CN111201592A - 半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法 - Google Patents

半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种半导体晶片的评价方法，该半导体晶片的评价方法包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。

Description

半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片的评价方法和半导体晶片的制造方法。
背景技术
近年来，对半导体晶片评价包括晶片外周边缘部的晶片的剖面形状(参照例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2017-503164号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在专利文献1中提出了一种方案，从晶片的剖面像求出表面轮廓的坐标列，通过在数学坐标系中将其表现为曲线，以数学方式对曲线进行处理，将与晶片的形状相关的形状分析数据表示为数值化(参照专利文献1的第0032段等)。
一般来说，对从锭切出的晶片实施各种加工来制造半导体晶片。由于从锭切出的晶片的外周边缘部在保持原状的情况下具有角部，所以容易产生裂纹或缺口。因此，通常对晶片的外周边缘部实施倒角加工来形成倒角面。
通过获取形成有倒角面的半导体晶片的剖面像，能够在该剖面像中观察半导体晶片的成为器件形成面的表面(正面)或与正面相反侧的表面(背面)与倒角面的边界部的形状。以下，只要没有特别说明，半导体晶片的“表面”是指上述正面或背面中的任意一方或两方。晶片表面与倒角面的边界部的形状能够作为用于预测半导体器件的制造工序中的缺口、伤痕的产生容易度等的指标。例如，在半导体器件的制造工序中，热处理时与支承晶片的晶片支承件的形状配合而适当地设定晶片表面(例如背面)与倒角面的边界部的形状，由此不容易产生因接触引起的边界部的缺口或伤痕，能够降低因缺口或伤痕引起的位错(滑移)或灰尘产生的发生率。但是，专利文献1记载的方法用于使晶片的形状数值化的工序复杂，因此希望能够通过更简便的评价方法来评价晶片表面与倒角面的边界部的形状。
用于解决技术问题的手段
在此，本发明的目的在于提供一种新的方法，用于简单地评价半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状。
本发明的一种方式涉及一种半导体晶片的评价方法(以下也记载为“评价方法”)，其包括：
获取评价对象的半导体晶片的剖面像，
上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；
制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及
在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。
在一种方式中，上述剖面像可以是在剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面中拍摄的剖面像。
在一种方式中，上述放大像可以是仅在晶片厚度方向上以4倍以上的放大倍率放大上述获取的剖面像而制作的放大像。
在一种方式中，上述放大倍率可以是4倍以上、15倍以下。
在一种方式中，用于上述评价的放大像可以是在上述放大后进行了二值化处理的像。
在一种方式中，上述评价可以在上述放大像中将在上述边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸作为指标来进行。
在一种方式中，可以通过对比上述制作的放大像和比较对象放大像，进行评价对象的半导体晶片的上述边界部的评价。该比较对象放大像可以是以如下方式制作的放大像：获取包括比较对象的半导体晶片的晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部的剖面像，仅在晶片厚度方向上以与上述评价对象的半导体晶片的放大像相同的放大倍率放大该获取的剖面像。
本发明的另一种方式涉及一种半导体晶片的制造方法(以下也记载为“第一制造方法”)，其包括：
制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；
从上述半导体晶片批次中提取至少一个半导体晶片；
通过上述评价方法评价上述提取的半导体晶片；以及
将与上述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。
本发明的另一种方式涉及一种半导体晶片的制造方法(以下也记载为“第二制造方法”)，其包括：
在测试制造条件下制造评价用半导体晶片；
通过上述评价方法评价上述制造的评价用半导体晶片；
基于上述评价的结果，将对上述测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件，或者将上述测试制造条件确定为实际制造条件；以及
在上述确定的实际制造条件下制造半导体晶片。
在一种方式中，实施上述变更的制造条件可以是半导体晶片表面的研磨处理条件和倒角加工条件中的至少一方。
发明的效果
按照本发明的一种方式，能够提供一种评价方法，该评价方法能够简便地评价半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的形状。
附图说明
图1是包括两个半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的剖面像(无二值化处理)。
图2是对图1所示的剖面像进行了二值化处理的已二值化处理像。
图3是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了2倍的放大像(已二值化处理)。
图4是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了3倍的放大像(已二值化处理)。
图5是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了4倍的放大像(已二值化处理)。
图6是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了5倍的放大像(已二值化处理)。
图7是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了10倍的放大像(已二值化处理)。
图8是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了15倍的放大像(已二值化处理)。
图9是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了20倍的放大像(已二值化处理)。
图10是仅在晶片厚度方向上将图1所示的剖面像放大了30倍的放大像(已二值化处理)。
图11是表示记载于图2～图10的最右侧的比值与晶片厚度方向上的放大倍率的关系的曲线图。
具体实施方式
[半导体晶片的评价方法]
本发明的一种方式涉及一种半导体晶片的评价方法，其包括：获取评价对象的半导体晶片的剖面像，上述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；制作仅在晶片厚度方向上放大了上述获取的剖面像的放大像；以及在上述制作的放大像中评价上述边界部的形状。
在上述评价方法中，使用放大像评价边界部的形状，该放大像仅在晶片厚度方向上放大了包括半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的剖面像。通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像，由于能够在剖面形状的轮廓中对晶片表面(所谓水平面)强调半导体晶片的边界部的形状差异，所以能够高精度地评价边界部的平缓度/陡峭度。因此，例如即使在通过以纵横等倍的摄影倍率获取的剖面像对多个半导体晶片的剖面形状进行比较时几乎看不到边界部的差异的情况下，也能够强调多个半导体晶片的边界部的形状差异，因此能够判别微小的边界部的形状差异。此外，按照上述评价方法，不经过复杂的工序而通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像这种简便的图像处理，就能够评价半导体晶片的倒角面与晶片表面的边界部的形状。
以下，进一步对上述评价方法进行详细说明。
<评价对象的半导体晶片>
上述评价方法的评价对象的半导体晶片只要是在晶片的外周边缘部实施倒角加工而形成有倒角面的半导体晶片即可。评价对象的半导体晶片一般可以是用作半导体基板的各种半导体晶片。例如，作为半导体晶片的具体例可以列举各种硅晶片。硅晶片例如可以是在从硅单晶锭切出后经过倒角加工等各种加工的单晶硅晶片。作为上述单晶硅晶片的具体例，例如可以列举实施研磨而在表面具有研磨面的抛光晶片。此外，硅晶片也可以是在单晶硅晶片上具有外延层的外延晶片、通过退火处理在单晶硅晶片形成有改质层的退火晶片等各种硅晶片。
<剖面像的获取>
在上述评价方法中，获取评价对象的半导体晶片的剖面像。该剖面像只要以包括倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面(正面或背面)的边界部的方式获取即可。在进行了倒角加工的半导体晶片的外周边缘部通常存在与晶片的正面邻接的倒角面和与晶片的背面邻接的倒角面。在剖面像中可以包括晶片的正面与倒角面的边界部和晶片的背面与倒角面的边界部中的一方或两方。
在一种方式中，剖面像可以不使评价对象的半导体晶片的剖面露出而获取为投影像。投影像可以通过公知的投影法来获取。此外，在另一种方式中，剖面像可以使评价对象的半导体晶片的剖面露出并拍摄该露出的剖面来获取。例如可以通过剖开或由公知的切断装置切断评价对象的半导体晶片而使剖面露出。从剖面露出的容易性的观点出发，上述剖面优选为相对于表面垂直地剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面。例如，如果是表面为(100)面的单晶硅晶片，则通过在(110)面剖开，能够使与表面垂直的剖开面露出。露出的剖面的拍摄可以使用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM；Scanning ElectronMicroscope)、激光显微镜等公知的各种显微镜。作为光学显微镜，可以优选使用光学式金属显微镜(称为落射照明型显微镜等)。此外，如果使用还具备微分干涉观察功能的微分干涉显微镜，则焦点深度变浅，微小的形状差异也显现于剖面像，因此是更优选的。
剖面像可以将摄像倍率作为1倍(即以实际尺寸)来获取，也可以将摄像倍率放大为超过1倍来获取。在放大的情况下，摄像倍率例如可以作为50～1000倍，优选为50～500倍。其中，在此处的放大中，如通过公知的显微镜所具备的放大功能进行的那样，在任何方向上都以相等的倍率进行。并且在上述评价方法中，将由此获得的剖面像仅在晶片厚度方向(所谓纵向)上放大而在晶片径向(所谓横向)上不放大，从而制作放大像。通过使用以上述方式仅在晶片厚度方向上放大的放大像，能够高精度地评价晶片表面与倒角面的边界部的形状。
<放大像的制作>
仅在晶片厚度方向上放大了上述剖面像的放大像的制作可以使用能够放大图像的公知的图像处理软件来进行。晶片厚度方向上的放大倍率为超过1倍，例如可以是2倍以上或3倍以上。从更高精度地评价晶片表面与倒角面的形状的观点出发，晶片厚度方向上的放大倍率优选为4倍以上，更优选为5倍以上，进一步优选为6倍以上，更进一步优选为7倍以上，再进一步优选为8倍以上。此外，晶片厚度方向上的放大倍率例如可以为30倍以下、25倍以下或者为20倍以下、也可以为19倍以下、18倍以下、17倍以下或16倍以下。从更高精度地评价晶片表面与倒角面的边界部的形状的观点出发，优选为15倍以下，更优选为14倍以下，进一步优选为13倍以下，更进一步优选为12倍以下。
从进一步更高精度地评价晶片表面与倒角面的边界部的形状的观点出发，优选在仅在晶片厚度方向上放大剖面像之前或放大之后对得到的图像进行二值化处理，更优选在仅在晶片厚度方向上放大剖面像之后对得到的图像进行二值化处理。通过进行二值化处理，能够更鲜明地显示剖面形状的轮廓，因此能够更进一步高精度地评价晶片表面与倒角面的边界部的形状。如公知的那样，二值化处理是将具有浓淡的图像变换为白和黒的两个灰度的处理，确定某个阈值来进行。在上述评价方法中，在将进行了二值化处理的剖面像用于评价的情况下，二值化处理中的阈值只要适当地设定为鲜明地显示剖面形状的轮廓即可。
<边界部的形状的评价>
在上述评价方法中，在上述仅在晶片厚度方向上放大的放大像中，评价晶片表面与邻接于该表面的倒角面的边界部的形状。例如能够通过目视对比对多个不同的半导体晶片得到的放大像，作为相对评价进行该形状的评价。例如，通过目视相对地评价在制作的放大像中边界部的形状是更平缓还是更陡峭，能够对评价对象的半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状进行评价。此外，例如通过目视对比具有所希望的边界部形状的标准样品的放大像和对评价对象的半导体晶片制作的放大像，也能够对评价对象的半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状进行评价。在以上的评价中，从评价的精度的观点出发优选的是，对比的多个放大像是仅在晶片厚度方向上以相同的倍率放大的放大像。即，优选通过对比对评价对象晶片制作的放大像和一个以上的比较对象放大像，进行评价对象的半导体晶片的边界部的评价。优选的是，该比较对象放大像是以如下方式制作的放大像：获取包括比较对象的半导体晶片的晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部的剖面像，仅在晶片厚度方向上以与评价对象的半导体晶片的放大像相同的放大倍率放大该获取的剖面像。
此外，在仅在晶片厚度方向上放大的放大像中，在晶片剖面形状的轮廓中，通常晶片表面与倒角面的边界部的形状为曲线形状。在此，基于该曲线的曲率圆也能够评价边界部的形状。具体地说，在仅在晶片厚度方向上放大的放大像的晶片剖面形状的轮廓上，在晶片表面与倒角面的边界部的曲线形状中拟合具有与该曲线形状近似的圆弧形状的圆，或者在晶片表面与倒角面的边界部的曲线形状中拟合具有与该曲线形状一致的圆弧形状的圆。该圆的拟合可以不一定是使用拟合式的准确的圆拟合。例如，在仅在晶片厚度方向上放大的放大像中，可以使用能够通过手动描绘圆的公知的软件来设定圆，该圆具有与晶片剖面形状的轮廓上的边界部的曲线形状一致或近似的形状的圆弧。或者也可以使用图像处理软件并利用公知的拟合式进行圆的拟合。能够判断为由此得到的圆(曲率圆)的尺寸例如直径或半径越大则晶片表面与倒角面的边界部的形状越平缓，并且能够判断为上述圆的尺寸越小则晶片表面与倒角面的边界部的形状越陡峭。由此，使用圆的尺寸来评价边界部的形状，能够基于数值客观地进行评价，因此从评价的可靠性的观点出发是优选的。
如上所述，按照本发明的一种方式的评价方法，能够不经过复杂的工序而简便地评价半导体晶片的晶片表面(正面或背面)与邻接于该表面的倒角面的边界部的形状。此外，按照本发明的一种方式的评价方法，能够在评价对象的半导体晶片的剖面形状的轮廓中强调边界部的形状相对于晶片表面的差异，因此能够高精度地评价边界部的平缓度/陡峭度。
<半导体晶片的制造方法>
本发明的一种方式中涉及的半导体晶片的制造方法(第一制造方法)包括：
制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；
从上述半导体晶片批次中提取至少一个半导体晶片；
通过上述评价方法评价上述提取的半导体晶片；以及
将与上述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。
本发明的另一种方式的半导体晶片的制造方法(第二制造方法)包括：
在测试制造条件下制造评价用半导体晶片；
通过上述评价方法评价上述制造的评价用半导体晶片；
基于上述评价的结果，将对上述测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件，或者将上述测试制造条件确定为实际制造条件；以及
在上述确定的实际制造条件下制造半导体晶片。
在第一制造方法中，将与进行了所谓抽样检查的结果判定为合格品的半导体晶片相同的批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。另一方面，在第二制造方法中，评价在测试制造条件下制造的半导体晶片，基于该评价结果确定实际制造条件。在第一制造方法和第二制造方法的任一制造方法中，通过之前说明的本发明的一种方式中涉及的评价方法进行半导体晶片的评价。因此，能够简便地进行半导体晶片的评价，并且能够高精度地进行半导体晶片的评价。
(第一制造方法)
第一制造方法中的半导体晶片批次的制造可以与一般的半导体晶片的制造方法同样地进行。例如，作为硅晶片的一种方式的抛光晶片能够通过如下制造工序制造，该制造工序包括：从由切克劳斯基法(CZ法)等培育的硅单晶锭的硅晶片的切断(切片)、倒角加工、粗研磨(例如抛光)、蚀刻、镜面研磨(精研磨)、以及在上述加工工序间或加工工序后进行的清洗。此外，退火晶片能够对以上述方式制造的抛光晶片实施退火处理来制造。外延晶片能够通过使以上述方式制造的抛光晶片的表面气相生长(外延生长)外延层来制造。包含于半导体晶片批次的半导体晶片的总数没有特别限定。从制造的半导体晶片批次中抽取并进行所谓抽样检查的半导体晶片的数量至少是一个，也可以是两个以上，其数量没有特别限定。
在从半导体晶片批次中提取的半导体晶片中，通过本发明的一种方式中涉及的评价方法来评价晶片表面与邻接于该表面的倒角面的边界部的形状。评价方法的详细内容如上所述。并且，将与评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。用于判定为合格品的基准只要根据产品半导体晶片所要求的质量来确定即可。例如在一种方式中，如上所述，能够将在晶片表面与倒角面的边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸为某个值以上(即阈值以上)作为用于判定为合格品的基准。或者通过目视对比具有所希望的边界部形状的标准样品的放大像和对从半导体晶片批次中抽取的评价对象的半导体晶片制作的放大像，通过目视判断标准样品的边界部的形状与评价对象的半导体晶片的边界部的形状近似，从而能够判定为合格品。接着，与判定为合格品的半导体晶片相同的批次的一个以上的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。作为该准备例如能够列举包装等。由此，按照第一制造方法，能够稳定地批量生产晶片表面与倒角面的边界部的形状为产品半导体晶片所需要的形状的半导体晶片。
(第二制造方法)
关于第二制造方法，作为测试制造条件和实际制造条件可以列举用于半导体晶片制造的各种工序中的各种条件。用于半导体晶片制造的各种工序如之前第一制造方法所述。另外，“实际制造条件”是指产品半导体晶片的制造条件。
在第二制造方法中，作为用于确定实际制造条件的前阶段，设定测试制造条件并在该测试制造条件下制造评价用半导体晶片。在制造的半导体晶片中，通过本发明的一种方式中涉及的评价方法来评价晶片表面与邻接于该表面的倒角面的边界部的形状。评价方法的详细内容如上所述。评价用半导体晶片是至少一个，也可以是两个以上，其数量没有特别限定。作为评价的结果只要评价用半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状是产品半导体晶片所希望的形状，则通过将该测试制造条件作为实际制造条件来制造产品半导体晶片并出厂，能够稳定地批量生产晶片表面和倒角面的形状为所希望的形状的产品半导体晶片。另一方面，作为评价的结果在评价用半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状与产品半导体晶片所希望的形状不同的情况下，将对测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件。实施变更的制造条件优选为考虑了不对晶片表面与倒角面的边界部的形状产生影响的制造条件。作为这种制造条件的一例可以列举半导体晶片的表面(正面和/或背面)的研磨条件。作为上述研磨条件的具体例可以列举粗研磨条件和镜面研磨条件，更具体地说可以列举研磨液的种类、研磨液的磨粒浓度、研磨垫的种类(例如硬度等)等。此外，作为制造条件的一例可以列举倒角加工条件，具体地说，可以列举倒角加工中的磨削、研磨等机械加工条件，更具体地说，可以列举用于倒角加工的研磨带的种类等。由此将对测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件，通过在该实际制造条件下制造产品半导体晶片并出厂，能够稳定地批量生产晶片表面与倒角面的形状为所希望的形状的产品半导体晶片。另外，在对测试制造条件实施了变更的制造条件下重新制造评价用半导体晶片，通过本发明的一种方式中涉及的评价方法来评价该评价用半导体晶片，可以重复一次或两次以上来判定是将该制造条件作为实际制造条件还是进一步实施变更。
在以上第二制造方法中，评价用半导体晶片的晶片表面与倒角面的边界部的形状是否是产品半导体晶片所希望的形状的判定方法能够参照与之前第一制造方法的合格品的判定相关的记载。
第一制造方法和第二制造方法的其他详细情况能够应用与半导体晶片的制造方法相关的公知技术。
[实施例]
以下，基于实施例进一步对本发明进行说明。但是，本发明并不限定于实施例所示的方式。
1.评价用半导体晶片的准备
准备了晶片表面的研磨条件和倒角加工条件不同的两种半导体晶片(直径300mm的表面为(100)面的抛光晶片)。以下，将一方的半导体晶片记载为“样品1”，将另一方的半导体晶片记载为“样品2”。
2.剖面观察用试样的制作
在(110)面分别剖开样品1和样品2来制作剖面观察用试样。
3.剖面像的获取
使用微分干涉显微镜并调整亮度和对比度，对在上述2.中制作的剖面观察用试样获取了包括晶片的表面(正面)与邻接的倒角面的边界部的剖面像(摄像倍率：500倍)。图1表示获取的剖面像。
4.放大像的制作
将在上述3.中获取的剖面像读入图像处理软件(Adobe公司制软件名PhotoshopCS5)，在仅在晶片厚度方向上放大了2～30倍之后，进行了二值化处理。图3～图10表示二值化处理后的放大像。图2表示对在上述3.中获取的剖面像不进行放大而仅进行与上述相同的二值化处理得到的已二值化处理像。
5.圆拟合
将在上述4.中制作的各像读入软件(微软公司制演示文稿软件)，使用同一软件的绘图工具，在剖面形状的轮廓上描绘了圆弧形状与晶片表面与倒角面的边界部的曲线形状大致一致的圆。通过目视判断了圆弧形状与曲线形状大致一致。图2～图10也表示了由此描绘的圆或圆的一部分。各图的圆中记载的数字是圆的直径。
此外，在图2～图10中，记载于最左侧的倍率是仅在晶片厚度方向上放大的放大倍率。例如，图3表示了仅在晶片厚度方向上以2倍的放大倍率放大的放大像，因此在图3的最左侧标注了“×2”。图2表示了在上述3.中获取的剖面像(未放大)的已二值化处理像，因此在图1的最左侧标注了“×1”。
另一方面，在图2～图10中，记载于最右侧的数值是对样品2描绘的圆的直径相对于对样品1描绘的圆的直径的比(对样品2描绘的圆的直径/对样品1描绘的圆的直径)。
即使对比图2所示的样品1的剖面像和样品2的剖面像，也难以通过目视确认晶片表面与倒角面的边界部的形状差异。此外，如从记载于图2的最右侧的比值为稍许超过1的程度可以看出的那样，对样品1描绘的圆的直径与对样品2描绘的圆的直径的差异也是微小的。
相对于此，从图2所示的未放大的二值化处理像与图3～图10所示的放大像的对比可以看出：通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像，能够相对于晶片表面强调样品1和样品2的晶片表面与倒角面的边界部的形状差异，能够容易通过目视确认边界部的形状差异。
此外，从记载于图2的最右侧的比值和记载于图3～图10的最右侧的比值的对比能够确认到：通过仅在晶片厚度方向上放大剖面像，与晶片表面与倒角面的边界部的曲线形状拟合的圆的尺寸(直径)的差异变大，即使边界部的形状差异微小，也容易将圆的尺寸作为指标来判定该差异。
关于放大倍率，从图2～图10的对比可以看出：如果使晶片厚度方向上的放大倍率为4倍以上，则能够通过目视容易地确认晶片1和晶片2的晶片表面与倒角面的边界部的形状差异。
另一方面，图11是表示记载于图2～图10的最右侧的比值与晶片厚度方向上的放大倍率的关系的曲线图。从图11的曲线图能够确认到放大倍率为4倍以上时比值单调增加。此外，从图11的曲线图能够确认到放大倍率超过15倍时比值增加的程度变小。此外，在晶片厚度方向上的放大倍率为20倍(图9)或30倍(图10)的放大像中，与其他放大像相比晶片表面侧的凹凸大(图像的晶片表面侧与其他放大像相比模糊)。由此，从更准确地得到晶片厚度方向的形状信息的观点出发，可以认为晶片厚度方向上的放大倍率优选为15倍以下。
根据以上结果，能够判定为晶片厚度方向上的放大倍率为4倍以上、15倍以下是适合的。
如上所述，确认到如下情况：通过使用仅在晶片厚度方向上放大了评价对象的半导体晶片的剖面像的放大像，能够简便地评价晶片表面与倒角面的边界部的形状，此外即使是微小的差异也能够高精度地进行评价。
这种评价的结果如之前记载的那样，能够用于从批次中的抽样检查，也能够用于确定半导体晶片的实际制造条件。
[工业实用性]
本发明在硅晶片等各种半导体晶片的制造领域中是有用的。

Claims (10)

1.一种半导体晶片的评价方法，其特征在于，该半导体晶片的评价方法包括：
获取评价对象的半导体晶片的剖面像，
所述剖面像包括晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部；
制作仅在晶片厚度方向上放大了所述获取的剖面像的放大像；以及
在所述制作的放大像中评价所述边界部的形状。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述剖面像是在剖开评价对象的半导体晶片而露出的剖开面中拍摄的剖面像。
3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大像是仅在晶片厚度方向上以4倍以上的放大倍率放大所述获取的剖面像而制作的放大像。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，所述放大倍率是4倍以上、15倍以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，用于所述评价的放大像是在所述放大后进行了二值化处理的像。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，在所述放大像中将在所述边界部的形状中拟合圆而制作的圆的尺寸作为指标来进行所述评价。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体晶片的评价方法，其特征在于，
通过对比所述制作的放大像和比较对象放大像，进行评价对象的半导体晶片的所述边界部的评价，
所述比较对象放大像是以如下方式制作的放大像：获取包括比较对象的半导体晶片的晶片外周边缘部的倒角面与邻接于该倒角面的晶片表面的边界部的剖面像，仅在晶片厚度方向上以与所述评价对象的半导体晶片的放大像相同的放大倍率放大该获取的剖面像。
8.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：
制造包括多个半导体晶片的半导体晶片批次；
从所述半导体晶片批次中提取至少一个半导体晶片；
通过权利要求1～7中任一项所述的评价方法，评价所述提取的半导体晶片；以及
将与所述评价的结果判定为合格品的半导体晶片相同的半导体晶片批次的半导体晶片作为产品半导体晶片进行用于出厂的准备。
9.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，包括：
在测试制造条件下制造评价用半导体晶片；
通过权利要求1～7中任一项所述的评价方法，评价所述制造的评价用半导体晶片；
基于所述评价的结果，将对所述测试制造条件实施了变更的制造条件确定为实际制造条件，或者将所述测试制造条件确定为实际制造条件；以及
在所述确定的实际制造条件下制造半导体晶片。
10.根据权利要求9所述的半导体晶片的制造方法，其特征在于，实施所述变更的制造条件是半导体晶片表面的研磨处理条件和倒角加工条件中的至少一方。
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