CN111199986A - 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 - Google Patents

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Abstract

一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，摄像组件的封装方法包括：提供承载基板，在所述承载基板上形成再布线结构；提供功能元件，所述功能元件具有焊垫；形成感光单元，包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片具有面向所述滤光片的焊垫；将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上，所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫均面向所述再布线结构且电连接所述再布线结构；形成封装层，覆盖所述承载基板，所述封装层和所述感光芯片和功能元件中的最高者相平；去除承载基板。本发明提高镜头模组使用性能，且减小镜头模组总厚度。

Description

摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备
技术领域
本发明实施例涉及镜头模组领域，尤其涉及一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备。
背景技术
随着人们生活水平的不断提高，业余生活也更加丰富，摄影逐渐成为人们记录出游以及各种日常生活的常用手段，因此具有拍摄功能的电子设备(例如：手机、平板电脑和照相机等)越来越多地应用到人们的日常生活以及工作中，具有拍摄功能的电子设备逐渐成为当今人们不可或缺的重要工具。
具有拍摄功能的电子设备通常都设有镜头模组，镜头模组的设计水平是决定拍摄质量的重要因素之一。镜头模组通常包括具有感光芯片的摄像组件以及固定于所述摄像组件上方且用于形成被摄物体影像的镜头组件。
而且，为了提高镜头模组的成像能力，相应需具有更大成像面积的感光芯片，且通常还会在所述镜头模组中配置电阻、电容器等被动元件以及外围芯片。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备，提高镜头模组的使用性能、并减小镜头模组的总厚度。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种摄像组件的封装方法，包括：提供承载基板，在所述承载基板上形成再布线结构；提供功能元件，所述功能元件具有焊垫；形成感光单元，包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片具有面向所述滤光片的焊垫；将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上，所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫均面向所述再布线结构且电连接所述再布线结构；形成封装层，覆盖所述承载基板，所述封装层和所述感光芯片和功能元件中的最高者相平；去除所述承载基板。
相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件，包括：封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元、功能元件和再布线结构；所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述封装层的顶面露出所述再布线结构和滤光片，所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件中的最高者，其中，所述感光芯片和功能元件均具有焊垫，所述焊垫面向所述再布线结构且电连接所述再布线结构。
相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组，包括：本发明实施例所述的摄像组件；镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件，所述镜头组件电连接所述感光芯片和功能元件。
相应的，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：本发明实施例所述的镜头模组。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比，本发明实施例减小了感光芯片与功能元件之间的距离，相应缩短了感光芯片和功能元件之间电连接的距离，因此显著提高了信号传输的速度，从而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)；而且，通过所述封装层和再布线结构，相应还省去了电路板(例如：PCB)，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。
附图说明
图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图；
图14至图16是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图；
图17至图20是本发明摄像组件的封装方法再一实施例中各步骤对应的结构示意图；
图21是本发明镜头模组一实施例的结构示意图；
图22是本发明电子设备一实施例的结构示意图。
具体实施方式
目前，镜头模组的使用性能有待提高，且镜头模组难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。分析其原因在于：
传统的镜头模组主要由电路板、感光芯片、功能元件(例如：外围芯片)和镜头组件组装而成，且外围芯片通常贴装在外围主板上，感光芯片和功能元件之间相互分离；其中，电路板用于对感光芯片、功能元件和镜头组件起到支撑作用，且通过电路板实现所述感光芯片、功能元件和镜头模组之间的电连接。
但是，随着高像素、超薄镜头模组的要求，镜头模组的成像要求也越来越高，感光芯片的面积相应增加，功能元件也相应增多，从而导致镜头模组的尺寸越来越大，难以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。而且，感光芯片通常设置于镜头模组中的支架内部，外围芯片通常设置于支架外部，因此外围芯片与感光芯片之间具有一定的距离，从而降低了信号传输的速率。而外围芯片通常包括数字信号处理器(digital signal processor，DSP)芯片和存储器芯片，因此容易对拍摄速度和存储速度产生不良影响，进而降低镜头模组的使用性能。
为了解决所述技术问题，本发明实施例将感光芯片和功能元件集成于封装层中，并通过再布线结构实现电连接，与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比，本发明实施例减小了感光芯片与功能元件之间的距离，相应缩短了感光芯片和功能元件之间电连接的距离，因此显著提高了信号传输的速度，从而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)；而且，通过所述封装层和再布线结构，相应还省去了电路板，从而减小了镜头模组的总厚度，以满足了镜头模组小型化、薄型化的需求。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1至图13是本发明摄像组件的封装方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。
结合参考图1至图5，图2是图1中一个感光芯片的放大图，图4是图3中一个滤光片的放大图，形成感光单元250(如图5所示)，包括感光芯片200(如图5所示)和贴装在所述感光芯片200上的滤光片400(如图5所示)，所述感光芯片200具有面向所述滤光片400的焊垫。
所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器(CMOS image sensor，CIS)芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD(charge coupled device，电荷耦合器)图像传感器芯片。
本实施例中，所述感光芯片200具有光信号接收面201(如图2所示)，所述感光芯片200通过所述光信号接收面201接收感测光辐射信号。
具体地，如图2所示，所述感光芯片200包括感光区200C以及环绕所述感光区200C的外围区200E，所述光信号接收面201位于所述感光区200E。
所述感光芯片200包括多个像素单元，因此感光芯片200包含有多个半导体光敏器件(图未示)、以及位于半导体光敏器件上的多个滤光膜(图未示)，滤光膜用于收对光信号接面201接收的光信号进行选择性吸收和通过；所述感光芯片200还包括位于滤光膜上的微透镜210，微透镜210与半导体光敏器件一一对应，从而将接收的光辐射信号光线聚焦至半导体光敏器件。所述光信号接收面201相应为所述微透镜210的顶面。
需要说明的是，所述感光芯片200通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，所述感光芯片200具有焊垫，用于实现所述感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有形成于所述外围区200E的第一芯片焊垫220，所述第一芯片焊垫220面向所述滤光片400。具体地，位于所述光信号接收面201同侧的感光芯片200表面露出所述第一芯片焊垫220。
所述感光芯片200通常通过对集成有多个感光芯片200的器件晶圆进行切割所获得。相应的，在切割之前，还包括：在器件晶圆背向光信号接收面201的面上贴附第一UV膜310(如图1所示)，用于对所述器件晶圆进行定位，以提高切割精度，且还能在切割后对所述多个感光芯片200进行固定和定位。
具体地，如图1所示，采用贴膜机使所述第一UV膜310紧贴器件晶圆背向光信号接收面201的面，第一UV膜310还贴附于直径较大的第一框架315底部，所述第一框架315用于起到绷膜作用，使切割后所述感光芯片200能够分立固定于第一UV膜310上。对第一UV膜310和第一框架315的具体描述，本实施例在此不再赘述。
所述滤光片400贴装在所述感光芯片200上，以免后续封装工艺对所述光信号接收面201造成污染，且还有利于减小了后续镜头模组的整体厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
所述滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。具体地，所述滤光片400为红外截止滤光片(infrared cut filter，IRCF)，所述红外截止滤光片可以为蓝玻璃红外截止滤光片，或者，包括玻璃以及位于所述玻璃表面的红外截止膜(IR cut coating)。
本实施例中，所述滤光片400包括装配面401(如图3所示)。所述装配面401为用于与感光芯片200实现贴装的面，即用于面向所述感光芯片200的面。
具体地，在滤光片400为蓝玻璃红外截止滤光片的情况下，蓝玻璃红外截止滤光片的一个表面镀有增透膜或抗反射膜，与增透膜或抗反射膜表面相背的面为装配面401；在滤光片400包括玻璃以及位于玻璃表面的红外截止膜的情况下，与红外截止膜相背的玻璃表面为装配面401。在其他实施例中，当滤光片为全透光玻璃片时，全透光玻璃片的任一表面为装配面。
如图4所示，所述滤光片400包括透光区400C以及环绕透光区400C的边缘区400E。所述透光区400C用于使外部入射光透过，从而使感光芯片200的光信号接收面201接收光信号，以保证镜头模组的正常使用功能；所述边缘区400E为实现滤光片400和感光芯片200的贴装预留空间位置。
如图5所示，本实施例中，所述滤光片400通过粘合结构410贴装在感光芯片200上，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201。
所述粘合结构410用于实现滤光片400和感光芯片200的物理连接，且所述滤光片400、粘合结构410和感光芯片200围成空腔(未标示)，避免滤光片400与感光芯片200直接接触，从而避免滤光片400对感光芯片200的性能产生不良影响。
本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201，从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于感光芯片200的感光路径上，进而使所述感光芯片200的性能得到保障。
具体地，所述粘合结构410的材料为可光刻材料，可利用光刻工艺形成粘合结构410，这不仅有利于提高粘合结构410的形貌质量和尺寸精度、提高封装效率和生产产能，且还能够减小对粘合结构410的粘结强度所产生的影响。
本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜(dry film)。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺(polyimide)、可光刻的聚苯并恶唑(PBO)或可光刻的苯并环丁烯(BCB)。
本实施例中，为了降低形成所述粘合结构410的工艺难度、简化工艺步骤、减小所述粘合结构410的形成工艺对光信号接收面201的影响，在所述滤光片400上形成所述粘合结构410。
具体地，所述贴装步骤包括：如图3所示，提供第一承载基板340；将所述滤光片400背向装配面401的面临时键合于所述第一承载基板340上；在所述临时键合步骤之后，在所述滤光片400的边缘区400E(如图4所示)形成环形粘合结构410；如图5所示，使所述感光芯片200的光信号接收面201面向所述环形粘合结构410，将所述感光芯片200的外围区200E(如图2所示)贴装于所述环形粘合结构410上，以形成所述感光单元250。
所述第一承载基板340用于为粘合结构410的形成、以及所述贴装步骤提供工艺平台。本实施例中，所述第一承载基板340为载体晶圆(carrier wafer)。在其他实施例中，所述第一承载基板还可以为其他类型的基板。
具体地，通过第一临时键合层345将滤光片400临时键合于第一承载基板340上。所述第一临时键合层345作为剥离层，便于后续实现解键合。
本实施例中，所述第一临时键合层345为发泡膜。发泡膜包括相对的微粘面和发泡面，发泡膜在常温下具有粘性，且发泡面贴附于第一承载基板340上，后续通过对发泡膜进行加热，即可使发泡面失去粘性，从而实现解键合。在其他实施例中，所述第一临时键合层还可以为粘片膜(die attach film，DAF)。
继续参考图1和图2，本实施例中，所述封装方法还包括：在所述第一芯片焊垫220上形成第一导电凸块362。
所述第一导电凸块362凸出于感光芯片200的表面，作为感光芯片200的外接电极，为第一芯片焊垫220与后续再布线结构的电连接做好工艺准备，且有利于提高后续第一芯片焊垫220和再布线结构的电连接可靠性。
本实施例中，采用植球工艺形成所述第一导电凸块362。所述滤光片400和粘合结构410的总厚度较大(通常为200微米至300微米)，植球工艺形成的第一导电凸块362体积较大，易于实现第一导电凸块362与再布线结构的接触。
本实施例中，在对集成有感光芯片200的器件晶圆进行切割之前，在所述感光芯片200对应的第一芯片焊垫220表面形成所述第一导电凸块362。
植球工艺包括回流步骤，回流步骤的工艺温度通常在180℃至350℃的范围内，回流步骤的工艺温度较高，通过在切割之前形成所述第一导电凸块362，避免所述第一UV膜310和第一临时键合层345(如图5所示)的粘附性受到高温影响。而且，通过在第一芯片焊垫220表面形成第一导电凸块362，能够提高第一导电凸块362形成位置的精准度，有利于提高后续电连接工艺可行性以及电连接可靠性。
结合参考图6，形成所述感光单元250(如图5所示)后，还包括：将所述感光芯片200贴附至第二UV膜320上；在所述贴附步骤之后，进行第一解键合处理，去除所述第一承载基板340(如图5所示)。
通过所述贴附步骤，有利于提高所述感光单元250在另一承载基板上的位置精准度。其中，UV膜310在紫外光的照射下粘附力会减弱，后续易于将所述感光单元250从所述第二UV膜320上取下。
具体地，所述第二UV膜320紧贴所述感光芯片200背向光信号接收面201的面，且还贴附于直径较大的第二框架325底部，通过所述第二框架325，以起到绷膜的作用，从而使所述感光单元250分立固定于所述第二UV膜320上。对所述第二UV膜320和第二框架325的具体描述，本实施例在此不再赘述。
本实施例中，所述第一临时键合层345(如图5所示)为发泡膜，因此采用热解键合工艺进行所述第一解键合处理。具体地，对第一临时键合层345进行加热处理，使发泡膜的发泡面失去粘性，从而去除第一承载基板340，随后采用撕除的方式去除所述第一临时键合层345。
继续参考图6，需要说明的是，所述封装方法还包括：形成覆盖所述滤光片400侧壁的应力缓冲层420。
所述应力缓冲层420有利于减小后续所形成封装层对滤光片400产生的应力，以降低滤光片400发生破裂的概率，从而提高封装工艺的可靠性和良率。尤其是，滤光片400为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片，玻璃片受到应力影响而发生破裂的可能性较高，通过应力缓冲层420，能显著降低滤光片400发生破裂的概率。
所述应力缓冲层420具有粘性，保证其在滤光片400上的粘附性。本实施例中，所述应力缓冲层420的材料为环氧类胶。环氧类胶即为环氧树脂胶(epoxy resin adhesive)，环氧类胶具有形式多样性，通过改变其成分可获得不同弹性模量的材料，从而能够根据实际情况，对所述滤光片400受到的应力进行调控。
本实施例中，所述应力缓冲层420还覆盖粘合结构410侧壁，以减小封装层对所述粘合结构410产生的应力，以进一步提高封装工艺的可靠性和良率。
本实施例中，将所述感光单元250(如图5所示)贴附至所述第二UV膜320上之后，通过点胶工艺形成所述应力缓冲层420。通过选用点胶工艺，提高了形成应力缓冲层420的步骤与目前封装工艺的兼容性，且工艺简单。
结合参考图7和图8，提供第二承载基板330，在所述第二承载基板330上形成再布线(redistribution layer，RDL)结构360(如图8所示)。
所述第二承载基板330用于为再布线结构360的形成提供工艺平台。本实施例中，所述第二承载基板330为载体晶圆。在其他实施例中，所述第二承载基板还可以为其他类型的基板。
本实施例中，所述封装方法还包括：在所述第二承载基板330上形成第二临时键合层331。所述第二临时键合层331作为剥离层，便于后续对所述再布线结构360和第二承载基板330进行分离。所述第二临时键合层331可以为发泡膜，对第二临时键合层331的具体描述，可参考第二临时键合层345(如图5所示)的相应描述，在此不再赘述。
需要说明的是，在其他实施例中，在形成所述第二临时键合层之前，还包括：在所述第二承载基板上形成钝化层。通过所述钝化层，降低所述第二承载基板在形成钝化层的过程中受到污染的概率，以增加所述第二承载基板的重复使用率。其中，所述钝化层的材料可以为氧化硅或氮化硅。
所述再布线结构360用于实现所形成摄像组件的电学集成，且在减小各芯片和元件之间距离的同时，提高电连接工艺的可行性；此外，与打线工艺相比，再布线结构360能够实现批量化生产，提高了封装效率。
具体地，形成所述再布线结构360的步骤包括：在第二临时键合层331上形成第一介质层332(如图7所示)；图形化所述第一介质层332，在所述第一介质层332内形成贯穿所述第一介质层332厚度的互连沟槽335(如图7所示)；在所述互连沟槽335内填充导电材料，形成所述再布线结构360；去除所述第一介质层332。
所述第一介质层332中的互连沟槽335用于定义所述再布线结构360的形状、位置和尺寸。本实施例中，所述第一介质层332的材料为光敏材料，相应可通过光刻工艺实现图形化。具体地，所述第一介质层332的材料为光敏聚酰亚胺、光敏苯并环丁烯或光敏聚苯并噁唑。
本实施例中，所述再布线结构360形成于所述互连沟槽335内，所述再布线结构360相应为互连线，从而降低了形成所述再布线结构360的工艺复杂度。具体地，通过电镀工艺，在所述互连沟槽335内填充导电材料。
本实施例中，所述再布线结构360的材料均为铜。通过选用铜材料，有利于提高再布线结构360的电连接可靠性和导电性能，此外，铜的填充性较好，相应还能提高导电材料在所述互连沟槽335内的填充质量。在其他实施例中，所述再布线结构的材料还可以为其他可适用的导电材料。
前述材料的第一介质层332的耐腐蚀性较强，因此，本实施例中，形成所述再布线结构360后，采用反应离子刻蚀工艺去除第一介质层332，露出所述第二临时键合层331，从而为后续制程做好工艺准备。
需要说明的是，在其他实施例中，可以直接通过刻蚀的方式形成所述再布线结构。具体地，形成所述再布线结构的步骤包括：在所述第二临时键合层上形成导电层；对所述导电层进行刻蚀，刻蚀后剩余导电层作为所述再布线结构。
在该实施例中，所述再布线结构的材料可以为铝等易于通过刻蚀工艺实现图形化的导电材料。
参考图9，提供功能元件(未标示)，所述功能元件具有焊垫；将所述感光单元250(如图5所示)中的滤光片400临时键合于所述第二承载基板330上、将所述功能元件置于所述再布线结构360上，所述感光芯片200的焊垫和所述功能元件的焊垫均面向所述再布线结构360且电连接所述再布线结构360。
具体地，对单个感光单元250位置处的第二UV膜320(如图6所示)进行紫外光照射，使受到紫外光照射的第二UV膜320失去粘性，随后依次将所述感光单元250从第二UV膜320上剥离下来并置于所述第二承载基板330的预设位置处。通过将所述感光单元250逐个放置于第二承载基板330上，有利于提高感光单元250在所述第二承载基板330上的位置精准度。
本实施例中，将所述滤光片400临时键合于所述第二承载基板330上之后，所述第一导电凸块362与所述再布线结构360相接触。
本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中，当所形成的镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，所述感光单元的数量还可以为多个。
所述功能元件为摄像组件中除感光芯片200之外的具有特定功能的元件，包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。
本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。
所述外围芯片230为主动元件，当后续实现与感光芯片200的电连接后，用于向所述感光芯片200提供外围电路，例如：模拟供电电路和数字供电电路、电压缓冲电路、快门电路、快门驱动电路等。
本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。图9中仅示意出了一个外围芯片230，但外围芯片230数量不仅限于一个。
所述外围芯片230通常为硅基芯片，采用集成电路制作技术所制成，也具有焊垫，用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235，将所述外围芯片230置于再布线结构360上后，所述第二芯片焊垫235面向所述再布线结构360。
所述被动元件240用于为感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。图9中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个。
所述被动元件240也具有焊垫，用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245，将所述被动元件240置于再布线结构360上后，所述电极245面向所述再布线结构360。
本实施例中，将所述外围芯片230和被动元件240置于所述再布线结构360上之前，还包括：在所述第二芯片焊垫235和电极245上形成第二导电凸块363。
所述第二导电凸块363凸出于外围芯片230表面和被动元件240表面，用于作为外围芯片230和被动元件240的外接电极，提高后续外围芯片230和被动元件240与再布线结构360的电连接可靠性。
而且，通过所述第二导电凸块363，有利于减小外围芯片230和被动元件240背向第二承载基板330的面与感光芯片200背向第二承载基板330的面之间的高度差，有利于降低后续键合工艺的工艺复杂度。
本实施例中，通过植球工艺形成所述第二导电凸块363。植球的体积通常较大，易于减小外围芯片230和被动元件240背向第二承载基板330的面与感光芯片200背向第二承载基板330的面之间的高度差。
其中，通过将外围芯片230和被动元件240置于再布线结构360上之前形成所述第二导电凸块363的方式，以免回流步骤对第二临时键合层331的粘附性、以及其他芯片或元件的影响；此外，还能提高第二导电凸块363形成位置的精准度。对第二导电凸块363的具体描述，可参考第一导电凸块362的相关描述，在此不再赘述。
相应的，将所述外围芯片230和被动元件240置于再布线结构360上之后，所述第二导电凸块363与所述再布线结构360相接触。
本实施例中，将所述滤光片400临时键合于所述第二承载基板330上、将所述功能元件置于所述再布线结构360上之后，将所述第一导电凸块362和第二导电凸块363键合至所述再布线结构360上
具体地，利用金属键合工艺进行所述键合步骤。
本实施例中，在同一金属键合工艺步骤中将所述第一导电凸块362和第二导电凸块363键合至所述再布线结构360上，从而提高封装效率，并避免多次金属键合工艺的工艺温度所带来的负面影响。
具体地，所述金属键合工艺为热压键合工艺。在所述金属键合工艺的过程中，所述第一导电凸块362、第二导电凸块363与所述再布线结构360的接触面在压强的作用下发生塑性变形，使得接触面的原子相互接触，而随着键合温度的升高，接触面的原子扩散加速，实现跨界扩散；当达到一定的键合时间后，接触面的晶格发生重组，从而实现键合，且键合强度、导电导热性能、耐电迁移性能以及机械连接性能较高。
需要说明的是，随着键合温度的升高，接触面的原子获得更多能量，原子间扩散更为明显，键合温度的升高还能促进晶粒生长，获得能量的晶粒可以跨界面生长，有利于消除分界面，使接触面的材料融为一体。但是，如果键合温度过高，容易对所述感光芯片200和外围芯片230的性能产生不良影响，尤其是对所形成摄像组件中的敏感元件，且工艺温度过高还会产生热应力，引起对准精度下降、工艺成本增加、成产效率降低等问题。为此，本实施例中，所述金属键合工艺为金属低温键合工艺，所述金属键合工艺的键合温度小于或等于250℃。其中，键合温度的最低值只要满足能够实现键合即可。
在所述键合温度的设定下，通过增加压强，使原子间相互扩散更加容易，从而提高所述第一导电凸块362、第二导电凸块363与所述再布线结构360之间的键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的压强大于或等于200kPa。其中，所述压强通过压合工具产生。
增加键合时间也能提高键合质量。为此，本实施例中，所述金属键合工艺的键合时间大于或等于30min。
需要说明的是，在实际工艺过程中，可合理调节所述键合温度、压强和键合时间，并相互配合，从而保证金属键合质量和效率。还需要说明的是，为了降低接触面发生氧化或污染的概率，可在真空环境下进行所述金属键合工艺。
结合参考图10和图11，形成封装层350，覆盖所述第二承载基板330，所述封装层350和所述感光芯片200和功能元件(未标示)中的最高者相平。
所述封装层350对感光芯片200和功能元件(例如：外围芯片230、被动元件240)起到固定作用，用于使感光芯片200和功能元件实现封装集成。
其中，通过封装层350，能够减少镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板(例如：PCB)，从而显著减小后续所形成镜头模组的总厚度，以满足镜头模组小型化、薄型化的需求。而且，与将功能元件贴装在外围主板上的方案相比，通过将感光芯片和功能元件均集成于封装层350中的方式，能够减小感光芯片200和各功能元件之间的距离，相应有利于缩短感光芯片和各功能元件之间电连接的距离，从而提高了信号传输的速率，进而提高镜头模组的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)。
所述封装层350的材料为模塑(molding)材料，还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，因此还有利于提高镜头模组的可靠性。本实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。环氧树脂具有收缩率低、粘结性好、耐腐蚀性好、电性能优异及成本较低等优点，因此广泛用作电子器件和集成电路的封装材料。
具体地，形成所述封装层350的步骤包括：形成封装材料层355(如图10所示)，覆盖所述第二承载基板330、感光芯片2000和功能元件；对所述封装材料层355进行平坦化(grinding)处理，形成所述封装层350，所述封装层350与所述感光芯片200和功能元件中的最高者相平。
本实施例中，采用注塑工艺形成所述封装材料层355。注塑工艺具有生产速度快、效率高、操作可实现自动化等特点，通过注塑工艺，有利于提高产量、降低工艺成本。在其他实施例中，还可以采用其他模塑工艺形成所述封装层。
所述封装材料层355覆盖所述感光芯片200和功能元件，避免了所述封装层350的形成工艺受到感光芯片200与功能元件之间厚度差的影响，相应的，无需定制注塑工艺所需的模具，工艺简单。
而且，所述封装层350还覆盖所述滤光片400的侧壁，从而提高所述感光单元250中空腔的密封性，降低水蒸气、氧化气体等进入所述空腔内的概率，使所述感光芯片200的性能得到保障。
此外，所述感光单元250、功能元件和再布线结构360均位于所述封装层350内，使感光单元250、功能元件和再布线结构360均得到保护，有利于提高摄像组件的可靠性和稳定性。
需要说明的是，在所述封装层350的作用下，省去了电路板，已能够起到减小镜头模组厚度的效果，因此无需对感光芯片200和外围芯片230进行减薄处理，从而提高了所述感光芯片200和外围芯片230的机械强度和可靠性。在其他实施例中，根据工艺需求，也可以适当减小所述感光芯片和外围芯片的厚度，但减薄量较小，以保证其机械强度和可靠性不受影响。
本实施例中，通过所述平坦化处理，使封装层350的厚度较小，从而进一步减小所形成镜头模组的总厚度。在其他实施例中，也可以不进行所述平坦化处理，以简化封装步骤，所形成的封装层相应覆盖所述感光芯片和功能元件。
参考图12，进行第二解键合处理，去除所述第二承载基板330(如图11所示)。
本实施例中，所述第二解键合处理的步骤包括：依次去除所述第二承载基板330和第二临时键合层331(如图11所示)。对所述第二解键合处理的具体描述，可参考前述对所述第一解键合处理的相关描述，在此不再赘述。
结合参考图13，在所述第二解键合处理之后，还包括：对所述封装层350进行划片(dicing)处理。
通过划片处理，形成尺寸符合工艺需求的单个摄像组件260，从而为后续镜头组件的装配做好工艺准备。本实施例中，采用激光切割工艺进行划片处理。
继续参考图13，需要说明的是，去除所述第二承载基板330(如图11所示)之后，还包括：在所述封装层350露出的再布线结构360上键合FPC板(flexible printed circuitboard，柔性电路板)510。
所述FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现所述摄像组件260与后续镜头组件之间的电连接、以及所形成镜头模组与其他元件之间的电连接；后续形成镜头模组后，所述镜头模组还能够通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。
本实施例中，所述FPC板510上具有电路结构，因此通过金属键合工艺，使所述FPC板510键合于所述再布线结构360上，从而实现电连接。
本实施例中，为了提高工艺可行性，在所述第二解键合处理以及划片处理之后，在所述再布线结构360上键合所述FPC板510。
需要说明的是，所述电连接片510上形成有连接器(connector)520，用于电连接所述电连接片510与其他电路元件的电连接。当镜头模组运用于电子设备时，所述连接器520电连接于该电子设备的主板上，从而实现所述镜头模组与所述电子设备中其他元件之间的信息传输，将所述镜头模组的图像信息传递至所述电子设备。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。
图14至图16是本发明摄像组件的封装方法另一实施例中各步骤对应的结构示意图。
本实施例与前述实施例的相同之处，在此不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：在再布线结构360a上形成多个导电凸块365a(如图15所示)。
具体地，在所述再布线结构360a上形成多个导电凸块365a的步骤包括：
参考图14，形成第二介质层333a，覆盖第二承载基板330a和再布线结构360a；图形化所述第二介质层333a，在所述第二介质层333a内形成互连通孔385a，露出部分所述再布线结构360a。
所述互连通孔385a用于为后续导电凸块的形成提供空间位置。
对所述第二介质层333a以及形成所述互连通孔385a的工艺的具体描述，可参考前述实施例中对第一介质层和互连沟槽的相关描述，在此不再赘述。
参考图15，在所述互连通孔385a(如图14所示)内填充导电材料，形成所述导电凸块365a。
本实施例中，利用电镀工艺填充所述导电材料。相应的，所述导电凸块365a的材料还可以和所述再布线结构360a的材料相同。
参考图16，去除所述第二介质层333a(如图14所示)。
本实施例中，采用反应离子刻蚀工艺，去除所述第二介质层333a。
相应的，后续将感光单元中的滤光片临时键合于所述第二承载基板330a上、将功能元件置于所述再布线结构360a上之后，将感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫键合至对应的所述导电凸块365a上。
对后续步骤的具体地描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。
图17至图20是本发明摄像组件的封装方法再一实施例中各步骤对应的结构示意图。
本实施例与前述实施例的相同之处，在此不再赘述。本实施例与前述实施例的不同之处在于：如图20所示，所形成的再布线结构360b包括互连线361b以及凸出于所述互连线361b的导电柱365b。
具体地，在第二承载基板330b上形成所述再布线结构360b的步骤包括：
参考图17，在所述第二承载基板330b上形成第一介质层332b；图形化所述第一介质层332b，在所述第一介质层332b内形成贯穿所述第一介质层332b厚度的互连沟槽335b。
所述互连沟槽335b用于定义后续所形成互连线的形状、位置和尺寸。
对所述第一介质层332b的具体描述，可参考第一实施例中的相应描述，在此不再赘述。
参考图18，向所述互连沟槽335b(如图17所示)内填充导电材料366b，所述导电材料366b还覆盖所述第一介质层332b顶部；在所述导电材料366b上形成图形化的掩膜层367b，所述图形化的掩膜层367b遮挡后续导电柱所在位置的导电材料366b。
本实施例中，利用电镀工艺向所述互连沟槽335b内填充导电材料366b。
本实施例中，所述导电材料366b为铜。通过选用铜材料，有利于提高再布线结构的电连接可靠性，且铜的电阻率较低，因此还有利于提高再布线结构的导电性能，此外，铜的填充性较好，相应还能提高导电材料366b在互连沟槽335b内的填充效果。在其他实施例中，还可以选用其他适用的导电材料。
所述图形化的掩膜层367b用于作为后续刻蚀所述导电材料366b的刻蚀掩膜。本实施例中，所述掩膜层367的材料为光刻胶。在其他实施例中，所述掩膜层还可以选用其他可适于刻蚀工艺的材料，且所述掩膜层可以为单层结构或叠层结构。
参考图19，以所述图形化的掩膜层367b为掩膜，刻蚀所述导电材料366b(如图18所示)至所述第一介质层332b，形成位于所述互连沟槽335b(如图17所示)内的互连线361b以及凸出于所述互连线361b的导电柱365b，所述互连线361b和导电柱365b构成所述再布线结构360b。
本实施例中，可通过干法刻蚀的方式刻蚀所述导电材料366b，以提高所述再布线结构360b的形貌质量。
参考图20，去除所述掩膜层367b(如图19所示)和第一介质层332b(如图19所示)。
本实施例中，所述掩膜层367b的材料为光刻胶，因此可通过灰化或湿法去胶的方式去除该掩膜层367b。
前述材料的第一介质层332b的耐腐蚀性较强，因此，通过反应离子刻蚀工艺去除所述第一介质层332b，使第二承载基板330b露出所述互连线361b，从而为后续进行电连接工艺做好工艺准备。
相应的，后续将感光单元中的滤光片临时键合于所述第二承载基板330b上、将功能元件置于所述再布线结构360b上之后，将感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫键合至对应的所述导电柱365b上。
对后续步骤的具体地描述，可参考前述实施例中的相应描述，在此不再赘述。
相应的，本发明实施例还提供一种摄像组件。继续参考图13，示出了本发明摄像组件一实施例的结构示意图。
所述摄像组件260包括：封装层350、以及嵌于所述封装层350中的感光单元250(如图5所示)、功能元件(未标示)和再布线结构360；所述感光单元250包括感光芯片200和贴装在所述感光芯片200上的滤光片400，所述封装层350的顶面露出所述再布线结构360和滤光片400，所述封装层350的底面露出所述感光芯片200和功能元件中的最高者，其中，所述感光芯片200和功能元件均具有焊垫，所述焊垫面向所述再布线结构360且电连接所述再布线结构360。
所述封装层350对感光芯片200、功能元件和再布线结构360起到固定作用，用于使感光芯片200、功能元件和再布线结构360实现封装集成。其中，通过封装层350，减少了镜头组件中支架所占用的空间，且还能省去电路板，从而减小镜头模组的厚度，满足镜头模组小型化、薄型化的需求。
所述封装层350的材料为塑封材料，所述封装层350还能起到绝缘、密封以及防潮的作用，因此还有利于提高镜头模组的可靠性。实施例中，所述封装层350的材料为环氧树脂。
本实施例中，所述封装层350包括相对的顶面和底面。其中，所述封装层350的顶面是用于贴装镜头组件的面。
本实施例中，所述封装层350的顶面露出所述再布线结构360和滤光片400，所述封装层350的底面露出所述感光芯片200和功能元件中的最高者。相应的，避免了所述封装层350的形成工艺受到感光芯片200与功能元件之间厚度差的影响，在形成所述封装层350的制程中，无需定制模具，工艺简单。
相应的，所述封装层350还覆盖所述滤光片400的侧壁，从而提高感光单元250中空腔的密封性，降低水蒸气、氧化气体等进入所述空腔内的概率，使感光芯片200的性能得到保障。此外，所述感光单元250、功能元件和再布线结构360均位于封装层350内，以提高摄像组件的可靠性和稳定性。
所述感光芯片200为图像传感器芯片。本实施例中，所述感光芯片200为CMOS图像传感器芯片。在其他实施例中，所述感光芯片还可以为CCD图像传感器芯片。
本实施例中，所述感光芯片200包括感光区200C(如图2所示)以及环绕所述感光区200C的外围区200E(如图2所示)，所述感光芯片200还具有位于所述感光区200E的光信号接收面201。
所述感光芯片200通常为硅基芯片，感光芯片200的焊垫用于实现感光芯片200与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述感光芯片200具有位于外围区200E的第一芯片焊垫220。
本实施例中，所述第一芯片焊垫220面向再布线结构360，从而实现第一芯片焊垫220与再布线结构360的电连接。
所述感光芯片200的光信号接收面201面向滤光片400，且感光芯片200与滤光片400相贴合，以免封装工艺对光信号接收面201造成污染，且通过相贴合的方式，减小镜头模组的整体厚度。
所述滤光片400可以为红外滤光玻璃片或全透光玻璃片。本实施例中，所述滤光片400为红外滤光玻璃片，还用于消除入射光中的红外光对所述感光芯片200性能的影响，有利于提高成像效果。
本实施例中，所述滤光片400和感光芯片200通过设置于二者之间的粘合结构410相结合，所述粘合结构410环绕所述感光芯片200的光信号接收面201。
所述粘合结构410用于实现所述滤光片400和感光芯片200的物理连接。且避免所述滤光片400与所述感光芯片200直接接触，从而避免对所述感光芯片200的性能产生不良影响。本实施例中，所述粘合结构410的材料为可光刻的干膜。在其他实施例中，所述粘合结构的材料还可以为可光刻的聚酰亚胺、可光刻的聚苯并恶唑或可光刻的苯并环丁烯。
本实施例中，所述粘合结构410环绕所述光信号接收面201，从而使所述光信号接收面201上方的滤光片400位于所述感光芯片200的感光路径上，进而使所述感光芯片200的性能得到保障。
需要说明的是，本实施例仅示意出一个感光单元250。在其他实施例中，当镜头模组运用于双摄或阵列模组产品时，感光单元的数量还可以为多个。
本实施例中，所述摄像组件260还包括：应力缓冲层420，位于所述封装层350和所述滤光片400侧壁之间。所述应力缓冲层420有利于减小封装层350对滤光片400产生的应力，以降低所述滤光片400发生破裂的概率，从而提高摄像组件260的可靠性。本实施例中，所述应力缓冲层420为光敏缓冲胶。
具体地，所述应力缓冲层420的材料为环氧类胶。环氧类胶即为环氧树脂胶，环氧类胶还具有形式多样性，通过改变其成分可获得不同弹性模量的材料，从而能够根据实际情况，对所述滤光片400受到的应力进行调控。
本实施例中，所述应力缓冲层420还位于所述封装层350和所述粘合结构410侧壁之间，从而减小封装层350对所述粘合结构410产生的应力，有利于进一步提高所述摄像组件260的可靠性和良率。
再布线结构360用于实现摄像组件260中各芯片和元件之间的电性连接。通过选用再布线结构360，能够在减小各芯片和元件之间距离的同时，提高电连接工艺的可行性，且再布线结构360能够实现批量化生产，提高了封装效率。
本实施例中，所述再布线结构360为互连线，从而降低了形成所述再布线结构360的工艺复杂度。
本实施例中，所述再布线结构360的材料均为铜。
本实施例中，为了提高所述第一芯片焊垫220和再布线结构360的电连接可靠性，所述摄像组件260还包括：第一导电凸块362，位于所述第一芯片焊垫220和再布线结构360之间。
本实施例中，所述第一导电凸块362为植球。通过选用植球，使得第一导电凸块362的体积较大，易于实现第一导电凸块362与再布线结构360的接触。
所述功能元件为摄像组件中除感光芯片200之外的具有特定功能的元件，包括外围芯片230和被动元件240中的至少一种。
本实施例中，所述功能元件包括外围芯片230和被动元件240。
所述外围芯片230为主动元件，用于向所述感光芯片200提供外围电路。
本实施例中，所述外围芯片230包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。在其他实施例中，所述外围芯片还可以包括其他功能类型的芯片。图13中仅示意出了一个外围芯片230，但外围芯片230数量不仅限于一个。
所述外围芯片230通常为硅基芯片，所述外围芯片230的焊垫用于实现所述外围芯片230与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述外围芯片230包括第二芯片焊垫235，所述第二芯片焊垫235面向所述再布线结构360，从而实现第二芯片焊垫235和再布线结构360的电连接。
所述被动元件240用于为所述感光芯片200的感光工作起到特定作用。所述被动元件240可以包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、电位器、继电器或驱动器等体积较小的电子元器件。图13中仅示意出了一个被动元件240，但所述被动元件240的数量不仅限于一个
所述被动元件240的焊垫用于实现所述被动元件240与其他芯片或部件的电连接。本实施例中，所述被动元件240的焊垫为电极245，所述电极245面向再布线结构360，从而实现所述电极245与再布线结构360的电连接。
本实施例中，所述摄像组件260还包括：第二导电凸块363，分别位于所述第二芯片焊垫235和再布线结构360之间、以及所述电极245和再布线结构360之间。所述第二导电凸块363凸出于所述外围芯片230表面和被动元件240表面，提高了所述外围芯片230、被动元件240与所述再布线结构360的电连接可靠性。
本实施例中，所述第二导电凸块363为植球。
需要说明的是，在其他实施例中，所述再布线结构也可以包括互连层和凸出于所述互连层的导电柱，且所述导电柱位于所述互连层和对应的所述焊垫之间。在该实施例中，所述摄像组件相应不包括第一导电凸块和第二导电凸块。
本实施例中，所述摄像组件260还包括：FPC板510，位于所述再布线结构360上。所述FPC板510用于在省去电路板的情况下，实现所述摄像组件260与镜头组件的电连接、以及镜头模组与其他元件之间的电连接。
具体地，所述FPC板510键合于所述再布线结构360上。
本实施例中，所述FPC板510为FPC板。镜头模组通过所述FPC板510与电子设备中的其他元件电连接，从而实现电子设备的正常拍摄功能。
需要说明的是，所述FPC板510上设有连接器520。具体地，所述连接器520可以为金手指连接器。
本实施例所述摄像组件可以采用前述实施例所述的封装方法所形成，也可以采用其他封装方法所形成。对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。
相应的，本发明实施例还提供一种镜头模组。参考图21，示出了本发明镜头模组一实施例的结构示意图。
所述镜头模组600包括：本发明实施例所述的摄像组件(如图21中虚线框所示)；镜头组件530，包括支架535，所述支架535贴装在所述封装层(未标示)的顶面上且环绕所述感光单元(未标示)和功能元件，所述镜头组件530电连接所述感光芯片(未标示)和功能元件(未标示)。
所述镜头组件530通常包括支架535、安装于所述支架535上的马达(图未示)、以及安装于所述马达上的透镜组(未标示)，通过所述支架535，以便于实现所述镜头组件530的装配，并使得透镜组位于感光单元的感光路径上。
本实施例中，所述摄像组件的厚度较小，且通过所述封装层，减小了所述镜头组件530的厚度，从而减小了所述镜头模组600的总厚度。
而且，所述感光单元和功能元件均设置于所述支架535内部，因此提高了所述镜头模组600的信号传输速度，进而提高镜头模组600的使用性能(例如：提高了拍摄速度和存储速度)。
再次，所述感光单元、功能元件和再布线结构均集成于封装层内且设置于所述支架535内部，使所述感光单元、功能元件和再布线结构均得到保护，有利于提高所述镜头模组600的可靠性和稳定性，且能够保障所述镜头模组600的成像质量。
本实施例中，所述再布线结构上键合有FPC板，因此部分支架535贴装在所述封装层上，部分支架535贴装在FPC板上。所述镜头组件530中的马达相应通过所述FPC板与所述感光芯片和功能元件实现电连接，从而实现镜头组件530和摄像组件的电连接。
需要说明的是，对本实施例所述摄像组件的具体描述，可参考前述实施例中的相应描述，本实施例在此不再赘述。
相应的，本发明实施例还提供一种电子设备。参考图22，示出了本发明电子设备一实施例的结构示意图。
本实施例中，所述电子设备700包括本发明实施例所述的镜头模组600。
所述镜头模组600的可靠性和性能较高，相应提高了所述电子设备700的拍摄质量、拍摄速度和存储速度。而且，所述镜头模组600的整体厚度较小，有利于提高用户的使用感受度。
具体地，所述电子设备700可以为手机、平板电脑、照相机或摄像机等各种具备拍摄功能的设备。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (26)

1.一种摄像组件的封装方法，其特征在于，包括：
提供承载基板，在所述承载基板上形成再布线结构；
提供功能元件，所述功能元件具有焊垫；
形成感光单元，包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述感光芯片具有面向所述滤光片的焊垫；
将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上，所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫均面向所述再布线结构且电连接所述再布线结构；
形成封装层，覆盖所述承载基板，所述封装层和所述感光芯片和功能元件中的最高者相平；
去除所述承载基板。
2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述承载基板上形成再布线结构的步骤包括：在所述承载基板上形成第一介质层；
图形化所述第一介质层，在所述第一介质层内形成贯穿所述第一介质层厚度的互连沟槽；
向所述互连沟槽内填充导电材料，形成所述再布线结构；
去除所述第一介质层。
3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述承载基板上形成再布线结构的步骤包括：在所述承载基板上形成第一介质层；
图形化所述第一介质层，在所述第一介质层内形成贯穿所述第一介质层厚度的互连沟槽；
向所述互连沟槽内填充导电材料，所述导电材料还覆盖所述第一介质层顶部；
在所述导电材料上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层遮挡部分区域的导电材料，用于定义导电柱的位置；
以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述导电材料至所述第一介质层，形成位于所述互连沟槽内的互连线以及凸出于所述互连线的导电柱；
去除所述掩膜层和第一介质层。
4.如权利要求2或3所述的封装方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺去成所述第一介质层。
5.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上之前，还包括：在所述再布线结构上形成多个导电凸块；
将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上后，将所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫键合至对应的所述导电凸块上。
6.如权利要求5所述的封装方法，其特征在于，所述在所述再布线结构上形成多个导电凸块的步骤包括：形成第二介质层，覆盖所述承载基板和再布线结构；
图形化所述第二介质层，在所述第二介质层内形成互连通孔，露出部分所述再布线结构；
向所述互连通孔内填充导电材料，形成所述导电凸块；
去除所述第二介质层。
7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，采用反应离子刻蚀工艺去除所述第二介质层。
8.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上之前，还包括：分别在所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫上形成导电凸块；
将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上后，将所述导电凸块键合至所述再布线结构上。
9.如权利要求3所述的封装方法，其特征在于，将所述感光单元中的滤光片临时键合于所述承载基板上、将所述功能元件置于所述再布线结构上之后，将所述感光芯片的焊垫和所述功能元件的焊垫键合至对应的所述导电柱上。
10.如权利要求2、3或6所述的封装方法，其特征在于，采用电镀工艺填充所述导电材料。
11.如权利要求8所述的封装方法，其特征在于，采用植球工艺形成所述导电凸块。
12.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，利用金属键合工艺，使所述感光芯片的焊垫和功能元件的焊垫电连接所述再布线结构。
13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述金属键合工艺的工艺温度小于或等于250℃，工艺压强大于或等于200kPa，工艺时间大于或等于30min。
14.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述封装层的步骤包括：形成封装材料层，覆盖所述承载基板、感光芯片和功能元件；对所述封装材料层进行平坦化处理，形成所述封装层，所述封装层与所述感光芯片和功能元件中的最高者相平。
15.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述临时键合步骤之前，还包括：形成覆盖所述滤光片侧壁的应力缓冲层。
16.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，去除所述承载基板之后，还包括：在所述封装层露出的再布线结构上键合FPC板。
17.一种摄像组件，其特征在于，包括：
封装层、以及嵌于所述封装层中的感光单元、功能元件和再布线结构；
所述感光单元包括感光芯片和贴装在所述感光芯片上的滤光片，所述封装层的顶面露出所述再布线结构和滤光片，所述封装层的底面露出所述感光芯片和功能元件中的最高者，其中，所述感光芯片和功能元件均具有焊垫，所述焊垫面向所述再布线结构且电连接所述再布线结构。
18.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述再布线结构为互连线。
19.如权利要求18所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：导电凸块，位于所述再布线结构和对应的所述焊垫之间。
20.如权利要求19所述的摄像组件，其特征在于，所述导电凸块为植球。
21.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述再布线结构包括互连线以及凸出于所述互连线的导电柱，且所述导电柱位于所述互连线和对应的所述焊垫之间。
22.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：应力缓冲层，位于所述滤光片侧壁和所述封装层之间。
23.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述功能元件包括外围芯片和被动元件中的至少一种，所述外围芯片包括数字信号处理器芯片和存储器芯片中的一种或两种。
24.如权利要求17所述的摄像组件，其特征在于，所述摄像组件还包括：FPC板，位于所述封装层露出的再布线结构上。
25.一种镜头模组，其特征在于，包括：
如权利要求17至24中任一项权利要求所述的摄像组件；
镜头组件，包括支架，所述支架贴装在所述封装层的顶面上且环绕所述感光单元和功能元件，所述镜头组件电连接所述感光芯片和功能元件。
26.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求25所述的镜头模组。
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