CN111244225A - 太阳电池缓冲层的制备装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及太阳电池技术领域，一种太阳电池缓冲层的制备装置，包括药液供给装置、药液补给装置、清洗装置和烘干装置，所述药液供给装置、药液补给装置、清洗装置和烘干装置沿基底材料的移动方向依次设置。喷洒在基底材料上的药液经过沉积系统沉积成缓冲层材料，然后经过清洗、烘干系统和收卷；通过增设的药液补给装置在缓冲层沉积的过程中不间断地向基底层喷洒药液，减少沉积过程中由于溶液挥发造成溶液浓度变化，从而导致缓冲层薄膜厚度沉积的不均匀性；进而保证沉积的缓冲层材料均匀。

Description

太阳电池缓冲层的制备装置
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，具体是一种太阳电池缓冲层的制备装置。
背景技术
柔性薄膜铜铟镓硒光伏太阳电池已经逐步走向产业化,但是影响产业化进程的因素之一是如何进一步提高电池的光电转换效率。这一领域的研究主要关注光伏材料本身的特性改善,除了吸收层(铜铟镓硒)改善之外，其中最重要的一点是缓冲层结构的优化。这主要涉及到缓冲层薄膜材料厚度的均匀性控制。如何通过卷对卷水浴沉积系统制备高质量的缓冲层薄膜材料，对提高薄膜铜铟镓硒电池的转换效率起到至关重要的作用。
在现有柔性薄膜铜铟镓硒电池缓冲层制备中，通过非真空的水浴法沉积是目前的主流方式之一。不锈钢卷经过放卷系统平铺钢卷，经过沉积系统沉积缓冲层材料，然后经过清洗、烘干系统和收卷；但是此方案缓冲层材料沉积厚度不均匀。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够使形成的太阳电池的缓冲层材料厚度均匀的太阳电池缓冲层的制备装置。
为解决上述问题，本发明提供了一种太阳电池缓冲层的制备装置，包括药液供给装置、药液补给装置、清洗装置和烘干装置，
所述药液供给装置、药液补给装置、清洗装置和烘干装置沿基底材料的移动方向依次设置。
本发明的有益效果是：喷洒在基底材料上的药液经过沉积系统沉积成缓冲层材料，然后经过清洗、烘干系统和收卷；通过增设的药液补给装置在缓冲层沉积的过程中不间断地向基底层喷洒药液，减少沉积过程中由于溶液挥发造成溶液浓度变化，从而导致缓冲层薄膜厚度沉积的不均匀性；进而保证沉积的缓冲层材料均匀。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步的，所述药液补给装置包括传送装置和多个药液喷淋装置，多个所述药液喷淋装置均布在所述传送装置上。
采用上述进一步方案的有益效果是:传送装置的运行速度与基底材料的运行速度一致，通过传送装置以及多个均匀布置的药液喷淋装置向基底材料的喷洒药液，可以使基底材料上每个位置上的药液均匀，进而保证沉积的缓冲层材料均匀。
进一步的，所述传送装置包括传送带、传送驱动装置和至少两个转轮；
至少两个所述转轮间隔设置；
所述传送带套设在至少两个所述转轮上；
所述传送驱动装置的动力输出端与所述转轮连接，用以驱动所述转轮的转动，并带动所述传送带的移动。
进一步的，所述基底材料位于所述药液供给装置和所述清洗装置之间的区域称为沉积区，所述药液补给装置设置在所述沉积区内且在所述基底材料的上方。
采用上述进一步方案的有益效果是：现有技术中导致缓冲层材料不均匀的主要原因是因为沉积区温度较高、药液挥发快和药液浓度发生改变而造成沉积膜厚不均匀；因此只将药液供给装置设置在沉积区，即能使沉积的缓冲层材料均匀，又节约资源、尽量少的设置药液供给装置。
进一步的，所述沉积区的温度为60～80℃。。
进一步的，还包括收料装置，设置在所述基底材料运动方向的前方，用于回收所述基底材料。
进一步的，所述收料装置包括收料驱动装置和收料卷筒；
所述收料驱动装置的动力输出端与所述收料卷筒连接，用于驱动所述收料卷筒的转动；
所述基底材料一端与所述收料卷筒连接，当所述收料卷筒转动时，所述基底材料缠绕在所述收料卷筒上。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过收料驱动装置驱动收料卷筒转动，进而将基底材料缠绕在收料卷筒上，实现基底材料的运动，一举两得。
进一步的，还包括放料装置，设置在所述基底材料运动方向的后方，用于存放所述基底材料。
进一步的，所述放料装置为放料卷筒；所述基底材料缠绕在所述放料卷筒上。
进一步的，所述基底材料的移动速度为0.5～5m/Min。
附图说明
图1是本发明太阳电池缓冲层的制备装置的结构示意图。
附图标记：
1、药液供给装置，2、药液补给装置，3、清洗装置，4、烘干装置，5、收料装置，6、放料装置，7、基底材料，8、第一张紧轮，9、第二张紧轮；
21、传送装置，22、药液喷淋装置；
211、传送带，212、转轮。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
图1是本发明太阳电池缓冲层的制备装置的结构示意图。
一种太阳电池缓冲层的制备装置，包括：药液供给装置1、药液补给装置2、清洗装置3和烘干装置4；药液供给装置1、药液补给装置2、清洗装置3和烘干装置4依次设置，且沿着基底材料7的移动方向。
首先通过药液供给装置1向基底材料7上喷洒药液，使药液在基底材料7上沉积形成缓冲层，而后经过清洗装置3和烘干装置4，制备成柔性薄膜铜铟镓硒光伏太阳电池；为了保证沉积的缓冲层厚度均匀，在药液供给装置1与清洗装置3之间增设了药液补给装置2，在缓冲层沉积的过程中不间断地向基底层喷洒药液，减少沉积过程中由于溶液挥发造成溶液浓度变化，从而导致缓冲层薄膜厚度沉积的不均匀性；进而保证沉积的缓冲层材料均匀。
现有技术中导致缓冲层材料不均匀的主要原因是因为沉积区温度较高、药液挥发快和药液浓度发生改变而造成沉积膜厚不均匀；因此只将药液供给装置1设置在沉积区，即能使沉积的缓冲层材料均匀，又节约资源、尽量少的设置药液供给装置1。具体的，基底材料7位于所述药液供给装置1和所述清洗装置3之间的区域称为沉积区，所述药液补给装置2设置在所述沉积区内且在所述基底材料7的上方。
在一个优选的实施例中，使沉积区的温度在60～80℃范围内，具体的，可以是60℃、65℃、70℃、75℃，或者80℃。
图1中，将清洗装置3和烘干装置4设置在基底材料7的上方，但是本发明不以此为限制，只要能实现对基底材料7和缓冲层清洗和烘干即可，具体采用何种装置、在何种位置不作具体限定。
在一个优选的实施例中，药液补给装置2包括传送装置21和多个药液喷淋装置22，多个所述药液喷淋装置22均布在所述传送装置21上。
具体的，传送装置21包括传送带211、传送驱动装置和至少两个转轮212；至少两个所述转轮212间隔设置；所述传送带211套设在至少两个所述转轮212上；所述传送驱动装置的动力输出端与所述转轮212连接，用以驱动所述转轮212的转动，并带动所述传送带211的移动。
传送驱动装置可选用电机，但本发明不以此为限定，能驱动转轮212转动的机构都可称为传送驱动装置。
转轮212的中心轴线与基底材料7的移动方向相互垂直，启动传送驱动装置，带动转轮212转动，进而驱动缠绕在两个转轮212上的传送带211的运动，实现带动设置在传送带211上的药液喷淋装置22的运动。在实际工作时，使传送装置21的运行速度与基底材料7的运行速度一致，通过传送装置21以及多个均匀布置的药液喷淋装置22向基底材料7的喷洒药液，可以使基底材料7上每个位置上的药液均匀，进而保证沉积的缓冲层材料均匀。
基底材料7的两端分别缠绕在放料装置6和收料装置5上；放料装置6设置在所述基底材料7运动方向的后方，用于存放所述基底材料7；收料装置5设置在所述基底材料7运动方向的前方，用于回收所述基底材料7。
在一个优选的实施例中，通过收料装置5驱动基底材料7的移动。
具体的，收料装置5包括收料驱动装置和收料卷筒；所述收料驱动装置的动力输出端与所述收料卷筒连接，用于驱动所述收料卷筒的转动；收料卷筒的中心轴线与基底材料7的移动方向相互垂直。当启动后，收料驱动装置可驱动收料卷筒沿着动收料卷的中心轴线自传，将基底材料7缠绕在收料卷筒上。
收料驱动装置可选用电机，但本发明不以此为限定，能驱动收料卷筒转动的机构都可称为收料驱动装置。
收料驱动装置使基底材料7的移动速度为0.5～5m/Min；具体的，可以使0.5m/Min、2m/Min、4m/Min，或者5m/Min。
具体的，放料装置6为放料卷筒；所述基底材料7缠绕在所述放料卷筒上。放料卷筒的中心轴线与基底材料7的移动方向相互垂直。
在一个优选的实施例中，还增设了第一张紧轮8和第二张紧轮9，第一张紧轮8与放料卷筒设置在同一水平面上，第二张紧轮9设置在第一张紧轮8的正下面，而收料卷筒设置在放料卷筒的正下面；基底材料7依次绕过第一张紧轮8和第二张紧轮9。
放料卷筒与第一张紧轮8之间的区域称为沉积区，药液补给装置2设置在沉积区内且在所述基底材料7的上方；清洗装置3和烘干装置4设置在第二张紧轮9和收料卷筒之间。
基底材料7的两边略微翘曲，形成一个U型凹槽，用于存储药液，使药液在U型凹槽内沉淀形成缓冲层。
具体工作时，将基底的一端缠绕在收料卷筒上，通过药液供给装置1向基底材料7上喷洒药液，并启动药液补给装置2中的传送驱动装置和药液喷淋装置22以及清洗装置3、烘干装置4、收料驱动装置；使药液在经过沉积区的基底材料7上沉积成厚度均匀的缓冲层，而后再通过清洗装置3和烘干装置4对基底材料7和缓冲层进行处理，最后缠绕在收料卷筒上，便于运输和存放。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (10)

1.一种太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在，包括药液供给装置(1)、药液补给装置(2)、清洗装置(3)和烘干装置(4)，
所述药液供给装置(1)、所述药液补给装置(2)、所述清洗装置(3)和所述烘干装置(4)沿基底材料(7)的移动方向依次设置。
2.如权利要求1所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述药液补给装置(2)包括传送装置(21)和多个药液喷淋装置(22)，多个所述药液喷淋装置(22)均布在所述传送装置(21)上。
3.如权利要求2所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述传送装置(21)包括传送带(211)、传送驱动装置和至少两个转轮(212)；
至少两个所述转轮(212)间隔设置；
所述传送带(211)套设在至少两个所述转轮(212)上；
所述传送驱动装置的动力输出端与所述转轮(212)连接，用以驱动所述转轮(212)的转动，并带动所述传送带(211)的移动。
4.如权利要求1至3任一项所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述基底材料(7)位于所述药液供给装置(1)和所述清洗装置(3)之间的区域为沉积区，所述药液补给装置(2)设置在所述沉积区内且在所述基底材料(7)的上方。
5.如权利要求4所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述沉积区的温度为60～80℃。
6.如权利要求1至3任一项所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：还包括收料装置(5)，设置在所述基底材料(7)运动方向的前方，用于回收所述基底材料(7)。
7.如权利要求6所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述收料装置(5)包括收料驱动装置和收料卷筒；
所述收料驱动装置的动力输出端与所述收料卷筒连接，用于驱动所述收料卷筒的转动；
所述基底材料(7)一端与所述收料卷筒连接，当所述收料卷筒转动时，所述基底材料(7)缠绕在所述收料卷筒上。
8.如权利要求1至3任一项所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：还包括放料装置(6)，设置在所述基底材料(7)运动方向的后方，用于存放所述基底材料(7)。
9.如权利要求8所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述放料装置(6)为放料卷筒；所述基底材料(7)缠绕在所述放料卷筒上。
10.如权利要求1至3任一项所述的太阳电池缓冲层的制备装置，其特征在于：所述基底材料(7)的移动速度为0.5～5m/Min。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403398A (en) * 1980-12-12 1983-09-13 Prutec Limited Method of manufacturing a cadmium sulphide photo-voltaic device
TW200840075A (en) * 2007-03-28 2008-10-01 Showa Shell Sekiyu Method for manufacturing CIS based thin film solar cell device
CN101840960A (zh) * 2010-02-11 2010-09-22 昆山正富机械工业有限公司 多段式硫化镉薄膜沉积方法
US20100291727A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
CN102110737A (zh) * 2009-12-29 2011-06-29 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法
JP2012084680A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Fujifilm Corp Ｃｂｄ成膜装置
CN103582956A (zh) * 2011-06-07 2014-02-12 王家雄 一种通过卷对卷过程制备半导体膜的化学浴沉积设备
CN204999804U (zh) * 2015-10-08 2016-01-27 四川宇光光学玻璃有限公司 一种用于多层镀膜玻璃的镀膜装置
CN107354448A (zh) * 2017-08-07 2017-11-17 旭科新能源股份有限公司 一种连续生产ZnS薄膜的CBD反应沉积装置及方法
CN108666392A (zh) * 2018-06-14 2018-10-16 浙江尚越新能源开发有限公司 铜铟镓硒化学水浴沉积csd整体设备

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4403398A (en) * 1980-12-12 1983-09-13 Prutec Limited Method of manufacturing a cadmium sulphide photo-voltaic device
TW200840075A (en) * 2007-03-28 2008-10-01 Showa Shell Sekiyu Method for manufacturing CIS based thin film solar cell device
US20100291727A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
CN102110737A (zh) * 2009-12-29 2011-06-29 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层的制备方法
CN101840960A (zh) * 2010-02-11 2010-09-22 昆山正富机械工业有限公司 多段式硫化镉薄膜沉积方法
JP2012084680A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Fujifilm Corp Ｃｂｄ成膜装置
CN103582956A (zh) * 2011-06-07 2014-02-12 王家雄 一种通过卷对卷过程制备半导体膜的化学浴沉积设备
CN204999804U (zh) * 2015-10-08 2016-01-27 四川宇光光学玻璃有限公司 一种用于多层镀膜玻璃的镀膜装置
CN107354448A (zh) * 2017-08-07 2017-11-17 旭科新能源股份有限公司 一种连续生产ZnS薄膜的CBD反应沉积装置及方法
CN108666392A (zh) * 2018-06-14 2018-10-16 浙江尚越新能源开发有限公司 铜铟镓硒化学水浴沉积csd整体设备

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