CN111276566A - 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 - Google Patents
基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111276566A CN111276566A CN202010069537.9A CN202010069537A CN111276566A CN 111276566 A CN111276566 A CN 111276566A CN 202010069537 A CN202010069537 A CN 202010069537A CN 111276566 A CN111276566 A CN 111276566A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- perovskite solar
- inorganic perovskite
- spin coating
- prepared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000012071 phase Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 32
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 7
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- SGWTWSJQYHSLLT-UHFFFAOYSA-M CO.[Br-].[Cs+] Chemical compound CO.[Br-].[Cs+] SGWTWSJQYHSLLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 23
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明提供了基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,本发明具体是在导电玻璃上旋涂二氧化钛浆料经高温退火后制得二氧化钛电子传输层,随后旋涂溴化铅溶液,在此基础上经连续旋涂多遍溴化铯溶液之后直接高温加热,形成高质量、高纯度的致密无机钙钛矿薄膜,之后在其表面采用刮涂技术涂覆碳电极,制备成全无机钙钛矿太阳能电池。本发明的方法简便高效,大大节约了制备时间和成本,制备的钙钛矿薄膜无杂相物质、结晶性好、晶粒尺寸大、晶界数量和缺陷态密度低,充分促进了光生电子‑空穴的分离和传输,组装的太阳能电池效率突出,且具有良好的长期稳定性,适宜广泛推广。
Description
技术领域
本发明属于新材料技术以及新能源技术领域,具体涉及基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用。
背景技术
在时代背景之下,部署太阳能电池被认为是替代传统的化石燃料最有前途的选择之一。其中钙钛矿太阳能电池自2009年被提出之后引起了科研者的广泛关注,得到了迅猛的发展,在2013年被Science评为国际十大科技进展之一,目前有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池光电转化效率已达到惊人的25.2%。但杂化钙钛矿材料中的有机成分在高温或高湿环境容易降解且价格昂贵,限制了其进一步发展。而CsPbBr3全无机钙钛矿材料因制备简单,成本低廉且具有优良的环境稳定性,迅速成为了光伏领域的研究热点。
高质量的CsPbBr3钙钛矿薄膜是电池获得高光电转化效率的前提基础。基于现有的制备技术尚存在各种缺点,制备出的钙钛矿薄膜的质量仍差强人意,导致纯CsPbBr3全无机钙钛矿电池效率较低。因此,开发一种全新的可制备高质量、高纯度的CsPbBr3钙钛矿太阳能电池的技术具有重要的理论意义和实用价值。
发明内容
本发明的目的在于提供了基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,本发明可以获得低成本、高质量、不经任何修饰而具有高光电转换效率的全无机钙钛矿太阳能电池,加速钙钛矿太阳能电池的产业化进程,具有重要的现实意义和经济价值。
为实现上述发明目的,本发明采用以下技术方案予以实现:
本发明提供了一种基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,它包括以下步骤:
(1)、配制所需溶液:钛酸异丙酯乙醇溶液(0.1~1 M),二氧化钛浆料(0.05~0.1 g/mL),四氯化钛水溶液(0.01~0.05 M);溴化铅DMF溶液(1~2 M),溴化铯甲醇溶液(0.05~0.1 M);
(2)、将刻蚀过的FTO导电玻璃清洗干净作为基底,将所述钛酸异丙酯乙醇溶液旋涂在上面,经高温退火制得二氧化钛致密层;
(3)、将所述TiO2浆料旋涂在步骤(2)制得的二氧化钛致密层表面,再次高温退火制得二氧化钛薄膜;
(4)、将步骤(3)制得的二氧化钛薄膜浸泡在所述四氯化钛水溶液中,水浴加热,经高温退火制得介孔二氧化钛薄膜;
(5)、将所述溴化铅DMF溶液旋涂在步骤(4)制得的二氧化钛薄膜表面,置于加热台加热;
(6)、将所述溴化铯甲醇溶液在步骤(5)制得的薄膜表面连续旋涂多遍,高温加热制得高质量、致密均匀的CsPbBr3钙钛矿薄膜;
(7)、将碳浆料刮涂于所述步骤(6)制得的钙钛矿薄膜表面经高温干燥作为背电极,组装成所述全无机钙钛矿太阳能电池。
进一步的:所述步骤(2)中在450 ~ 550度下煅烧60 ~ 120分钟。
进一步的:在马弗炉中400 ~ 500度下煅烧30 ~ 60分钟。
进一步的:所述步骤(4)中70-80度水浴加热25 ~ 35分钟。
进一步的:所述步骤(5)中旋涂溴化铅溶液为在2000转/分下进行,时间为20秒,加热是在加热台上70 ~ 100度下加热0.5 ~ 1小时。
进一步的:所述步骤(6)中旋涂溴化铯溶液为在2000转/分下进行,时间为20秒,在加热台上200 ~ 300度下加热5 ~ 40分钟。
本发明还提供了所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池。
进一步的:所述全无机钙钛矿太阳能电池的开路电压为1.45~1.6V、短路电流密度为5.5~8mA·cm-2、填充因子为0.70~0.85、光电转换效率为6.5~9.5%。
本发明还提供了所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池在作为电池组件中的应用。
与现有技术相比,本发明的优点和技术效果是:
1、本发明采用的基于液相连续旋涂直接相转变法与常规的多步液相加热法相比,减少了每旋涂一遍溴化铯溶液都要高温加热的过程,避免了甲醇溶剂对CsPbBr3钙钛矿前驱体薄膜的破坏降解,具有制备方法简单,节约成本和时间,重复性好,电池光电转换效率突出等优势,将不经任何修饰的无空穴碳基纯CsPbBr3全无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率提升至9%以上,在研究领域内领先。
2、本发明采用液相连续旋涂直接相转变法制备CsPbBr3,减少了钙钛矿衍生相CsPb2Br5及Cs4PbBr6的生成,钙钛矿薄膜纯度高、形貌致密均匀、缺陷密度低无明显晶界、晶粒尺寸大,充分提高了光生电子-空穴的分离和传输。且CsPbBr3薄膜在高温、高湿环境下具有优异的稳定性,其组装的太阳能电池长期运行光电转换效率保持率高且具有较低的滞后效应,技术值得广泛推广。
附图说明
图1为本发明基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的滞后效应图。
图2为本发明基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池在最大功率点持续输出200秒的稳态输出图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明的技术方案作进一步详细的说明。
实施例1
本发明所述基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的的制备方法包括以下步骤:
1、以钛酸异丙酯为溶质、乙醇为溶剂配制浓度为0.5 M的钛酸异丙酯乙醇溶液;将二氧化钛溶解在水中,利用溶胶-水热法制备0.1 g/mL的二氧化钛浆料;将四氯化钛溶解在水中,配制浓度为0.04 M的四氯化钛溶液;以溴化铅为溶质、DMF为溶剂配制浓度为1 M溴化铅溶液;以溴化铯为溶质、甲醇为溶剂配制浓度为0 .07 M的溴化铯溶液;
2、将85 μL步骤1配制的所述钛酸异丙酯乙醇溶液以7000转/分的速度在FTO导电玻璃基体上旋涂30秒形成薄膜,经550度煅烧2小时制备得到致密层二氧化钛;
3、将步骤1配制的所述二氧化钛浆料以2500转/分的速度在步骤2上所得的致密层二氧化钛表面旋涂20秒,经450度煅烧30分钟制备得到薄膜;
4、将步骤3制得的薄膜浸泡在步骤1配制的所述四氯化钛溶液中,于75度下水浴加热30分钟,经450度下煅烧30分钟制备得到介孔二氧化钛薄膜;
5、将步骤1配制的所述溴化铅溶液以2000转/分的速度在步骤4制备的介孔二氧化钛薄膜表面旋涂20秒,经90度下加热30分钟制得二氧化钛/溴化铅薄膜;
6、将步骤1配制的所述溴化铯溶液在步骤5中制备的薄膜表面以2000转/分的速度旋涂多遍,时间为20秒,然后在250度下加热30分钟;
7、在步骤6制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜表面刮涂碳浆料,经90度下加热20分钟得到全无机钙钛矿太阳能电池。
所述全无机钙钛矿太阳能电池的性能试验结果如图1、图 2所示。通过上述方法,获得了开路电压为1.45~1.6V、短路电流密度为5.5~8mA·cm-2、填充因子为0.70~0.85、光电转换效率为6.5~9.5%、滞后效应减弱、在湿度为50%~90%的条件下连续放置30天电池性能无明显衰减的高纯度、高效率的纯CsPbBr3的全无机钙钛矿太阳能电池。本发明所述全无机钙钛矿太阳能电池可以作为电池组件和电站应用。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其进行限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的普通技术人员来说,依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明所要求保护的技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)、配制所需溶液:钛酸异丙酯乙醇溶液(0.1~1 M),二氧化钛浆料(0.05~0.1 g/mL),四氯化钛水溶液(0.01~0.05 M);溴化铅DMF溶液(1~2M),溴化铯甲醇溶液(0.05~0.1M);
(2)、将刻蚀过的FTO导电玻璃清洗干净作为基底,将所述钛酸异丙酯乙醇溶液旋涂在上面,经高温退火制得二氧化钛致密层;
(3)、将所述TiO2浆料旋涂在步骤(2)制得的二氧化钛致密层表面,再次高温退火制得二氧化钛薄膜;
(4)、将步骤(3)制得的二氧化钛薄膜浸泡在所述四氯化钛水溶液中,水浴加热,经高温退火制得介孔二氧化钛薄膜;
(5)、将所述溴化铅DMF溶液旋涂在步骤(4)制得的二氧化钛薄膜表面,置于加热台加热;
(6)、将所述溴化铯甲醇溶液在步骤(5)制得的薄膜表面连续旋涂多遍,直接高温加热制得高质量、致密均匀的CsPbBr3钙钛矿薄膜;
(7)、将碳浆料刮涂于所述步骤(6)制得的钙钛矿薄膜表面经高温干燥作为背电极,组装成所述全无机钙钛矿太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于所述步骤(2)中在马弗炉中450 ~ 550度下煅烧60 ~ 120分钟。
3.根据权利要求1所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于所述步骤(3)中在马弗炉中400 ~ 500度下煅烧30 ~ 60分钟。
4.根据权利要求1所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于所述步骤(4)中70-80度水浴加热25 ~ 35分钟。
5.根据权利要求1所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于所述步骤(5)中旋涂溴化铅溶液为在2000转/分下进行,时间为20秒,加热是在加热台上70 ~ 100度下加热0.5 ~ 1小时。
6.根据权利要求1所述的基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于所述步骤(6)中旋涂溴化铯溶液为在2000转/分下进行,时间为20秒,在加热台上200 ~ 300度下加热5 ~ 40分钟。
7.权利要求1~6任一项所述的制备方法制得的全无机钙钛矿太阳能电池。
8.根据权利要求8所述的全无机钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述全无机钙钛矿太阳能电池的开路电压为1.45~1.6V、短路电流密度为5.5~8mA·cm-2、填充因子为0.70~0.85、光电转换效率为6.5~9.5%。
9.权利要求7所述的全无机钙钛矿太阳能电池在作为电池组件及电站中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010069537.9A CN111276566B (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010069537.9A CN111276566B (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111276566A true CN111276566A (zh) | 2020-06-12 |
CN111276566B CN111276566B (zh) | 2022-06-07 |
Family
ID=71001942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010069537.9A Active CN111276566B (zh) | 2020-01-21 | 2020-01-21 | 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111276566B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009090098A2 (de) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Schmid Technology Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer solarzelle |
US20150311364A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-10-29 | National Central University | Method for preparing perovskite film and solar cell thereof |
CN107324665A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-11-07 | 苏州大学 | 一种聚乙二醇辅助制备纯无机钙钛矿薄膜的方法 |
CN108878554A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 暨南大学 | 基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr3的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
CN109560148A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-04-02 | 浙江海洋大学 | 一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机及制备方法 |
CN110047951A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-07-23 | 中国海洋大学 | 基于过渡金属离子掺杂全无机钙钛矿电池制备及其应用 |
CN110484963A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-22 | 山东大学 | 一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法 |
-
2020
- 2020-01-21 CN CN202010069537.9A patent/CN111276566B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009090098A2 (de) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Schmid Technology Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer solarzelle |
US20150311364A1 (en) * | 2014-04-29 | 2015-10-29 | National Central University | Method for preparing perovskite film and solar cell thereof |
CN107324665A (zh) * | 2017-05-31 | 2017-11-07 | 苏州大学 | 一种聚乙二醇辅助制备纯无机钙钛矿薄膜的方法 |
CN108878554A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 暨南大学 | 基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr3的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
CN109560148A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-04-02 | 浙江海洋大学 | 一种基于纳米结构薄膜电极的纳米发电机及制备方法 |
CN110047951A (zh) * | 2019-03-18 | 2019-07-23 | 中国海洋大学 | 基于过渡金属离子掺杂全无机钙钛矿电池制备及其应用 |
CN110484963A (zh) * | 2019-08-13 | 2019-11-22 | 山东大学 | 一种压力驱动离子扩散生长制备无机钙钛矿单晶薄膜的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111276566B (zh) | 2022-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108878554B (zh) | 基于镧系稀土离子掺杂CsPbBr3的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN110047951B (zh) | 基于过渡金属离子掺杂全无机钙钛矿电池制备及其应用 | |
CN112635675B (zh) | 一种基于3-噻吩乙酸界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN101916670B (zh) | 一种TiO2纳米花薄膜光阳极及其制备方法 | |
CN110416356B (zh) | 一种硒化锑薄膜太阳能电池的制备方法 | |
CN106128954B (zh) | 一种提升钙钛矿结晶性的方法 | |
CN105609643A (zh) | 一种钙钛矿型太阳能电池及制备方法 | |
CN111146300B (zh) | 基于胺化合物添加CsPbBr3的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
CN113903861A (zh) | 空气中快速退火的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN106299141A (zh) | 一种复合电子传输层结构的钙钛矿太阳能电池的制造方法 | |
CN111540835A (zh) | 一种提高钙钛矿太阳能电池热稳定性的方法 | |
Moon et al. | Titanium oxide films prepared by sputtering, sol gel and dip coating methods for photovoltaic application | |
CN110890466A (zh) | 一种全印刷介观钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN114678472A (zh) | 一种FAPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法 | |
CN116253694B (zh) | 配体、金属有机框架材料及其应用和钙钛矿太阳能电池 | |
CN111129310B (zh) | 一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法 | |
CN111276566B (zh) | 基于液相连续旋涂直接相转变法制备的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 | |
LU501865B1 (en) | An efficient inorganic hybrid perovskite ink and its application | |
CN107705993B (zh) | 染料敏化太阳电池氧化铜纳米棒阵列对电极及其制备方法 | |
CN113421970B (zh) | 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN105914243B (zh) | 一种具有铁电性能的薄膜光电器件及其制备方法 | |
CN105280389A (zh) | 染料敏化太阳能电池的制备方法 | |
CN113394343B (zh) | 一种背入射p-i-n结构钙钛矿太阳电池及其制备方法 | |
CN112420877B (zh) | 一种以卤素化氧化石墨烯为添加剂及空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN102082031B (zh) | 一种新型染料敏化太阳电池光阳极 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |