CN111276572B - 一种同心圆单晶硅电池处理方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理。本申请公开的上述技术方案，通过高温预处理和低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，以在不降低单晶硅电池效率的情况下对单晶硅电池中所产生的的同心圆进行处理，从而降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用。

Description

一种同心圆单晶硅电池处理方法
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及一种同心圆单晶硅电池处理方法。
背景技术
在太阳能电池中，单晶硅片主要通过直拉法进行制备，其中，氧是直拉单晶硅中的主要杂质，其来源于晶体生长过程中石英坩埚的污染，且其可以与空位结合形成微缺陷，也可以形成氧沉淀，从而导致诱导缺陷。在单晶硅电池的制备过程中，高温处理工艺会加剧氧杂质的影响，从而导致电池同心圆的产生，而同心圆作为一种缺陷不仅会降低单晶硅电池的转换效率，而且会导致光伏组件发生降级，从而降低光伏组件的良品率。
目前，一般是通过如下两种方式来降低同心圆对单晶硅电池和同心圆的影响：一种是改善单晶硅电池的制备工艺，如降低扩散温度，以降低氧沉淀的生成，另一种是增加单晶硅电池的制备工序，具体为通过TR(TabulaRasa)高温预处理技术来降低氧沉淀的生成，但是，就第一种方法而言，由于工艺调整的窗口非常有限，因此，很难在不降低单晶硅电池转换效率的情况下改善同心圆，例如在优化扩散温度时则会对扩散过程产生影响，从而使得扩散过程达不到原有的效果，而就第二种方法而言，TR高温预处理技术目前仅停留在实验室研究阶段，且由于TR高温预处理技术需要1100℃的温度，因此，对设备的需求非常高，很难实现产业化应用。
综上所述，如何在尽量不对单晶硅电池效率产生影响的情况下对单晶硅电池中所产生的同心圆进行处理，以降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的是提供一种同心圆单晶硅电池处理方法，用于在尽量不对单晶硅电池效率产生影响的情况下对单晶硅电池中所产生的的同心圆进行处理，以降低同心圆对单晶硅电池和光伏组件的影响，并便于实现同心圆处理的产业化应用。
为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：
预先得到成品单晶硅电池，并从所述成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；其中，所述第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，所述第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，所述第二预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值。
优选的，在实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，还包括：
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第三预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理；其中，所述第四预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第四预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值。
优选的，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理之后，还包括：
重复执行多次所述将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理的步骤。
优选的，所述第一预设温度范围为450～700℃，所述第一预设时间长度为1～90s；
所述第二预设温度范围为200～450℃，所述第二预设时间长度为1～600s。
优选的，所述第一预设温度范围为550～650℃。
优选的，所述第三预设温度范围为200～450℃，所述第三预设时间长度为1～90s；
所述第四预设温度范围200～450℃，所述第四预设时间长度为1～600s。
优选的，所述第三预设温度范围为300～400℃。
优选的，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度时，还包括：
对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理。
优选的，对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，包括：
对所述成品同心圆单晶硅电池进行光强为500-100000W/m2且光源波长为350-2000nm的光照处理。
本申请提供了一种同心圆单晶硅电池处理方法，包括：预先得到成品单晶硅电池，并从成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；其中，第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理；其中，第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，第二预设温度范围的最大值小于等于第一预设温度范围的最小值。
本申请公开的上述技术方案，对筛选出的成品同心圆单晶硅电池进行高温预处理和低温光照处理，以通过高温预处理和低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，从而减少同心圆这一缺陷对单晶硅电池和后续制备得到的光伏组件的影响，以提高单晶硅电池的转换效率，并提高光伏组件的良品率，其中，由于上述过程是直接对成品单晶硅电池进行高温预处理和低温光照处理的，且并不需要借助TR高温预处理技术进行实现，因此，则可以尽量减少处理过程对单晶硅电池效率所产生的影响，并可以降低处理过程对设备的要求，从而便于实现产业化应用。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法的流程图；
图2为本申请实施例提供的另一种同心圆单晶硅电池处理方法的流程图；
图3为本申请实施例提供的第一次光退火处理的温度曲线图；
图4为本申请实施例提供的第二次光退火处理的温度曲线图；
图5为本申请实施例提供的对第一个N型成品同心圆单晶硅电池进行处理前后的对比图；
图6为本申请实施例提供的对第二个N型成品同心圆单晶硅电池进行处理前后的对比图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参见图1，其示出了本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法的流程图，本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，可以包括：
S11：预先得到成品单晶硅电池，并从成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池。
在通过直拉法得到单晶硅棒，并通过单晶硅棒得到单晶硅片之后，利用单晶硅片经过丝网印刷、烧结等工艺制备得到成品单晶硅电池，然后，采用电致发光或光致发光等设备对成品单晶硅电池进行检测，以从中筛选出带有同心圆的成品同心圆单晶硅电池。
S12：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理。
其中，第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值。
在筛选出成品同心圆单晶硅电池之后，对成品同心圆单晶硅电池进行第一次光退火处理，其具体包括高温预处理和低温光照处理，其中，低温光照处理在高温预处理之后进行。
其中，第一次光退火处理中的高温预处理过程为：对成品同心圆单晶硅电池的温度进行控制，以使成品同心圆单晶硅电池的温度可以处于第一预设温度范围内并使其在该第一预设温度范围内持续第一预设时间长度，以为对成品同心圆单晶硅电池中的同心圆进行钝化做准备，其中，第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，且第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值，其中，第二阈值小于成品单晶硅电池制备中扩散工艺所需的温度，且小于TR高温预处理技术所需的温度，以便于降低处理过程对单晶硅电池的影响，并便于降低对设备的要求，从而便于实现产业化应用。
S13：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理。
其中，第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，第二预设温度范围的最大值小于等于第一预设温度范围的最小值。
第一次光退火处理中的低温光照处理过程为：在完成对成品同心圆单晶硅电池的高温预处理之后，对成品同心圆单晶硅电池的温度进行控制，并将其温度控制在第二预设温度范围内且使其在该预设温度范围内持续进行第二预设时间长度，在将成品同心圆单晶硅电池的温度维持在第二预设范围内的同时，对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以通过之前的高温预处理过程和此时的低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，从而降低同心圆对单晶硅电池转换效率的影响，以提高单晶硅电池的转换效率，并降低同心圆对光伏组件的影响，以提高光伏组件的等级和良品率。其中，第二预设温度范围的最大值小于或等于第一预设温度范围的最小值，且第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，以便于通过使成品同心圆单晶硅电池的温度维持在第二预设温度范围内而较好地实现对其内部所存在的同心圆这一缺陷的钝化。
需要说明的是，上述所提及的高温预处理中的高温和低温光照处理中的低温是相对而言的，即高温预处理中的高温是相对于低温光照处理中的低温而言，而低温光照处理中的低温则是相对高温预处理中的高温而言的。
由于本申请的处理对象是成品同心圆单晶硅电池，也即是已经制作完成的电池，因此，相对于目前通过改善电池制备工艺来实现对同心圆的处理而导致出现对单晶硅电池效率产生影响的问题，本申请的处理过程可以减少同心圆处理过程对单晶硅电池转换效率所造成的影响。另外，相较于目前仅停留在实验室研究阶段的TR高温预处理技术而言，本申请的处理过程只需对成品同心圆单晶硅电池进行高温预处理和低温光照处理，而高温预处理过程中的温度控制及低温光照处理过程中的温度控制和光照处理均易实现，因此，本申请较易实现同心圆处理的产业化应用，而且由于本申请在同心圆处理中的温度并不会达到1100℃，因此，则可以降低对同心圆处理过程中所需设备的要求，从而便于实现产业化应用。
本申请公开的上述技术方案，对筛选出的成品同心圆单晶硅电池进行高温预处理和低温光照处理，以通过高温预处理和低温光照处理实现对成品同心圆单晶硅电池内部所存在的同心圆的钝化，从而减少同心圆这一缺陷对单晶硅电池和后续制备得到的光伏组件的影响，以提高单晶硅电池的转换效率，并提高光伏组件的良品率，其中，由于上述过程是直接对成品单晶硅电池进行高温预处理和低温光照处理的，且并不需要借助TR高温预处理技术进行实现，因此，则可以尽量减少处理过程对单晶硅电池效率所产生的影响，并可以降低处理过程对设备的要求，从而便于实现产业化应用。
参见图2，其示出了本申请实施例提供的另一种同心圆单晶硅电池处理方法的流程图。本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，在实现对成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，还可以包括：
S14：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的低温预处理。
其中，第三预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，第三预设温度范围的最大值小于等于第一预设温度范围的最小值；
S15：将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理。
其中，第四预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，第四预设温度范围的最大值小于等于第一预设温度范围的最小值。
为了进一步提高对同心圆的钝化效果，则在实现对成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，可以对成品同心圆单晶硅电池进行第二次光退火处理，其中，第二次光退火处理具体包括低温预处理和低温光照处理，且低温光照处理在低温预处理之后进行。
其中，低温预处理的具体实现过程为：对成品同心圆单晶硅电池进行温度控制，以使成品同心圆单晶硅电池的温度可以处于第三预设温度范围内且使其可以在第三预设温度范围内维持第三预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；而低温光照处理的具体实现过程为：在完成低温预处理之后，可以将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且使其在该预设温度范围内持续第四预设时间长度，在使其温度维持在第四预设温度范围内的同时可以对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理。
在第二次光退火处理中，第三预设温度范围的最小值及第四预设温度范围的最小值均大于等于第三阈值，且第三预设温度范围的最大值及第四预设温度范围的最大值均小于等于第一预设温度范围的最小值(即第三预设温度范围和第四预设温度范围均可以与第二预设温度范围相同)，以便于实现低温预处理和低温光照处理，从而便于进一步实现对同心圆的钝化处理。
本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，在将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理之后，还可以包括：
重复执行多次将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理的步骤。
在完成对成品同心圆单晶硅电池的第二次光退火处理之后，可以重复执行多次将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理的步骤，其中，所执行的次数可以根据每次执行完与第二次光退火处理相同的步骤之后的同心圆的改善效果进行决定，具体地，在执行完一遍第二次光退火处理之后，可以利用电致发光或光致发光设备对成品同心圆单晶硅电池进行测试，并判断处理结果是否满足电池厂商的需求，若不满足，则可以再进行一遍与第二次光退火处理相同的步骤，之后，则可以利用电致发光或光致发光设备对成品同心圆单晶硅电池进行测试……直至处理结果满足电池厂商的需求为止。
参见图3，其示出了本申请实施例提供的第一次光退火处理的温度曲线图。本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，第一预设温度范围为450～700℃，第一预设时间长度为1～90s；
第二预设温度范围为200～450℃，第二预设时间长度为1～600s。
在第一次光退火处理过程中，高温预处理的温度范围可以为450～700℃(具体指的是成品同心圆单晶硅电池)，时间可以为1～90s，第一次低温光照处理的温度范围可以为200～450℃(具体指的是成品同心圆单晶硅电池)，时间可以为1～600s，以提高第一次光退火处理的处理效果，从而便于提高对成品同心圆单晶硅电池中的同心圆的钝化效果。
本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，第一预设温度范围为550～650℃。
在第一次光退火处理过程中，高温预处理的温度范围具体可以在550～650℃，以提高高温预处理的效果，进而提高对成品同心圆单晶硅电池中的同心圆的钝化效果。
参见图4，其示出了本申请实施例提供的第二次光退火处理的温度曲线图。本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，第三预设温度范围为200～450℃，第三预设时间长度为1～90s；
第四预设温度范围200～450℃，第四预设时间长度为1～600s。
在第二次光退火处理过程中，低温预处理的温度范围可以为200～450℃(具体指的是成品同心圆单晶硅电池)，时间可以为1～90s，第二次低温光照处理的温度范围可以为200～450℃(具体指的是成品同心圆单晶硅电池)，时间可以为1～600s，以提高第二次光退火处理的处理效果，从而便于提高对成品同心圆单晶硅电池中的同心圆的钝化效果。
本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，第三预设温度范围为300～400℃。
在第二次光退火处理过程中，低温预处理的温度范围具体可以在300～400℃，以便于提高对成品同心圆单晶硅电池中的同心圆的钝化效果。
本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，在将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度时，还可以包括：
对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理。
在将成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度的同时，即在对成品同心圆单晶硅电池进行高温预处理的同时，可以对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以更好地实现对成品同心圆单晶硅电池中同心圆的钝化。
本申请实施例提供的一种同心圆单晶硅电池处理方法，对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，可以包括：
对成品同心圆单晶硅电池进行光强为500-100000W/m2且光源波长为350-2000nm的光照处理。
在本申请中，对成品同心圆单晶硅电池进行光照处理(其不仅可以指高温预处理中所进行的光照处理，而且也可以指第一次低温光照处理及第二次低温光照处理中的光照处理)的具体过程可以为：对成品同心圆单晶硅电池进行光强为500-100000W/m2且光源波长为350-2000nm的光照处理。
为了更加清楚地说明本申请的处理效果，则具体可以参见图5和图6，其中，图5示出了本申请实施例提供的对第一个N型成品同心圆单晶硅电池进行处理前后的对比图，图6示出了本申请实施例提供的对第二个N型成品同心圆单晶硅电池进行处理前后的对比图，由图5和图6可知，这两个N型成品同心圆单晶硅电池在处理前均具存在较为明显的同心圆缺陷，而在采用本申请所提供的同心圆单晶硅处理方法对这两个N型同心圆单晶硅电池进行处理之后，同心圆缺陷明显减少，由此可知，采用本申请所提供的同心圆单晶硅电池处理方法可以较好地对同心圆起到钝化的作用，以降低同心圆对单晶硅片和光伏组件的影响。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。另外，本申请实施例提供的上述技术方案中与现有技术中对应技术方案实现原理一致的部分并未详细说明，以免过多赘述。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，包括：
预先得到成品单晶硅电池，并从所述成品单晶硅电池中筛选出成品同心圆单晶硅电池；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的高温预处理；其中，所述第一预设温度范围的最小值大于等于第一阈值，所述第一预设温度范围的最大值小于等于第二阈值；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第二预设温度范围内且持续第二预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第一次低温光照处理；其中，所述第二预设温度范围的最小值大于等于第三阈值，所述第二预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；
在实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温光照处理之后，还包括：
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；其中，所述第三预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第三预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值；
将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理；其中，所述第四预设温度范围的最小值大于等于所述第三阈值，所述第四预设温度范围的最大值小于等于所述第一预设温度范围的最小值。
2.根据权利要求1所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理之后，还包括：
重复执行多次所述将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第三预设温度范围内且持续第三预设时间长度，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的低温预处理；将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第四预设温度范围内且持续第四预设时间长度，并对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，以实现对所述成品同心圆单晶硅电池的第二次低温光照处理的步骤。
3.根据权利要求2所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第一预设温度范围为450～700℃，所述第一预设时间长度为1～90s；
所述第二预设温度范围为200～450℃，所述第二预设时间长度为1～600s。
4.根据权利要求3所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第一预设温度范围为550～650℃。
5.根据权利要求2所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第三预设温度范围为200～450℃，所述第三预设时间长度为1～90s；
所述第四预设温度范围200～450℃，所述第四预设时间长度为1～600s。
6.根据权利要求5所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，所述第三预设温度范围为300～400℃。
7.根据权利要求1至6任一项所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，在将所述成品同心圆单晶硅电池的温度控制在第一预设温度范围内且持续第一预设时间长度时，还包括：
对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理。
8.根据权利要求7所述的同心圆单晶硅电池处理方法，其特征在于，对所述成品同心圆单晶硅电池进行光照处理，包括：
对所述成品同心圆单晶硅电池进行光强为500-100000W/m2且光源波长为350-2000nm的光照处理。
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