CN111208410A - 一种电压电流源测试电路及测试方法 - Google Patents

一种电压电流源测试电路及测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111208410A
CN111208410A CN202010033874.2A CN202010033874A CN111208410A CN 111208410 A CN111208410 A CN 111208410A CN 202010033874 A CN202010033874 A CN 202010033874A CN 111208410 A CN111208410 A CN 111208410A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
voltage
low
current
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010033874.2A
Other languages
English (en)
Inventor
毛怀宇
陈志博
郝瑞庭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Huafeng Test&control Co ltd
Original Assignee
Beijing Huafeng Test&control Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Huafeng Test&control Co ltd filed Critical Beijing Huafeng Test&control Co ltd
Priority to CN202010033874.2A priority Critical patent/CN111208410A/zh
Publication of CN111208410A publication Critical patent/CN111208410A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种电压电流源测试电路及测试方法，该测试电路包括电压电流源，该电压电流源包括控制单元、输出功放电路、电流测量电路和电压测量电路，及其连接的四线开尔文电路，该四线开尔文电路包括高端电流驱动电路、高端电压感测电路、低端电流驱动电路、低端电压感测电路；所述电压电流源还包括与所述四线开尔文电路对应的四路电压测量电路。本发明通过增加四路电压测量电路实现额外的差分电压测量，以测量电流线上的压降，同时还在该电压电流源装置的输出端增加切换电路，实现开尔文测量电路的搭接切换，从而实现每次测试前对电流线上的等效接触电阻测试。

Description

一种电压电流源测试电路及测试方法
技术领域
本发明涉及集成电路测试技术领域，特别涉及一种电压电流源测试电路及测试方法。
背景技术
在集成电路测试中，需要电压电流源(后面称作VI源)对被测器件(后面称为DUT，Device Under Test)进行信号激励及电压电流的测量。
为了提高输出电压和测试电压精度，传统的VI源，都采用四线开尔文(Kelvin)接线方式，分别为高端电流驱动电路(FH，Force High)，高端电压感测电路(SH，Sense High)，低端电流驱动电路(FL，Force Low)，低端电压感测电路(SL，Sense Low)。其中电流从高端电流驱动电路(FH，Force High)输出(或输入)，从低端电流驱动电路(FL，Force Low)回流(或流出)。其中Rfh和Rfl分别为FH和FL的传输环节所产生的等效电阻，由于电流流过Rfh和Rfl，导致在电流传输环节中，会产生一定的压降。
电压测量则取高端电压感测电路(SH，Sense High)与低端电压感测电路(SL，Sense Low)之差为DUT上的电压差。SH端和SL端内部是高阻抗输入端，信号近端与远端的电压相同。其中Rsh和Rsl分别为SH端和SL端的传输环节等效电阻。由于SH端和SL端内部是高阻抗输入端，Rsh和Rsl接触良好是在欧姆以下量级，接触不良时也在兆欧以上量级。接触良好时，与SH端和SL端内部为千兆以上量级的高阻抗相比，可以忽略不计，故Rsh和Rsl的压差很小，可以忽略不计。
图1所示为传统的VI源架构，该传统的VI源架构包括了以下部分，SH端和SL端共同连接差分运算放大器OP2后连接至CONTROL控制，在SH端上串联电压跟随器OP1，在SL端上串联电压跟随器OP5，串联在FL端上的量程电阻Ri，并联在该量程电阻Ri两端的电流差分测量OP4，串联在CONTROL控制和FH端之间的输出功放OP3。该VI源架构在工作时，是CONTROL控制根据需要的VI源模式，设置到对应的该VI源模式状态，驱动输出功放OP3工作，从FH端输出，电压跟随器OP1与电压跟随器OP5进行电压跟随测量，分别得到Vsh和Vsl，经过差分运算放大器OP2，得到Vmeter信号，送入CONTROL控制进行反馈和测量；同时从FH端输出的信号经过DUT流到FL端后，流经Ri最后流到GND端；差分放大器OP4测量Ri两端的电压，得到Imeter信号，送入CONTROL控制进行反馈和测量。
如图2所示，采用传统的VI源架构对DUT进行信号激励或电压电流的测量时，通常也会采用四线开尔文连接方式，可以扣除电流在电流线的等效电阻上产生的电压差，从而精确的测量送到DUT两端的电压差。
但在实际应用过程中，从VI源的输出，要经过电缆、各种转接插座、金手指或探针才能到达DUT，每一个环节都有传输电阻或接触电阻，会造成不同的压降。对于电缆等固定连接线路上电传输电阻是比较稳定的，一定电流下传输电阻上的压降相对固定。而对于因为压力而有电气连接的转接插座，特别是金手指或探针，该接触部分电阻与接触压力相关，也和接触表面的清洁度和平整度相关，当接触压力变小，或接触表面不清洁，接触面不平整，均会导致接触电阻异常变大，导致接触不良。
特别金手指或探针在使用中，分别与多颗器件多次接触，存在使用磨损，导致接触面清洁度下降，接触面不平整或接触压力下降的问题；该问题会导致测试接触电阻异常变大，导致测试异常。为此需要对上述描述的可能存在的接触不良进行检测，一旦发现接触不良，就需要进行及时清洁金手指或探针表面，如果仍然异常，则需要调整接触压力；如果仍然异常，则需要更换金手指或探针，来保证接触良好。
采用传统的VI源架构不能精确的测量电流线上的等效接触电阻，即Rfhc和Rflc，在大电流测试中，该等效接触电阻对电流线的压降影响很大，而且这些等效接触电阻可能在每次测试过程中发生变化。在VI源每次的测试中，如果能精准的测量到这些等效接触电阻的值，则可以快速的判定接触环节是否存在可靠性风险(如：金手指氧化、磨损、杂质等导致的接触电阻变化)，从而根据测试数据，进行早期报警，进入设备维护，以减少后期更大的质量风险，如：烧针，烧器件，烧VI源等，尤其是在大功率，大电流的测试中，这种问题更为严重。
基于此，对传统VI源架构进行了改进，如图3所示，通过在传统VI源的四线开尔文接线的基础上，在VI源的高低端各增加一条差分电压测量电路实现额外的差分电压测量，以测量电流线上的压降，从而实现每次测试时动态的读回电流线上的等效接触电阻。
在图3对传统VI源架构的改进基础上，采用如图4所示的测量连接电路对DUT两端(高端和低端)的接触电阻进行测量时，测量电流通过VI源的FL端，流经Rfl、Rflc、DUT、Rfhc和Rfh，最终流入VI源的FH端，通过高低端增加的两个差分运放，同时测试SH端与SHx端，SL端与SLx端的差分电压，得到Vdiff_High和Vdiff_low的电压，与设定的电流做运算，即可计算得到Rfhc和Rflc的值。
虽然上述图3和图4所示的改进型VI源架构及其测量连接电路，能够很好的测试得到Rfhc和Rflc的值，但是有以下几个问题：
第一，该改进型VI源架构方式的接触测试，有一个前提条件是需要器件配合的，即器件有一定的流过电流的能力或单向流过一定电流的能力，比如器件自身的保护用二极管或寄生二极管，因为接触电阻测试的电流需要流过被测试器件。但是如果器件自身异常，比如保护用二极管或寄生二极管异常或出现空管，则异常会误判为接触异常，进而影响生产的测试参数统计和金手指的维护；
第二，对于某些器件来说，该管脚不具备或需要其它资源配合才具有一定的流过电流的能力或单向流过一定电流的能力，比如MOSFET或IGBT的Gate端，与其他两端并无寄生二极管等器件，而在高速开关切换中，Gate端的接触电阻对开关的切换速度有很大的影响，为此需要精确的测试该Gate端的接触电阻，再比如三极管的Collector端，在Gate端无驱动时，也是不能与Emitter端导通；
第三，对于这类器件某些管脚的接触测试，则该带接触电阻测试的改进型VI源架构并不完全适用，且对于器件有多个管脚的接触电阻的测试中，VI源连接时通常某一个电源引脚是并联使用的，比如芯片的地，对于浮动VI源，该带接触电阻测试的改进型VI源架构方式，多个管脚的接触电阻测试同时进行，对于该并联连接的电源引脚会流过较大的电流，有一定的过流风险，可能会损坏器件。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供电压电流源测试电路及测试方法，在传统四线开尔文线路的基础上，通过增加四路电压测量电路实现额外的差分电压测量，以测量电流线上的压降，同时还在该电压电流源装置的输出端增加切换电路，实现开尔文测量电路的搭接切换，从而实现每次测试前对电流线上的等效接触电阻测试。本发明在不影响VI源原有特性的前提下，还可实现对四线开尔文电路中额外的差分电压测量，精准测量等效接触电阻，从而快速判定接触环节是否存在可靠性风险，防止因接触环节的可靠性降低而导致大电流测试时容易对器件造成损坏的问题。
本发明采用的技术方案为，一种电压电流源测试电路，包括电压电流源，该电压电流源包括控制单元、输出功放电路、电流测量电路和电压测量电路，及其连接的四线开尔文电路，该四线开尔文电路包括高端电流驱动电路(FH)、高端电压感测电路(SH)、低端电流驱动电路(FL)、低端电压感测电路(SL)；
所述电压电流源还包括与所述四线开尔文电路对应的四路电压测量电路；
所述高端电流驱动电路(FH)和高端电压感测电路(SH)对应的两路电压测量电路(FHS、SHS)分别用于测量被测器件高端端口接触电阻所产生的电压，并输出至第一差分运算放大器(OP103)进行差分电压运算，该第一差分运算放大器(OP103)通过第一单刀双掷开关(K103)与所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)进行双控连接，还通过第二单刀双掷开关(K104)与所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)进行双控连接，该第一、第二单刀双掷开关(K103、K104)的不动端分别连接第一差分运算放大器(OP103)的输入端；
所述低端电流驱动电路(FL)和低端电压感测电路(SL)对应的两路电压测量电路(FLS、SLS)分别用于测量被测器件低端端口接触电阻所产生的电压，并输出至第二差分运算放大器(OP107)进行差分电压运算，该第二差分运算放大器(OP107)通过第三单刀双掷开关(K110)与所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)进行双控连接，还通过第四单刀双掷开关(K109)与所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)进行双控连接，该第三、第四单刀双掷开关(K110、K109)的不动端分别连接第二差分运算放大器(OP107)的输入端。
由上，本技术方案通过在电压电流源原有四线开尔文电路的基础架构上，增加了对应该四线开尔文电路的四路电压测量电路，并且通过单刀双掷开关，可选通测量其中两条电路上的差分电压，在实际测试应用中，可测试该电压电流源通过开尔文外接线路与被测器件的接触是否异常，还可测试该电压电流源与被测器件端口的接触电阻的精确值，从而快速判定接触环节是否存在可靠性风险，防止因接触环节的可靠性降低而导致大电流测试时容易对器件造成损坏的问题。
优选的，所述电压电流源还包括：
所述高端电流驱动电路(FH)上串联有第一开关(K101)，该高端电流驱动电路(FH)还通过第二开关(K102)与其对应的电压测量电路(FHS)相连接，通过切换第一开关(K101)或第二开关(K102)，使所述输出功放电路输出的电流通过高端电流驱动电路(FH)或其对应的电压测量电路(FHS)传输至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)分别通过第三开关(K106)和第四开关(K105)与高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)相连接，通过切换第三开关(K106)或第四开关(K105)，使被测器件高端端口回流的电流通过高端电压感测电路(SH)或其对应的电压测量电路(SHS)传输至低端电流驱动电路(FL)上。
由上，通过在电压电流源的四线开尔文电路及其对应的电压测量电路上增加继电器开关，在不用更改外接电路的情况下，仅通过控制切换继电器开关的闭合或断开，使电压电流源输出的电流通过不同电路输出至被测器件高端端口，还可测量任意两条电路之间的差分电压，从而实现不同电路与被测器件高端端口的接触电阻测试功能。
优选的，所述电压电流源还包括：
所述高端电流驱动电路(FH)分别通过第五开关(K107)和第六开关(K108)与低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)相连接，通过切换第五开关(K107)或第六开关(K108)，使高端电流驱动电路(FH)上的电流通过低端电压感测电路(SL)或其对应的电压测量电路(SLS)传输至被测器件低端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)上串联有第七开关(K112)，该低端电流驱动电路(FL)还通过第八开关(K111)与其对应的电压测量电路(FLS)相连接，通过切换第七开关(K112)或第八开关(K111)，使被测器件低端端口回流的电流通过低端电流驱动电路(FL)或其对应的电压测量电路(FLS)回流至接地端。
由上，通过在电压电流源的四线开尔文电路及其对应的电压测量电路上增加继电器开关，在不用更改外接电路的情况下，仅通过控制切换继电器开关的闭合或断开，使电压电流源输出的电流通过不同电路输出至被测器件低端端口，形成完整回路，还可测量任意两条电路之间的差分电压，从而实现不同电路与被测器件低端端口的接触电阻测试功能。
优选的，所述电压电流源通过六线开尔文外接方式连接被测器件的两端，该六线开尔文外接方式包括：
所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口，所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)分别连接至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口，所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)分别连接至被测器件低端端口。
优选的，所述电压电流源通过四线开尔文外接方式连接被测器件的两端，该四线开尔文外接方式包括：
所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口，所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口，所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口。
由上，由于安装被测器件夹具的不同，其通常具有六个端口或四个端口，此时可根据实际选择的夹具，选择以六线开尔文外接方式或四线开尔文外接方式实现电压电流源与被测器件的连接。
可选的，闭合第二开关(K102)和第四开关(K105)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路对应的电压测量电路(FHS)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路对应的电压测量电路(SHS)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该两条电压测量电路(FHS、SHS)与被测器件的高端端口连接是否正常；
闭合第一开关(K101)和第三开关(K106)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路(FH)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路(SH)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该高端电流驱动电路(FH)和高端电压感测电路(SH)与被测器件的高端端口连接是否正常。
由上，通过上述控制方式，可对高端电流驱动电路和高端电压感测电路与被测器件高端端口的接触情况进行测试，还可对高端电流驱动电路和高端电压感测电路分别对应的电压测量电路与被测器件高端端口的接触情况进行测试。
可选的，闭合第一开关(K101)和第三开关(K106)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路对应的电压测量电路(FHS)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路对应的电压测量电路(SHS)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，计算得出所述电压电流源与被测器件高端端口的接触电阻。
由上，通过上述控制方式，可精确测试电压电流源与被测器件高端端口的接触电阻值，值得注意的是，当电压电流源与被测器件采用六线开尔文外接方式连接时，测试的接触电阻值为高端电流驱动电路与被测器件高端端口的接触端子的接触电阻值，当电压电流源与被测器件采用四线开尔文外接方式连接时，测试的接触电阻值为高端电流驱动电路和高端电压感测电路与被测器件高端端口的接触端子的接触电阻值之和。
可选的，闭合第六开关(K108)和第八开关(K111)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路对应的电压测量电路(FLS)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路对应的电压测量电路(SLS)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该两条电压测量电路(FLS、SLS)与被测器件的低端端口连接是否正常；
闭合第五开关(K107)和第七开关(K112)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路(FL)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路(SL)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该低端电流驱动电路(FL)和低端电压感测电路(SL)与被测器件的低端端口连接是否正常。
由上，通过上述控制方式，可对低端电流驱动电路和低端电压感测电路与被测器件低端端口的接触情况进行测试，还可对低端电流驱动电路和低端电压感测电路分别对应的电压测量电路与被测器件低端端口的接触情况进行测试。
可选的，闭合第五开关(K107)和第七开关(K112)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路对应的电压测量电路(FLS)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路对应的电压测量电路(SLS)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，计算得出所述电压电流源与被测器件低端端口的接触电阻。
由上，通过上述控制方式，可精确测试电压电流源与被测器件低端端口的接触电阻值，值得注意的是，当电压电流源与被测器件采用六线开尔文外接方式连接时，测试的接触电阻值为低端电流驱动电路与被测器件低端端口的接触端子的接触电阻值，当电压电流源与被测器件采用四线开尔文外接方式连接时，测试的接触电阻值为低端电流驱动电路和低端电压感测电路与被测器件低端端口的接触端子的接触电阻值之和。
根据上述电压电流源测试电路，本发明还提供了一种测试方法，采用所述测试电路执行被测器件端口的接触电阻的测试。
由上，通过本发明中电压电流源测试电路，可对电压电流源的辅助电路与被测器件的接触情况进行测试，还可精确测量电压电流源通过端子与被测器件连接时的接触电阻值。
附图说明
图1为传统的电压电流源的电路原理图；
图2为传统电压电流源与DUT的四线开尔文连接示意图；
图3为现有技术中一种改进的电压电流源的电路原理图；
图4为现有技术中采用改进的电压电流源进行接触电阻测量的电路示意图；
图5为本发明电压电流源装置的电路原理图；
图6为本发明电压电流源装置与DUT的六线开尔文连接示意图；
图7-图9为本发明采用六线开尔文方式进行DUT高端端口接触电阻测量的电路示意图；
图10-图12为本发明采用六线开尔文方式进行DUT低端端口接触电阻测量的电路示意图；
图13为本发明电压电流源装置与DUT的四线开尔文连接示意图；
图14-图16为本发明采用四线开尔文方式进行DUT高端端口接触电阻测量的电路示意图；
图17-图19为本发明采用四线开尔文方式进行DUT低端端口接触电阻测量的电路示意图。
具体实施方式
下面参照图5～图19对本发明所述的电压电流源装置的具体实施方式进行详细说明。
如图5所示，本发明提供的电压电流源(后面称作VI源)中，在该VI源内部电路的原有四线开尔文线路的基础上，增加了四路电压信号测量电路(FHS、SHS、FLS、SLS)实现额外的差分电压测量，以测量电流线上的压降；
具体的，该VI源的原有架构包括CONTROL控制，输出功放电路，电流测量电路和电压测量电路，及其内部的四线开尔文线路，该四线开尔文电路分别为FH(高端电流驱动电路，Force High)，SH(高端电压感测电路，Sense High)，FL(低端电流驱动电路，ForceLow)，SL(低端电压感测电路，Sense Low)，其对应的输出端口分别为FHout、SHout、FLout、SLout，在与DUT进行连接时，该四个输出端口分别通过一外接信号线对应连接至DUT的两端(高端和低端)；
该VI源架构在工作时，由CONTROL控制根据需要的VI源模式，设置到对应的该VI源模式状态，驱动输出功放OP101工作，从FH信号线输出电流，电流经过外部连接的DUT流回FL信号线后，流经量程电阻Ri最后流到GND端，该量程电阻Ri两端连接的差分放大器OP109测量该量程电阻Ri两端的电压，得到Imeter信号，送入CONTROL控制进行反馈和测量，SH信号线连接的电压跟随器OP104与SL信号线连接的电压跟随器OP106分别进行电压跟随测量，分别得到测量后的电压Vshx和Vslx，该分别测量后的电压Vshx和Vslx经过差分运算放大器OP105的差分运算，得到Vmeter信号，送入CONTROL控制进行反馈和测量；
本发明在上述VI源原有架构的基础上，额外增加的四路电压信号测量电路(FHS、SHS、FLS、SLS)分别用于测量对应线路(FH、SH、FL、SL)上的压降，其对应的输出端口分别为FHSout、SHSout、FLSout、SLSout，在与DUT进行连接时，该四个输出端口分别通过一外接信号线对应连接至DUT的两端(高端和低端)。下面，参照图5对该VI源内部增加的四路电压信号测量电路的连接方式进行详细描述：
电压信号测量电路(FHS)包括差分运算放大器OP103、电压跟随器OP102、单刀双掷开关K103和FHS信号线，其中，该差分运算放大器OP103的负输入端接收上述SH信号线连接的电压跟随器OP104的输出端反馈的电压Vshx，其正输入端接收电压跟随器OP102的输出端反馈的电压Vfhx，该电压跟随器OP102的输入端通过一导线FHX连接单刀双掷开关K103的不动端，该单刀双掷开关K103的两个动端分别连接FH信号线和FHS信号线；
电压信号测量电路(SHS)包括单刀双掷开关K104和SHS信号线，其中该单刀双掷开关K104的不动端通过一导线SHX连接电压跟随器OP104的输入端，该单刀双掷开关K104的两个动端分别连接SH信号线和SHS信号线；
电压信号测量电路(FLS)包括差分运算放大器OP107、电压跟随器OP108、单刀双掷开关K110和FLS信号线，其中，该差分运算放大器OP107的正输入端接收上述SL信号线连接的电压跟随器OP106的输出端反馈的电压Vslx，其负输入端接收电压跟随器OP108的输出端反馈的电压Vflx，该电压跟随器OP108的输入端通过一导线FLX连接单刀双掷开关K110的不动端，该单刀双掷开关K110的两个动端分别连接FL信号线和FLS信号线；
电压信号测量电路(SLS)包括单刀双掷开关K109和SLS信号线，其中该单刀双掷开关K109的不动端通过一导线SLX连接电压跟随器OP106的输入端，该单刀双掷开关K109的两个动端分别连接SL信号线和SLS信号线。
除上述增加的四路电压信号测量电路之外，该VI源还增加了由若干个继电器开关组成的开关切换电路，由于VI源通常为一完整的结构，因此在使用其对DUT进行测量时，往往需要通过改变接线方式来实现与DUT某个端口或某条线路的接通或断开，使用起来极为繁琐，且容易出现接线错误或接触不良等缺点，因此增加的开关切换电路可改善上述缺点，通过与上述单刀双掷开关配合使用，在实际测量过程中对继电器开关进行切换选通控制，即可实现与DUT某个端口或某条线路的接通或断开，以实现不同端口接触电阻的测量及其他测量功能。具体的，该开关切换电路包括：
串联于FH信号线上的继电器开关K101(靠近输出端口FHout)，串联于FH信号线与FHS信号线之间的继电器开关K102，串联于FH信号线与SL信号线之间的继电器开关K107，串联于FH信号线与SLS信号线之间的继电器开关K108；
串联于FL信号线上的继电器开关K112(靠近输出端口FLout)，串联于FL信号线与FLS信号线之间的继电器开关K111，串联于FL信号线与SH信号线之间的继电器开关K106，串联于FL信号线与SHS信号线之间的继电器开关K105。
在实际测量应用中，由于安装DUT器件的夹具类型的不同，某些夹具具有六个外接端口，而某些夹具可能只具有四个外接端口，因此在采用该VI源对DUT两端的接触电阻进行测量时，该VI源可根据夹具端口的数量选择采用六线开尔文外接方式或四线开尔文外接方式与DUT进行连接，此处，该“外接”是指VI源与DUT之间连接的信号线，该外接“六线开尔文”或“四线开尔文”是指连接DUT的信号线的数量。
当该电压电流源选用六线开尔文外接方式与DUT连接，进行接触电阻测量时，其接线方式及测试原理如下：
如图6所示，上述VI源采用六线开尔文外接方式与DUT连接时，为便于下文描述，对该六线开尔文外接方式及信号线进行分别定义：FHSout端口连接的FHS’信号线与FHout端口连接的FH’信号线在靠近DUT的端口处相连接后共同连接至DUT的一端(高端)，SHSout端口与SHout端口也分别通过一SHS’信号线和SH’信号线连接至该DUT的一端；FLSout端口连接的FLS’信号线与FLout端口连接的FL’信号线在靠近DUT的端口处相连接后共同连接至DUT的另一端(低端)，SLSout端口与SLout端口也分别通过一SLS’信号线和SL’信号线连接至该DUT的另一端；
值得说明的是，上述关于VI源内部信号线及外部信号线进行定义的目的仅在于便于后文描述，实际使用中，其对应内部信号线和外部信号线，例如FH和FH’可能是一条线。
根据上述VI源与DUT的六线开尔文外接方式，可对该DUT的高端端口的接触电阻进行测量，该测量过程如下：
DUT高端辅助电路的接触测试一：如图7所示，闭合继电器开关K102和K105，单刀双掷开关K103接通FHS信号线，单刀双掷开关K104接通SHS信号线；VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K102，输出端口FHSout外接FHS’信号线的线阻Rfhs，DUT高端端口的接触电阻Rfhc，输出端口SHSout外接的SHS’信号线与DUT高端端口的接触电阻Rshsc，输出端口SHSout外接SHS’信号线的线阻Rshs，继电器开关K105，从FL信号线流入。此时，通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High1，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I1，当电流I1在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I1为正常输出电流，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh1＝Vdiff_High1/I1＝Rfhs+Rfhc+Rshsc+Rshs；
当上述DUT高端辅助电路的接触测试一的结果，即Rh1值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FHSout外接的FHS’信号线和输出端口SHSout外接的SHS’信号线在DUT的高端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FHSout端的辅助电路和SHSout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
DUT高端辅助电路的接触测试二：如图8所示，闭合继电器开关K101和K106，单刀双掷开关K103接通FH信号线，单刀双掷开关K104接通SH信号线，VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K101，输出端口FHout外接的FH’信号线的线阻Rfh，DUT高端端口的接触电阻Rfhc，输出端口SHout外接的SH’信号线与DUT高端端口的接触电阻Rshc，输出端口SHout外接的SH’信号线的线阻Rsh，继电器开关K106，从FL信号线流入。此时，通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High2，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I2，当电流I2在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I2为正常输出电流，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh2＝Vdiff_High2/I2＝Rfh2+Rfhc+Rshc+Rsh，其中Rfh2包括输出端口FHout外接FHS’信号线的线阻Rfh及导线FHX与部分FH信号线到输出端口FHout的线阻；
当上述DUT高端辅助电路的接触测试二的结果，即Rh2值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FHout外接的信号线FH’和输出端口SHout外接的SH’信号线在DUT的高端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FHout端的辅助电路和SHout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
接触电阻Rfhc测试：如图9所示，闭合继电器开关K101和K106，单刀双掷开关K103接通FHS信号线，单刀双掷开关K104接通SHS信号线，VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K101，输出端口FHout外接的FH’信号线的线阻Rfh，DUT高端端口的接触电阻Rfhc，输出端口SHout外接的SH’信号线与DUT高端端口的接触电阻Rshc，输出端口SHout外接SH’信号线的线阻Rsh，继电器开关K106，从FL信号线流入。差分运算放大器OP103的输入端分别通过FHS信号线和SHS信号线对DUT高端接触处的电压进行采集，此时，通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High3，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I3，当电流I3在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I3为正常输出电流，由于差分运算放大器OP103是高阻抗输入端，因此FHS信号线和SHS信号线上的线阻Rfhs、Rshs和Rshsc在上述接通电阻小于100欧姆时，对测压结果基本无影响，可忽略不计，因此，可以计算出辅助电路接触电阻Rfhc，即Rh3＝Vdiff_High3/I3＝Rfhc；
通过上述三步测量，即可准确测量DUT高端端口的关键接触电阻Rfhc的值，还可以根据Rfhc的值(Rh3)及上述测量的Rh1和Rh2估算其余接触电阻的组合值，在一定的允许范围内(通常取100欧姆)，满足后续VI源的其他测试需求。例如上述图9中，通过将单刀双掷开关K103从FHS信号线改接至FH信号线，还可以测试得到Rh3＝Rfhc+Rfh2，其中Rfh2包括输出端口FHout外接FH’信号线的线阻Rfh及导线FHX与部分FH信号线到输出端口FHout的线阻。
同理，根据上述DUT的高端端口的接触电阻测量原理，还可进行DUT的低端端口的接触电阻测量，其原理一致，现根据图10-图12进行描述如下：
DUT低端辅助电路的接触测试一：如图10所示，闭合继电器开关K111和K108，单刀双掷开关K109接通SLS信号线，单刀双掷开关K110接通FLS信号线；VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K108，输出端口SLSout外接SLS’信号线的线阻Rsls，输出端口SLSout外接SLS’信号线与DUT低端端口的接触电阻Rslsc，DUT低端端口的接触电阻Rflc，输出端口FLSout外接FLS’信号线的线阻Rfls，继电器开关K111，从FL信号线流入。此时，通过测量差分运算放大器OP107输出端Vdiff_Low，可得到差分电压Vdiff_Low4，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I4，当电流I4在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I4为正常输出电流，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh4＝Vdiff_Low4/I4＝Rsls+Rslsc+Rflc+Rfls；
当上述DUT低端辅助电路的接触测试一的结果，即Rh4值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FLSout外接的FLS’信号线和输出端口SLSout外接的SLS’信号线在DUT的低端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FLSout端的辅助电路和SLSout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
DUT低端辅助电路的接触测试二：如图11所示，闭合继电器开关K112和K107，单刀双掷开关K109接通SL信号线，单刀双掷开关K110接通FL信号线，VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K107，输出端口SLout外接SL’信号线的线阻Rsl，输出端口SLout外接SL’信号线与DUT低端端口的接触电阻Rslc，DUT低端端口的接触电阻Rflc，输出端口FLout外接FL’信号线的线阻Rfl，继电器开关K112，从FL信号线流入。此时，通过测量差分运算放大器OP107输出端Vdiff_Low，可得到差分电压Vdiff_Low5，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I5，当电流I5在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I5为正常输出电流，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh5＝Vdiff_Low5/I5＝Rfl5+Rslc+Rflc+Rfl，其中Rfl5包括输出端口FLout外接FL’信号线的线阻Rfl及导线FLX与部分FL信号线到输出端口FLout的线阻；
当上述DUT低端辅助电路的接触测试二的结果，即Rh5值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FLout外接的信号线FL’和输出端口SLout外接的SL’信号线在DUT的高端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FLout端的辅助电路和SLout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
接触电阻Rflc测试：如图12所示，闭合继电器开关K112和K107，单刀双掷开关K109接通SLS信号线，单刀双掷开关K110接通FLS信号线，VI源通过输出功放OP101输出恒流电流I(通常为10mA)，电流I从从输出功放OP101的输出端流出，经过继电器开关K107，输出端口SLout外接的SL’信号线的线阻Rsl，输出端口SLout外接的SL’信号线的线阻Rsl与DUT低端端口的接触电阻Rslc，DUT低端端口的接触电阻Rflc，输出端口FLout外接FL’信号线的线阻Rfl，继电器开关K112，从FL信号线流入。差分运算放大器OP107的输入端分别通过SLS信号线和FLS信号线对DUT低端接触处的电压进行采集，此时，通过测量差分运算放大器OP107输出端Vdiff_Low，可得到差分电压Vdiff_Low6，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I6，当电流I6在VI源恒流误差范围内时，即可认为电流I6为正常输出电流，由于差分运算放大器OP109是高阻抗输入端，因此SLS信号线和FLS信号线上的线阻Rsls、Rslsc和Rfls在上述接通电阻小于100欧姆时，对测压结果基本无影响，可忽略不计，因此，可以计算出辅助电路接触电阻Rflc，即Rh6＝Vdiff_Low6/I6＝Rflc；
通过上述三步测量，即可准确测量DUT低端端口的关键接触电阻Rflc的值，还可以根据Rflc的值(Rh6)及上述测量的Rh4和Rh5估算其余接触电阻的组合值，在一定的允许范围内(通常取100欧姆)，满足后续VI源的其他测试需求。例如上述图12中，通过将单刀双掷开关K110从FLS信号线改接至FL信号线，还可以测试得到Rh6＝Rflc+Rfl5，其中Rfl5包括输出端口FLout外接FL’信号线的线阻Rfl及导线FLX与部分FL信号线到输出端口FLout的线阻。
当该电压电流源选用四线开尔文外接方式与DUT连接，进行接触电阻测量时，其接线方式及测试原理如下：
如图13所示，上述VI源采用四线开尔文外接方式与DUT连接时，为便于下文描述，对该四线开尔文外接方式及信号线进行分别定义：FHSout端口连接的FHS’信号线与FHout端口连接的FH’信号线在靠近DUT的端口处相连接后共同连接至DUT的一端(高端)，SHSout端口连接的SHS’信号线与SHout端口连接的SH’信号线在靠近DUT的端口处相连接后也共同连接至DUT的该一端(高端)；FLSout端口连接的FLS’信号线与FLout端口连接的FL’信号线在靠近DUT的端口处相连接后共同连接至DUT的另一端(低端)，SLSout端口连接的SLS’信号线与SLout端口连接的SL’信号线在靠近DUT的端口处相连接后也共同连接至DUT的该另一端(低端)；
值得说明的是，上述关于VI源内部信号线及外部信号线进行定义的目的仅在于便于后文描述，实际使用中，其对应内部信号线和外部信号线，例如FH和FH’可能是一条线。
根据上述VI源与DUT的四线开尔文外接方式，可对该DUT的高端端口的接触电阻进行测量，该测量过程与上述采用六线开尔文外接方式的测量过程相同，其区别仅在于：
采用六线开尔文外接方式测量的高端接触电阻为Rfhc，而采用四线开尔文外接方式测量的高端接触电阻为Rfhc+Rshc；同理，采用六线开尔文外接方式测量的低端接触电阻为Rflc，而采用四线开尔文外接方式测量的低端接触电阻为Rflc+Rslc；
下面参照图14-图19对采用四线开尔文进行接触电阻测试的过程进行简要说明：
DUT高端辅助电路的接触测试一：如图14所示，闭合继电器开关K102和K105，单刀双掷开关K103接通FHS信号线，单刀双掷开关K104接通SHS信号线；通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High7，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I7，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh7＝Vdiff_High7/I7＝Rfhs+Rfhc+Rshc+Rshs；
当上述DUT高端辅助电路的接触测试一的结果，即Rh7值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FHSout外接的FHS’信号线和输出端口SHSout外接的SHS’信号线在靠近DUT的高端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FHSout端的辅助电路和SHSout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
DUT高端辅助电路的接触测试二：如图15所示，闭合继电器开关K101和K106，单刀双掷开关K103接通FH信号线，单刀双掷开关K104接通SH信号线，通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High8，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I8，此时可以计算出辅助电路接触电阻，即Rh8＝Vdiff_High8/I8＝Rfh8+Rfhc+Rshc+Rsh，其中Rfh8包括输出端口FHout外接FHS’信号线的线阻Rfh及导线FHX与部分FH信号线到输出端口FHout的线阻；
当上述DUT高端辅助电路的接触测试二的结果，即Rh8值小于一定值(通常取100欧姆)时，即验证输出端口FHout外接的信号线FH’和输出端口SHout外接的SH’信号线在DUT的高端端口的接触正常，并未出现接触断路或接触端口损坏等情况，即可证明后续采用该FHout端的辅助电路和SHout端的辅助电路进行接触电阻测试的结果有效；
接触电阻Rfhc+Rshc测试：如图16所示，闭合继电器开关K101和K106，单刀双掷开关K103接通FHS信号线，单刀双掷开关K104接通SHS信号线。差分运算放大器OP103的输入端分别通过FHS信号线和SHS信号线对DUT高端接触处的电压进行采集，此时，通过测量差分运算放大器OP103输出端Vdiff_High，可得到差分电压Vdiff_High9，测量差分放大器OP109输出端Imeter，可得到电流I9，由于差分运算放大器OP103是高阻抗输入端，因此FHS信号线和SHS信号线上的线阻Rfhs和Rshs在上述接通电阻小于100欧姆时，对测压结果基本无影响，可忽略不计，因此，可以计算出电路接触电阻Rfhc+Rshc，即Rh9＝Vdiff_High9/I9＝Rfhc+Rshc；
通过上述三步测量，即可准确测量DUT高端端口的关键接触电阻Rfhc+Rshc的值，还可以根据Rfhc+Rshc的值(Rh9)及上述测量的Rh1和Rh2估算其余接触电阻的组合值，在一定的允许范围内(通常取100欧姆)，满足后续VI源的其他测试需求。例如上述图16中，通过将单刀双掷开关K103从FHS信号线改接至FH信号线，还可以测试得到Rh9＝Rfhc+Rshc+Rfh2，其中Rfh2包括输出端口FHout外接FH’信号线的线阻Rfh及导线FHX与部分FH信号线到输出端口FHout的线阻。
同理，根据图17-图19所示，结合上述DUT的高端端口的接触电阻测量原理，还可进行DUT的低端端口的接触电阻测量，可测量出该DUT低端端口的接触电阻(Rflc+Rslc)的值以及其余线阻组合的值，其测量原理及开关切换电路的控制过程与采用六线开尔文外接方式进行DUT低端端口接触电阻测量的控制过程一致，不再赘述。
综上，本发明所述提供的电压电流源装置及接触电阻测量电路与现有的电压电流源及测量电路相比，具有如下优点：
可以通过六线开尔文方式，精确分别测试高低端的Force线(电流线)上的接触电阻；
可以通过六线开尔文方式，精确分别测试高低端Force线上的接触电阻与关键传输电阻和，减去前面测试的Force线上的接触电阻，可以精确测试出Force线上的关键传输电阻和；
如果器件连接处限制，可以采用传统的四线开尔文方式连接，但与传统的四线开尔文方式相比，可以精确分别测试高低端的Force线与Sense线上的接触电阻之和；
通过VI源内部的开关切换电路，实现高低端分别的六线开尔文或四线开尔文线路搭接，节省了外部继电器使用；
通过外接继电器，测量任意两点间隔的回路电阻。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电压电流源测试电路，包括电压电流源，该电压电流源包括控制单元、输出功放电路、电流测量电路和电压测量电路，及其连接的四线开尔文电路，该四线开尔文电路包括高端电流驱动电路(FH)、高端电压感测电路(SH)、低端电流驱动电路(FL)、低端电压感测电路(SL)；
其特征在于，所述电压电流源还包括与所述四线开尔文电路对应的四路电压测量电路；
所述高端电流驱动电路(FH)和高端电压感测电路(SH)对应的两路电压测量电路(FHS、SHS)分别用于测量被测器件高端端口接触电阻所产生的电压，并输出至第一差分运算放大器(OP103)进行差分电压运算，该第一差分运算放大器(OP103)通过第一单刀双掷开关(K103)与所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)进行双控连接，还通过第二单刀双掷开关(K104)与所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)进行双控连接，该第一、第二单刀双掷开关(K103、K104)的不动端分别连接第一差分运算放大器(OP103)的输入端；
所述低端电流驱动电路(FL)和低端电压感测电路(SL)对应的两路电压测量电路(FLS、SLS)分别用于测量被测器件低端端口接触电阻所产生的电压，并输出至第二差分运算放大器(OP107)进行差分电压运算，该第二差分运算放大器(OP107)通过第三单刀双掷开关(K110)与所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)进行双控连接，还通过第四单刀双掷开关(K109)与所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)进行双控连接，该第三、第四单刀双掷开关(K110、K109)的不动端分别连接第二差分运算放大器(OP107)的输入端。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压电流源还包括：
所述高端电流驱动电路(FH)上串联有第一开关(K101)，该高端电流驱动电路(FH)还通过第二开关(K102)与其对应的电压测量电路(FHS)相连接，通过切换第一开关(K101)或第二开关(K102)，使所述输出功放电路输出的电流通过高端电流驱动电路(FH)或其对应的电压测量电路(FHS)传输至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)分别通过第三开关(K106)和第四开关(K105)与高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)相连接，通过切换第三开关(K106)或第四开关(K105)，使被测器件高端端口回流的电流通过高端电压感测电路(SH)或其对应的电压测量电路(SHS)传输至低端电流驱动电路(FL)上。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电压电流源还包括：
所述高端电流驱动电路(FH)分别通过第五开关(K107)和第六开关(K108)与低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)相连接，通过切换第五开关(K107)或第六开关(K108)，使高端电流驱动电路(FH)上的电流通过低端电压感测电路(SL)或其对应的电压测量电路(SLS)传输至被测器件低端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)上串联有第七开关(K112)，该低端电流驱动电路(FL)还通过第八开关(K111)与其对应的电压测量电路(FLS)相连接，通过切换第七开关(K112)或第八开关(K111)，使被测器件低端端口回流的电流通过低端电流驱动电路(FL)或其对应的电压测量电路(FLS)回流至接地端。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电压电流源通过六线开尔文外接方式连接到被测器件的两端，该六线开尔文外接方式包括：
所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口，所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)分别连接至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口，所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)分别连接至被测器件低端端口。
5.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电压电流源通过四线开尔文外接方式连接被测器件的两端，该四线开尔文外接方式包括：
所述高端电流驱动电路(FH)及其对应的电压测量电路(FHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口，所述高端电压感测电路(SH)及其对应的电压测量电路(SHS)在靠近被测器件高端端口处短接后连接至被测器件高端端口；
所述低端电流驱动电路(FL)及其对应的电压测量电路(FLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口，所述低端电压感测电路(SL)及其对应的电压测量电路(SLS)在靠近被测器件低端端口处短接后连接至被测器件低端端口。
6.根据权利要求4或5所述的电路，其特征在于，
闭合第二开关(K102)和第四开关(K105)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路对应的电压测量电路(FHS)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路对应的电压测量电路(SHS)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该两条电压测量电路(FHS、SHS)与被测器件的高端端口连接是否正常；
闭合第一开关(K101)和第三开关(K106)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路(FH)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路(SH)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该高端电流驱动电路(FH)和高端电压感测电路(SH)与被测器件的高端端口连接是否正常。
7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，
闭合第一开关(K101)和第三开关(K106)，将第一单刀双掷开关(K103)连接到高端电流驱动电路对应的电压测量电路(FHS)，将第二单刀双掷开关(K104)连接到高端电压感测电路对应的电压测量电路(SHS)，根据第一差分运算放大器(OP103)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，计算得出所述电压电流源与被测器件高端端口的接触电阻。
8.根据权利要求4或5所述的电路，其特征在于，
闭合第六开关(K108)和第八开关(K111)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路对应的电压测量电路(FLS)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路对应的电压测量电路(SLS)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该两条电压测量电路(FLS、SLS)与被测器件的低端端口连接是否正常；
闭合第五开关(K107)和第七开关(K112)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路(FL)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路(SL)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，判断该低端电流驱动电路(FL)和低端电压感测电路(SL)与被测器件的低端端口连接是否正常。
9.根据权利要求8所述的电路，其特征在于，
闭合第五开关(K107)和第七开关(K112)，将第三单刀双掷开关(K110)连接到低端电流驱动电路对应的电压测量电路(FLS)，将第四单刀双掷开关(K109)连接到低端电压感测电路对应的电压测量电路(SLS)，根据第二差分运算放大器(OP107)测量的差分电压及电流测试电路测量的电流，计算得出所述电压电流源与被测器件低端端口的接触电阻。
10.一种基于权利要求1～9任一所述测试电路的测试方法，其特征在于，采用所述测试电路执行被测器件端口的接触电阻的测试。
CN202010033874.2A 2020-01-13 2020-01-13 一种电压电流源测试电路及测试方法 Pending CN111208410A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010033874.2A CN111208410A (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种电压电流源测试电路及测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010033874.2A CN111208410A (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种电压电流源测试电路及测试方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111208410A true CN111208410A (zh) 2020-05-29

Family

ID=70785258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010033874.2A Pending CN111208410A (zh) 2020-01-13 2020-01-13 一种电压电流源测试电路及测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111208410A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113359008A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 长鑫存储技术有限公司 测试保护电路及其控制方法、测试电路及芯片测试电路
CN116859223A (zh) * 2023-09-05 2023-10-10 西安赛英特科技有限公司 针对vi源的在线自检方法、电路及vi源

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113359008A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 长鑫存储技术有限公司 测试保护电路及其控制方法、测试电路及芯片测试电路
CN116859223A (zh) * 2023-09-05 2023-10-10 西安赛英特科技有限公司 针对vi源的在线自检方法、电路及vi源
CN116859223B (zh) * 2023-09-05 2023-12-08 西安赛英特科技有限公司 针对vi源的在线自检方法、电路及vi源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7068061B2 (en) Semiconductor device characteristics measurement apparatus and connection apparatus
US6791344B2 (en) System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique
US7262626B2 (en) Connection apparatus and cable assembly for semiconductor-device characteristic measurement apparatus
JP4689125B2 (ja) 自動試験装置における改良試験及び較正回路及び方法
JP3611603B2 (ja) 回路基板試験方法
US7486095B2 (en) System for measuring signal path resistance for an integrated circuit tester interconnect structure
US3982180A (en) Apparatus for testing multiconductor cables for continuity, correct connections, and the absence of short circuits between conductors
CN210604879U (zh) 一种电压电流源测试电路
CN110426622B (zh) 一种电压电流源测试电路及测试方法
CN111208410A (zh) 一种电压电流源测试电路及测试方法
CN111239585A (zh) 开尔文检测电路和测试方法
US6833722B2 (en) Electronic circuit device with a short circuit switch using transistors and method of testing such a device
CN211741497U (zh) 一种电压电流源测试电路
US7535243B2 (en) Method and program for controlling an apparatus for measurement of characteristics of a semiconductor device under test
JP3145506B2 (ja) ４線式抵抗測定の接続試験方法及びその方法が実施できる４線式抵抗測定器
CN114487905A (zh) 一种线缆连接线连接状态及精度的测试装置和测试方法
US4038598A (en) Probe contact and junction detector
EP1041389A1 (en) System and method for characterising a test fixture
CN105510757A (zh) 三轴dc-ac连接系统
JPH0954143A (ja) 半導体試験装置における並列接続する電圧発生器及びコンタクト試験方法
CN211905585U (zh) 开尔文检测电路和芯片测试系统
JP4480880B2 (ja) 半導体回路
CN116500417A (zh) 基于ate设备的多通道快速高效线缆检测装置
JPH02259581A (ja) 回路素子測定器の端子接続状態検出回路
CN118641814A (zh) Wat测试机台的保护结构和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination