CN111261714B - 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 163
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 144
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 144
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 94
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 68
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 357
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 199
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 114
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 85
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 58
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 22
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于漏极金属和栅极金属之间的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，尤其是涉及一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法。
背景技术
基于氮化镓材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有击穿电压高、电子迁移率高、开关速度快、工艺步骤简单等优点，在功率半导体器件领域具有广泛的应用前景。然而，HEMT器件在工作状态下会承受高强度的电场应力，使得器件长期工作过程中会产生界面损伤，使器件的性能下降，甚至损坏。因此，通过设计提高器件的可靠性是器件设计人员关注的一个重要问题。
在外延材料生长方面，由于异质衬底和GaN之间存在巨大的晶格失配和热膨胀系数失配，如：Si基GaN通常面临着在外延过程中和生长结束降温时由于张应力弛豫而导致的裂纹问题，因此外延生长高质量的Si基GaN材料具有较大的挑战性。Si衬底上外延GaN薄膜，其晶格失配高达17％，在生长过程中的晶格失配将引入大量位错。其次，Si衬底和GaN之间较大的热膨胀系数差异导致较大的热失配。Si的热膨胀系数为3.59×10-6K-1，而GaN的热膨胀系数为5.59×10-6K-1，二者相差很大，造成高温生长后的降温过程中外延层将承受很大的张应力，且由于外延层的厚度远小于衬底厚度，所以外延层会产生裂纹，所以如何实现高质量HEMT的外延材料是制约器件性能的关键因素之一。
同时，现有研究表明，HEMT器件在工作时器件栅极末端存在较大的电场峰值，在器件工作状态下，栅极末端的强电场会导致该区域产生大量的界面态，导致器件性能下降，带来可靠性问题。目前，解决该问题的方法是增加栅极场板，屏蔽器件栅极末端的强电场，然而，传统栅极场板的效果有限，器件栅极末端依然会存在较强的电场，使得传统器件依然存在较为严重的可靠性问题。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，减小氮化镓功率器件在耐压状态下栅极末端处的峰值电场，减小漏电，避免电流崩塌效应，提高可靠性。本发明的另一个目的是提供这种具有高可靠性的氮化镓功率器件的制备方法。
本发明技术方案如下：一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，包括由下至上依次叠置的衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的两端分别为源极金属和漏极金属，所述源极金属和漏极金属之间的所述AlGaN势垒层上由下之上依次设有栅极插入层、p型GaN栅极和栅极金属，所述源极金属和所述栅极金属之间的所述p型GaN栅极及所述AlGaN势垒层表面设有钝化层，所述漏极金属和所述栅极金属之间的所述p型GaN栅极及所述AlGaN势垒层表面设有钝化层，位于所述漏极金属和所述栅极金属之间的所述AlGaN势垒层表面的所述钝化层呈间隔排列的条状，所述间隔排列的条状的钝化层由所述栅极金属向所述漏极金属排列，栅极场板覆盖若干所述条状的钝化层并与所述栅极金属电连接，漏极场板覆盖若干所述条状的钝化层并与所述漏极金属电连接，所述源极金属和所述栅极金属之间的钝化层表面、所述栅极场板和所述漏极场板的表面以及所述栅极场板和所述漏极场板之间设有保护层；
所述第一插入层由多周期的超晶格结构材料构成；
所述第二插入层由单层或者多周期的超晶格结构材料构成；
所述栅极插入层由单层或者多周期的超晶格结构材料构成。
进一步地，由所述栅极场板覆盖的所述间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述栅极金属向所述漏极金属依次减小，由所述漏极场板覆盖的所述间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述漏极金属向所述栅极金属依次减小。
进一步地，所述第一插入层为GaN、AlN、InN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述第一插入层的周期数为1～20，厚度为50nm～500nm。
进一步地，所述第二插入层为单层的AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种或者为AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述第二插入层由多周期超晶格结构材料构成时周期数为1～10，厚度为10nm～100nm。
进一步地，所述栅极插入层为单层的GaN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种或者为GaN、AlN、InN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述栅极插入层由多周期超晶格结构材料构成时周期数为1～5，厚度为5nm～50nm。
进一步地，所述栅极场板和所述漏极场板采用功函数在4eV～6eV范围内的任意一种或者多种金属。
进一步地，所述的钝化层为SiO2、Si3N4、SiC中的任意一种或多种，厚度为20nm～200nm。
进一步地，所述的栅极插入层为p型掺杂的，掺杂浓度为：1×1016cm-3～1×1021cm-3，所述p型GaN栅极的掺杂浓度为：1×1016cm-3～1×1021cm-3，所述p型GaN栅极厚度为30nm～100nm。
进一步地，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、金刚石中的任意一种；所述成核层为GaN、AlN、InN中的任意一种，所述成核层厚度为5nm～20nm；所述缓冲层为GaN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种，所述缓冲层厚度为1000nm～3000nm；所述第一GaN层厚度为1000nm～3000nm；所述第二GaN层厚度为1000nm～3000nm；所述AlGaN势垒层厚度为5nm～50nm；所述保护层为SiO2、Si3N4、SiC中的任意一种或多种，所述保护层厚度为200nm～2000nm；所述栅极金属、所述源极金属、所述漏极金属为钛、铝、金、镍、银中的任意一种或多种。
一种具有高可靠性的氮化镓功率器件的制备方法，依次包括以下步骤：
(1)在衬底上生长成核层；
(2)在成核层上生长一层缓冲层；
(3)在缓冲层上生长第一插入层；
(4)在第一插入层上生长第一GaN层；
(5)在第一GaN层上生长第二插入层；
(6)在第二插入层上生长第二GaN层；
(7)在第二GaN层上生长AlGaN势垒层；
(8)在AlGaN势垒层上生长栅极插入层；
(9)在栅极插入层上生长p型GaN栅极；
(10)在p型GaN栅极的表面做好掩模，刻蚀整个外延层，直到露出AlGaN势垒层的远离衬底一侧的上表面为止；
(11)在刻蚀后的外延层的上表面生长钝化层；
(12)在对位于栅极插入层的右侧的钝化层进行刻蚀，刻蚀到AlGaN势垒层的上表面为止，形成间隔排列的条状的钝化层；
(13)在p型GaN栅极正上方钝化层的上表面，及在p型GaN栅极右侧面钝化层的表面，及栅极插入层的右侧的钝化层及裸露的AlGaN势垒层上表面蒸镀金属场板；
(14)对金属场板的中间位置进行刻蚀，直到刻蚀到AlGaN势垒层上表面为止，形成左右独立绝缘的栅极场板和漏极场板；
(15)在整个外延层的表面生长保护层；
(16)刻蚀p型GaN栅极上表面部分或者全部区域的钝化层和保护层，直到露出p型GaN栅极的上表面为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀栅极金属，并且栅极对电极进行退火处理；
(17)在栅极插入层左侧远离栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀源极金属，并且对源极电极进行退火处理；
(18)在栅极插入层右侧远离栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀漏极金属，并且对漏极电极进行退火处理；
其中在栅极场板下间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述栅极金属向所述漏极金属依次减小，在漏极场板下间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述漏极金属向所述栅极金属依次减小。
本发明所提供的技术方案的优点在于：
(1)本发明提出的在间隔分布的条状的钝化层上蒸镀形成栅极场板和漏极场板的技术方案，可以有效屏蔽栅极正下方的电场峰值。作用原理是通过栅极场板和漏极场板与沟道处二维电子气之间形成的电容在场板上感应出电荷，进而通过感应电荷的屏蔽电场，从而提高了功率器件的耐压和抗击穿能力。而采用在间隔设置的钝化层上实现栅极场板和漏极场板的技术，区别于传统的场板直接覆盖在钝化层之上，本发明的技术优点在于，由于场板金属设置在间隔设置的钝化层之上，因而场板与钝化层和之间的附着力更好，同时由于间隔设置的钝化层，部分场板与外延层的AlGaN区域接触，部分场板与外延层的AlGaN区域隔离，这样设置带来的感应电荷更加明显，电场分布更加均匀，耐压能力进一步增强，使得本发明提出的氮化镓功率器件结构具有更高的可靠性。
(2)本发明提出的在p型GaN栅极下方加入栅极插入层的技术方案，在提高p型GaN栅极材料晶体质量的同时，可以有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，进一步提高了器件的稳定性和可靠性。
(3)本发明提出的在第一GaN层和第二GaN层之间加入第二插入层的技术方案，由于采用的第二插入层具有更高的禁带宽度和临界电场，因此极大地提升了氮化镓功率器件的击穿电压，同时极大地降低了器件在大电流工作下的漏电，提高器件的可靠性。
(4)采用多周期的超晶格结构材料作为第一插入层，可以极大地提高异质衬底上外延GaN材料的晶体质量，可有效阻断位错的向上延伸，可有效降低由于位错带来的器件漏电，提高了器件工作的可靠性。
(5)本发明公开的一种具有高可靠性氮化镓功率器件制备方法将栅极场板和漏极场板采用同一种金属、同一步工艺制备完成，使得一种具有高可靠性氮化镓功率器件制备成本得到了降低，并且可以与传统高电子迁移率晶体管制备工艺相互兼容。
附图说明
图1为具有高可靠性的氮化镓功率器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不作为对本发明的限定。
实施例1，如图1所示，本实施例所涉及的一种具有高可靠性氮化镓功率器件，包括由下至上依次设置的硅衬底101、AlN成核层102厚度为5nm、GaN缓冲层103厚度为1000nm、GaN/AlInN第一插入层104周期数为5，厚度为50nm、第一GaN层105厚度为1000nm、AlN第二插入层106厚度为10nm、第二GaN层107厚度为1000nm、AlGaN势垒层108厚度为5nm、SiO2钝化层109厚度为20nm、钛/铝/镍/金栅极场板110、钛/铝/镍/金漏极场板111、Si3N4保护层112厚度为200nm、GaN/AlInGaN栅极插入层113的p型掺杂浓度为：1×1016cm-3，周期数为1，厚度为5nm、p型GaN栅极114掺杂浓度为：1×1016cm-3，厚度为30nm、钛/铝/镍/金栅极金属115、钛/铝/镍/金源极金属116、钛/铝/镍/金漏极金属117。钛/铝/镍/金源极金属116设置在AlGaN势垒层108上表面的左端，钛/铝/镍/金漏极金属117设置在AlGaN势垒层108上表面的右端。GaN/AlInGaN栅极插入层113、p型GaN栅极114和钛/铝/镍/金栅极金属115为由下至上依次叠至设置在AlGaN势垒层108上表面的中部。
其中GaN/AlInGaN栅极插入层113和钛/铝/镍/金漏极金属117之间的SiO2钝化层109是间隔排列的条状且由钛/铝/镍/金栅极金属115向钛/铝/镍/金漏极金属117间隔排列；钛/铝/镍/金栅极场板110和钛/铝/镍/金漏极场板111分别设置于间隔设置的SiO2钝化层109的表面和间隔处；钛/铝/镍/金栅极场板110与钛/铝/镍/金漏极场板111表面都覆盖有Si3N4保护层112，且钛/铝/镍/金栅极场板110与钛/铝/镍/金漏极场板111是由Si3N4保护层112分隔开的。
其中位于GaN/AlInGaN栅极插入层113和钛/铝/镍/金漏极金属117之间的SiO2钝化层109的间隔设置满足以下条件：
钛/铝/镍/金栅极场板110覆盖的SiO2钝化层109的间隔距离由钛/铝/镍/金栅极金属115向钛/铝/镍/金漏极金属117依次减小；
钛/铝/镍/金漏极场板111覆盖的SiO2钝化层109的间隔距离由钛/铝/镍/金漏极金属117向钛/铝/镍/金栅极金属115依次减小。
该具有高可靠性氮化镓功率器件的制备方法是：
(1)在硅衬底101上生长AlN成核层102；
(2)在AlN成核层102上生长一层GaN缓冲层103；
(3)在GaN缓冲层103上生长GaN/AlInN第一插入层104；
(4)在GaN/AlInN第一插入层104上生长第一GaN层105；
(5)在第一GaN层105上生长AlN第二插入层106；
(6)在AlN第二插入层106上生长第二GaN层107；
(7)在第二GaN层107上生长AlGaN势垒层108；
(8)在AlGaN势垒层108上生长GaN/AlInGaN栅极插入层113；
(9)在GaN/AlInGaN栅极插入层113上生长p型GaN栅极114；
(10)在p型GaN栅极114的表面做好掩模，刻蚀整个外延层，直到露出AlGaN势垒层108的远离衬底一侧的上表面为止；
(11)在刻蚀后的外延层的上表面生长SiO2钝化层109；
(12)在对位于GaN/AlInGaN栅极插入层113的右侧的钝化层109进行刻蚀，刻蚀到AlGaN势垒层108的上表面为止，形成间隔排列的条状的钝化层109；
(13)在p型GaN栅极114正上方SiO2钝化层109的上表面，及在p型GaN栅极114右侧面SiO2钝化层109的表面，及GaN/AlInGaN栅极插入层113的右侧的SiO2钝化层109及裸露的AlGaN势垒层108上表面蒸镀钛/铝/镍/金金属场板；
(14)对金属场板的中间位置进行刻蚀，直到刻蚀到AlGaN势垒层108上表面为止，形成左右独立绝缘的钛/铝/镍/金栅极场板110和钛/铝/镍/金漏极场板111；并且在钛/铝/镍/金栅极场板110下间隔排列的条状的SiO2钝化层109的间隔距离由栅极金属向漏极金属依次减小，在钛/铝/镍/金漏极场板111下间隔排列的条状的SiO2钝化层109的间隔距离由漏极金属向栅极金属依次减小；
(15)在整个外延层的表面生长Si3N4保护层112；
(16)刻蚀p型GaN栅极114上表面部分或者全部区域的钝化层和保护层，直到露出p型GaN栅极114的上表面为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍/金栅极金属115，并且蒸镀后在800℃的N2环境下退火2分钟；
(17)在GaN/AlInGaN栅极插入层113左侧远离GaN/AlInGaN栅极插入层113外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层108为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍/金源极金属116，并且蒸镀后在800℃的N2环境下退火2分钟；
(18)在GaN/AlInGaN栅极插入层113右侧远离GaN/AlInGaN栅极插入层113外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层108为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍/金漏极金属117，并且蒸镀后在800℃的N2环境下退火2分钟。
实施例2，如图1所示，本实施例所涉及的一种具有高可靠性氮化镓功率器件，包括由下至上依次设置的硅衬底101、AlN成核层102厚度为15nm、GaN缓冲层103厚度为1500nm、GaN/AlInN第一插入层104周期数为15，厚度为400nm、第一GaN层105厚度为1500nm、AlN第二插入层106厚度为70nm、第二GaN层107厚度为1500nm、AlGaN势垒层108厚度为35nm、SiO2钝化层109厚度为150nm、钛/铝/镍/金栅极场板110、钛/铝/镍/金漏极场板111、Si3N4保护层112厚度为1500nm、GaN/AlInGaN栅极插入层113的p型掺杂浓度为：1×1018cm-3，周期数为3，厚度为35nm、p型GaN栅极114掺杂浓度为：1×1018cm-3，厚度为80nm、钛/铝/镍/金栅极金属115、钛/铝/镍/金源极金属116、钛/铝/镍/金漏极金属117。钛/铝/镍/金源极金属116设置在AlGaN势垒层108上表面的左端，钛/铝/镍/金漏极金属117设置在AlGaN势垒层108上表面的右端。GaN/AlInGaN栅极插入层113、p型GaN栅极114和钛/铝/镍/金栅极金属115为由下至上依次叠至设置在AlGaN势垒层108上表面的中部。
其中GaN/AlInGaN栅极插入层113和钛/铝/镍/金漏极金属117之间的SiO2钝化层109是间隔排列的条状且由钛/铝/镍/金栅极金属115向钛/铝/镍/金漏极金属117间隔排列；钛/铝/镍/金栅极场板110和钛/铝/镍/金漏极场板111分别设置于间隔设置的SiO2钝化层109的表面和间隔处；钛/铝/镍/金栅极场板110与钛/铝/镍/金漏极场板111表面都覆盖有Si3N4保护层112，且钛/铝/镍/金栅极场板110与钛/铝/镍/金漏极场板111是由Si3N4保护层112分隔开的。
其中位于GaN/AlInGaN栅极插入层113和钛/铝/镍/金漏极金属117之间的SiO2钝化层109的间隔设置满足以下条件：
钛/铝/镍/金栅极场板110覆盖的SiO2钝化层109的间隔距离由钛/铝/镍/金栅极金属115向钛/铝/镍/金漏极金属117依次减小；
钛/铝/镍/金漏极场板111覆盖的SiO2钝化层109的间隔距离由钛/铝/镍/金漏极金属117向钛/铝/镍/金栅极金属115依次减小。
本实施例制备方法同实施例1。
实施例3，本实施例所涉及的一种具有高可靠性氮化镓功率器件，包括由下至上依次设置的包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层厚度为20nm、GaN缓冲层厚度为3000nm、GaN/AlInGaN第一插入层周期数为20，厚度为500nm、第一GaN层厚度为3000nm、AlN/AlInGaN第二插入层厚度为100nm、第二GaN层107厚度为3000nm、AlGaN势垒层厚度为50nm、Si3N4钝化层厚度为200nm、钛/铝/镍栅极场板、钛/铝/镍漏极场板、SiO2保护层厚度为2000nm、AlInGaN栅极插入层的p型掺杂浓度为：1×1021cm-3，厚度为50nm、p型GaN栅极掺杂浓度为：1×1021cm-3，厚度为100nm、钛/铝/镍栅极金属、钛/铝/镍源极金属、钛/铝/镍漏极金属。钛/铝/镍源极金属设置在AlGaN势垒层上表面的左端，钛/铝/镍漏极金属设置在AlGaN势垒层上表面的右端。AlInGaN栅极插入层、p型GaN栅极和钛/铝/镍栅极金属为由下至上依次叠至设置在AlGaN势垒层上表面的中部。
其中AlInGaN栅极插入层和钛/铝/镍漏极金属之间的Si3N4钝化层是间隔排列的条状且由钛/铝/镍栅极金属向钛/铝/镍漏极金属间隔排列；钛/铝/镍栅极场板和钛/铝/镍漏极场板分别设置于间隔设置的Si3N4钝化层的表面和间隔处；钛/铝/镍栅极场板与钛/铝/镍漏极场板表面都覆盖有SiO2保护层，且钛/铝/镍栅极场板与钛/铝/镍漏极场板是由SiO2保护层分隔开的。
其中位于AlInGaN栅极插入层和钛/铝/镍漏极金属之间的Si3N4钝化层的间隔设置满足以下条件：
钛/铝/镍栅极场板覆盖的Si3N4钝化层的间隔距离由钛/铝/镍栅极金属向钛/铝/镍漏极金属依次减小；
钛/铝/镍漏极场板覆盖的Si3N4钝化层的间隔距离由钛/铝/镍漏极金属向钛/铝/镍栅极金属依次减小。
该具有高可靠性氮化镓功率器件的制备方法是：
(1)在蓝宝石衬底上生长AlN成核层；
(2)在AlN成核层上生长一层GaN缓冲层；
(3)在GaN缓冲层上生长GaN/AlInGaN第一插入层；
(4)在GaN/AlInGaN第一插入层上生长第一GaN层；
(5)在第一GaN层上生长AlN/AlInGaN第二插入层；
(6)在AlN/AlInGaN第二插入层上生长第二GaN层；
(7)在第二GaN层上生长AlGaN势垒层；
(8)在AlGaN势垒层上生长AlInGaN栅极插入层；
(9)在AlInGaN栅极插入层上生长p型GaN栅极；
(10)在p型GaN栅极的表面做好掩模，刻蚀整个外延层，直到露出AlGaN势垒层的远离衬底一侧的上表面为止；
(11)在刻蚀后的外延层的上表面生长Si3N4钝化层；
(12)在对位于AlInGaN栅极插入层的右侧的Si3N4钝化层进行刻蚀，刻蚀到AlGaN势垒层的上表面为止，形成间隔排列的条状的Si3N4钝化层；
(13)在p型GaN栅极正上方Si3N4钝化层的上表面，及在p型GaN栅极右侧面Si3N4钝化层的表面，及AlInGaN栅极插入层的右侧的Si3N4钝化层及裸露的AlGaN势垒层上表面蒸镀钛/铝/镍金属场板；
(14)对金属场板的中间位置进行刻蚀，直到刻蚀到AlGaN势垒层上表面为止，形成左右独立绝缘的钛/铝/镍栅极场板和钛/铝/镍漏极场板；并且在钛/铝/镍栅极场板下间隔排列的条状的Si3N4钝化层的间隔距离由栅极金属向漏极金属依次减小，在钛/铝/镍漏极场板下间隔排列的条状的Si3N4钝化层的间隔距离由漏极金属向栅极金属依次减小；
(15)在整个外延层的表面生长SiO2保护层；
(16)刻蚀p型GaN栅极上表面部分或者全部区域的钝化层和保护层，直到露出p型GaN栅极的上表面为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍栅极金属115，并且蒸镀后在850℃的N2环境下退火2分钟；
(17)在AlInGaN栅极插入层左侧远离AlInGaN栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍源极金属，并且蒸镀后在850℃的N2环境下退火2分钟；
(18)在AlInGaN栅极插入层右侧远离AlInGaN栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀钛/铝/镍漏极金属，并且蒸镀后在850℃的N2环境下退火2分钟。
实施例4，本实施例所涉及的一种具有高可靠性氮化镓功率器件，包括由下至上依次设置的包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层厚度为10nm、GaN缓冲层厚度为2000nm、GaN/AlInGaN第一插入层周期数为10，厚度为200nm、第一GaN层厚度为2000nm、AlN/AlInGaN第二插入层厚度为50nm、第二GaN层107厚度为2000nm、AlGaN势垒层厚度为20nm、Si3N4钝化层厚度为100nm、钛/铝/镍栅极场板、钛/铝/镍漏极场板、SiO2保护层厚度为800nm、AlInGaN栅极插入层的p型掺杂浓度为：1×1020cm-3，厚度为20nm、p型GaN栅极掺杂浓度为：1×1020cm-3，厚度为50nm、钛/铝/镍栅极金属、钛/铝/镍源极金属、钛/铝/镍漏极金属。钛/铝/镍源极金属设置在AlGaN势垒层上表面的左端，钛/铝/镍漏极金属设置在AlGaN势垒层上表面的右端。AlInGaN栅极插入层、p型GaN栅极和钛/铝/镍栅极金属为由下至上依次叠至设置在AlGaN势垒层上表面的中部。
其中AlInGaN栅极插入层和钛/铝/镍漏极金属之间的Si3N4钝化层是间隔排列的条状且由钛/铝/镍栅极金属向钛/铝/镍漏极金属间隔排列；钛/铝/镍栅极场板和钛/铝/镍漏极场板分别设置于间隔设置的Si3N4钝化层的表面和间隔处；钛/铝/镍栅极场板与钛/铝/镍漏极场板表面都覆盖有SiO2保护层，且钛/铝/镍栅极场板与钛/铝/镍漏极场板是由SiO2保护层分隔开的。
其中位于AlInGaN栅极插入层和钛/铝/镍漏极金属之间的Si3N4钝化层的间隔设置满足以下条件：
钛/铝/镍栅极场板覆盖的Si3N4钝化层的间隔距离由钛/铝/镍栅极金属向钛/铝/镍漏极金属依次减小；
钛/铝/镍漏极场板覆盖的Si3N4钝化层的间隔距离由钛/铝/镍漏极金属向钛/铝/镍栅极金属依次减小。
本实施例制备方法同实施例3。
Claims (9)
1.一种具有高可靠性的氮化镓功率器件，包括由下至上依次叠置的衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的两端分别为源极金属和漏极金属，其特征在于：所述源极金属和漏极金属之间的所述AlGaN势垒层上由下之上依次设有栅极插入层、p型GaN栅极和栅极金属，所述源极金属和所述栅极金属之间的所述p型GaN栅极及所述AlGaN势垒层表面设有钝化层，所述漏极金属和所述栅极金属之间的所述p型GaN栅极及所述AlGaN势垒层表面设有钝化层，位于所述漏极金属和所述栅极金属之间的所述AlGaN势垒层表面的所述钝化层呈间隔排列的条状，所述间隔排列的条状的钝化层由所述栅极金属向所述漏极金属排列，栅极场板覆盖若干所述条状的钝化层并与所述栅极金属电连接，漏极场板覆盖若干所述条状的钝化层并与所述漏极金属电连接，所述源极金属和所述栅极金属之间的钝化层表面、所述栅极场板和所述漏极场板的表面以及所述栅极场板和所述漏极场板之间设有保护层；
所述第一插入层由多周期的超晶格结构材料构成，所述第一插入层为GaN、AlN、InN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述第一插入层的周期数为1 ~ 20，厚度为50 nm ~ 500 nm；
所述第二插入层由单层或者多周期的超晶格结构材料构成；
所述栅极插入层由单层或者多周期的超晶格结构材料构成。
2.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，由所述栅极场板覆盖的所述间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述栅极金属向所述漏极金属依次减小，由所述漏极场板覆盖的所述间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述漏极金属向所述栅极金属依次减小。
3.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述第二插入层为单层的AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种或者为AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述第二插入层由多周期超晶格结构材料构成时周期数为1 ~ 10，厚度为10 nm ~ 100 nm。
4.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极插入层为单层的GaN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种或者为GaN、AlN、InN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlInGaN任意组合构成的多周期超晶格结构材料中的任意一种或多种，所述栅极插入层由多周期超晶格结构材料构成时周期数为1 ~ 5，厚度为5 nm ~ 50 nm。
5.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述栅极场板和所述漏极场板采用功函数在4 eV ~ 6 eV范围内的任意一种或者多种金属。
6.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述的钝化层为SiO2、Si3N4、SiC中的任意一种或多种，厚度为20 nm ~ 200 nm。
7.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述的栅极插入层为p型掺杂的，掺杂浓度为：1×1016 cm-3 ~ 1×1021 cm-3，所述p型GaN栅极的掺杂浓度为：1×1016 cm-3 ~ 1×1021 cm-3，所述p型GaN栅极厚度为30 nm ~ 100 nm。
8.根据权利要求1所述的具有高可靠性的氮化镓功率器件，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、金刚石中的任意一种；所述成核层为GaN、AlN、InN中的任意一种，所述成核层厚度为5 nm ~ 20 nm；所述缓冲层为GaN、AlGaN、AlInN、AlInGaN中的任意一种，所述缓冲层厚度为1000 nm ~ 3000 nm；所述第一GaN层厚度为1000nm ~ 3000 nm；所述第二GaN层厚度为1000 nm ~ 3000 nm；所述AlGaN势垒层厚度为5 nm ~50 nm；所述保护层为SiO2、Si3N4、SiC中的任意一种或多种，所述保护层厚度为200 nm ~2000 nm；所述栅极金属、所述源极金属、所述漏极金属为钛、铝、金、镍、银中的任意一种或多种。
9.一种具有高可靠性的氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：
（1）在衬底上生长成核层；
（2）在成核层上生长一层缓冲层；
（3）在缓冲层上生长第一插入层；
（4）在第一插入层上生长第一GaN层；
（5）在第一GaN层上生长第二插入层；
（6）在第二插入层上生长第二GaN层；
（7）在第二GaN层上生长AlGaN势垒层；
（8）在AlGaN势垒层上生长栅极插入层；
（9）在栅极插入层上生长p型GaN栅极；
（10）在p型GaN栅极的表面做好掩模，刻蚀整个外延层，直到露出AlGaN势垒层的远离衬底一侧的上表面为止；
（11）在刻蚀后的外延层的上表面生长钝化层；
（12）在对位于栅极插入层的右侧的钝化层进行刻蚀，刻蚀到AlGaN势垒层的上表面为止，形成间隔排列的条状的钝化层；
（13）在p型GaN栅极正上方钝化层的上表面，及在p型GaN栅极右侧面钝化层的表面，及栅极插入层的右侧的钝化层及裸露的AlGaN势垒层上表面蒸镀金属场板；
（14）对金属场板的中间位置进行刻蚀，直到刻蚀到AlGaN势垒层上表面为止，形成左右独立绝缘的栅极场板和漏极场板；
（15）在整个外延层的表面生长保护层；
（16）刻蚀p型GaN栅极上表面部分或者全部区域的钝化层和保护层，直到露出p型GaN栅极的上表面为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀栅极金属，并且栅极对电极进行退火处理；
（17）在栅极插入层左侧远离栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀源极金属，并且对源极电极进行退火处理；
（18）在栅极插入层右侧远离栅极插入层外延层的边缘区域，刻蚀外延层，直到露出AlGaN势垒层为止，形成凹陷区域，再在该凹陷区域内蒸镀漏极金属，并且对漏极电极进行退火处理；
其中，在栅极场板下间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述栅极金属向所述漏极金属依次减小，在漏极场板下间隔排列的条状的钝化层的间隔距离由所述漏极金属向所述栅极金属依次减小。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010123740.XA CN111261714B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010123740.XA CN111261714B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111261714A CN111261714A (zh) | 2020-06-09 |
| CN111261714B true CN111261714B (zh) | 2023-04-25 |
Family
ID=70951442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010123740.XA Active CN111261714B (zh) | 2020-02-27 | 2020-02-27 | 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111261714B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111863953B (zh) * | 2020-07-28 | 2021-08-20 | 西安电子科技大学 | 功率开关器件及其制作方法 |
| US11929406B2 (en) | 2021-02-19 | 2024-03-12 | Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN113380876A (zh) * | 2021-06-10 | 2021-09-10 | 四川美阔电子科技有限公司 | 一种氮化镓功率器件结构及制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101414628A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-04-22 | 西安电子科技大学 | 凹槽г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN102832241A (zh) * | 2012-09-14 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| CN102881722A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 西安电子科技大学 | 源场板异质结场效应晶体管及其制作方法 |
| CN103779410A (zh) * | 2014-01-22 | 2014-05-07 | 西安电子科技大学 | 基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法 |
| CN211858658U (zh) * | 2020-02-27 | 2020-11-03 | 常熟理工学院 | 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件 |
-
2020
- 2020-02-27 CN CN202010123740.XA patent/CN111261714B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN101414628A (zh) * | 2008-12-01 | 2009-04-22 | 西安电子科技大学 | 凹槽г栅高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN102832241A (zh) * | 2012-09-14 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管 |
| CN102881722A (zh) * | 2012-10-26 | 2013-01-16 | 西安电子科技大学 | 源场板异质结场效应晶体管及其制作方法 |
| CN103779410A (zh) * | 2014-01-22 | 2014-05-07 | 西安电子科技大学 | 基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法 |
| CN211858658U (zh) * | 2020-02-27 | 2020-11-03 | 常熟理工学院 | 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件 |
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|---|---|
| CN111261714A (zh) | 2020-06-09 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |