CN111271968A - 高温烘箱的温度调整设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管、一内框套、至少一加热组件及一腔门，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该烘箱腔体内璧环设该内框套，通过至少一该加热组件对该内框套加热，再经由该内框套以热辐射方式对该处理腔室加热，该腔门可垂直升降地设置于该烘箱腔体底部；及一气体再处理装置，该气体再处理装置包含一气体回收器，利用该气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置或经再处理后流回该处理腔室。

Description

高温烘箱的温度调整设备
技术领域
本发明涉及电子封装技术领域，特别是一种高温烘箱的温度调整设备。通过气体再处理装置中的冷却器来冷却由处理腔室流出的气体，通过加热器来加热该气体再处理装置内的气体，再利用气体回收器将气体送回处理腔室内，大幅度提高了气体的加热及冷却效率，并达到气体回收再利用的目的，有效降低生产成本。
背景技术
近年来,电子技术日新月异，利用集成电路组件所组成的电子产品，已成为现代人日常生活中不可或缺的工具。在半导体封装的制程的中，冷却制程与加热制程往往扮演着重要的角色，并且经常需要在这些冷却制程与加热制程的间进行切换。例如，从高温冷却至低温或者从高温冷却至低温然后再加热至高温等等，其冷却及/或加热速率愈快，则制程效率愈高。在现有的冷却制程中，经常直接在处理腔室内采用气冷式或水冷式冷却器进行气体冷却，然而由于腔体的热容量太大，导致无法达到快速冷却的效果，另外，在现有的加热制程中，经常直接在处理腔室内采用加热器进行气体加热，同样由于腔体的热容量太大，导致无法达到快速加热的效果，因此，为了达到快速冷却及快速加热的效果，现有冷却制程往往采用直接排放高温的气体，然后再通入低温的气体，以达到快速冷却的效果。然而，因为必须排空原本既存的高温气体，然后再从外部通入新的低温气体，因此，无法有效利用原本既存的气体，导致气体成本的浪费。在上述情况下，若进一步希望使制程温度回到降温前的温度等级(或者甚至达到比降温前更高的温度等级)，则必须先将低温气体排空，然后再从外部通入新的高温气体，同样导致气体成本的浪费。而且，在加热制程中有部份的制程化学品会因挥发或蒸发而弥漫于处理腔室中，当冷却制程时，飘散在处理腔室中的气态制程化学品发生冷凝而形成污染物附着在腔体内壁，造成机台维护成本提高与产能降低，另外，现有技术中，半导体封装制程所使用的烘箱是以热对流的方式加热，这样的加热方式必须在烘腔内部置入一组风扇使内部加热的气体产生对流，为了快速升温以及升温时的均温性必须考虑加速加热气体的流动，如此气体的扰动所造成对于烘烤产品的震动对许多半导体组件来说存在着难以臆测的风险，实有加以改良的必要。
针对上述半导体封装因制程切换所存在的问题点，如何开发一种更具理想实用性并兼顾经济效益的温度调整设备，实为相关业者积极研发突破的目标及方向。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种高温烘箱的温度调整设备。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：本发明第一实施例是：提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管、一内框套、至少一加热组件及一腔门，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，该烘箱腔体内璧环设该内框套，该内框套内部形成一环状的容置空间，该容置空间内设置至少一该加热组件，透过至少一该加热组件对该内框套加热，再经由该内框套以热辐射方式对该处理腔室加热，该腔门可垂直升降地设置于该烘箱腔体底部，该腔门内表面设置一处理框架，该处理框架上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，由该气体再处理装置处理该气体。该气体再处理装置包含一冷却器、一加热器以及一气体回收器，由该冷却器来冷却该气体再处理装置内的气体。由该加热器来加热经由该气体再处理装置流回该处理腔室的气体。利用该气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置或经再处理后流回该处理腔室，该气体回收器为一风扇。
上述技术方案中，至少一该加热组件为加热套、加热板、加热丝或加热棒。
上述技术方案中，在至少一该进气岐管内的气体，经由各该进气孔喷出，扰动该处理腔室内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流，促进该处理腔室内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性。
本发明第二实施例是：提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管、至少一加热套及一腔门，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，该烘箱腔体外璧环设至少一该加热套，至少一该加热套对该烘箱腔体外璧加热，再经由该烘箱腔体以热辐射方式对该处理腔室加热，该腔门可垂直升降地设置于该烘箱腔体底部，该腔门内表面设置一处理框架，该处理框架上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。
一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，由该气体再处理装置处理该气体。该气体再处理装置包含一冷却器、一加热器以及一气体回收器，由该冷却器来冷却该气体再处理装置内的气体。由该加热器来加热经由该气体再处理装置流回该处理腔室的气体。利用该气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置或经再处理后流回该处理腔室，该气体回收器为一风扇。
上述技术方案中，在至少一该进气岐管内的气体，经由各该进气孔喷出，扰动该处理腔室内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流，促进该处理腔室内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性。
本发明第三实施例是提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管、至少一加热组件及一腔门，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，至少一该加热组件设置于该烘箱腔体内璧与至少一该进气岐管旁侧间，气体在至少一该进气岐管内，经由各该进气孔喷出，让至少一该加热组件以热对流方式对该处理腔室加热，该腔门可垂直升降地设置于该烘箱腔体底部，该腔门内表面设置一处理框架，该处理框架上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。
一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，由该气体再处理装置处理该气体。该气体再处理装置包含一冷却器、一加热器以及一气体回收器，由该冷却器来冷却该气体再处理装置内的气体。由该加热器来加热经由该气体再处理装置流回该处理腔室的气体。利用该气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置或经再处理后流回该处理腔室，该气体回收器为一风扇。
上述技术方案中，至少一该加热组件为加热套、加热板、加热丝或加热棒。
上述技术方案中，该高温烘箱的温度调整设备更包含一气体输送单元，该气体输送单元包含一气体输入管路、一气体排出管路、一气体回收管路及一气体排放管路，该气体输入管路一端连接至少一该进气岐管，另一端连接一气体源或连结该气体回收管路，该气体源为一空气压缩机或厂务气体管路，该气体源将一预定压力的气体经由该气体输入管路输入该处理腔室，该气体排出管路一端连接至少一该排气岐管，另一端连接该气体再处理装置，该气体回收管路一端连接该气体输入管路，或直接连结至少一该进气岐管，另一端连接该气体再处理装置，该气体排放管路一端连接该气体再处理装置，排放该气体再处理装置内的气体至外界。
上述技术方案中，各该进气孔呈等间距排列设置。
上述技术方案中，各该排气孔呈等间距排列设置。
上述技术方案中，该腔门以气压式、液压式或马达驱动方式开启、关闭。
上述技术方案中，该气体再处理装置更包含至少一过滤器，透过至少一该过滤器过滤流出该处理腔室的气体。
上述技术方案中，该气体再处理装置更包含一触媒转换器，在加热此气体期间由该触媒转换器处理该气体。
上述技术方案中，当该处理腔室的制程需求温度较高时，可在该气体离开该气体再处理装置之后并且返回到该处理腔室内之前，于该气体回收管路设置一加热器及一触媒转换器，以进一步加热及/或处理离开气体再处理装置的气体，俾能缩短在该处理腔室内加热气体的时间及/或利用催化反应将此气体进行进一步净化。
上述技术方案中，该气体夹杂气态制程化学品流入各该排气孔，经由至少一排气岐管流出该处理腔室外。
上述技术方案中，当该腔门开启时同步将该处理框架移出该处理腔室外，可轻易地放置、取出目标物，该腔门关闭时同步将该处理框架移入该处理腔室内，有效节省人力作业成本。
本发明的有益效果是：本发明的高温烘箱的温度调整设备，由加热器来加热经由该气体再处理装置流回该处理腔室的气体，缩短在处理腔室内加热气体的时间，有效提升气体的加热效率；利用气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入的气体经再处理后流回该处理腔室，达到气体回收再利用的目的，有效降低生产成本 ；处理腔室内的气体夹杂气态制程化学品在制程完成后经由气体排出管路流入该气体再处理装置，透过至少一该过滤器滤除气体中的制程化学品污染物，可避免气体回收再利用时处理腔室遭受污染；处理腔室内的气体流入气体再处理装置，由冷却器来冷却该气体，相较于直接在较高温该处理腔室内进行气体冷却，且又无烘箱腔体热容量太大的影响，可有效提升气体的冷却效率；气体经由各该进气孔喷出，扰动处理腔室内的气体，形成热对流，促进处理腔室内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性。
附图说明
图1是本发明的第一实施例之高温烘箱的温度调整设备示意图。
图2是本发明的第一实施例之烘箱构造示意图。
图3是本发明的第二实施例之高温烘箱的温度调整设备示意图。
图4是本发明的第二实施例之烘箱构造示意图。
图5是本发明的第三实施例之高温烘箱的温度调整设备示意图。
图6是本发明的第三实施例之烘箱构造示意图。
图中：2-烘箱； 5-气体输送单元；6-气体再处理装置； 20-烘箱腔体；
21-进气岐管；211-进气孔；22-排气岐管；221-排气孔；23-内框套；
231-容置空间；24 -加热组件；24a-加热套；25- 腔门；27-处理腔室；28-处理框架；51-气体输入管路；52-气体排出管路；53-气体回收管路； 54-气体排放管路；55-气体源；61-冷却器；62-过滤器 ；63-加热器；64-触媒转换器；65-气体回收器； 66-加热器；67- 触媒转换器。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
如图1及图2所示，本发明第一实施例提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱2，该烘箱2包含一烘箱腔体20、至少一进气岐管21、至少一排气岐管22、一内框套23、至少一加热组件24及一腔门25，该烘箱腔体20内部形成一处理腔室27，该处理腔室27一侧装设至少一该进气岐管21，另一侧装设至少一该排气岐管22，至少一该进气岐管21外周贯设复数个进气孔211，各该进气孔211呈等间距排列设置，至少一该排气岐管22外周贯设复数个排气孔221，各该排气孔221呈等间距排列设置，该烘箱腔体20内璧环设该内框套23，该内框套23内部形成一环状的容置空间231，该容置空间231设置至少一该加热组件24，至少一该加热组件24为加热套、加热板、加热丝或加热棒，透过至少一该加热组件24对该内框套23加热，再经由该内框套23以热辐射方式对该处理腔室27加热，使该处理腔室27笼罩在高温及高压的工作环境中，该处理腔室27内的工作温度介于摄氏20度(室温)至摄氏1500度的范围，工作压力变化范围介于1大气压( atm )至100大气压( atm )的间，在至少一该进气岐管21内的气体，经由各该进气孔211喷出，扰动该处理腔室27内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流，促进该处理腔室27内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性，该腔门25可垂直升降地设置于该烘箱腔体20底部，该腔门25以气压式、液压式或马达驱动方式开启、关闭，该腔门25内表面设置一处理框架28，该处理框架28上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。
一气体输送单元5，该气体输送单元5包含一气体输入管路51、一气体排出管路52、一气体回收管路53及一气体排放管路54，该气体输入管路51一端连接至少一该进气岐管21，另一端连接一气体源55或连结该气体回收管路53，该气体源55为一空气压缩机或厂务气体管路，该气体源55将一预定压力的气体经由该气体输入管路51输入该处理腔室27，该气体排出管路52一端连接至少一该排气岐管22，该气体回收管路53一端连接该气体输入管路51，或直接连结至少一该进气岐管21。
一气体再处理装置6，该气体再处理装置6包含一冷却器61、至少一过滤器62、一加热器63、一触媒转换器64以及一气体回收器65，该气体排出管路52另一端连接该气体再处理装置6，该处理腔室27内的气体可经由气体排出管路52流入该气体再处理装置6，由该冷却器61来冷却该气体，透过至少一该过滤器62过滤流出该处理腔室27的气体。由该加热器63来加热经由该气体再处理装置6流回该处理腔室27的气体，并在加热此气体期间由该触媒转换器64处理该气体，例如透过触媒转换器64利用催化反应将此气体进行净化(例如，将此气体中的CO、HC、NOx 等等成分转换为对人体无害的气体，如CO2、H2O、N2、O2 等等)。触媒转换器64可例如含有铑、铂、钯等等的金属以作为催化剂。触媒转换器64可为二元触媒转换器、三元触媒转换器或二元触媒转换器与三元触媒转换器的组合。该气体回收管路53另一端连接该气体再处理装置6，利用该气体回收器65将该处理腔室27内的气体吸入该气体再处理装置6，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置6或经再处理后流回该处理腔室27，该气体回收器65为一风扇。
如图3及图4所示(其中和第一实施例相同的组件使用相同的组件符号)，本发明第二实施例提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱2，该烘箱2包含一烘箱腔体20、至少一进气岐管21、至少一排气岐管22、至少一加热套24a及一腔门25，该烘箱腔体20内部形成一处理腔室27，该处理腔室27一侧装设至少一该进气岐管21，另一侧装设至少一该排气岐管22，至少一该进气岐管21外周贯设复数个进气孔211，各该进气孔211呈等间距排列设置，至少一该排气岐管22外周贯设复数个排气孔221，各该排气孔221呈等间距排列设置，该烘箱腔体20外璧环设至少一该加热套24a，至少一该加热套24a对该烘箱腔体20外璧加热，再经由该烘箱腔体20以热辐射方式对该处理腔室27加热，使该处理腔室27笼罩在高温及高压的工作环境中，该处理腔室27内的工作温度介于摄氏20度(室温)至摄氏1500度的范围，工作压力变化范围介于1大气压( atm )至100大气压( atm )的间，在至少一该进气岐管21内的气体，经由各该进气孔211喷出，扰动该处理腔室27内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流，促进该处理腔室27内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性，该腔门25可垂直升降地设置于该烘箱腔体20底部，该腔门25以气压式、液压式或马达驱动方式开启、关闭，该腔门25内表面设置一处理框架28，该处理框架28上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。
一气体输送单元5，该气体输送单元5包含一气体输入管路51、一气体排出管路52、一气体回收管路53及一气体排放管路54，该气体输入管路51一端连接至少一该进气岐管21，另一端连接一气体源55或连结该气体回收管路53，该气体源55为一空气压缩机或厂务气体管路，该气体源55将一预定压力的气体经由该气体输入管路51输入该处理腔室27，该气体排出管路52一端连接至少一该排气岐管22，该气体回收管路53一端连接该气体输入管路51，或直接连结至少一该进气岐管21。
一气体再处理装置6，该气体再处理装置6包含一冷却器61、至少一过滤器62、一加热器63、一触媒转换器64以及一气体回收器65，该气体排出管路52另一端连接该气体再处理装置6，该处理腔室27内的气体可经由气体排出管路52流入该气体再处理装置6，由该冷却器61来冷却该气体，透过至少一该过滤器62过滤流出该处理腔室27的气体。由该加热器63来加热经由该气体再处理装置6流回该处理腔室27的气体，并在加热此气体期间由该触媒转换器64处理该气体。该气体回收管路53另一端连接该气体再处理装置6，利用该气体回收器65将该处理腔室27内的气体吸入该气体再处理装置6，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置6或经再处理后流回该处理腔室27，该气体回收器65为一风扇。
如图5及图6所示(其中和第一实施例相同的组件使用相同的组件符号)，本发明第三实施例提供一种高温烘箱的温度调整设备，包括：一烘箱2，该烘箱2包含一烘箱腔体20、至少一进气岐管21、至少一排气岐管22、至少一加热组件24及一腔门25，该烘箱腔体20内部形成一处理腔室27，该处理腔室27一侧装设至少一该进气岐管21，另一侧装设至少一该排气岐管22，至少一该进气岐管21外周贯设复数个进气孔211，各该进气孔211呈等间距排列设置，至少一该排气岐管22外周贯设复数个排气孔221，各该排气孔221呈等间距排列设置，至少一该加热组件24设置于该烘箱腔体20内璧与至少一该进气岐管21旁侧间，气体在至少一该进气岐管21内，经由各该进气孔211喷出，让至少一该加热组件24以热对流方式对该处理腔室27加热，使该处理腔室27笼罩在高温及高压的工作环境中，该处理腔室27内的工作温度介于摄氏20度(室温)至摄氏1500度的范围，工作压力变化范围介于1大气压( atm )至100大气压( atm )的间，该腔门25可垂直升降地设置于该烘箱腔体20底部，该腔门25以气压式、液压式或马达驱动方式开启、关闭，该腔门25内表面设置一处理框架28，该处理框架28上可放置待处理目标物，该待处理目标物可以是半导体芯片。
一气体输送单元5，该气体输送单元5包含一气体输入管路51、一气体排出管路52、一气体回收管路53及一气体排放管路54，该气体输入管路51一端连接至少一该进气岐管21，另一端连接一气体源55或连结该气体回收管路53，该气体源55为一空气压缩机或厂务气体管路，该气体源55将一预定压力的气体经由该气体输入管路51输入该处理腔室27，该气体排出管路52一端连接至少一该排气岐管22，该气体回收管路53一端连接该气体输入管路51，或直接连结至少一该进气岐管21。
一气体再处理装置6，该气体再处理装置6包含一冷却器61、至少一过滤器62、一加热器63、一触媒转换器64以及一气体回收器65，该气体排出管路52另一端连接该气体再处理装置6，该处理腔室27内的气体可经由气体排出管路52流入该气体再处理装置6，由该冷却器61来冷却该气体，透过至少一该过滤器62过滤流出该处理腔室27的气体。由该加热器63来加热经由该气体再处理装置6流回该处理腔室27的气体，并在加热此气体期间由该触媒转换器64处理该气体。该气体回收管路53另一端连接该气体再处理装置6，利用该气体回收器65将该处理腔室27内的气体吸入该气体再处理装置6，该吸入的气体可直接排出该气体再处理装置6或经再处理后流回该处理腔室27，该气体回收器65为一风扇。
上述技术方案中，该气体排放管路54一端连接该气体再处理装置6，籍由排放该气体再处理装置6内的气体至外界。
上述技术方案中，当该处理腔室27的制程需求温度较高时，可在该气体离开该气体再处理装置6的后并且返回到该处理腔室27内的前，于该气体回收管路53设置一加热器66及一触媒转换器67，以进一步加热及/或处理离开气体再处理装置6的气体，能缩短在该处理腔室27内加热气体的时间及/或利用催化反应将此气体进行进一步净化。
上述技术方案中，该气体夹杂气态制程化学品流入各该排气孔221，经由至少一排气岐管22流出该处理腔室27外。
上述技术方案中，当该腔门25开启时同步将该处理框架28移出该处理腔室27外，可轻易地放置、取出目标物，该腔门25关闭时同步将该处理框架28移入该处理腔室27内，有效节省人力作业成本。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，由加热器63来加热经由该气体再处理装置6流回该处理腔室27的气体，缩短在该处理腔室27内加热气体的时间，有效提升气体的加热效率。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，利用气体回收器65将该处理腔室27内的气体吸入该气体再处理装置6，该吸入的气体经再处理后流回该处理腔室27，达到气体回收再利用的目的，有效降低生产成本。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，该处理腔室27内的气体夹杂气态制程化学品在制程完成后经由气体排出管路52流入该气体再处理装置6，透过至少一该过滤器62滤除气体中的制程化学品污染物，可避免气体回收再利用时该处理腔室27遭受污染。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，该处理腔室27内的气体可经由气体排出管路52流入该气体再处理装置6，由该冷却器61来冷却该气体，相较于直接在较高温的该处理腔室27内进行气体冷却，且又无烘箱腔体20热容量太大的影响，可有效提升气体的冷却效率。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，该气体经由各该进气孔211喷出，扰动该处理腔室27内的气体，形成热对流，促进该处理腔室27内部的温度调节，有效提升气体温度分布的均匀性。
本发明的高温烘箱的温度调整设备，提供热辐射加热方式来解决已知烘箱的问题，但因热辐射所产生的热与热源距离的四次方呈反比而有加热不均匀的问题，因而本发明更进一步如上所述导入了高压气体辅的以微量热对流的解决方案。
以上的实施例只是在于说明而不是限制本发明，故凡依本发明专利申请范围所述的方法所做的等效变化或修饰，均包括于本发明专利申请范围内。

Claims (16)

1.一种高温烘箱的温度调整设备，其特征在于：包括：
一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管、一内框套及至少一加热组件，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，该烘箱腔体内璧环设该内框套，该内框套内部形成一环状的容置空间，该容置空间内设置至少一该加热组件，透过至少一该加热组件对该内框套加热，再经由该内框套以热辐射方式对该处理腔室加热，在至少一该进气岐管内的气体，经由各该进气孔喷出，扰动该处理腔室内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流；及一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，由该气体再处理装置处理该气体。
2.一种高温烘箱的温度调整设备，其特征在于：包括：
一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管及至少一加热套，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，该烘箱腔体外璧环设至少一该加热套，至少一该加热套对该烘箱腔体外璧加热，再经由该烘箱腔体以热辐射方式对该处理腔室加热，在至少一该进气岐管内的气体，经由各该进气孔喷出，扰动该处理腔室内的气体，并由至少一该排气岐管将该处理腔室内的气体排出而形成热对流；及一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，由该气体再处理装置处理该气体。
3.一种高温烘箱的温度调整设备，其特征在于：包括：一烘箱，该烘箱包含一烘箱腔体、至少一进气岐管、至少一排气岐管及至少一加热组件，该烘箱腔体内部形成一处理腔室，该处理腔室一侧装设至少一该进气岐管，另一侧装设至少一该排气岐管，至少一该进气岐管外周贯设复数个进气孔，至少一该排气岐管外周贯设复数个排气孔，至少一该加热组件设置于该烘箱腔体内璧与至少一该进气岐管旁侧间，气体在至少一该进气岐管内，经由各该进气孔喷出，让至少一该加热组件以热对流方式对该处理腔室加热；及一气体再处理装置，该处理腔室内的气体流入该气体再处理装置，藉由该气体再处理装置处理该气体。
4.根据权利要求1或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中至少一该加热组件为加热套、加热板、加热丝或加热棒。
5.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，更包含一气体输送单元，该气体输送单元包含一气体输入管路、一气体排出管路及一气体回收管路，该气体输入管路一端连接至少一该进气岐管，另一端连接一气体源或连结该气体回收管路，该气体源将一预定压力的气体经由该气体输入管路输入该处理腔室，该气体排出管路一端连接至少一该排气岐管，另一端连接该气体再处理装置，该气体回收管路一端连接该气体输入管路或直接连结至少一该进气岐管，另一端连接该气体再处理装置。
6.根据权利要求5所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体输送单元更包含一气体排放管路，该气体排放管路一端连接该气体再处理装置，籍由排放该气体再处理装置内的气体至外界。
7.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该烘箱更包含一腔门，该腔门可垂直升降地设置于该烘箱腔体底部。
8.根据权利要求7所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该腔门以气压式、液压式或马达驱动方式开启、关闭。
9.根据权利要求7所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该腔门内表面设置一处理框架，当该腔门开启时同步将该处理框架移出该处理腔室外，该腔门关闭时同步将该处理框架移入该处理腔室内。
10.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体再处理装置包含一冷却器，由该冷却器来冷却该气体再处理装置内的气体。
11.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体再处理装置更包含至少一过滤器，透过至少一该过滤器过滤流出该处理腔室的气体。
12.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体再处理装置更包含一气体回收器，利用该气体回收器将该处理腔室内的气体吸入该气体再处理装置，该吸入之气体可直接排出该气体再处理装置或经再处理后流回该处理腔室。
13.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体再处理装置更包含一加热器，籍由该加热器来加热经由该气体再处理装置流回该处理腔室之气体。
14.根据权利要求13所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中该气体再处理装置更包含一触媒转换器，在加热气体期间由该触媒转换器处理该气体。
15.根据权利要求1、2或权利要求3所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中当该处理腔室的制程需求温度较高时，可在该气体离开该气体再处理装置之后并且返回到该处理腔室内之前，于该气体回收管路设置一加热器，以加热离开该气体再处理装置的气体，由此缩短在该处理腔室内加热气体的时间。
16.根据权利要求15所述的一种高温烘箱的温度调整设备，其中在该加热器加热该气体期间，可使用一触媒转换器处理离开该气体再处理装置的气体，利用催化反应将气体进行净化。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
TWI778362B (zh) * 2020-05-15 2022-09-21 洪義明 高壓崩應測試設備
KR102238028B1 (ko) * 2020-10-22 2021-04-08 주식회사 한화 기판 처리용 밀폐형 열처리 장치
CN114284179B (zh) * 2021-12-24 2023-07-11 南京屹立芯创半导体科技有限公司 压力烤箱的温度调整方法以及压力烤箱

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102288016A (zh) * 2011-03-16 2011-12-21 宁波高新区宝德龙科技有限公司 节能环保干燥箱
CN103673564A (zh) * 2013-12-03 2014-03-26 华南理工大学 一种使用气体循环净化系统的热风循环干燥系统
JP2016525201A (ja) * 2013-06-21 2016-08-22 中盈▲長▼江国▲際▼新能源投▲資▼有限公司 熱の回収・蓄積・供給一体型太陽エネルギ乾燥システム
CN206771892U (zh) * 2017-03-24 2017-12-19 多氟多（焦作）新能源科技有限公司 一种电池真空烘干装置
CN207247734U (zh) * 2017-06-26 2018-04-17 廖永基 一种膨润土的烘干装置
CN208108650U (zh) * 2018-02-27 2018-11-16 江西振新砂轮有限公司 一种砂轮干燥装置

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5249960A (en) * 1991-06-14 1993-10-05 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus
US5307568A (en) * 1991-09-09 1994-05-03 Tokyo Electron Limited Gas supply system
US5556275A (en) * 1993-09-30 1996-09-17 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
US5820366A (en) * 1996-07-10 1998-10-13 Eaton Corporation Dual vertical thermal processing furnace
TW489827U (en) * 1998-04-09 2002-06-01 Kobe Steel Ltd Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates
JP2001284307A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Ftl:Kk 半導体の表面処理方法
JP4276813B2 (ja) * 2002-03-26 2009-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置および半導体製造方法
US7387968B2 (en) * 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JP2009123795A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US20090212014A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Tokyo Electron Limited Method and system for performing multiple treatments in a dual-chamber batch processing system
JP4961381B2 (ja) * 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP5213594B2 (ja) * 2008-09-04 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5524132B2 (ja) * 2010-07-15 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置
US8398773B2 (en) * 2011-01-21 2013-03-19 Asm International N.V. Thermal processing furnace and liner for the same
US9018567B2 (en) * 2011-07-13 2015-04-28 Asm International N.V. Wafer processing apparatus with heated, rotating substrate support
WO2014088026A1 (ja) * 2012-12-07 2014-06-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および制御プログラム
JP6017396B2 (ja) * 2012-12-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP6222833B2 (ja) * 2013-01-30 2017-11-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6113626B2 (ja) * 2013-10-21 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9257314B1 (en) * 2014-07-31 2016-02-09 Poongsan Corporation Methods and apparatuses for deuterium recovery
JPWO2016052200A1 (ja) * 2014-09-30 2017-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
WO2017009997A1 (ja) * 2015-07-16 2017-01-19 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び気化システム
KR102138985B1 (ko) * 2015-09-04 2020-07-28 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102466140B1 (ko) * 2016-01-29 2022-11-11 삼성전자주식회사 가열 장치 및 이를 갖는 기판 처리 시스템
CN109075070A (zh) * 2016-06-07 2018-12-21 株式会社国际电气 基板处理装置、炉口部以及半导体装置的制造方法及程序
JP6602332B2 (ja) * 2017-03-28 2019-11-06 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6789171B2 (ja) * 2017-04-21 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、処理ガスノズル内のパーティクルコーティング方法及び基板処理方法
JP6820793B2 (ja) * 2017-04-27 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法
JP6916766B2 (ja) * 2018-08-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US10593572B2 (en) * 2018-03-15 2020-03-17 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP6987016B2 (ja) * 2018-04-27 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置の組立装置
JP7122856B2 (ja) * 2018-05-02 2022-08-22 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6856576B2 (ja) * 2018-05-25 2021-04-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US11024523B2 (en) * 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP7109331B2 (ja) * 2018-10-02 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US11232963B2 (en) * 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP6681452B1 (ja) * 2018-10-19 2020-04-15 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102288016A (zh) * 2011-03-16 2011-12-21 宁波高新区宝德龙科技有限公司 节能环保干燥箱
JP2016525201A (ja) * 2013-06-21 2016-08-22 中盈▲長▼江国▲際▼新能源投▲資▼有限公司 熱の回収・蓄積・供給一体型太陽エネルギ乾燥システム
CN103673564A (zh) * 2013-12-03 2014-03-26 华南理工大学 一种使用气体循环净化系统的热风循环干燥系统
CN206771892U (zh) * 2017-03-24 2017-12-19 多氟多（焦作）新能源科技有限公司 一种电池真空烘干装置
CN207247734U (zh) * 2017-06-26 2018-04-17 廖永基 一种膨润土的烘干装置
CN208108650U (zh) * 2018-02-27 2018-11-16 江西振新砂轮有限公司 一种砂轮干燥装置

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