CN111276596A - 发光单元 - Google Patents

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Abstract

一种发光单元包含：反射结构、透光体及发光芯片。反射结构具有凹槽，反射结构对应于凹槽形成有一侧开口及一底开口，侧开口及底开口彼此相邻，凹槽的宽度朝所述侧开口方向扩展。透光体填充设置于凹槽中，透光体对应于侧开口形成有一出光面，透光体对应于底开口形成有一电极裸露面。发光芯片部份设置于透光体中，发光芯片具有底面及多个发光面，底面设置有至少两个电极部，此至少两个电极部露出于电极裸露面。本发明的发光单元为侧发光的发光单元，且通过反射结构的设计，将可提升发光芯片所发出的光束的利用率。

Description

发光单元
技术领域
本发明涉及一种发光单元，特别是一种侧向发光的发光单元。
背景技术
常见的侧向发光单元多为引脚支架类型的产品。然因使用引脚支架的缘故，其体积会大于芯片数倍，不利于小型化发展趋势。
另一方面，虽然近来LED业界发展出芯片级封装技术(Chip Scale Package,CSP)，借此技艺可使LED单元的体积可更近一步缩小。然目前CSP发光单元均为正向发光类型产品，至今尚无专为侧向发光而设计的CSP发光单元问世。至此，有部分业者直接将正向发光的CSP侧置来进行侧向发光。然而此做法需额外制程将其电极延伸到发光单元的侧面，不但耗时且徒增成本。甚至，其产品厚度会受限于芯片宽度，无法达到薄形化的目的，不符合业界需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种新式的CSP发光单元，除可避免将电极延伸至侧面，也可使发光单元厚度不受限于芯片宽度。
为了实现上述目的，本发明提供一种发光单元，其包括：一反射结构，其具有一凹槽，所述反射结构对应于所述凹槽形成有一侧开口及一底开口，所述侧开口及所述底开口彼此相邻；一透光体，其填充设置于所述凹槽中，所述透光体对应于所述侧开口形成有一出光面，所述透光体对应于所述底开口形成有一电极裸露面；一发光芯片，其部份设置于所述透光体中，所述发光芯片具有一底面，所述底面设置有至少两个电极部，所述至少两个电极部外露于所述电极裸露面。
优选地，所述凹槽的截面宽度朝所述侧开口方向扩展。
优选地，所述底面露出于所述电极裸露面。
优选地，所述电极裸露面呈半椭圆形或半圆形。
优选地，所述凹槽具有一环侧面，所述环侧面的至少一部份区段呈弧面状。
优选地，所述电极裸露面呈多边形。
优选地，所述电极裸露面为一梯形面。
优选地，所述梯形面的下底边邻近于所述出光面设置。
优选地，所述梯形面的至少一个底角的角度介于60度至90度。
优选地，所述发光芯片与所述梯形面的腰边的最短距离不小于10微米。
优选地，所述发光芯片与所述梯形面的上底边的最短距离不小于50微米。
优选地，所述发光芯片与所述梯形面的下底边的最短距离不小于50微米。
优选地，所述发光芯片与所述梯形面的腰边的最短距离不小于10微米。
优选地，所述底面与所述电极裸露面面齐平。
优选地，所述底面凸出于所述电极裸露面。
本发明的有益效果可以在于：通过反射结构的设计，本发明的发光单元作为侧发光的发光单元，相较于现有的利用芯片级封装技术(Chip Scale Package,CSP)所制成的侧发光单元，具有更好的发光效率。
附图说明
图1为本发明的发光单元的第一实施例的立体示意图。
图2为本发明的发光单元的第一实施例的另一视角的示意图。
图3为本发明的发光单元的第一实施例的反射结构的示意图。
图4为本发明的发光单元的第一实施例的剖面侧视图。
图5为本发明的发光单元的第一实施例的前视图。
图6为本发明的发光单元的第二实施例的立体示意图。
图7为本发明的发光单元的第二实施例的另一视角的示意图。
图8为本发明的发光单元的第二实施例的反射结构的示意图。
图9为本发明的发光单元的第二实施例的仰视图。
图10为本发明的发光单元的第三实施例的侧面剖视图。
图11为本发明的发光单元的第四实施例的侧面剖视图。
图12为本发明的发光单元的第五实施例的侧面剖视图。
图13为本发明的发光单元的第六实施例的仰视图。
图14为本发明的发光单元的第七实施例的仰视图。
图15为本发明的发光单元的第八实施例的仰视图。
图16为本发明的发光单元的第九实施例的仰视图。
图17至图19为本发明的发光单元的制作流程示意图。
具体实施方式
在以下说明中，如有指出请参阅特定图式或是如特定图式所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部份出现于该特定图式中，但不限制该后续说明中仅可参考所述特定图式。
请一并参阅图1至图5，其显示为本发明的发光单元的第一实施例的示意图，图1为本发明的发光单元的立体示意图，图2为本发明的发光单元的另一视角的示意图，图3为本发明的发光单元的反射结构的示意图，图4为本发明的发光单元的剖面侧视图，图5为本发明的发光单元的前视图。
发光单元100包含一反射结构10、一透光体20及一发光芯片30。反射结构10包覆透光体20的部份，透光体20包覆发光芯片30的部份。
如图3所示，反射结构10彼此相邻的两外侧面分别形成有一侧开口10b及一底开口10c，且反射结构10由侧开口10b及底开口10c向反射结构10内部的方向凹陷，而共同形成有一凹槽10a。反射结构10形成凹槽10a的内侧面定义为一顶面101及一环侧面102，环侧面102与顶面101的部分周缘相连接。
在本实施例中，凹槽10a是大致呈长方体，而环侧面102对应区隔有一第一区段面1021、一第二区段面1022及一第三区段面1023。第一区段面1021彼此相反的两侧边分别与第二区段面1022及第三区段面1023相连接，而第一区段面1021位于第二区段面1022及第三区段面1023之间，第一区段面1021大致面对侧开口10b设置。
如图1至图3所示，顶面101、第一区段面1021、第二区段面1022及第三区段面1023中的至少一个能反射发光芯片30所发出的光束，在实际应用中，顶面101、第一区段面1021、第二区段面1022及第三区段面1023可以是皆能反射发光芯片30所发出的光束；当然，在不同的应用中，也可以是仅有第二区段面1022及第三区段面1023能反射发光芯片30所发出的光束。
在本实施例中，是以第一区段面1021、第二区段面1022及第三区段面1023皆呈现为平面状为例，但不以此为限，其可依据需求变化，举例来说，第一区段面1021、第二区段面1022及第三区段面1023中的至少一个也可以是呈现为弧面状。
透光体20填充设置于凹槽10a中，透光体20于侧开口10b形成有一出光面201，透光体20于底开口10c形成有一电极裸露面202。在实际应用中，透光体20可以是填满凹槽10a设置，但不以此为限，透光体20也可以不完全地填满凹槽10a设置。在此所述的透光体20可以是依据需求变化，例如可以是透明的封装胶体、参杂有扩散粒子的封装胶体、参杂有荧光粉的封装胶体等，可依据需求(例如是发光芯片30的种类)变化，在此不加以限制。
如图1及图4所示，在实际应用中，出光面201可以是大致与反射结构10邻近于出光面201的端面103齐平，但不以此为限，在不同的实施例中，出光面201也可以略微内缩于反射结构10中，或者出光面201也可以是略微凸出于反射结构10。其中，出光面201例如可以为平坦面，但不以此为限，在特殊的应用中，出光面201也可以为粗糙面，可借此提高光均匀度。
如图1、图4及图5所示，出光面201可以是呈现为矩形状，但不以此为限，出光面201的外型可以是依据需求变化，例如为梯形等。出光面201与电极裸露面202彼此间可以是大致垂直地设置，但出光面201与电极裸露面202彼此间的夹角θ1(如图4所示)不以90度为限，出光面201与电极裸露面202的夹角θ1也可以是大于或是小于90度。如图2所示，透光体20的电极裸露面202可以是一矩形面，关于矩形面的尺寸可以是依据需求变化，在此不加以限制。
如图2至图5所示，发光芯片30的大部份被透光体20所包覆，发光芯片30具有一底面301、一顶发光面302及一环发光面303，环发光面303连接底面301及顶发光面302的周缘，而环发光面303位于底面301及顶发光面302之间。
如图2及图4所示，发光芯片30的底面301可以是与电极裸露面202齐平，底面301设置有两个电极部31，两个电极部31凸出于底面301及电极裸露面202，两个电极部31用来与外部电路板电性连接，而发光芯片30则能通过电极部31取得电力及接收来自外部的控制信号。关于发光芯片30的种类在此不加以限制，可以是依据需求为能发出各种不同颜色光束的发光芯片30。
值得一提的是，在实际应用中，发光芯片30可以是从电极裸露面202置入于透光体20中，置入深度有以发光芯片30的厚度为限。即相较于将正向发光的CSP发光单元侧置的做法，本案发光单元的厚度考虑是以发光芯片30的厚度为基础。如此，可更进一步薄化发光单元整体的厚度。
如图2、图4及图5所示，在具体实施中，发光芯片30可以为长方体结构，而环发光面303可以是对应具有四个侧发光面，四个侧发光面分别定义为一第一侧发光面3031、一第二侧发光面3032、一第三侧发光面3033及一第四侧发光面3034。第一侧发光面3031面对出光面201设置，而发光芯片30通过第一侧发光面3031所射出的光束，将能通过透光体20后直接由出光面201向外射出。
第二侧发光面3032及第三侧发光面3033分别与第一侧发光面3031彼此相反的两侧边连接，第四侧发光面3034位于第一侧发光面3031的相反侧，且第四侧发光面3034彼此相反的两侧边对应与第二侧发光面3032及第三侧发光面3033相连接。发光芯片30通过第二侧发光面3032、第三侧发光面3033及第四侧发光面3034所发出的大部分光束，将被反射结构10反射，而由出光面201向外射出。因此，本发明的发光单元100通过反射结构10的设计，将可大幅提升发光芯片30所发出的光束的利用率，进而提升发光单元100整体的发光强度。特别说明的是，关于发光芯片30的外型不以长方体为限，其可依据需求改变。
如图1及图4所示，在具体的应用中，发光单元100将可通过两个电极部31固定于外部电路板(图未示)，发光单元100通过顶发光面302及环发光面303所发出的大部份光束通过透光体20后，将被反射结构10反射，而由透光体20的出光面201向外射出，从而发光单元100可达到侧向发光的功效。
值得一提的是，如图4及图5所示，发光芯片30的顶发光面302、第一侧发光面3031、第二侧发光面3032、第三侧发光面3033及第四侧发光面3034，分别与顶面101、第一区段面1021、第二区段面1022及第三区段面1023的距离D6、L1、L2、L3、L4，在实际应用中可以是不大于50微米(μm)，通过上述各距离的设计，将可使发光芯片30所发出的光束具有较佳的使用效率及混光空间(特别是在透光体20中参杂有荧光粉的情况下)。
请一并参阅图6至图9，其显示为本发明的发光单元的第二实施例的示意图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：凹槽10a的截面宽度朝侧开口10b方向扩展，即越接近侧开口10b，其宽度越宽，借此，可提升发光单元整体的出光效率。换言之，凹槽10a是大致呈梯形柱体。
更详细来说，透光体20的电极裸露面202可以为一梯形面，梯形面(电极裸露面202)具有一上顶边2021、一下底边2022及两个腰边2023，上顶边2021远离出光面201设置，下底边2022邻近出光面201设置，且上顶边2021于一横向方向(如图中所示X轴方向)的宽度D1小于下底边2022于横向方向的宽度D2，两个腰边2023可以是等长，而梯形面(电极裸露面202)可以为等腰梯形，但两个腰边2023的长度不局限于必须等长。
上顶边2021与两个腰边2023的夹角θ2、θ3是不小于90度，即，第一区段面1021与第二区段面1022、第三区段面1023的夹角θ2、θ3是不小于90度，如此，发光芯片30所发出的光束，通过透光体20而被第二区段面1022或第三区段面1023反射后，大部分的光束将朝向出光面201的方向射出，从而可大幅提升发光芯片30所发出的光束的利用率。在不同的应用中，第一区段面1021与第二区段面1022彼此间的夹角θ2，可以是不同于第一区段面1021与第三区段面1023彼此间的夹角θ3。
下底边2022与两个腰边2023的夹角θ4、θ5(即梯形面的两个底角)可以是小于90度，即，第二区段面1022、第三区段面1023与出光面201彼此间的夹角θ4、θ5是小于90度。在下底边2022与两个腰边2023的夹角θ4、θ5为60度至90度的实施例中，将可以大幅发光芯片30所发出的光束的利用率。
特别说明的是，在本实施例中，是以电极裸露面202为梯形面为例，但电极裸露面202的外型不以此为限，电极裸露面202的外型可以依据需求为任意多边形，例如五边形、六边形等。
发光芯片30与梯形面(电极裸露面202)的上顶边2021的最短距离D3可以是不小于50微米(μm)，即，发光芯片30的第四侧发光面3034与第一区段面1021的最短距离D3是不小于50微米(μm)；发光芯片30与梯形面(电极裸露面202)的下底边2022的最短距离D4不小于50微米(μm)，即，发光芯片30的第一侧发光面3031与出光面201的最短距离D4是不小于50微米(μm)；发光芯片30与梯形面(电极裸露面202)的腰边2023的最短距离D5是不小于10微米(μm)，即，第二区段面1022与第二侧发光面3032的最短距离D5或第三区段面1023与第三侧发光面3033的最短距离D5是不小于10微米(μm)；顶发光面302与透光体20的顶面101的最短距离D6不小于50微米(μm)；形成顶面101的侧壁的最小厚度D7不小于50微米(μm)(如图4及图5所示)。通过上述各距离的设计，将可使发光芯片30所发出的光束具有较佳的使用效率及混光空间(在透光体中参杂有荧光粉的情况下)。其中，第二区段面1022与第二侧发光面3032的最短距离D5，及第三区段面1023与第三侧发光面3033的最短距离D5是不小于10微米(μm)，两个距离D5可以是相同或是不同，在此不加以限制。
如图9所示，在第二区段面1022与出光面201的夹角θ4与及第三区段面1023与出光面201的夹角θ5相同的实施例中，若第一区段面1021于横向方向(如图中所示X轴方向)的宽度定义为D1，出光面201于横向方向的宽度定义为D2，发光芯片30面对第二区段面1022(或第三区段面1023)的第二侧发光面3032(或第三侧发光面3033)于纵向方向(如图中所示Y轴方向)的宽度定义为W；若第二区段面1022与出光面201的夹角θ4、第一区段面1021于横向方向的宽度D1及出光面201于横向方向的宽度D2符合以下关系式，则发光芯片30所发出的光束，将可具有最佳的使用效率。
Figure BDA0001892361680000071
如上述假设(夹角θ5与夹角θ4相等)，若发光芯片30面对第三区段面1023的第三侧发光面3033，与第三区段面1023于横向方向的最短距离定义为D5；其中，第三区段面1023与出光面201的夹角θ5与距离D5，符合以下关系式：
d≥(50μm)×tan(90-θ5)。
请参阅图10，其显示为本发明的发光单元的第三实施例的剖面侧视图。本实施例与前述实施例最大不同之处在于：第一区段面1021与电极裸露面202的夹角θ6可以是大于90度，或者，第一区段面1021与铅直线(如图中所示Y轴)之间是形成有一夹角θ7；在实际应用中，第一区段面1021与铅直线之间所形成的夹角θ7是小于5度。本实施例通过上述不同之处的设计，可以使通过第四侧发光面3034射出的光束，更容易地被第一区段面1021反射，而朝向出光面201的方向射出，进而可提升发光芯片30所发出的光束的使用率。
特别说明的是，请一并参阅图2、图7及图9，在实际应用中，通过改变凹槽10a的外型，将可据以改变发光单元整体的出光量；举例来说，在实际的量测数据中，假设图1所示的发光单元其整体的出光量为1单位，则在图9所示的实施例中，若腰边2023与下底边2022的夹角θ4、θ5皆为75度时，则发光单元整体的出光量将为1.02单位；在图6所示的实施例中，若腰边2023与下底边2022的夹角θ4、θ5皆为60度时，则发光单元整体的出光量将为1.12单位。
请参阅图11，其显示为本发明的发光单元的第四实施例的剖面侧视图。本实施例与前述第三实施例最大不同之处在于：顶面101与水平线(如图中所示X轴)之间可以是形成有一夹角θ8，夹角θ9可以是依据需求设计，以使通过顶发光面302所发出的部分光束能通过顶面101的反射而朝向出光面201的方向向外射出(即避免朝内射入的现象产生)。特别说明的是，在不同的应用中，也可以是第一区段面1021与电极裸露面202垂直地设置。
请参阅图12，其为本发明的发光单元100的第五实施例的剖面侧视图。本实施例与前述实施例最大不同之处在于：发光芯片30的底面也可以是与两个电极部31一同凸出于电极裸露面202设置，如此，用来使电极部31固定于外部电路板(图未示)上的焊料的部份，将可以容置于电极部31、外部电路板及透光体20之间，从而可加强电极部31固定于电路板的连接强度，同时可以减少回焊时发光组件滑移的程度。
请参阅图13，其显示为本发明的发光单元的第六实施例的仰视图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：环侧面102可以是一连续曲面，而电极裸露面202可以为半圆形面。在实际应用中，电极裸露面202可以是半圆形面、圆弧形面、半椭圆形面、椭圆弧形面等，在此不加以限制。
请参阅图14，其显示为本发明的发光单元的第七实施例的仰视图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：第一区段面1021呈平面状，而第二区段面1022及第三区段面1023为弧面状；或者，环侧面102的部分区段可以为弧面状，而环侧面102的另一部分则可以是为平面状。关于第二区段面1022及第三区段面1023的曲率可以是依据需求变化，且第二区段面1022的曲率可以是与第三区段面1023的曲率相同或是不相同，在此不加以限制。其中，第一区段面1021于横向方向(即图中所示坐标系的X轴方向)的长度与发光芯片30的第四侧发光面3034于横向方向的长度，可以是依据需求变化，在此不加以限制。在第一区段面1021于横向方向的长度小于发光芯片30的第四侧发光面3034的长度的实施例中，通过第四侧发光面3034向外射出的部分光束，将直接被第二区段面1022或第三区段面1023反射，而朝向出光面201的方向射出。
请参阅图15，其显示为本发明的发光单元100的第八实施例的仰视图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：电极裸露面202为五边形面，而环侧面102可对应区隔为一第一区段面1021a、一第二区段面1021b、一第三区段面1021c及一第四区段面1021d。第一区段面1021a的一侧边与第二区段面1021b的一侧边相连接，第一区段面1021a及第二区段面1021b远离出光面201设置，第一区段面1021a远离与第二区段面1021b相连接的一侧边与第三区段面1021c相连接，第二区段面1021b远离与第一区段面1021a相连接的一侧边与第四区段面1021d相连接。
第一区段面1021a、第二区段面1021b、第三区段面1021c及第四区段面1021d在本实施例图式中，皆是以平面状为例，但不以此为限，在不同的应用中，第一区段面1021a、第二区段面1021b、第三区段面1021c及第四区段面1021d的其中至少一个可以是依据需求为弧面。关于第一区段面1021a与第二区段面1021b彼此间所形成的夹角θ10可以依据需求为钝角或锐角。第一区段面1021a与第三区段面1021c彼此间的夹角θ11则可以是不小于90度，第二区段面1021b与第四区段面1021d彼此间的夹角θ12同样可以是不小于90度，第三区段面1021c与出光面201的夹角θ13则可以是不大于90度，第四区段面1021d与出光面201的夹角θ14同样可以是不大于90度。
请参阅图16，其为本发明的发光单元100的第九实施例的示意图。如图所示，本实施例与前述实施例最大不同之处在于：电极裸露面202可以为六边形面。环侧面102可以对应区隔为一第一区段面1021a、一第二区段面1022b、一第三区段面1023c、一第四区段面1021d及一第五区段面1021e。第一区段面1021a面对第四侧发光面3034设置，第二区段面1021b及第三区段面1021c分别与第一区段面1021a彼此相反的两侧边相连接，第四区段面1021d与第二区段面1021b相反于与第一区段面1021a相连接的侧边相连接，第五区段面1021e则与第三区段面1021c相反于与第一区段面1021a相连接的侧边相连接。
如图所示，在实际应用中，第一区段面1021a与第二区段面1021b或第三区段面1021c彼此间的夹角θ15、θ16可以是大于90度，第二区段面1021b与第四区段面1021d彼此间的夹角θ17是大于90度，第三区段面1021c与第五区段面1021e彼此间的夹角θ18是大于90度，而第四区段面1021d与出光面201的夹角θ19则是不大于90度，第五区段面1021e与出光面201的夹角θ20同样是不大于90度。
请一并参阅图17至图19，其显示为本发明的发光单元的制作流程示意图。如图17所示，制作发光单元100的第一步骤可以为：将多个发光芯片30固定设置于一暂时载板S。关于发光芯片30的数量、彼此相邻的两个发光芯片30的间距等，可依据需求设计，在此不加以限制。
如图18所示，制作发光单元100的第二步骤可以为：在暂时载板S上形成多个透光体20，并使多个透光体20对应包覆多个发光芯片30。在具体的应用中，可以是利用模具，在暂时载板S上直接模塑形成多个透光体20。也可在发光芯片30上形成一连续的透光层，随后以模具冲压或刀具切割形成多个透光体20。另外在本实施例中，是以多个透光体20皆呈现为梯形柱体为例，但各个透光体20的外型不以此为限，例如可以是前述各实施例所述及的外型；另外，在不同的应用中，在此第二步骤中，也可以是使部分的透光体20具有相同的外型，而使另一部分的透光体20具有不相同的外型，或者，在第二步骤中不局限为同时形成多个具有相同外型的透光体20。
如图19所述，制作发光单元100的第三步骤可以为：在暂时载板S上形成多个反射结构10，多个反射结构10对应覆盖多个透光体20的部分，而各个透光体20大致垂直于暂时载板S的一侧面(即前载实施例所述出光面201)，是不被反射结构10所覆盖。在暂时载板S上形成反射结构10的方式，例如可以是利用模具直接在透光体20上形成反射结构10。也可在透光体20上形成一连续的反射层，随后以模具冲压或刀具切割形成多个反射结构10。另外，关于反射结构10的外型可以是依据需求变化。在此第三步骤中，可以是同时形成多个具有相同外型的反射结构10，或者，可以是同时形成部分具有相同外型的反射结构10及部分具有不同外型的反射结构10，在此不加以限制。制作发光单元100的第四步骤可以为：切割暂时载板S以形成多个发光单元100。
综上所述，本发明的发光单元100为一侧发光的发光单元，通过反射结构10的设计，将可大幅提高发光芯片30所发出的光束的利用率。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，并非局限本发明的专利范围，所以凡是运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的保护范围内。

Claims (15)

1.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：
一反射结构，其具有一凹槽，所述反射结构对应于所述凹槽形成有一侧开口及一底开口，所述侧开口及所述底开口彼此相邻；
一透光体，其填充设置于所述凹槽中，所述透光体对应于所述侧开口形成有一出光面，所述透光体对应于所述底开口形成有一电极裸露面；以及
一发光芯片，其部份设置于所述透光体中，所述发光芯片具有一底面，所述底面设置有至少两个电极部，所述至少两个电极部外露于所述电极裸露面。
2.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述凹槽的截面宽度朝所述侧开口方向扩展。
3.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述底面露出于所述电极裸露面。
4.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述电极裸露面呈半椭圆形或半圆形。
5.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述凹槽具有一环侧面，所述环侧面的至少一部份区段呈弧面状。
6.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述电极裸露面呈多边形。
7.依据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述电极裸露面为一梯形面。
8.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述梯形面的下底边邻近于所述出光面设置。
9.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述梯形面的至少一个底角的角度介于60度至90度。
10.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述发光芯片与所述梯形面的腰边的最短距离不小于10微米。
11.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述发光芯片与所述梯形面的上底边的最短距离不小于50微米。
12.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述发光芯片与所述梯形面的下底边的最短距离不小于50微米。
13.依据权利要求7所述的发光单元，其特征在于，所述发光芯片与所述梯形面的腰边的最短距离不小于10微米。
14.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述底面与所述电极裸露面面齐平。
15.依据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述底面凸出于所述电极裸露面。
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