，噪声阻挡膜220a1至220a4)而没有第二阻挡结构220b，则通过噪声阻挡膜220a1至220a4之间的特定部分会发生噪声的泄漏。通过在噪声阻挡膜220a1至220a4之间的特定部分中包括第二阻挡结构220b，可以防止噪声从逻辑电路块泄漏到图像感测装置的其它部件。
第二阻挡结构220b可以包括多个线形噪声阻挡膜220b1至220b4。以与噪声阻挡膜220a1至220a4中相同的方式，噪声阻挡膜220b1至220b4可以形成为以直线延伸，而没有任何弯曲部分。噪声阻挡膜220b1至220b4可以延伸以沿垂直方向穿过半导体基板110。在一些实现中，噪声阻挡膜220b1到220b4可具有挡板形状。
在平面图中，第二阻挡结构220b可以包括布置成多层的线形噪声阻挡膜220b1至220b4，以形成迷宫状布局。在一些实现中，噪声阻挡膜220b1至220b4以迷宫方式布置。因此，第二阻挡结构220b可以形成为围绕第一阻挡结构220a的开口，使得通过第一阻挡结构220a的开口逃逸到外部的噪声穿过第二阻挡结构220b而不是直接传递到图像感测装置的其它部件。通过将第二阻挡结构220b布置成多层和迷宫状布局，通过第一阻挡结构220a的开口逃逸的噪声随后与噪声阻挡膜220b1至220b4碰撞，以防止噪声从噪声阻挡结构220泄漏和/或将噪声返回到逻辑电路块210。只要第二阻挡结构220b覆盖第一阻挡结构220a的开口，线形噪声阻挡膜220b1至220b4的长度可以形成为短于线形噪声阻挡膜220a1至220a4的长度。
第一阻挡结构220a和第二阻挡结构220b可以形成在半导体基板110的P阱区(PWR)中，并且N阱区(NWR)可以形成在设置有第二阻挡结构220b的P阱区(PWR)的外壁中。因此，N阱区(NWR)可以形成为围绕设置有第二阻挡结构220b的P阱区(PWR)的外壁。通过以上提到的P阱区和N阱区的布置，具有正(+)极性的噪声(下文中称为正(+)噪声分量)可以在P阱区(PWR)中重新组合，使得正(+)噪声分量可以消失。尽管一些负(-)噪声分量不可避免地逃逸到第二阻挡结构220b的外部，但是逃逸的负(-)噪声分量可以在N阱区(NWR)中重新组合，使得最终的正(+)噪声分量可以消失。
尽管上述实施方式已经示例性地公开了第一阻挡结构220a具有带状并且带状第一阻挡结构220a的特定部分包括开口，但是其它实现也是可以的。例如，第一阻挡结构220a可以根据逻辑电路块的布局格式以各种方式布置。在一些实现中，第一阻挡结构220a可以具有多边形带状，并且多边形带状第一阻挡结构220a的特定部分包括开口。
图5至图10是例示了基于所公开的技术的一些实现的用于形成噪声阻挡结构的方法的截面图的示例。
参照图5，多个光电转换元件412可以形成在像素区域100的半导体基板410中。每个光电转换元件412可以包括包含N型杂质区域和P型杂质区域的光电二极管(PD)并且可以通过例如杂质离子注入而形成。
此后，在半导体基板410的前侧，可以在像素区域100中形成用于读出光电转换元件412获取的光电转换信号并且控制单位像素的多个像素晶体管414a，并且可以在逻辑区域200中形成逻辑电路的多个逻辑晶体管414b以处理从像素区域100读出的信号。
随后，可以在像素晶体管414a和逻辑晶体管414b上方形成层间绝缘膜416和金属线418。在这种情况下，可以在焊盘区域300中形成联接到焊盘的金属线418P，并且金属线418P可以形成在第一金属层(M1)中。
在限定器件隔离区域的掩模图案(未示出)形成在半导体基板410的背侧之后，可以使用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻半导体基板410，从而形成器件隔离沟槽(未示出)。随后，在包括器件隔离沟槽的半导体基板410的背侧形成抗反射膜420之后，可以将用于器件隔离的绝缘材料掩埋在器件隔离沟槽中，从而形成器件隔离膜422。
参照图6，可以蚀刻抗反射膜420和半导体基板410，从而形成通孔424和426。穿过半导体基板410的区域可以在逻辑区域200中用作噪声阻挡结构220的噪声阻挡膜的形成区域并且在焊盘区域300中用作焊盘的形成区域。
例如，形成为不仅限定了要用作图1中所示的焊盘310的形成区域的区域而且限定要用作图3中所示的线形噪声阻挡膜220a1至220a4和220b1至220b4的形成区域的区域的掩模图案(未示出)形成于半导体基板410的背侧之后，可以使用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻相应区域中所包含的抗反射膜410和半导体基板410，使得通孔424和426可以同时形成。因此，用于形成线形噪声阻挡膜220a1至220a4和220b1至220b4的通孔424可以与形成用于焊盘形成的通孔426同时形成。
参照图7，可以在图6的所得结构上方形成至少一个绝缘膜428。例如，绝缘膜428可以形成在通孔424和426的内表面处、层间绝缘膜416通过通孔424和426露出的顶表面处、抗反射膜420的顶表面处、以及器件隔离膜422的顶表面处。每个绝缘膜428可以包括氧化物膜428，并且可以用于平坦化像素区域100的上部。
随后，可以蚀刻通过通孔426露出的层间绝缘膜416，使得可以形成露出金属线418P的沟槽430。
参照图8，可以在图7的所得结构上方形成金属膜(例如，钨膜)432。例如，金属膜432不仅可以形成在氧化物膜428的顶表面处，而且可以形成在沟槽430的内表面(例如，侧表面和底表面)处。金属膜432可以包括钨(W)，并且可以连接到地。
尽管图8例示了金属膜432形成在通孔424的内表面(例如，侧表面和底表面)处，但是通孔424也可以形成为用金属膜432填充。另选地，如果通孔424形成为具有小的宽度，则金属膜432可以不进入通孔424，并且通孔424的上部可以被金属膜432覆盖(闭合)，使得在通孔424中可以仅形成气隙。
随后，在焊盘区域300的金属膜432上方形成用于焊盘形成的金属膜之后，可以将金属膜图案化以形成焊盘434。
参照图9，可以图案化像素区域100的金属膜432，使得可以形成用于防止单位像素之间发生串扰的栅格结构435。
金属膜432在逻辑区域200和焊盘区域300中可以不被图案化，并且可以覆盖整个区域200和300，使得金属膜432可以用作屏蔽膜以防止光入射在区域200和300上。
栅格结构436可以设置在单位像素的滤色器之间。
参照图10，滤色器层440不仅可以形成在像素区域100的氧化物膜428上方，而且可以形成在栅格结构436上方，并且可以在滤色器层440上方形成微透镜442。
在这种情况下，当其中形成有金属膜432的每个通孔424具有小的宽度并且在通孔424上方形成滤色器层440时，用于滤色器的抗蚀剂材料可以形成为覆盖(或者关闭)通孔424的上部，而不插入通孔424中，使得可以在通孔424中形成气隙。因此，尽管在图8的制造方法中通孔424的上部未被金属膜432覆盖，在形成滤色器层440的过程中，通孔424的上部可以被抗蚀剂材料覆盖，使得可以在通孔424中形成气隙。因此，每个噪声阻挡膜可以形成为金属膜和气隙的层叠结构。
图11是例示了基于所公开的技术的一些实现的噪声阻挡结构的平面图。
图11中所示的第二阻挡结构的布局结构可以不同于图3的第二阻挡结构220b。
仅出于示例目的公开了图3的第二阻挡结构和图11的第二阻挡结构，第二阻挡结构的噪声阻挡膜可以布置成各种形状，以防止噪声通过第一阻挡结构220a的开口部分泄漏到外部。
从以上描述显而易见的是，根据所公开的技术的实施方式的图像感测装置可以有效地防止从逻辑电路块产生的噪声泄漏到外部。因此，能够防止图像感测装置的模拟块受到所产生噪声的影响，并且能够提升图像感测装置的特性。
尽管已经描述了许多示例性实施方式，但是应该理解，本领域技术人员能够设计出并将作出许多其它变型和实施方式。
相关申请的交叉引用
该专利申请要求于2018年12月12日提交的韩国专利申请No.10-2018-0159793的优先权和权益，其全部内容通过引用结合于此。

Claims (21)

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，所述半导体基板被构造为支撑响应于所接收的入射光而产生信号的多个图像像素、被配置为处理从所述图像像素读出的信号的逻辑电路、以及联接到所述逻辑电路以减少所述逻辑电路所产生的噪声的噪声阻挡结构，
其中，所述噪声阻挡结构形成为沿第一方向以直线延伸而没有任何弯曲部分，并且沿垂直于所述第一方向的第二方向穿过所述半导体基板，
其中，所述噪声阻挡结构包括：
第一噪声阻挡部分，所述第一噪声阻挡部分彼此间隔开预定距离并被布置成围绕所述逻辑电路；以及
第二噪声阻挡部分，所述第二噪声阻挡部分设置在所述第一噪声阻挡部分的外部并且包括多个离散部分。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡部分被布置成包括开口的多边形带状，在所述开口中不存在所述第一噪声阻挡部分。
3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，所述第二噪声阻挡部分被布置在所述第一噪声阻挡部分的所述开口周围。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构包括金属膜和气隙。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区中。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
N阱区，所述N阱区形成为围绕所述P阱区的外壁。
7.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路形成在所述半导体基板的前侧，而滤色器和微透镜形成在所述半导体基板的后侧。
8.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，所述半导体基板被配置为包括在检测到入射光时产生信号的图像像素和处理由所述图像像素产生的信号的逻辑电路区域；以及
噪声阻挡结构，所述噪声阻挡结构在所述半导体基板上被设置在所述逻辑电路区域中并且包括：
第一阻挡结构，所述第一阻挡结构包括通过开口彼此分隔开并且部分地围绕所述逻辑电路区域的第一噪声阻挡部分，每个所述第一噪声阻挡部分以直线延伸；以及
第二阻挡结构，所述第二阻挡结构被设置在所述开口周围以防止噪声从所述第一阻挡结构泄漏出来，并包括以直线延伸的第二噪声阻挡部分。
9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构中的每一个沿垂直方向穿过所述半导体基板。
10.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡部分被布置成包括开口的多边形带状，在所述开口中不存在所述第一噪声阻挡部分。
11.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第二噪声阻挡部分彼此间隔开预定距离。
12.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡部分和所述第二噪声阻挡部分中的每一个包括金属膜和气隙。
13.根据权利要求12所述的图像感测装置，其中，所述金属膜包括与像素区域的栅格结构的材料或在所述逻辑电路区域上方形成的屏蔽膜的材料中的至少一种相同的材料。
14.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区中。
15.根据权利要求14所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
N阱区，所述N阱区形成为围绕所述P阱区的外壁。
16.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路区域形成在所述半导体基板的前侧，而滤色器和微透镜形成在所述半导体基板的后侧。
17.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
半导体基板，所述半导体基板被配置为包括像素区域和逻辑区域，所述像素区域设置有在检测到入射光时产生信号的多个图像像素，并且所述逻辑区域位于所述像素区域的外部，
所述逻辑区域包括：
逻辑电路，所述逻辑电路被配置为处理由所述图像像素产生的信号，
第一噪声阻挡结构，所述第一噪声阻挡结构被设置在所述逻辑电路的外部，并且不连续地围绕所述逻辑电路，以及
第二噪声阻挡结构，所述第二噪声阻挡结构被设置在所述第一噪声阻挡结构的外部，并包括以迷宫状布局构造的多个离散部分。
18.根据权利要求17所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡结构包括：
彼此分隔开的多个线形噪声阻挡膜。
19.根据权利要求18所述的图像感测装置，其中，所述多个线形噪声阻挡膜沿着所述逻辑电路的边界设置并与所述逻辑电路间隔开。
20.根据权利要求18所述的图像感测装置，其中，所述第二噪声阻挡结构的所述多个离散部分的长度短于所述多个线形噪声阻挡膜中的每一个的长度。
21.根据权利要求17所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路形成在所述半导体基板的前侧，而滤色器和微透镜形成在所述半导体基板的后侧。
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