CN111224013A - 显示面板封装结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板封装结构及其制备方法,封装结构包括基板和封装层,基板包括第一电极层,封装层覆盖第一电极层,包括导电柱、阻隔层和辅助电极层,导电柱位于非发光区的第一电极层上,且与第一电极层连接;阻隔层覆盖于第一电极层未被导电柱覆盖的区域,阻隔层具有通孔,导电柱位于通孔内,且导电柱外壁与通孔内壁贴合;辅助电极层覆盖于阻隔层和导电柱远离基板的一侧,且与导电柱连接。本发明将辅助电极和薄膜封装结合,降低电阻提高顶电极导电性,还能降低封装厚度,适用于柔性显示面板。

Description

显示面板封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示面板封装结构,还涉及该封装结构的制备方法。
背景技术
OLED显示技术具有高响应、高对比度、可柔性化等优点,被视为拥有广泛的应用前景。尤其是顶发射OLED器件,由于具有更高的开口率,和利用微腔效应实现光取出优化等优点,成为研究的主要方向。
对于顶发射结构,作为出光面OLED的顶电极必须具备良好的光透过率和导电性。目前,顶电极通常采用ITO、IZO等透明度高的材料,其本身的导电性能弱,导电性难以继续提高。为了提高导电性,有研究在封装盖板上制作辅助电极,以提高导电性,但该方式会造成器件厚度增加,也会降低显示面板的弯曲能力。
需要说明的是,在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本发明的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板封装结构及其制备方法,解决现有技术存在的一种或多种问题。
根据本发明的一个方面,提供一种显示面板封装结构,包括基板和封装层,所述基板包括覆盖发光区和非发光区的第一电极层,所述封装层覆盖所述第一电极层,所述封装层包括:
导电柱,所述导电柱位于所述非发光区的第一电极层上,且与所述第一电极层连接;
阻隔层,覆盖于所述第一电极层未被所述导电柱覆盖的区域,所述阻隔层具有通孔,所述导电柱位于所述通孔内,且所述导电柱与所述通孔内壁贴合;
辅助电极层,覆盖于所述阻隔层和所述导电柱远离所述基板的一侧,且与所述导电柱连接。
在本发明的一种示例性实施例中,所述辅助电极层为石墨烯层。
在本发明的一种示例性实施例中,所述导电柱的材料包括光致异构化材料和导电材料,其中,所述光致异构化材料为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生可逆变化的化合物。
在本发明的一种示例性实施例中,所述光致异构化材料包括偶氮苯类化合物,所述导电材料包括金属纳米线。
在本发明的一种示例性实施例中,所述导电柱中,所述导电材料占所述导电柱的体积比为20%-40%。
在本发明的一种示例性实施例中,所述阻隔层的材料为封装胶。
在本发明的一种示例性实施例中,所述封装层中导电柱的数量为多个,所述阻隔层上所述通孔的数量为多个,且与所述多个导电柱的位置一一对应。
在本发明的一种示例性实施例中,多个所述导电柱呈阵列排布,且均匀分布于所述发光区内各子像素的顶角处。
在本发明的一种示例性实施例中,所述显示面板封装结构包括多个所述封装层,多个所述封装层层叠设置;其中,相邻两个所述封装层中,其中一个所述封装层的导电柱与另一个所述封装层的辅助电极层连接。
根据本发明的另一个方面,提供一种显示面板封装结构的制备方法,包括:
提供一形成有第一电极层的基板,所述第一电极层覆盖所述基板的发光区和非发光区;
在所述第一电极层上非发光区形成导电柱;
在所述第一电极层上未被所述导电柱覆盖的区域形成阻隔层,所述阻隔层具有通孔,所述导电柱位于所述阻隔层的通孔内,且所述导电柱与所述通孔内壁贴合;
在所述阻隔层和所述导电柱上覆盖辅助电极层,以使所述导电柱、阻隔层和辅助电极层形成覆盖所述第一电极层的封装层。
在本发明的一种示例性实施例中,所述导电柱的材料包括光致异构化材料和导电材料,所述光致异构化材料为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生可逆变化的化合物;所述阻隔层的材料为封装胶,所述封装胶为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生变化的化合物;形成所述导电柱和所述阻隔层的方法包括:
在第一光照条件下照射所述光致异构化材料,使所述光致异构化材料呈液态,将所述光致异构化材料与所述导电材料混合;
在第二光照条件下照射所述混合后的光致异构化材料与所述导电材料,使所述使光致异构化材料与所述导电材料呈固态,以形成所述导电柱;将所述导电柱转移至所述第一电极层上;
在第三光照条件下照射所述封装胶,使所述封装胶呈液态,然后在所述第一电极层上未被所述导电柱覆盖的区域覆盖所述液态的封装胶;
在第四光照条件下照射所述封装胶,使所述封装胶固化,以形成所述阻隔层;
在所述第一光照条件下照射所述导电柱,使所述导电柱呈液态,且使所述液态的导电柱流动至其表面与所述阻隔层表面齐平;
在所述第二光照条件下照射所述液态导电柱,使所述液态导电柱固化。
在本发明的一种示例性实施例中,所述第四光照条件与所述第一光照条件相同。
本发明的显示面板封装结构在顶电极上设置导电柱和阻隔层,导电柱和阻隔层上方再覆盖辅助电极层。导电柱用于将辅助电极层和第一电极层(即顶发射器件的阴极层)连接,使辅助电极层和第一电极层形成并联电阻,起到降低整体电阻的作用,从而提高导电性能。阻隔层一方面起到支撑辅助电极层的作用,一方面起到阻止水汽入侵的作用。该结构可以形成薄膜封装,不再需要封装盖板,减小了显示面板的厚度,同时可以很好的适用于柔性显示面板。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中辅助电极设置在封装盖板的结构示意图;
图2为本申请实施方式的一种显示面板封装结构示意图;
图3为图2中A-A向的截面示意图;
图4为本申请实施方式的另一种显示面板封装结构示意图;
图5为本申请实施方式的封装结构的制备方法流程图;
图6为本申请实施方式形成导电柱的结构示意图;
图7为本申请实施方式形成阻隔层的结构示意图;
图8为本申请实施方式导电柱和阻隔层平坦化的结构示意图;
图9为本申请实施方式形成辅助电极层的结构示意图;
图10为本申请实施方式制备导电柱使用的印版结构示意图;
图11为本申请实施方式在印版上制备导电柱的结构示意图;
图12为本申请实施方式在导电柱表面涂覆粘接剂的结构示意图;
图13为本申请实施方式将导电柱转移至基板的结构示意图。
图中:100、基板;200、像素界定层;300、第一电极层;400、封装层;410、导电柱;420、阻隔层;430、辅助电极层;421、通孔;510、第一封装层;511、第一导电柱;512、第一阻隔层;513、第一辅助电极层;520、第二封装层;521、第二导电柱;522、第二阻隔层;523、第二辅助电极层;600、印版;610、粘合剂;700、封装盖板;710、黑矩阵;720、彩膜层;730、平坦层;740、间隔柱;750、辅助电极;800、子像素。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
相关技术中,为了提高顶发射器件中顶电极的导电性,一种方式是将金属作为辅助电极,采用光刻的方法制作在背板的非发光区,提高顶电极的整体导电性,达到降低电阻的作用。但是这种光刻技术需要复杂的工艺,涉及多道掩膜板和曝光工序,而且由于其需要高温、光刻胶冲刷等工艺特点,会对OLED器件发光层造成损害,不适合作为量产手段。
另一种方式是在封装盖板上制作辅助电极,例如如图1所示,阵列基板100的非发光区形成有像素界定层200,第一电极层300(即顶发射器件中的顶电极层)覆盖像素界定层200,并在像素界定层200的位置处具有凸起。封装盖板700上形成有黑矩阵710、彩膜层720以及覆盖黑矩阵710和彩膜层720的平坦层730,平坦层730上与黑矩阵710对应的位置上形成有多个间隔柱740,辅助电极750覆盖在间隔柱740上,也就是说辅助电极750在间隔柱位置处具有凸起。当封装盖板700与基板100对合时,辅助电极750的凸起位置与第一电极层300的凸起位置相接触,形成并联电路结构,可以起到降低总电阻、提高导电性的作用。
第二种方式可以避免第一种方式制作工艺中存在的问题,但是,对于柔性OLED显示面板来说,上述在封装盖板上制作辅助电极的方式会造成器件厚度增加,降低显示面板的弯曲能力,且传统的辅助电极材料与阻隔柱柔性不足,弯曲时容易造成膜层剥离和损坏。
基于上述问题,本发明实施方式中提供了一种显示面板封装结构,将辅助电极制作在封装结构中,并形成薄膜封装,一方面起到降低电阻提高顶发射器件中顶电极导电性的作用,另一方面还能降低封装厚度,同时可以适用于柔性显示面板。该显示面板封装结构适用于OLED显示面板。
如图2所示,本发明实施方式的显示面板封装结构包括基板100和封装层400,基板100包括覆盖发光区和非发光区的第一电极层300,封装层400覆盖第一电极层300,封装层400包括导电柱410、阻隔层420和辅助电极层430。导电柱410位于非发光区的第一电极层300上,且与第一电极层300连接。阻隔层420覆盖于第一电极层300未被导电柱410覆盖的区域,阻隔层420具有通孔421,导电柱410位于通孔421内,且导电柱410与通孔421内壁贴合。辅助电极层430覆盖于阻隔层420和导电柱410远离基板100的一侧,且与导电柱410连接。
本发明的第一电极层为阴极层,且以阴极层作为顶发射器件的顶电极层,在第一电极层300上设置导电柱410和阻隔层420,导电柱410和阻隔层420上方再覆盖辅助电极层430。导电柱410用于将辅助电极层430和第一电极层300连接,使辅助电极层430和第一电极层300形成并联电阻,起到降低整体电阻的作用,从而提高导电性能。阻隔层420一方面起到支撑辅助电极层430的作用,一方面起到阻止水汽入侵的作用。该结构可以形成薄膜封装,不再需要封装盖板,减小了显示面板的厚度,同时可以很好的适用于柔性显示面板。
下面对本发明实施方式的显示面板封装结构进行详细说明:
本实施例中,如图2所示,为显示面板上一个像素的结构剖视示意图,该像素具有发光区和非发光区,非发光区设置有像素界定层200,用于分隔相邻子像素以及分隔相邻像素,发光区设置有OLED发光器件。像素界定层200和发光器件上方覆盖有第一电极层300,通常,第一电极层300为一整层结构,因此,在像素界定层200和发光器件上方具有凹凸不平的表面形状。导电柱410形成在第一电极层300位于非发光区的位置处,即位于像素界定层200上方。阻隔层420覆盖在第一电极层300上未被导电柱410覆盖的区域,因此至少覆盖发光区。导电柱410的高度和阻隔层420的高度保持一致,可以使覆盖在其上方的辅助电极层430较为平坦,避免辅助电极层430断裂。第一电极层300可以采用ITO、IZO等透明度高的材料,以满足顶发射的需求。
本实施例中,辅助电极层430为石墨烯层。石墨烯具有较佳的导电性,作为辅助电极可以起到有效降低顶电极总电阻的作用。单层石墨烯还具备较高的光线透过率,可以很好的适用于顶发射的显示面板。同时,石墨烯可以形成致密薄膜,该膜层对水汽和氧气都有良好的阻隔效果,因此还可以作为封装层400。再者石墨烯层具有优秀的延展性、弯折性,能够适用于柔性显示面板,避免传统封装盖板弯折时产生的损伤。石墨烯层可以通过转印的方式形成在阻隔层420和导电柱410上,具体过程见下文介绍。
本实施例中,阻隔层420的材料可以为封装胶。封装胶具有理想的水氧阻隔作用及粘接性,还具备一定的柔性,耐受弯折,适用于柔性面板。封装胶还可以是紫外光固化封装胶,在紫外光照射下可以方便的从液态转变为固态。因此,可以在其为液态时先填充在制备好的导电柱410之间,将导电柱410所占用的区域以外的区域进行覆盖,然后将其固化,由此可以使导电柱410和阻隔层420之间能够紧密贴合没有缝隙,二者形成一整层膜层,可以作为封装结构,起到有效的封装效果。当封装胶为液态时,可以通过喷墨打印的方式形成在第一电极层300上,然后在其自身的流动性下填充第一电极层300暴露的区域。封装胶通常由单体有机物主体(大于95%体积比)、光引发剂、活性稀释剂以及各种助剂等形成。本申请不限定封装胶的具体材料类型,只要能起到阻隔导电柱、防止水氧入侵、支撑辅助金属层的作用即可用于本申请。阻隔层420的厚度可以为5μm-10μm,若过薄则水氧阻隔能力较差,若过厚则会增加面板厚度。当然,在其他实施例中,阻隔层还可以采用其他能够防止水氧入侵的材料,例如无机阻隔材料,包括但不限于SiNx、SiO2、SiC、Al2O3、SiON、SiCN等。
本实施例中,导电柱410的材料包括光致异构化材料和导电材料。本申请所指的光致异构化材料是指,在光的作用下物态在固态和液态之间能发生可逆变化的化合物。该材料用于形成导电柱410的主体形状,导电材料分布于光致异构化材料之中,具有导电作用,起到电连接上下电极的作用。采用光致异构化材料作为导电柱410的主体材料之一的作用在于,利用其物态之间的变化制备理想的封装结构。具体而言,当给与特定的光照,使光致异构化材料呈现液态,就可以将其与导电材料进行混合;然后再给与特定的光照,使光致异构化材料成型固态,就可以将其与导电材料制备为如图所示的柱状导电柱410,并转移到第一电极层300上相应位置处。在导电柱410之间制作好阻隔层420后,最后再给与特定的光照,使光致异构化材料再呈现液态,就可以使柱状形态流平并与阻隔层420紧密贴合,以形成表面平坦且无缝隙的膜层结构,在保持导电性的同时还保证了封装效果。
本实施例中,光致异构化材料可以为偶氮苯类化合物,偶氮苯类化合物在350nm-400nm紫外光照射下由固态变为液态,在500nm-550nm可见光照射下由液态变为固态。该材料在固态和液态之间具有较为彻底的相变转换过程,在不同物态时都能维持稳定的形态。例如,偶氮苯类化合物呈固态时,其牢固性较佳,能够形成稳定的柱状结构;呈液态时,流动性较好,易于流平形成较为平整的表面。其还具有粘合作用,可以将石墨烯层牢固的粘接在导电柱上方,防止石墨烯层脱落。而且,偶氮苯类化合物为固态时,仍然具有一定的柔性,能够耐受弯折,可以适用于柔性面板。本实施例的偶氮苯类化合物包括但不限于2,4-二氯-6-偶氮苯氧基-1,3,5-均三嗪、2-二氯-4,6-偶氮苯氧基-1,3,5-均三嗪、2-氯-4,6-二偶氮苯氧基-1,3,5-均三嗪、2,4,6-三偶氮苯氧基-1,3,5-均三嗪等,此处不再一一列举。
本实施例中,导电材料优选金属纳米线。纳米线的结构易于形成线性连接,导电性能更好,同时由于尺寸微小,易于随光致异构化材料的物态转变而转变。金属纳米线的材料具体可以包括金、银、铜等导电金属材料中的至少任意一种,金属材料导电性优良,能够起到较好的连接第一电极层300和辅助电极层430的作用。金属纳米线的尺寸可以根据需求选择,例如直径可以在20nm-120nm直接,长度在10μm-20μm之间。该尺寸仅为举例,当然还可以为其他数值,本申请不对金属纳米线的尺寸进行限定。关于利用光致异构化材料和导电材料形成导电柱410的方法参见下文介绍。
本实施例中,导电柱410中的导电材料占导电柱410的体积比为20%-40%,也就是说,光致异构化材料占导电柱410的体积比为60%-80%。在该体积比范围内既能实现理想的导电性,还能在制备过程中形成理想的物理形态。若导电材料体积比低于20%,则导电性能欠佳,辅助电极就无法起到良好的降低电阻的作用;若导电材料体积比高于40%,则光致异构化材料体积比过少,难以形成稳定理想的结构。可以理解的是,导电材料是固态的,因此其体积比指的是导电柱410整体为固态时的体积比。当然,当导电柱410整体呈液态时,导电材料的体积比也不会有较大变动。
当本实施例中各部分采用上述的材料时,能够形成完整的薄膜封装结构,降低封装厚度,但也能起到良好的水氧阻隔效果;还具备较低的电阻和良好的导电性,提升显示效果;还具有一定的柔性,可以适用于柔性显示面板;还具有较高的光透过率,适用于顶发射的显示面板。
进一步地,本实施例中,如图2所示,封装层400中导电柱410的数量可以为多个,相应的,阻隔层420上通孔421的数量也为多个,且与多个导电柱410的位置一一对应。多个导电柱410均可以连接辅助电极层430和第一电极层300,形成并联的结构,从而可以降低整体电阻,提高整体电极的导电性。由于并联的电阻越多,总电阻越小,因此,导电柱410的数量越多,辅助电极层430降低电阻的作用就越大,整体导电性就越好。
当导电柱410的数量为多个时,多个导电柱410可以呈阵列排布,且均匀分布于发光区内各子像素的顶角处。举例而言,如图3所示,为图2中A-A向的截面俯视图,每个子像素的四个顶角均设置有一个导电柱410,由此形成了最多的导电柱410个数,最大程度上降低顶电极整体电阻。相邻子像素的顶角共用一个导电柱410,导电柱410仅位于子像素的顶角处时,制作工艺较为简单。可以理解的是,图中仅示出了一部分子像素,整个显示面板的所有子像素周围均可以设置导电柱。
在如图所示的截面中,导电柱410的形状为圆形,在其他实施例中,导电柱410的形状也可以为矩形、三角形等其他多边形形状。在一些实施例中,导电柱410还可以覆盖整个非发光区,即形成与像素界定层200类似的网格状。可以理解的是,导电柱410的数量也可以为其他数量,例如在每个像素顶角处设置导电柱410,或在相距更远的位置处设置一个导电柱410。本发明不对导电柱410的截面形状和个数进行特殊限定。
本实施例中,如图2所示,在基板100边缘的非显示区,辅助电极层430的边缘与第一电极层300的边缘相接触,一方面可以形成完全覆盖的封装结构,一方面可以进一步形成并联结构降低电阻。
在一种实施例中,本发明的显示面板封装结构包括多个上述的封装层,多个封装层层叠设置,进一步延长了水氧入侵路径,提高了封装效果。相邻两个封装层中,其中一个封装层的导电柱与另一个封装层的辅助电极层连接,由此可以进一步提高降低电阻的作用。举例而言,如图4所示的显示面板封装结构包括了上下层叠设置的第一封装层510和第二封装层520,第一封装层510包括多个第一导电柱511、第一阻隔层512、第一辅助电极层513,第二封装层520包括多个第二导电柱521、第二阻隔层522、第二辅助电极层523。第一辅助电极层513与第二导电柱521相连接,第一辅助电极层513和第二辅助电极层523的边缘在基板100非显示区相连接,且共同覆盖在第一电极层300上。
本实施例中,两个封装层结构相同,也就是说,其中导电柱410的设置数量和位置相同,在其他实施例中,两个封装层结构也可以不同,本申请不对此进行特殊限定。在其他实施例中,还可以包含更多层的封装层。
本实施方式还提供一种显示面板封装结构的制备方法,用于制备上述封装结构,下面参考图4-图8,对具有一个封装层400的OLED显示面板封装结构的制备方法进行说明。其具体步骤可以包括:
步骤S100,提供一形成有第一电极层300的基板100。
步骤S200,在第一电极层300上非发光区形成导电柱410,如图6所示。
步骤S300,在第一电极层300上未被导电柱410覆盖的区域形成阻隔层420,阻隔层420具有通孔421,导电柱410位于阻隔层420的通孔421内,且导电柱410与通孔421内壁贴合。
步骤S400,在阻隔层420和导电柱410上覆盖辅助电极层430,如图9所示,导电柱410、阻隔层420和辅助电极层430形成覆盖第一电极层的封装层400。
步骤S100中的OLED阵列基板100是指已经形成有TFT阵列、阳极层、像素界定层200、发光层、阴极层(第一电极层300)的基板100,这些结构均可采用现有技术进行制备,此处不再赘述。而步骤S200-步骤S400均是对该基板100进行封装的步骤,在制作封装结构的同时制作辅助电极。
步骤S200中导电柱410的形成可以采用转印的方式,具体可参考图10-图13,首先在一印版600上形成好导电柱410,然后将其转移到基板100相应位置。以上述实施例的材料为例,其主体材料采用的是光致异构化材料,该光致异构化材料在第一光照条件下呈液态,在第二光照条件下呈固态。导电柱的制备方法可以为:在第一光照条件下照射光致异构化材料,使光致异构化材料呈液态,将光致异构化材料与导电材料混合;在第二光照条件下照射混合后的光致异构化材料与导电材料,使使光致异构化材料与导电材料呈固态,以形成导电柱;将导电柱转移至第一电极层上。
以光致异构化材料为偶氮苯类化合物为例,第一光照条件为350nm-400nm紫外光,第二光照条件为500nm-550nm可见光。导电柱的具体制备过程可以为:采用350nm-400nm紫外光照射偶氮苯化合物,使其变为液态后,与金属纳米线按比例混合,搅拌均匀,倒入表面涂覆有脱模剂的印板凹槽里。采用500nm-550nm可见光照射混合液,使其固化形成导电柱410,如图11。在导电柱410表面涂覆树脂粘合剂610,如图12,将印板与基板100对位后,将导电柱410印在基板100上,如图13,完成转印。当然,还可以通过其他方法形成导电柱410,此处不再赘述。
步骤S300中阻隔层420的材料为封装胶时,其在第三光照条件下呈液态,可以通过喷墨打印的方式形成在第一电极层300上未被导电柱410覆盖的区域,然后在其自身的流动性下填充在导电柱410之间,如图7所示;然后在第四光照条件下照射使其固化,形成阻隔层。其中,第三光照条件通常为可见光,第四光照条件可以为紫外光。
步骤S400中辅助电极层430采用石墨烯材料时,也可以通过转印的方式形成。具体步骤可以包括:在热失效(例如失效温度为80℃)胶带上粘附石墨烯,将热失效胶带表面粘附有石墨烯的一面贴合到阻隔层420和导电柱410上,加热使热失效胶带失去粘性,然后揭去热失效胶带,石墨烯层便附着在阻隔层420和导电柱410上,完成转移过程。可以理解的是,辅助电极层430还可以通过其他的方式形成,此处不再赘述。
上述步骤S400中,石墨烯层转移在导电柱410上时,导电柱410和阻隔层420都是固态,二者表面可能还会存在空隙,不是平整的表面,会影响水氧阻隔效果,也影响上面辅助电极层430的覆盖。因此,此时可再对已形成好的结构提供第一光照条件(例如350nm-400nm紫外光),使导电柱410变为液态,待其流平后便与阻隔层420表面平齐,如图8所示。同时,由于导电柱中偶氮苯化合物具有粘合作用,可以将石墨烯层牢固的粘接在导电柱上方,防止石墨烯层脱落。最后再提供第一光照条件(例如500nm-550nm可见光),使导电柱和阻隔层形成一连续完整的膜层。
为了简化工艺,阻隔层420固化的第四光照条件合一与第一光照条件相同,即都为350nm-400nm紫外光,那么在步骤S300中可以先不对封装胶进行固化处理,而是在步骤S400中先将石墨烯层转移到液态的阻隔层和固态的导电柱上后,再统一照射350nm-400nm紫外光,同时使阻隔层420材料固化以及导电柱410材料液化,最后再提供第一光照条件(500nm-550nm可见光),使导电柱和阻隔层形成一连续完整的膜层。
以下给出一具体制备流程:在OLED顶电极上像素界定层的位置,通过转印的方法制作导电柱,在导电柱之间填充液体的有机阻隔材料,待有机阻隔材料流平后,将单层石墨烯膜转印在有机阻隔层及导电柱上,然后同时照射350nm-400nm紫外光,使有机阻隔材料固化,同时偶氮苯化合物液化流平,形成表面平坦的一整个膜层,并且使石墨烯层和偶氮苯化合物粘合,最后再照射500nm-550nm可见光使导电柱固化,完成封装。
以上仅给出了一个封装层400的制备过程,当显示面板封装结构包含两个封装层400时,可以采用同样的方法再形成一个封装层400,具体步骤不再赘述。
虽然本说明书中使用相对性的用语,例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系,但是这些术语用于本说明书中仅出于方便,例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是,如果将图标的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时,有可能是指某结构一体形成于其它结构上,或指某结构“直接”设置在其它结构上,或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (12)

1.一种显示面板封装结构,包括基板和封装层,所述基板包括覆盖发光区和非发光区的第一电极层,所述封装层覆盖所述第一电极层,其特征在于,所述封装层包括:
导电柱,所述导电柱位于所述非发光区的第一电极层上,且与所述第一电极层连接;
阻隔层,覆盖于所述第一电极层未被所述导电柱覆盖的区域,所述阻隔层具有通孔,所述导电柱位于所述通孔内,且所述导电柱与所述通孔内壁贴合;
辅助电极层,覆盖于所述阻隔层和所述导电柱远离所述基板的一侧,且与所述导电柱连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述辅助电极层为石墨烯层。
3.根据权利要求1所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述导电柱的材料包括光致异构化材料和导电材料,其中,所述光致异构化材料为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生可逆变化的化合物。
4.根据权利要求3所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述光致异构化材料包括偶氮苯类化合物,所述导电材料包括金属纳米线。
5.根据权利要求4所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述导电柱中,所述导电材料占所述导电柱的体积比为20%-40%。
6.根据权利要求1所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述阻隔层的材料为封装胶。
7.根据权利要求1所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述封装层中导电柱的数量为多个,所述阻隔层上所述通孔的数量为多个,且与所述多个导电柱的位置一一对应。
8.根据权利要求7所述的显示面板封装结构,其特征在于,多个所述导电柱呈阵列排布,且均匀分布于所述发光区内各子像素的顶角处。
9.根据权利要求1所述的显示面板封装结构,其特征在于,所述显示面板封装结构包括多个所述封装层,多个所述封装层层叠设置;
其中,相邻两个所述封装层中,其中一个所述封装层的导电柱与另一个所述封装层的辅助电极层连接。
10.一种显示面板封装结构的制备方法,其特征在于,包括:
提供一形成有第一电极层的基板,所述第一电极层覆盖所述基板的发光区和非发光区;
在所述第一电极层上非发光区形成导电柱;
在所述第一电极层上未被所述导电柱覆盖的区域形成阻隔层,所述阻隔层具有通孔,所述导电柱位于所述阻隔层的通孔内,且所述导电柱与所述通孔内壁贴合;
在所述阻隔层和所述导电柱上覆盖辅助电极层,以使所述导电柱、阻隔层和辅助电极层形成覆盖所述第一电极层的封装层。
11.根据权利要求10所述的显示面板封装结构的制备方法,其特征在于,所述导电柱的材料包括光致异构化材料和导电材料,所述光致异构化材料为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生可逆变化的化合物;所述阻隔层的材料为封装胶,所述封装胶为在光的作用下物态在固态和液态之间能发生变化的化合物;形成所述封装层的方法包括:
在第一光照条件下照射所述光致异构化材料,使所述光致异构化材料呈液态,将所述光致异构化材料与所述导电材料混合;
在第二光照条件下照射所述混合后的光致异构化材料与所述导电材料,使所述光致异构化材料与所述导电材料呈固态,以形成所述导电柱;将所述导电柱转移至所述第一电极层上;
在第三光照条件下照射所述封装胶,使所述封装胶呈液态,然后在所述第一电极层上未被所述导电柱覆盖的区域覆盖所述液态的封装胶;
在第四光照条件下照射所述封装胶,使所述封装胶固化,以形成所述阻隔层;
在所述阻隔层和所述导电柱上覆盖所述辅助电极层,
在所述第一光照条件下照射所述导电柱,使所述导电柱呈液态,且使所述液态的导电柱流动至与所述阻隔层表面齐平;
在所述第二光照条件下照射所述液态导电柱,使所述液态导电柱固化。
12.根据权利要求11所述的显示面板封装结构的制备方法,其特征在于,所述第四光照条件与所述第一光照条件相同。
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