CN111261493A - 一种硅片清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅片清洗方法，包括步骤：将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗；将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗。本发明能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅片清洗方法。
背景技术
在硅片的生产中，其表面往往会沾染各种挥发物而形成杂质，特别是表面会形成有一些金属杂质，这样影响了硅片的加工效果，严重的话对后续半导体的加工和使用造成不良的后果。所以在加工硅片的过程中，必须对硅片进行清洗。目前，对硅片的清洗的方式一般为只是用水冲洗一下硅片，这样清洗效果不佳，不能有效清洗硅片表面的由挥发物形成的杂质，尤其是金属杂质。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种硅片清洗方法，能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种硅片清洗方法，其包括：
将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗；
将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗。
作为上述方案的改进，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％的氢氟酸溶液配制而成。
作为上述方案的改进，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，清洗时间为15～25分钟。
作为上述方案的改进，所述酸洗液中的氢氟酸的体积百分比为3-5％，所述酸洗液中的盐酸的体积百分比为10％。
作为上述方案的改进，在将所述硅片放入酸洗液中进行清洗时，清洗时间为20～30分钟。
作为上述方案的改进，在将所述硅片放入纯水中进行清洗时，清洗温度为75～85℃，清洗时间为25～35分钟。
作为上述方案的改进，所述纯水的电阻率大于20MΩ·cm。
本发明实施例提供的所述硅片清洗方法，首先将硅片放入包含有硫酸、氢氟酸和水的清洗液中进行清洗，以对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行初步溶解；接着，将所述硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的清洗液，便于后续的清洗的进行；然后，将所述硅片放入包含有氢氟酸、盐酸和水的酸洗液中进行清洗，以对硅片表面残留有的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行有效溶解，确保硅片表面残留有的这些杂质被有效清洗掉；最后，将硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的酸洗液，从而完成硅片的清洗。由上分析可知，本发明实施例能够对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行有效清洗，从而提高了硅片的清洗效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供一种硅片清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1，本发明实施例提供了一种硅片清洗方法，包括步骤S1至步骤S4：
S1，将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；
由于所述清洗液主要由硫酸、氢氟酸和水配置而成，因此所述清洗液具有很强的对由挥发物形成的杂质的溶解能力，尤其是具有很强的对金属杂质的溶解能力。
S2，将所述硅片放入纯水中进行清洗；
使用纯水来清洗硅片，一方面可以有效去掉硅片上残留的清洗液，另一方面可以确保不会对硅片的表面进行二次污染。
S3，将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；
由于所述酸洗液主要由氢氟酸、盐酸和水配置而成，因此所述酸洗液也具有很强的对由挥发物形成的杂质的溶解能力，尤其是具有很强的对金属杂质的溶解能力。
S4，将所述硅片放入纯水中进行清洗。
使用纯水来清洗硅片，一方面可以有效去掉硅片上残留的酸洗液，另一方面可以确保不会对硅片的表面进行二次污染。
相比于现有技术，本发明实施例提供的所述硅片清洗方法，首先将硅片放入包含有硫酸、氢氟酸和水的清洗液中进行清洗，以对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行初步溶解；接着，将所述硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的清洗液，便于后续的清洗的进行；然后，将所述硅片放入包含有氢氟酸、盐酸和水的酸洗液中进行清洗，以对硅片表面残留有的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行进一步的溶解，确保硅片表面残留有的这些杂质被有效清洗掉；最后，将硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的酸洗液，从而完成硅片的清洗。由上分析可知，本发明实施例能够对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行有效清洗，从而提高了硅片的清洗效果。
需要说明的是，当对硅片清洗后，可以对硅片进行烘干。
在本发明实施例中，优选地，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％(更优为50％)的氢氟酸溶液配制而成。这样可以使得所述清洗液具有更好的对金属杂质及由挥发物形成的杂质的溶解能力。
在上述发明实施例中，优选地，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，这样可以使得清洗液能够与硅片上的杂质进行有效反应，从而提高清洗液对硅片上的杂质的溶解效果。此外，清洗时间为15～25分钟(更优为20分钟)，这样可以使得清洗液能够充分与硅片上的杂质进行反应。
在上述发明实施例中，优选地，所述酸洗液中的氢氟酸的体积百分比为3-5％，所述酸洗液中的盐酸的体积百分比为10％。这样可以使得所述酸洗液具有更好的对金属杂质及由挥发物形成的杂质的溶解能力。
在上述发明实施例中，优选地，在将所述硅片放入酸洗液中进行清洗时，清洗时间为20～30分钟。这样可以使得酸洗液能够充分与硅片上的杂质进行反应。
在上述发明实施例中，优选地，在将所述硅片放入纯水中进行清洗时，清洗温度为75～85℃，清洗时间为25～35分钟。这样可以使得硅片上残留有的清洗液或酸洗液能够被有效清洗掉。
在上述发明实施例中，优选地，所述纯水的电阻率大于20MΩ·cm。这样可以使得硅片上残留有的清洗液或酸洗液能够被有效清洗掉。
以上所揭露的仅为本发明一些较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：
将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗；
将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％的氢氟酸溶液配制而成。
3.根据权利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，清洗时间为15～25分钟。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述酸洗液中的氢氟酸的体积百分比为3-5％，所述酸洗液中的盐酸的体积百分比为10％。
5.根据权利要求1或4所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将所述硅片放入酸洗液中进行清洗时，清洗时间为20～30分钟。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将所述硅片放入纯水中进行清洗时，清洗温度为75～85℃，清洗时间为25～35分钟。
7.根据权利要求1或6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述纯水的电阻率大于20MΩ·cm。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218629A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003088817A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-03-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 基板表面洗浄方法 |
| CN101024800A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 联华电子股份有限公司 | 清洗液以及移除等离子体工艺后的残余物的方法 |
| CN101866822A (zh) * | 2009-04-14 | 2010-10-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 防止铝焊盘腐蚀的方法以及铝焊盘的制作工艺 |
| CN102054754A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属互连线的制造方法 |
| CN108039315A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的清洗方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03218629A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-09-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2003088817A (ja) * | 2001-05-22 | 2003-03-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 基板表面洗浄方法 |
| CN101024800A (zh) * | 2006-02-21 | 2007-08-29 | 联华电子股份有限公司 | 清洗液以及移除等离子体工艺后的残余物的方法 |
| CN101866822A (zh) * | 2009-04-14 | 2010-10-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 防止铝焊盘腐蚀的方法以及铝焊盘的制作工艺 |
| CN102054754A (zh) * | 2009-11-10 | 2011-05-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属互连线的制造方法 |
| CN108039315A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的清洗方法 |
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