CN111286694A - 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111286694A
CN111286694A CN202010114853.3A CN202010114853A CN111286694A CN 111286694 A CN111286694 A CN 111286694A CN 202010114853 A CN202010114853 A CN 202010114853A CN 111286694 A CN111286694 A CN 111286694A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
steepness
mask
deposition mask
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010114853.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111286694B (zh
Inventor
新纳干大
寺田玲尔
西辻清明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Publication of CN111286694A publication Critical patent/CN111286694A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111286694B publication Critical patent/CN111286694B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
    • B21B1/22—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling plates, strips, bands or sheets of indefinite length
    • B21B1/227—Surface roughening or texturing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明提供能够提高通过蒸镀所形成的图案的精度的蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。用于形成蒸镀掩模的金属板的宽度方向的各位置上的沿着金属板的长度方向的形状具有在金属板的长度方向上反复的波浪，连接波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，所述波浪高度相对于波浪长度的百分率为单位陡峭度，长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，金属板的宽度方向上的中央部RC的陡峭度的最大值为0.3％以下，金属板的宽度方向上的各端部RE的陡峭度的最大值为0.6％以下，金属板的宽度方向上的两端部RE中的至少一个端部的陡峭度的最大值比金属板的宽度方向的中央部RC的陡峭度的最大值小。

Description

蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制 造方法及显示装置的制造方法
本申请是申请日为2018年6月29日、发明名称为“蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法”的中国申请号为201810694337.5的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。
背景技术
蒸镀掩模具备第一表面和第二表面。第一表面与基板等对象物相向，第二表面位于与第一表面相反的一侧。从第一表面贯通至第二表面的孔具备位于第一表面的第一开口和位于第二表面的第二开口。从第二开口进入到孔中的蒸镀物质在对象物上形成追随于第一开口的位置或第一开口的形状的图案(例如参照专利文献1)。
现有专利文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-055007号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
蒸镀掩模所具备的孔具有从第一开口向第二开口扩大的截面积，由此提高从第二开口进入到孔中的蒸镀物质的数量，确保到达第一开口的蒸镀物质的数量。另一方面，从第二开口进入到孔中的蒸镀物质的一部分不会到达第一开口、而是很多地附着在对孔进行划分的壁面上。附着在壁面上的蒸镀物质会妨碍其它蒸镀物质通过孔、降低图案所具有的尺寸的精度。
近年来，以降低附着在壁面上的蒸镀物质的体积为目的，探讨了减薄蒸镀掩模的厚度、缩小壁面面积本身。进而，作为减薄蒸镀掩模的厚度的技术，探讨了减薄作为用于制造蒸镀掩模的基材的金属板的厚度本身。
另一方面，在金属板上形成孔的蚀刻工序中，金属板的厚度变得越薄、则所除去的金属的体积变得越小。因而，向金属板供给蚀刻液的时间或者所供给的蚀刻液的温度等加工条件的允许范围变窄，结果第一开口或第二开口的尺寸难以获得充分的精度。特别是，在制造金属板的技术中，使用利用轧辊对母料进行延展的轧制或者将析出至电极的金属板从电极上剥离的电解，在金属板本身上形成波浪形状。具有这种形状的金属板使金属板与蚀刻液接触的时间在例如波浪形状的山部与波浪形状的谷部之间产生很大不同，使伴随上述允许范围窄化的精度降低变得更为严重。如上所述，减薄蒸镀掩模厚度的技术使附着于壁面上的蒸镀物质的量降低，由此可提高反复蒸镀下的图案尺寸的精度，但是却带来每次蒸镀时难以获得图案尺寸所需的精度的新课题。
本发明的目的在于提供能够提高利用蒸镀形成的图案的精度的蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。
用于解决技术问题的手段
用于解决上述技术问题的蒸镀掩模用基材是通过蚀刻形成多个孔而用于制造蒸镀掩模的具有带状的金属板，其中，所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，所述金属板的宽度方向上的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
用于解决上述技术问题的蒸镀掩模用基材的制造方法是通过蚀刻形成多个孔而用于制造蒸镀掩模的、为具有带状的金属板的蒸镀掩模用基材的制造方法，该制造方法包含对母料进行轧制来获得所述金属板，所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，在获得所述金属板时，按照下述方式对所述母料进行轧制：所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
用于解决上述技术问题的蒸镀掩模的制造方法是包含在具有带状的金属板上形成抗蚀剂层、以及通过以所述抗蚀剂层为掩模的蚀刻而在所述金属板上形成多个孔、从而形成掩模部的蒸镀掩模的制造方法，其中，所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
根据上述蒸镀掩模用基材，由于至少一个端部的陡峭度的最大值比中央部的陡峭度的最大值小，因此中央部表面上的波浪的起伏比至少一个端部要剧烈。结果，易于使供至蒸镀掩模用基材表面的液体从中央部流向至少一个的端部、进而从至少一个的端部流向蒸镀掩模用基材的外侧。结果，供至蒸镀掩模用基材表面的液体的流动难以产生停滞，能够提高蚀刻中使用了利用液体的处理的加工均匀性、即提高蒸镀掩模用基材所具有的孔的均匀性，进而能够提高通过蒸镀所形成的图案的精度。
上述蒸镀掩模用基材中，可以是：一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值小、另一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值大，一个所述端部的陡峭度的最大值与另一个所述端部的陡峭度的最大值之差为0.2％以上且0.4％以下。根据该蒸镀掩模用基材，一个端部的表面上的波浪起伏比中央部的缓和、且另一个端部的表面上的波浪起伏虽然具有0.6％以下的陡峭度、但比中央部的剧烈。这种蒸镀掩模用基材易于使供至蒸镀掩模用基材表面的液体从另一个端部流向一个端部、进而从一个端部流向蒸镀掩模用基材的外侧。
上述蒸镀掩模用基材中，可以是：一个所述端部的陡峭度的最大值及另一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值小，所述两个端部的陡峭度的最大值及所述中央部的陡峭度的最大值为0.2％以下。根据该蒸镀掩模用基材，中央部的表面上的波浪起伏虽然具有0.3％以下的陡峭度，但由于比各端部剧烈，因而易于使供至蒸镀掩模用基材表面的液体从中央部流向各端部、进而从各端部流向蒸镀掩模用基材1的外侧。
上述蒸镀掩模的制造方法中，还可以：形成所述掩模部是在单一的所述金属板上形成多个所述掩模部，所述各掩模部分别具备具有所述多个孔的一个侧面，并且进一步包含将所述各掩模部的侧面与一个框部按照在各所述掩模部中、所述一个框部将所述多个孔包围的方式进行相互接合。根据该蒸镀掩模的制造方法，由于将各掩模部的侧面与一个框部接合，因此在具备多个掩模部的蒸镀掩模中，还能够提高各掩模部的形状稳定性。
用于解决上述技术问题的显示装置的制造方法包含利用上述蒸镀掩模的制造方法准备蒸镀掩模、和通过使用了所述蒸镀掩模的蒸镀来形成图案。
发明效果
根据上述各构成，可以提高通过蒸镀所形成的图案的精度。
附图说明
图1为表示蒸镀掩模用基材的立体图。
图2为表示测定用基材的俯视图。
图3为将用于说明陡峭度的曲线图与测定用基材的截面结构一起显示的图。
图4为用于说明陡峭度的曲线图。
图5为表示掩模装置的平面结构的俯视图。
图6为部分地表示掩模部截面结构之一例的截面图。
图7为部分地表示掩模部截面结构之另一例的截面图。
图8为部分地表示掩模部的边缘与框部的接合结构之一例的截面图。
图9为部分地表示掩模部的边缘与框部的接合结构之另一例的截面图。
图10(a)为表示蒸镀掩模的平面结构之一例的俯视图、(b)为表示蒸镀掩模的截面结构之一例的截面图。
图11(a)为表示蒸镀掩模的平面结构之另一例的俯视图、(b)为表示蒸镀掩模的截面结构之另一例的截面图。
图12为表示用于制造蒸镀掩模用基材的轧制工序的工序图。
图13为表示用于制造蒸镀掩模用基材的加热工序的工序图。
图14为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图15为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图16为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图17为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图18为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图19为表示用于制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图20(a)～(h)为说明蒸镀掩模的制造方法之一例的工序图。
图21(a)～(e)为说明蒸镀掩模的制造方法之一例的工序图。
图22(a)～(f)为说明蒸镀掩模的制造方法之一例的工序图。
图23为将各实施例中的测定用基材的平面结构与尺寸一起显示的俯视图。
图24为在宽度方向的各位置上表示实施例1的陡峭度的曲线图。
图25为在宽度方向的各位置上表示实施例2的陡峭度的曲线图。
图26为在宽度方向的各位置上表示实施例3的陡峭度的曲线图。
图27为在宽度方向的各位置上表示比较例1的陡峭度的曲线图。
图28为在宽度方向的各位置上表示比较例2的陡峭度的曲线图。
图29为在宽度方向的各位置上表示比较例3的陡峭度的曲线图。
具体实施方式
参照图1～图29，说明蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法的一个实施方式。
[蒸镀掩模用基材的构成]
如图1所示，蒸镀掩模用基材1是具有带状的金属板。蒸镀掩模用基材1在作为短方向的宽度方向DW的各位置上具有带有在长度方向DL上反复的波浪的波浪形状。蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的各位置具有相互间不同的波浪形状。相互间不同的波浪形状中，波浪形状所含的波浪的数量、波浪的长度、波浪的高度等相互间不同。此外，图1中为了说明蒸镀掩模用基材1所具有的形状，相比较于实际的情况夸张地显示波浪形状。蒸镀掩模用基材1所具有的厚度为15μm以上且50μm以下。蒸镀掩模用基材1所具有的厚度的均匀性是例如厚度最大值和最小值之差相对于厚度平均值的比例为5％以下。
构成蒸镀掩模用基材1的材料为镍或铁镍合金，例如优选以含有30质量％以上的镍的铁镍合金为主成分、尤其是以36质量％镍和64质量％铁的合金为主成分的、即因瓦合金。以36质量％镍和64质量％铁的合金为主成分时，剩余部分含有铬、锰、碳、钴等添加物。构成蒸镀掩模用基材1的材料为因瓦合金时，蒸镀掩模用基材1的热膨胀系数例如为1.2×10-6/℃左右。为具有这种热膨胀系数的蒸镀掩模用基材1时，由蒸镀掩模用基材1制造的掩模中因热膨胀所导致的尺寸变化与玻璃基板或聚酰亚胺片材中因热膨胀所导致的尺寸变化为相同的程度，因此作为蒸镀对象之一例，优选使用玻璃基板或聚酰亚胺片材。
[陡峭度]
在将蒸镀掩模用基材1放置于水平面的状态下，相对于水平面的蒸镀掩模用基材1表面的位置(高度)为表面位置。
如图2所示，表面位置的测量中，首先实施将蒸镀掩模用基材1在宽度方向DW的整体(全宽)上截断的切割工序，作为蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上的一部分，切出测定用基材2M。测定用基材2M的宽度方向DW上的尺寸W与蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的尺寸相等。接着，对于测定用基材2M的表面2S，在宽度方向DW的每隔规定间隔处测量长度方向DL的各位置上的表面位置。测量表面位置的范围为测量范围ZL。测量范围ZL是除去作为测定用基材2M的长度方向DL上的两个端部的非测量范围ZE以外的范围。截断蒸镀掩模用基材1的切割工序可以在测定基材上形成与蒸镀掩模用基材1不同的新的波浪形状。各非测量范围ZE在长度方向DL上的长度是可以形成这种新的波浪形状的范围，是从表面位置的测定中被除外的范围。各非测量范围ZE所具有的长度方向DL上的长度例如为100mm。
图3为表示测定用基材2M的长度方向DL的各位置上的表面位置之一例的曲线图，是将表面位置与包含测定用基材2M的长度方向DL的截面中的截面结构一起显示的图。此外，图3中显示宽度方向DW的各部位中、在长度方向DL上具有3个波浪的部位的例子。
如图3所示，测定表面位置的长度方向DL的各位置以能够照抄蒸镀掩模用基材1的波浪形状的间隔进行排列。测定表面位置的长度方向DL的各位置例如在长度方向DL上以1mm的间隔排列。连接长度方向DL上的各位置的表面位置的线LC被看作是沿着蒸镀掩模用基材1表面的线，线LC的长度为蒸镀掩模用基材1的表面上的沿面距离。线LC所含的各波浪中，连接波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度L1、L2、L3。线LC所含的各波浪中，相对于连接波浪的谷间的直线的高度为波浪的高度H1、H2、H3。蒸镀掩模用基材1的单位陡峭度是波长高度相对于波浪长度的百分率，图3所示的例子中，为高度H1/长度L1×100(％)、高度H2/长度L2×100(％)以及高度H3/长度L3×100(％)。蒸镀掩模用基材1的陡峭度是在宽度方向DW的各位置上长度方向DL所含的全部波浪的单位陡峭度的平均值。图3所示的例子中，蒸镀掩模用基材1的陡峭度为高度H1/长度L1×100(％)、高度H2/长度L2×100(％)及高度H3/长度L3×100(％)的平均值。
图4表示蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上各位置的陡峭度。图4上段所示的实线是宽度方向DW上的中央部RC的陡峭度比两端部RE的陡峭度大的一例，图4下段所示的实线是宽度方向DW的一个端部RE的陡峭度比中央部RC的陡峭度和另一个端部RE的陡峭度大的一例。
如图4所示，蒸镀掩模用基材1的陡峭度在宽度方向DW的中央部RC处具有最大值、在中央部RC与端部RE的边界附近具有最小值。进而，蒸镀掩模用基材1的陡峭度从中央部RC向宽度方向DW的两端部RE增大。宽度方向DW的中央部RC以蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的中心PC作为中央部RC的宽度方向DW上的中心。宽度方向DW的中央部RC所具有的宽度方向DW上的长度为蒸镀掩模用基材1所具有的宽度方向DW上的长度的40％。宽度方向DW的各端部RE所具有的宽度方向DW上的长度是蒸镀掩模用基材1所具有的宽度方向DW上的长度的30％。这种蒸镀掩模用基材1的陡峭度满足以下3个条件。
[条件1]宽度方向DW上的中央部RC的陡峭度的最大值为0.3％以下。
[条件2]宽度方向DW上的各端部RE的陡峭度的最大值为0.6％以下。
[条件3]宽度方向DW上的两端部RE中的至少一个端部的陡峭度的最大值比宽度方向DW的中央部RC的陡峭度的最大值小。
如图4上段的实线所示，满足条件3的例子中，各端部RE处的陡峭度的最大值比中央部RC处的陡峭度的最大值小。即，蒸镀掩模用基材1中，中央部RC的表面处的波浪起伏比各端部RE的剧烈。这种蒸镀掩模用基材1易于使供至蒸镀掩模用基材1表面的液体从中央部RC流向各端部RE、进而从各端部RE流向蒸镀掩模用基材1的外侧。
如图4下段的实线所示，满足条件3的另一例中，一个端部RE的陡峭度的最大值比中央部RC的陡峭度的最大值小、且另一个端部RE的陡峭度的最大值比中央部RC的陡峭度的最大值大。即，蒸镀掩模用基材1中，一个端部RE的表面上的波浪起伏比中央部RC的缓和、且另一个端部RE的表面上的波浪起伏比中央部RC的剧烈。这种蒸镀掩模用基材1易于使供至蒸镀掩模用基材1表面的液体从另一端部RE流向一个端部RE、进而从一个端部RE流向蒸镀掩模用基材1的外侧。
供至蒸镀掩模用基材1表面的液体例如是用于对位于蒸镀掩模用基材1表面的抗蚀剂层进行显影的显影液、用于将显影液从表面除去的洗涤液。另外，供至蒸镀掩模用基材1的表面的液体例如为用于对蒸镀掩模用基材1进行蚀刻的蚀刻液、用于将蚀刻液从表面除去的洗涤液。另外，供至蒸镀掩模用基材1表面的液体例如是用于对蚀刻后残留在蒸镀掩模用基材1表面上的抗蚀剂层进行剥离的剥离液、用于将剥离液从表面除去的洗涤液。
进而，只要是难以在供至蒸镀掩模用基材1的表面的液体的流动中产生滞留的上述各构成，则能够在蒸镀掩模用基材1的表面内提高使用液体进行的处理的加工均匀性。进而，若是按照中央部RC表面处的起伏不变得过于剧烈的方式，按照中央部RC满足条件1、且各端部RE表面处的起伏不变得过于剧烈的方式，各端部RE满足条件2的构成，则能够确保抗蚀剂层与蒸镀掩模用基材1的密合性、针对抗蚀剂层的曝光的精度。另外，若为满足条件1和条件2的构成，则还能够抑制利用卷对卷方式传送蒸镀掩模用基材1时的偏移，因而可以与难以在液体的流动中产生滞留相辅相成地进一步提高加工的均匀性。
此外，不满足条件3的例子中，各端部RE的陡峭度的最大值为中央部RC的陡峭度的最大值以上。即，两端部RE表面的波浪的起伏比中央部RC表面的波浪的起伏剧烈。这种蒸镀掩模用基材1中，使供至蒸镀掩模用基材1表面的液体易于从各端部RE流向蒸镀掩模用基材1的外侧，离另一方面还易于使其从各端部RE流向中央部RC。结果，中央部RC处易于产生液体滞留，成为在蒸镀掩模用基材1的表面内降低使用了利用液体的处理的加工均匀性的要因。如此，满足条件3的构成以及由此获得的效果是通过认识到因中央部RC的陡峭度与各端部RE的陡峭度差异所产生的使用了液体的表面加工的课题而首次被提出的。
[掩模装置的构成]
图5表示具备使用蒸镀掩模用基材1制造的蒸镀掩模的掩模装置的示意平面结构。图6表示蒸镀掩模具备的掩模部的截面结构之一例，图7表示蒸镀掩模具备的掩模部的截面结构的另一例。此外，掩模装置具备的蒸镀掩模的数量或蒸镀掩模30具备的掩模部的数量为一例。
如图5所示，掩模装置10具备主框20和3个蒸镀掩模30。主框20具有对多个蒸镀掩模30进行支撑的矩形框状，安装在用于进行蒸镀的蒸镀装置上。主框20遍及各蒸镀掩模30所在的大致整个范围地具有贯通主框20的主框孔21。
各蒸镀掩模30具备具有带板状的多个框部31、和各框部31中各有3个的掩模部32。框部31具有对掩模部32进行支撑的长条板状，安装在主框20上。框部31遍及掩模部32所在的大致整个范围地具有贯通框部31的框孔33。框部31具有比掩模部32更高的刚性、且具有包围框孔33的框状。各掩模部32在划分框孔33的框部31的框内边缘部上通过熔敷或粘接一个个地被固定。
如图6所示，掩模部32的一例由掩模板323构成。掩模板323可以是由蒸镀掩模用基材1形成的1张板构件，还可以是由蒸镀掩模用基材1所形成的1张板构件与树脂板的层叠体。此外，图6中，作为由蒸镀掩模用基材1所形成的1张板构件进行显示。
掩模板323具备第一表面321(图6的下表面)和作为与第一表面321成相反侧的面的第二表面322(图6的上表面)。第一表面321在掩模装置10安装在蒸镀装置上的状态下与玻璃基板等蒸镀对象相向。第二表面322与蒸镀装置的蒸镀源相向。掩模部32具有贯通掩模板323的多个孔32H。孔32H的壁面相对于掩模板323的厚度方向、在截面视图中具有倾斜度。孔32H的壁面形状在截面视图中如图6所示，可以是朝向孔32H外侧伸出的半圆弧状，还可以是具有多个拐点的复杂曲线状。
掩模板323的厚度为1μm以上且50μm以下，优选为2μm以上且20μm以下。掩模板323的厚度为50μm以下时，可以使形成于掩模板323的孔32H的深度为50μm以下。如此，若为较薄的掩模板323，则可以减小孔32H所具有的壁面的面积其本身，可以降低附着在孔32H的壁面上的蒸镀物质的体积。
第二表面322含有作为孔32H的开口的第二开口H2，第一表面321含有作为孔32H的开口的第一开口H1。第二开口H2在俯视下比第一开口H1大。各孔32H是由蒸镀源升华了的蒸镀物质通过的通路，由蒸镀源升华了的蒸镀物质从第二开口H2向第一开口H1行进。若是第二开口H2大于第一开口H1的孔32H，则可以增加从第二开口H2进入到孔32H中的蒸镀物质的量。此外，沿着第一表面321的截面处的孔32H的面积可以是从第一开口H1朝向第二开口H2、从第一开口H1一味地增大至第二开口H2，也可以在第一开口H1至第二开口H2的途中具备大致恒定的部位。
如图7所示，掩模部32的另一例具有贯通掩模板323的多个孔32H。第二开口H2在俯视下比第一开口H1大。孔32H由具有第二开口H2的大孔32LH和具有第一开口H1的小孔32SH构成。大孔32LH的截面积从第二开口H2朝向第一表面321一味地减少。小孔32SH的截面积从第一开口H1朝向第二表面322一味地减少。孔32H的壁面在截面视图中是大孔32LH与小孔32SH连接的部位，即在掩模板323厚度方向的中间具有朝向孔32H内侧突出的形状。在孔32H的壁面上突出的部位与第一表面321之间的距离为台阶高度SH。此外，图6中说明的截面结构的例子中，台阶高度SH为0。从易于确保到达第一开口H1的蒸镀物质的量的观点出发，优选台阶高度SH为0的构成。在获得台阶高度SH为0的掩模部32的构成中，以利用自蒸镀掩模用基材1单面的湿式蚀刻形成孔32H的程度，掩模板323的厚度较薄、例如为50μm以下。
[掩模部的接合结构]
图8表示掩模部32与框部31的接合结构所具有的截面结构之一例。图9表示掩模部32与框部31的接合结构所具有的截面结构的另一例。
如图8所示的例子所示，掩模板323的外缘部32E是没有孔32H的区域。掩模板323所具有的第二表面322中，掩模板323的外缘部32E所包含的部分是掩模部所具备的侧面之一例，接合在框部31上。框部31具备对框孔33进行划分的内缘部31E。内缘部31E具备与掩模板323相向的接合面311(图8的下表面)和作为与接合面311成相反侧的面的非接合面312(图8的上表面)。内缘部31E的厚度T31、即接合面311与非接合面312的距离相比较于掩模板323所具有的厚度T32足够厚，由此，框部31具有较掩模板323更高的刚性。特别是，框部31对于内缘部31E因自重而下垂或者内缘部31E朝向掩模部32发生位移是具有较高的刚性的。内缘部31E的接合面311具备与第二表面322相接合的接合部32BN。
接合部32BN遍及内缘部31E的大致一周、以连续或间歇的方式存在。接合部32BN可以是通过接合面311与第二表面322的熔敷所形成的熔敷痕，还可以是将接合面311与第二表面322接合的接合层。框部31在将内缘部31E的接合面311与掩模板323的第二表面322接合的同时，把将掩模板323朝其外侧牵引的应力F施加于掩模板323。
此外，框部31也以与掩模板323的应力F相同的程度被主框20施加将其朝其外侧牵引的应力。因此，从主框20取下的蒸镀掩模30中，因主框20与框部31的接合所产生的应力被解除，施加于掩模板323的应力F也被缓和。接合面311中的接合部32BN的位置优选是各向同性地使应力F作用于掩模板323的位置，可以根据掩模板323的形状以及框孔33的形状适当地选择。
接合面311是接合部32BN存在的平面，从第二表面322的外缘部32E向掩模板323的外侧扩展。换而言之，内缘部31E具备使第二表面322疑似地向其外侧扩张的面结构，从第二表面322的外缘部32E向掩模板323的外侧扩展。因此，在接合面311扩展的范围内，相当于掩模板323厚度的空间V易于形成在掩模板323的周围。结果是，在掩模板323的周围可以抑制蒸镀对象S与框部31发生物理干涉。
在图9所示的例子中，第二表面322的外缘部32E也具备未形成孔32H的区域。第二表面322的外缘部32E通过利用接合部32BN进行的接合、接合在框部31所具备的接合面311上。进而，框部31在把将掩模板323向其外侧牵引的应力F施加于掩模板323的同时，在接合面311扩展的范围内形成相当于掩模板323厚度的空间V。
此外，应力F未作用的状态下的掩模板323与蒸镀掩模用基材1同样，有时具有很多波浪形状。进而，上述应力F作用的状态下的掩模板323、即搭载于蒸镀掩模30上的掩模板323有时按照降低波浪高度的方式发生变形。若为满足上述条件2、3的蒸镀掩模用基材1时，即便是发生了因应力F导致的变形，也可将上述情况控制在所允许的程度，结果是还可以抑制蒸镀掩模30中的孔32H的变形、提高图案的位置或形状的精度。
[掩模部的数量]
图10为表示蒸镀掩模30所具备的孔32H的数量与掩模部32所具备的孔32H的数量的关系之一例。另外，图11为表示蒸镀掩模30所具备的孔32H的数量与掩模部32所具备的孔32H的数量的关系的另一例。
如图10(a)的例子所示，框部31具有3个框孔33(33A、33B、33C)。如图10(b)的例子所示，蒸镀掩模30在各框孔33中分别具备各1个的掩模部32(32A、32B、32C)。划分框孔33A的内缘部31E与一个掩模部32A相接合，划分框孔33B的内缘部31E与另一个掩模部32B相接合，划分框孔33C的内缘部31E与另一个掩模部32C相接合。
这里，蒸镀掩模30对多个蒸镀对象反复地被使用。因此，蒸镀掩模30所具备的各孔32H对于孔32H的位置或孔32H的结构等要求更高的精度。进而，当对孔32H的位置或孔32H的结构等无法获得所希望的精度时，无论是蒸镀掩模30的制造、还是蒸镀掩模30的维修，都优选适当地更换掩模部32。
在这种情况下，如图10所示的构成那样，当为用三个掩模部32分担一个框部31所需要的孔32H的数量的构成时，即便是一个掩模部32希望更换时，只要在三个掩模部32中仅更换一个掩模部32就足够了。即，三个掩模部32中可以继续利用两个掩模部32。因此，若为在各框孔33上接合有分别的掩模部32的构成时，则无论是蒸镀掩模30的制造、还是蒸镀掩模30的维修，都可以抑制它们所需要的各种材料的消耗量。掩模板323的厚度越薄、并且孔32H越小，则掩模部32的成品率越易降低、对掩模部32进行更换的需求越大。因此，各框孔33具备分别的掩模部32的上述构成在要求高分辨率的蒸镀掩模30中是特别优选的。
此外，关于孔32H的位置或孔32H的结构的检查优选在施加了应力F的状态下、即掩模部32接合在框部31上的状态下进行。从这种观点来说，上述接合部32BN优选按照能够更换掩模部32的方式、例如间歇地存在于内缘部31E的一部分上。
如图11(a)的例子所示，框部31具有3个框孔33。如图11(b)的例子所示，蒸镀掩模30还可以具备在各框孔33中通用的一个掩模部32。此时，划分框孔33A的内缘部31E、划分框孔33B的内缘部31E、划分框孔33C的内缘部31E与它们中通用的一个掩模部32相接合。
此外，当为用一个掩模部32分担一个框部31所需要的孔32H的数量的构成时，由于可以使接合于框部31的掩模部32的数量为一个，因此可以减轻框部31与掩模部32的接合所需要的负荷。构成掩模部32的掩模板323的厚度越厚、并且孔32H的尺寸越大，则掩模部32的成品率越易提高、对于掩模部32的更换请求越小。因此，具备各框孔33中通用的掩模部32的构成在要求低分辨率的蒸镀掩模30中是特别优选的。
[蒸镀掩模用基材的制造方法]
接着，对蒸镀掩模用基材的制造方法进行说明。此外，蒸镀掩模用基材的制造方法中，分别示例使用轧制的方式和使用电解的方式。首先，对使用轧制的方式进行说明，接着说明使用电解的方式。图12和图13表示使用轧制的例子。
使用轧制的制造方法中，如图12所示，首先准备由因瓦合金等形成且在长度方向DL上延伸的母料1a。接着，按照母料1a的长度方向DL与传送母料1a的传送方向平行的方式，向轧制装置50传送母料1a。轧制装置50例如具备一对轧制辊51、52，利用一对轧制辊51、52对母料1a进行轧制。由此，将母料1a在长度方向DL上拉伸，形成轧制材料1b。轧制材料1b例如可以卷绕在芯C上，也可以在拉伸成带形状的状态下进行处理。轧制材料1b的厚度例如为10μm以上且50μm以下。
接着，如图13所示，将轧制材料1b传送到退火装置53中。退火装置53一边将轧制材料1b在长度方向DL上拉伸一边进行加热。由此，将蓄积的残留应力自轧制材料1b的内部除去，形成蒸镀掩模用基材1。此时，按照满足上述条件1、2、3的方式，设定轧制辊51、52之间的按压力、轧制辊51、52的旋转速度、轧制材料1b的退火温度等。
使用电解的制造方法中，在电解所用的电极表面上形成蒸镀掩模用基材1，之后将蒸镀掩模用基材1从电极表面脱模。构成蒸镀掩模用基材1的材料为因瓦合金时，电解中使用的电解浴含有铁离子供给剂、镍离子供给剂和pH缓冲剂。电解中使用的电解浴还可以含有应力缓和剂、Fe3+离子掩蔽剂、苹果酸或柠檬酸等络合剂等，是调节成适于电解的pH的弱酸性溶液。铁离子供给剂例如是硫酸亚铁·七水合物、氯化亚铁、氨基磺酸铁等。镍离子供给剂例如为硫酸镍(II)、氯化镍(II)、氨基磺酸镍、溴化镍。pH缓冲剂例如为硼酸、丙二酸。丙二酸还作为Fe3+离子掩蔽剂发挥功能。应力缓和剂例如为糖精钠。电解中使用的电解浴例如是含有上述添加剂的水溶液，通过5％硫酸或碳酸镍等pH调节剂例如调节至pH达到2以上且3以下。
电解中使用的电解条件下，根据蒸镀掩模用基材1的厚度、蒸镀掩模用基材1的组成比等来适当调整电解浴的温度、电流密度及电解时间。适用于上述电解浴的阳极例如为纯铁制和镍制。适用于上述电解浴的阴极例如为SUS304等不锈钢板。电解浴的温度例如为40℃以上且60℃以下。电流密度例如为1A/dm2以上且4A/dm2以下。此时，按照满足上述条件1、2、3的方式来设定电极表面的电流密度。
此外，利用电解获得的蒸镀掩模用基材1或利用轧制获得的蒸镀掩模用基材1还可通过化学研磨或电研磨而进一步薄地加工。化学研磨中使用的研磨液例如是以过氧化氢为主成分的铁系合金用的化学研磨液。电研磨中使用的电解液是高氯酸系的电解研磨液或硫酸系的电解研磨液。此时，由于满足上述条件1、2、3，因此对于利用研磨液进行研磨的结果或者利用洗涤液进行研磨液洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1表面上的不均。
[掩模部的制造方法]
参照图14～图19说明用于制造图7所示掩模部32的工序。此外，用于制造图6中说明的掩模部32的工序由于与用于制造图7中说明的掩模部32的工序中、以小孔32SH作为贯通孔、将用于形成大孔32LH的工序省略掉后的工序相同，因此将重复的说明省略。
如图14所示，制造掩模部时，首先准备含有第一表面1Sa和第二表面1Sb的蒸镀掩模用基材1、粘贴在第一表面1Sa上的第一干膜抗蚀剂(Dry Film Resist：DFR)2和粘贴在第二表面1Sb上的第二干膜抗蚀剂(DFR)3。DFR2、3各自与蒸镀掩模用基材1分别地形成。接着，在第一表面1Sa上粘贴第一DFR2、且在第二表面1Sb上粘贴第二DFR3。
如图15所示，将DFR2、3中形成孔的部位以外的部分进行曝光、对曝光后的DFR进行显影。由此，在第一DFR2上形成第一贯通孔2a、且在第二DFR3上形成第二贯通孔3a。对曝光后的DFR进行显影时，作为显影液例如使用碳酸钠水溶液。此时，由于满足上述条件1、2、3，因此对于利用显影液进行显影的结果或者利用该洗涤液进行洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1表面上的不均。结果是，就第一贯通孔2a的形状或大小、以及第二贯通孔3a的形状或大小而言，可以提高蒸镀掩模用基材1表面内的均匀性。
如图16所示，例如以显影后的第一DFR2作为掩模、使用氯化铁液对蒸镀掩模用基材1的第一表面1Sa进行蚀刻。此时，按照第二表面1Sb不与第一表面1Sa同时被蚀刻的方式，在第二表面1Sb上形成第二保护层61。第二保护层61的材料具有对于氯化铁液的化学耐受性。由此，在第一表面1Sa上形成朝向第二表面1Sb凹陷的小孔32SH。小孔32SH具有在第一表面1Sa上开口的第一开口H1。此时，由于满足上述条件1、2、3，因此对于利用蚀刻液进行蚀刻的结果或者利用该洗涤液进行洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1表面上的不均。结果是，就小孔32SH的形状或大小而言，可以提高蒸镀掩模用基材1表面内的均匀性。
对蒸镀掩模用基材1进行蚀刻的蚀刻液是酸性的蚀刻液，在蒸镀掩模用基材1由因瓦合金构成时，只要是能够将因瓦合金蚀刻的蚀刻液即可。酸性蚀刻液例如是在高氯酸铁液及高氯酸铁液与氯化铁液的混合液中混合有高氯酸、盐酸、硫酸、甲酸及乙酸中的任一个的溶液。蚀刻蒸镀掩模用基材1的方法可以是将蒸镀掩模用基材1浸渍在酸性蚀刻液中的浸渍式，还可以是向蒸镀掩模用基材1吹附酸性蚀刻液的喷雾式。
接着，如图17所示，将形成于第一表面1Sa的第一DFR2和接触于第二DFR3的第二保护层61除去。另外，在第一表面1Sa上形成用于防止第一表面1Sa的进一步蚀刻的第一保护层4。第一保护层4的材料具有对于氯化铁液的化学耐受性。
接着，如图18所示，以显影后的第二DFR3作为掩模，使用氯化铁液对第二表面1Sb进行蚀刻。由此，在第二表面1Sb上形成朝向第一表面1Sa凹陷的大孔32LH。大孔32LH具有在第二表面1Sb上开口的第二开口H2。在与第二表面1Sb相向的俯视下，第二开口H2比第一开口H1大。此时，由于满足上述条件1、2、3，因此对于利用蚀刻液进行蚀刻的结果或者利用该洗涤液进行蚀刻液的洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1表面上的不均。结果是，就大孔32LH的形状或大小而言，可以提高蒸镀掩模用基材1表面内的均匀性。此时使用的蚀刻液也是酸性的蚀刻液，当蒸镀掩模用基材1由因瓦合金构成时，只要是能够蚀刻因瓦合金的蚀刻液即可。蚀刻蒸镀掩模用基材1的方法也是可以是将蒸镀掩模用基材1浸渍在酸性蚀刻液中的浸渍式，也可以是向蒸镀掩模用基材1吹附酸性蚀刻液的喷雾式。
接着，如图19所示，通过将第一保护层4和第二DFR3从蒸镀掩模用基材1上除去，从而获得形成有多个小孔32SH和与各小孔32SH相连的大孔32LH的掩模部32。
此外，使用轧制的制造方法中，氧化铝或氧化镁等金属氧化物较多地含有在蒸镀掩模用基材1中。即，形成上述母料1a时，通常为了抑制氧混入到母料1a中，将粒状的铝或镁等脱氧剂混合在原料中。进而，铝或镁以氧化铝或氧化镁等金属氧化物的形式较多地残留在母料1a中。关于这种情况，在利用使用电解的制造方法时，可抑制金属氧化物混入到掩模部32中。
[蒸镀掩模的制造方法]
说明蒸镀掩模的制造方法的各例。此外，参照图20说明利用湿式蚀刻形成孔的方法中的例子(第一制造方法)。另外，参照图21说明通过电解形成孔的方法中的例子(第二制造方法)。另外，参照图22说明通过电解形成孔的方法中的另一例(第三制造方法)。
[第一制造方法]
此外，制造具备图6中说明的掩模部32的蒸镀掩模的方法与制造具备图7中说明的掩模部32的蒸镀掩模的方法中，对基材32K所进行的蚀刻方式不同，除此之外的工序基本相同。以下主要说明具备图6中说明过的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法，就具备图7中说明过的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法而言，将其重复说明省略。
如图20(a)～(h)所示的例子所示，在蒸镀掩模的制造方法之一例中，首先准备基材32K(参照图20(a))。此外，基材32K除了作为掩模板323被加工的上述蒸镀掩模用基材1之外，优选进一步具备用于支撑该蒸镀掩模用基材1的支撑体SP。此外，基材32K的第一表面321(图20的下面)相当于上述第一表面1Sa、基材32K的第二表面322(图20的上面)相当于上述第二表面1Sb。
首先，在基材32K具有的第二表面322上形成抗蚀剂层PR(参照图20(b))、对抗蚀剂层PR进行曝光及显影，从而在第二表面322上形成抗蚀剂掩模RM(参照图20(c))。接着，通过自使用了抗蚀剂掩模RM的第二表面322的湿式蚀刻，在基材32K上形成孔32H(参照图20(d))。
此时，在开始湿式蚀刻的第二表面322上形成第二开口H2，在晚于其进行蚀刻的第一表面321上形成比第二开口H2小的第一开口H1。接着，将抗蚀剂掩模RM从第二表面322上除去，从而形成上述掩模部32(参照图20(e))。最后，将第二表面322的外缘部32E接合在框部31的内缘部31E上，将支撑体SP从掩模部32上脱模，从而制造蒸镀掩模30(参照图20(f)～(h))。
此外，具备图7中说明的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法中，将上述工序施加于没有支撑体SP的基材32K中的对应于第一表面321的基材32K的面上，由此形成小孔32SH。接着，将用于保护小孔32SH的抗蚀剂等填充在小孔32SH中。接着，将上述工序施加于对应于第二表面322的基材32K的面上，由此制造掩模部32。
此外，图20(f)所示的例子中，作为将第二表面322的外缘部32E接合在框部31的内缘部31E的方法，使用电阻焊。此时，在具有绝缘性的支撑体SP上形成多个孔SPH。各孔SPH形成在支撑体SP中与成为接合部32BN的部位相向的部位上。进而，通过各孔SPH进行通电，形成间歇的接合部32BN。由此，将外缘部32E与内缘部31E熔敷。
另外，在图20(g)所示的例子中，作为将第二表面322的外缘部32E接合于框部31的内缘部31E的方法，使用激光焊接。此时，使用具有透光性的支撑体SP，透过支撑体SP，向成为接合部32BN的部位照射激光L。进而，通过间歇地在外缘部32E周围照射激光L，形成间歇的接合部32BN。或者，通过在外缘部32E的周围连续地持续照射激光L，遍及外缘部32E整周地形成连续的接合部32BN。由此，将外缘部32E与内缘部31E熔敷。
另外，图20(h)所示的例子中，作为将第二表面322的外缘部32E接合于框部31的内缘部31E的方法，使用超声波焊接。此时，利用夹子CP等将外缘部32E和内缘部31E夹持，对成为接合部32BN的部位施加超声波。被直接施加超声波的构件可以是框部31，也可以是掩模部32。此外，使用了超声波焊接时，在框部31或支撑体SP上形成由夹子CP形成的压接痕。
此外，在上述各接合中，还可以在对掩模部32施加了朝向其外侧的应力的状态下进行熔敷或焊接。另外，在对掩模部32施加了朝向其外侧的应力的状态下、支撑体SP对掩模部32进行支撑时，也可以省略对掩模部32的应力施加。
[第二制造方法]
图8及图9中说明的蒸镀掩模除了上述第一制造方法之外，还可以通过图21(a)～(e)所示的另一例进行制造。
如图21(a)～(e)所示的例子所示，首先在作为电解所用电极EP表面的电极表面EPS上形成抗蚀剂层PR(参照图21(a))。接着，通过对抗蚀剂层PR实施曝光及显影，在电极表面EPS形成抗蚀剂掩模RM(参照图21(b))。抗蚀剂掩模RM在正交于电极表面EPS的截面中具有倒截头椎体状，具有距离电极表面EPS的距离越大、则沿着电极表面EPS的截面中的面积越大的形状。接着，进行使用具有抗蚀剂掩模RM的电极表面EPS的电解，在电极表面EPS中的除抗蚀剂掩模RM以外的区域上形成掩模部32(参照图21(c))。
此时，由于在抗蚀剂掩模RM所占有的空间以外形成掩模部32，因此在掩模部32上形成具有追随于抗蚀剂掩模RM形状的形状的孔。即，掩模部32的孔32H在掩模部32中自对位地形成。进而，与电极表面EPS相接触的面作为具有第一开口H1的第一表面321发挥功能，具有作为比第一开口H1更大开口的第二开口H2的最表面作为第二表面322发挥功能。
接着，从电极表面EPS上仅将抗蚀剂掩模RM除去，形成从第一开口H1至第二开口H2为中空的孔32H(参照图21(d))。最后，在具有第二开口H2的第二表面322的外缘部32E上接合内缘部31E的接合面311，接着，将用于将掩模部32从电极表面EPS剥离的应力施加于框部31。由此，制造掩模部32接合于框部31的状态的蒸镀掩模30(参照图21(e))。
[第三制造方法]
图8及图9中说明的蒸镀掩模除了上述第一制造方法之外，还可以通过图22(a)～(f)所示的另一例子进行制造。
如图22(a)～(f)所示例子所示，首先，在电解所用的电极表面EPS上形成抗蚀剂层PR(参照图22(a))。接着，通过对抗蚀剂层PR进行曝光及显影，在电极表面EPS上形成抗蚀剂掩模RM(参照图22(b))。抗蚀剂掩模RM在正交于电极表面EPS的截面中具有截头椎体状，具有距离电极表面EPS的距离越大、则沿着电极表面EPS的截面中的面积越大的形状。接着，进行使用具有抗蚀剂掩模RM的电极表面EPS的电解，在电极表面EPS中除抗蚀剂掩模RM以外的区域上形成掩模部32(参照图22(c))。
其中也是，由于在抗蚀剂掩模RM所占有的空间以外形成掩模部32，因此在掩模部32上形成具有追随于抗蚀剂掩模RM形状的形状的孔。即，掩模部32的孔32H在掩模部32中自对位地形成。进而，与电极表面EPS相接触的面作为具有第二开口H2的第二表面322发挥功能，具有作为比第二开口H1更小开口的第一开口H1的最表面作为第一表面321发挥功能。
接着，从电极表面EPS上仅将抗蚀剂掩模RM除去，形成从第一开口H1至第二开口H2为中空的孔32H(参照图22(d))。进而，在具有第一开口H1的第一表面321上接合中间转印基材TM，接着，将用于把掩模部32从电极表面EPS上剥离的应力施加于中间转印基材TM。由此，在掩模部32接合于中间转印基材TM的状态下，使第二表面322脱离电极表面EPS(参照图22(e))。最后，在第二表面322的外缘部32E上接合内缘部31E的接合面311，将中间转印基材TM从掩模部32上取下。由此，制造掩模部32接合于框部31的状态的蒸镀掩模30(参照图22(f))。
在使用上述蒸镀掩模30制造显示装置的方法中，首先将搭载有蒸镀掩模30的掩模装置10安装在蒸镀装置的真空槽内。此时，按照玻璃基板等蒸镀对象与第一表面321相向的方式、且蒸镀源与第二表面322相向的方式来安装掩模装置10。进而，将蒸镀对象搬入到蒸镀装置的真空槽中，利用蒸镀源使蒸镀物质升华。由此，在与第一开口H1相向的蒸镀对象上形成具有追随于第一开口H1的形状的图案。此外，蒸镀物质例如为构成显示装置像素的有机发光材料或构成显示装置像素电路的像素电极等。
[实施例]
参照图23～图29说明各实施例。
[实施例1]
首先，对以因瓦合金为材料的母料1a实施轧制工序，形成金属板，接着按照宽度方向DW获得所期望的大小的方式进行截断金属板的切割工序，形成轧制材料1b。接着，对轧制材料1b实施退火工序，获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为20μm的实施例1的蒸镀掩模用基材1。
接着，如图23所示，从实施例1的蒸镀掩模用基材1中切出长度方向DL的长度为700mm的实施例1的测定用基材2M。接着，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的陡峭度。此时，作为陡峭度的测定条件，使用以下所示的条件。
测定装置：株式会社Nikon制CNC图像测定系统VMR-6555
测量范围ZL的长度方向DL的长度：500mm
非测量范围ZE的长度方向DL的长度：100mm
长度方向DL的测定间隔：1mm
宽度方向DW的测定间隔：20mm
将实施例1的陡峭度的测定结果示于图24和表1中。此外，表1所示的陡峭度是中央部RC及各端部RE处的最大值。
如图24所示可见，实施例1的中央部RC处的陡峭度的最大值为0.3％以下，各端部RE处的陡峭度的最大值为0.6％以下，满足上述条件1、2。进而，实施例1中可见，两端部RE中的一个端部(端部1)的陡峭度的最大值为0.43％、大于中央部RC处的陡峭度的最大值(0.28％)。与此相对，可见两端部RE中的另一端部(端部2)的陡峭度的最大值为0.20％、小于中央部RC处的陡峭度。即可见满足上述条件3。此外，两端部RE处的陡峭度的最大值之差为0.23％。
[实施例2]
提高轧制辊51、52之间的按压力使其大于实施例1，其它条件与实施例1的条件同样地设定，从而获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为15μm的实施例2的蒸镀掩模用基材1。接着，与实施例1同样地从实施例2的蒸镀掩模用基材1中切出测定用基材2M，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的陡峭度。
将实施例2的陡峭度的测定结果示于图25和表1中。
如图25所示可见，实施例2的中央部RC处的陡峭度的最大值为0.3％以下，各端部RE处的陡峭度的最大值为0.6％以下，满足上述条件1、2。进而，实施例2中，可见两端部RE处的陡峭度的最大值为0.15％和0.06％、小于中央部RC处的陡峭度的最大值(0.17％)，满足上述条件3。
[实施例3]
提高轧制辊51、52之间的按压力使其大于实施例1且成为与实施例2不同的分布，将其它条件与实施例1的条件同样地设定，从而获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为15μm的实施例3的蒸镀掩模用基材1。接着，与实施例1同样地从实施例3的蒸镀掩模用基材1中切出测定用基材2M，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的陡峭度。
将实施例3的陡峭度的测定结果示于图26和表1中。
如图26所示可见，实施例3的中央部RC处的陡峭度的最大值为0.3％以下，各端部RE处的陡峭度的最大值为0.6％以下，满足上述条件1、2。进而，实施例3中，可见两端部RE中的一个端部(端部1)的陡峭度的最大值为0.58％、大于中央部RC处的陡峭度的最大值(0.24％)。与此相对，可见两端部RE中的另一端部(端部2)的陡峭度的最大值为0.21％、小于中央部RC处的陡峭度的最大值。即可见满足上述条件3。此外，两端部RE处的陡峭度的最大值之差为0.37％。
[比较例1]
提高轧制辊51、52之间的按压力使其大于实施例1且提高轧制辊51、52的转速使其大于实施例1，将其它条件与实施例1的条件同样地设定，从而获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为20μm的比较例1的蒸镀掩模用基材1。接着，与实施例1同样地从比较例1的蒸镀掩模用基材1中切出测定用基材2M，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的沿面距离，获得比较例1的测定用基材2M的陡峭度。
将比较例1的陡峭度的测定结果示于图27和表1中。
如图27所示可见，比较例1的中央部RC处的陡峭度的最大值为0.3％以下，各端部RE处的陡峭度的最大值为0.6％以下，满足上述条件1、2。另一方面，比较例1中，还可见两端部RE处的陡峭度的最大值为0.21％和0.36％，大于中央部RC处的陡峭度的最大值(0.08％)，不满足上述条件3。
[比较例2]
将轧制辊51、52之间的按压力分布从比较例1变更、将其它条件与比较例1的条件同样地设定，从而获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为20μm的比较例2的蒸镀掩模用基材1。接着，与比较例1同样地从比较例2的蒸镀掩模用基材1中切出测定用基材2M，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的陡峭度。
将比较例2的陡峭度的测定结果示于图28和表1中。
如图28所示可见，比较例2的中央部RC处的陡峭度的最大值为大幅度超过0.3％的大小、各端部RE处的陡峭度的最大值为0.6％以下，满足上述条件2但不满足上述条件1。进而，比较例2中，可见两端部RE处的陡峭度的最大值为0.59％和0.58％，小于中央部RC处的陡峭度的最大值(0.63％)，满足上述条件3。
[比较例3]
将轧制辊51、52之间的按压力分布从比较例1变更、将其它条件与比较例1的条件同样地设定，从而获得宽度方向DW的长度为500mm且厚度为20μm的比较例3的蒸镀掩模用基材1。接着，与比较例1同样地从比较例3的蒸镀掩模用基材1中切出测定用基材2M，遍及测定用基材2M的宽度方向DW的整体地测定所切出的测定用基材2M的陡峭度。
将比较例3的陡峭度的测定结果示于图29和表1中。
如图29所示可见，比较例3的中央部RC具有的陡峭度的最大值为0.3％以下，两端部RE中的一个端部(端部1)的陡峭度的最大值为大幅度超过0.6％的大小，两端部RE中的另一端部(端部2)的陡峭度的最大值为0.6％。即可见满足上述条件1但不满足上述条件2。进而可见，比较例3的两端部RE处的陡峭度的最大值为0.81％和0.36％，大于中央部RC处的陡峭度的最大值。即可见不满足上述条件3。
表1
Figure BDA0002391161000000231
[图案的精度]
使用各实施例1、2、3及各比较例1、2、3的蒸镀掩模用基材1，在蒸镀掩模用基材1的第一表面1Sa上粘贴厚度为10μm的第一DFR2。接着，实施使曝光掩模接触于第一DFR2进行曝光的曝光工序，接着实施显影工序，在第一DFR2上以格子状形成具有30μm直径的多个贯通孔2a。接着，对第一表面1Sa实施以第一DFR2为掩模的蚀刻，在蒸镀掩模用基材1上形成以格子状存在的多个孔32H。进而，对各孔32H测量蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的开口径。将各孔32H的宽度方向DW上的开口径的不均示于表1。此外，表1中，各孔32H具有的开口径中，在开口径最大值与开口径最小值之差为2.0μm以下的水平标记○符号，在开口径最大值与开口径最小值之差大于2.0μm的水平标记×符号。
如表1所示可见，各实施例1、2、3中，开口径的不均都是2.0μm以下。另一方面可见，各比较例1、2、3中，开口径的不均都大于2.0μm。
此外，比较例1中，各端部RE处的陡峭度的最大值大于中央部RC处的陡峭度的最大值，不满足条件3。因此，比较例1虽然满足条件1、2，但由于是在液体的流动中形成滞留的构成，因此开口径的不均大于2.0μm。
另外，比较例2中，各端部RE处的陡峭度的最大值小于中央部RC处的陡峭度的最大值，满足条件3，但是中央部RC处的陡峭度的最大值大幅度地大于0.3％，不满足条件1。因此，虽然满足条件2、3，但由于中央部RC处的波浪高度等过大，因此在中央部RC的波浪的谷等中央部RC本身中，会在液体的流动中形成滞留，开口径的不均大于2.0μm。
另外，比较例3与比较例1相同，各端部RE处的陡峭度的最大值大于中央部RC处的陡峭度的最大值，不满足条件3。另一方面，一个端部RE处的陡峭度的最大值大幅度地大于0.6％，不满足条件2。因此，比较例3虽然满足条件1，但由于在液体的流动中形成滞留、抗蚀剂层剥离、对抗蚀剂层的曝光偏差、蒸镀掩模用基材1的传送偏差等，因此开口径的不均大于2.0μm。
结果是，由这些实施例1、2、3与比较例1的比较可见，通过满足宽度方向DW上的两端部RE中的至少一个端部的陡峭度的最大值比宽度方向DW的中央部RC的陡峭度的最大值小、即条件3，可抑制开口径的不均。换而言之，即便是满足条件1、2的、陡峭度的最大值小的蒸镀掩模用基材1，在不满足上述条件3的构成下，由于较多存在的陡峭度分布、即液体流动的滞留等，还是会在开口径中产生不均。
另外，由实施例1、2、3与比较例2、3的比较可见，为了通过满足条件3而获得上述效果，有必要满足中央部RC的陡峭度的最大值为0.3％以下、各端部RE的陡峭度的最大值为0.6％以下，即条件1、2。换而言之，即便是满足条件3的、陡峭度的最大值具有优选分布的蒸镀掩模用基材1，在不满足上述条件1、2的构成下，由于存在具有过大起伏的波浪，还是会在开口径中产生不均。
根据上述实施方式，可获得以下所列举的效果。
(1)能够提高与掩模部32所具备的孔的形状与孔的大小有关的精度、进而，能够提高通过蒸镀所形成的图案的精度。此外，对抗蚀剂进行曝光的方法不限于使曝光掩模接触于抗蚀剂的方法，还可以是曝光掩模不接触抗蚀剂的曝光。若为使曝光掩模接触于抗蚀剂的方法，由于蒸镀掩模用基材被按压至曝光掩模的表面，因此可抑制因蒸镀掩模用基材所具备的波浪形状导致的曝光精度降低。无论是哪个曝光方法，均可提高利用液体对表面进行加工的工序的精度、进而提高通过蒸镀所形成的图案的精度。
(2)对于利用显影液进行显影的结果或者利用其洗涤液进行洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均。结果是，对于经过曝光工序和显影工序所形成的第一贯通孔2a或第二贯通孔3a，可以在蒸镀掩模用基材1的表面内提高其形状或大小的均匀性。
(3)对于利用蚀刻液进行蚀刻的结果或者利用其洗涤液进行蚀刻液洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均。另外，对于利用剥离液进行抗蚀刻层的剥离的结果或者利用其洗涤液进行剥离液的洗涤的结果，可抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均。结果是，对于小孔32SH的形状或大小、或者大孔32LH的形状或大小而言，可以提高蒸镀掩模用基材1的表面内的均匀性。
(4)例如用三个掩模部32分担一个框部31所需的孔32H的数量。即，将一个框部31所需的掩模部32的总面积分割成例如三个掩模部32。因而，即便是一个框部31中掩模部32的一部分发生了变形时，也并不需要对一个框部31的全部掩模部32进行更换。进而，还可以使得与已经变形的掩模部32进行更换的新掩模部32的大小与一个框部31中具备一个掩模部32的构成相比、缩小至1/3左右。
(5)使用了测定用基材2M的陡峭度的测定中，将测定用基材2M长度方向DL上的两个端部作为非测量范围ZE、从陡峭度的测定对象中除外。各非测量范围ZE是通过蒸镀掩模用基材1的截断而有可能具有不同于蒸镀掩模用基材1的波浪形状的范围。因此，若为将非测量范围ZE从测定对象中除外的测定时，可以提高陡峭度的精度。
此外，上述实施方式还可以如下进行变更。
[蒸镀掩模用基材的制造方法]
·轧制工序中，还可以使用具备多对轧制辊的轧制装置，利用多对轧制辊对母料1a进行轧制。若为使用多对轧制辊的方法，则就用于满足上述条件1、2、3的控制参数而言，还可以提高自由度。
·退火工序中，还可以并非是将轧制材料1b一边在长度方向DL上拉伸一边进行退火，而是对卷绕在芯C上的卷状轧制材料1b进行退火。此外，在对卷状轧制材料1b进行退火的方法中，有时在蒸镀掩模用基材1上留下对应于轧辊直径的翘曲的痕迹。因此，优选根据蒸镀掩模用基材1的材料或卷绕在芯C上时轧辊直径的大小，将轧制材料1b一边拉伸一边进行退火。
·还可以通过多次交替地反复进行轧制工序和退火工序来制造蒸镀掩模用基材1。
·利用电解获得的蒸镀掩模用基材1或利用轧制获得的蒸镀掩模用基材1还可以通过化学研磨或电研磨来进一步薄地加工。此时，还可以包含研磨工序，按照满足上述条件1、2、3的方式来设定研磨液的组成或其供给方式等条件。
[中央部RC和端部RE]
·中央部RC的宽度方向DW上的长度优选是蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的长度的40％。但中央部RC的宽度方向DW上的长度还可以是蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的长度的例如20％以上且60％以下。
·端部RE的宽度方向DW上的长度优选是蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW的长度的30％。但端部RE的宽度方向DW上的长度还可以是蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的长度的例如20％以上且40％以下，在此范围内，还可以一个端部RE与另一个端部RE之间具有相互间不同的长度。
符号说明
C芯、F应力、S蒸镀对象、V空间、W尺寸、CP夹子、DL长度方向、DW宽度方向、EP电极、H1第一开口、H2第二开口、PC中心、PR抗蚀剂层、RC中央部、RE端部、RM抗蚀剂掩模、SH台阶高度、SP支撑体、TM中间转印基材、ZE非测量范围、ZL测量范围、EPS电极表面、1蒸镀掩模用基材、1a母料、1b轧制材料、1Sa、321第一表面、1Sb、322第二表面、2测定用基材、2a第一贯通孔、2S表面、3a第二贯通孔、4第一保护层、10掩模装置、20主框、21主框孔、30蒸镀掩模、31框部、31E内缘部、32、32A、32B、32C掩模部、32BN接合部、32E外缘部、32H孔、32K基材、32LH大孔、32SH小孔、33、33A、33B、33C框孔、50轧制装置、51、52轧制辊、53退火装置、61第二保护层、311接合面、312非接合面、323掩模板。

Claims (7)

1.一种蒸镀掩模用基材，其是通过蚀刻形成多个孔而用于制造蒸镀掩模的具有带状的金属板，其中，
所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，
连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，
所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，
所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，
所述金属板的宽度方向上的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，
所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，
所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模用基材，其中，
一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值小，
另一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值大，
一个所述端部的陡峭度的最大值与另一个所述端部的陡峭度的最大值之差为0.2％以上且0.4％以下。
3.根据权利要求1所述的蒸镀掩模用基材，其中，
一个所述端部的陡峭度的最大值和另一个所述端部的陡峭度的最大值比所述中央部的陡峭度的最大值小，
所述两端部的陡峭度的最大值和所述中央部的陡峭度的最大值为0.2％以下。
4.一种蒸镀掩模用基材的制造方法，所述蒸镀掩模用基材是通过蚀刻形成多个孔而用于制造蒸镀掩模的具有带状的金属板，
所述制造方法包含对母料进行轧制来获得所述金属板，
所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，
连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，
所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，
所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，
获得所述金属板时，按照下述方式对所述母料进行轧制：
所述金属板的宽度方向上的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，
所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，
所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
5.一种蒸镀掩模的制造方法，其为包含在具有带状的金属板上形成抗蚀剂层、以及通过以所述抗蚀剂层为掩模的蚀刻在所述金属板上形成多个孔、从而形成掩模部的蒸镀掩模的制造方法，其中，
所述金属板的宽度方向的各位置上的沿着所述金属板的长度方向的形状相互间不同，各形状具有在所述金属板的长度方向上反复的波浪，
连接所述波浪中的一个谷至另一个谷的直线的长度为波浪的长度，
所述波浪的高度相对于所述波浪的长度的百分率为单位陡峭度，
所述金属板的宽度方向的各位置上，所述长度方向上包含的全部波浪的单位陡峭度的平均值为陡峭度，
所述金属板的宽度方向上的中央部的陡峭度的最大值为0.3％以下，
所述金属板的宽度方向上的各端部的陡峭度的最大值为0.6％以下，
所述金属板的宽度方向上的两端部中的至少一个端部的陡峭度的最大值比所述金属板的宽度方向的中央部的陡峭度的最大值小。
6.根据权利要求5所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
形成所述掩模部是在单一的所述金属板上形成多个所述掩模部，
所述各掩模部分别具备具有所述多个孔的一个侧面，
所述制造方法进一步包含：将所述各掩模部的侧面与一个框部按照在每个所述掩模部中、所述一个框部将所述多个孔包围的方式进行相互接合。
7.一种显示装置的制造方法，其包含：
利用权利要求5或6所述的蒸镀掩模的制造方法准备蒸镀掩模；和
通过使用了所述蒸镀掩模的蒸镀来形成图案。
CN202010114853.3A 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法 Active CN111286694B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017173153A JP6319505B1 (ja) 2017-09-08 2017-09-08 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法
JP2017-173153 2017-09-08
CN201810694337.5A CN109468583B (zh) 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810694337.5A Division CN109468583B (zh) 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111286694A true CN111286694A (zh) 2020-06-16
CN111286694B CN111286694B (zh) 2022-07-26

Family

ID=62106157

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010114853.3A Active CN111286694B (zh) 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法
CN201810694337.5A Active CN109468583B (zh) 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810694337.5A Active CN109468583B (zh) 2017-09-08 2018-06-29 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11339465B2 (zh)
JP (1) JP6319505B1 (zh)
KR (2) KR102038275B1 (zh)
CN (2) CN111286694B (zh)
DE (1) DE102018115763B4 (zh)
TW (2) TWI762807B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110144547B (zh) 2016-04-14 2021-06-01 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法
KR102341448B1 (ko) * 2017-09-15 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크
JP6299921B1 (ja) 2017-10-13 2018-03-28 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846441A (en) * 1995-09-30 1998-12-08 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for forming a patterned metallic layer in a thin film magnetic head
US20120037819A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Heumueller Michael Mask carrier, mask handling module and method for adjusting a mask
JP2014122411A (ja) * 2012-03-28 2014-07-03 Fujifilm Corp 真空成膜装置用防着板、真空成膜装置、および、真空成膜方法
CN105492654A (zh) * 2013-09-13 2016-04-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造掩模的方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11229040A (ja) 1998-02-16 1999-08-24 Nkk Corp Ｆｅ−Ｎｉ合金鋼ストリップの形状矯正を伴なう焼鈍方法及び焼鈍装置
KR100534580B1 (ko) 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
JP4341382B2 (ja) 2003-11-21 2009-10-07 凸版印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法
KR100708654B1 (ko) 2004-11-18 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체
JP4609187B2 (ja) 2005-05-30 2011-01-12 凸版印刷株式会社 多面付けメタルマスクの製造方法
JP2009299170A (ja) 2008-06-17 2009-12-24 Toppan Printing Co Ltd エッチング部品の製造方法
JP5294072B2 (ja) 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2013055039A (ja) 2011-08-11 2013-03-21 Canon Inc Ｅｌ発光装置の製造方法および蒸着装置
KR102097574B1 (ko) 2012-01-12 2020-04-06 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지층이 형성된 금속 마스크의 제조 방법
JP2014088594A (ja) 2012-10-30 2014-05-15 V Technology Co Ltd 蒸着マスク
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
TWI665320B (zh) * 2013-03-26 2019-07-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
JP5516816B1 (ja) 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
WO2015083660A1 (ja) 2013-12-06 2015-06-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015193871A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板及びその製造方法
JP6511908B2 (ja) 2014-03-31 2019-05-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの引張方法、フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、及び引張装置
JP6354358B2 (ja) 2014-06-11 2018-07-11 凸版印刷株式会社 メタルマスクの搬送治具およびメタルマスクの検査方法
DE202016008840U1 (de) * 2015-02-10 2020-02-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Metallblech
CN117821896A (zh) 2015-07-17 2024-04-05 凸版印刷株式会社 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法
JP2017064764A (ja) 2015-09-30 2017-04-06 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板及びその製造方法
JP6598007B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-30 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法
JP6631173B2 (ja) 2015-11-05 2020-01-15 凸版印刷株式会社 蒸着マスク、マスク基材の補修方法、および、マスク基材の補修装置
WO2017154981A1 (ja) * 2016-03-09 2017-09-14 日立金属株式会社 マルテンサイト系ステンレス鋼箔およびその製造方法
JP6852270B2 (ja) 2016-03-31 2021-03-31 凸版印刷株式会社 金属加工板の製造方法
JP6759666B2 (ja) 2016-03-31 2020-09-23 凸版印刷株式会社 エッチング保護用感光性組成物および金属加工板の製造方法
CN110144547B (zh) * 2016-04-14 2021-06-01 凸版印刷株式会社 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法
JP6299922B1 (ja) 2017-10-13 2018-03-28 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP6299921B1 (ja) 2017-10-13 2018-03-28 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846441A (en) * 1995-09-30 1998-12-08 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for forming a patterned metallic layer in a thin film magnetic head
US20120037819A1 (en) * 2010-08-12 2012-02-16 Heumueller Michael Mask carrier, mask handling module and method for adjusting a mask
JP2014122411A (ja) * 2012-03-28 2014-07-03 Fujifilm Corp 真空成膜装置用防着板、真空成膜装置、および、真空成膜方法
CN105492654A (zh) * 2013-09-13 2016-04-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造掩模的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙再吉: ""超薄层材料生长技术"", 《半导体情报》 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW201947047A (zh) 2019-12-16
KR102038275B1 (ko) 2019-11-26
KR102312461B1 (ko) 2021-10-13
DE102018115763B4 (de) 2023-09-07
US20190078194A1 (en) 2019-03-14
KR20190123251A (ko) 2019-10-31
CN109468583B (zh) 2020-03-06
CN111286694B (zh) 2022-07-26
US11339465B2 (en) 2022-05-24
CN109468583A (zh) 2019-03-15
TWI762807B (zh) 2022-05-01
TW201912818A (zh) 2019-04-01
KR20190028271A (ko) 2019-03-18
DE102018115763A1 (de) 2019-03-14
JP2019049024A (ja) 2019-03-28
JP6319505B1 (ja) 2018-05-09
TWI673376B (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110144547B (zh) 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法
TWI642802B (zh) 蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法
CN108950473B (zh) 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法
CN109468583B (zh) 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法
JP6988565B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP6981302B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP6984529B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant