CN111180109B - 导电膜及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种导电膜，承载层、导电区、引线和搭接部。承载层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，承载层的第一侧面凹设有相互不连通的第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽内填充导电材料形成导电区。第二凹槽内填充导电材料形成引线。搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；搭接部设置于搭接区上，搭接部电性连接导电区和引线。通过搭接部连接的导电区和引线，其连接更加可靠，增加导电性能。此外，还揭示一种导电膜的制备方法。

Description

导电膜及制备方法

技术领域

本发明涉及电子技术，更具体地讲，本发明涉及一种导电膜及制备方法。

背景技术

透明导电膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜，具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极、透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。

传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(Indium Tin Oxides，ITO)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高，还在蚀刻中浪费大量的ITO材料，以及产生大量的含重金属的工业废液。

金属网导电膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电膜一般采用网格状设计且包括可视区和引线区，为保证可视区的透过率一般采用比较小的网格状设计，但是这样的网格线在引线区的导电能力不强。

鉴于此，本发明通过改善导电膜以解决所存在的技术问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种导电膜以解决上述的技术问题。

本发明的一个技术方案是：

一种导电膜，其包括：

承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述承载层的第一侧面凹设有相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

导电区，所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区；

引线，所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线；

搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；

搭接部，设置于所述搭接区上，所述搭接部电性连接所述导电区和所述引线。

其中一个实施例中，所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述搭接区上。

其中一个实施例中，所述搭接部包括朝向所述搭接区的底面，所述底面部分接触所述搭接区上。

其中一个实施例中，搭接部与导电区的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种，搭接部与引线的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种。

其中一个实施例中，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度，和/或，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

其中一个实施例中，所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。

其中一个实施例中，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。

其中一个实施例中，所述导电区包括相互连通的第一网格，所述引线包括相互连通的第二网格，所述搭接部电性搭接所述第一网格和所述第二网格。

其中一个实施例中，所述搭接部包括复数连接点，所述连接点连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。

其中一个实施例中，所述搭接部呈线状，所述第一网格的网格线延伸至所述搭接部，所述第二网格的网格线延伸至所述搭接部。

其中一个实施例中，所述搭接部呈块状，所述块状搭接部部分覆盖所述第一网格的网格线且部分覆盖所述第二网格的网格线。

其中一个实施例中，所述搭接部包括第三网格，所述第三网格延伸至所述第一网格并与第一网格电性接触，所述第三网格延伸至所述第二网格并与所述第二网格电性接触。

其中一个实施例中，所述搭接部呈复数条状，每条所述搭接部一端搭接至所述第一网格且另一端搭接至所述第二网格。

其中一个实施例中，所述导电膜包括多条相互不连通的导电区，每条所述导电区通过所述搭接部电性连接一条所述引线。

其中一个实施例中，所述导电膜包括竖向延伸的多条导电区和横向延伸的多条导电区，横向延伸的导电区在与竖向延伸的导电区的交叉处断开并通过第二搭接部电性连接。

本发明一种导电膜的制备方法，其包括如下步骤：

S1，用压印胶形成承载层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

S2，导电材料填充入第一凹槽和第二凹槽，分别形成导电区和引线；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；

S3，在第一侧面上形成搭接部，搭接部的两端分别电性连接导电区和引线。

其中一个实施例中，通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀工艺形成搭接部。

其中一个实施例中，将搭接部丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状。

本发明的有益效果：导电膜通过搭接部连接的导电区和引线，其连接更加可靠，增加导电性能，且工艺简单环保；并且在所述导电区与所述引线之间设有微纳结构，这样可以增加搭接部的稳固，不容易脱落。

附图说明

图1为本发明导电膜的截面示意图；

图2为本发明导电膜的另一种截面示意图；

图3为本发明导电膜的另一种截面示意图；

图4为本发明导电膜的另一种截面示意图；

图5为本发明导电膜的另一种截面示意图；

图6为本发明导电膜的平面示意图；

图7a-7b为本发明导电膜的局部放大示意图；

图8a-8b为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图9a-9b为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图10a-10b为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图11为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图12为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图13为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图14为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图15为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图16为本发明导电膜的另一种局部放大示意图；

图17a-17c为本发明导电膜的制备方法的各步骤的示意图；

图18a-18c为本发明导电薄的另一种制备方法的各步骤的示意图；

图19为本发明导电膜的另一种结构示意图；

图20为本发明导电膜的另一种结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明公开一种导电膜，承载呈、导电区、引线和搭接部。承载层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，承载层的第一侧面凹设有相互不连通的第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽内填充导电材料形成导电区。第二凹槽内填充导电材料形成引线；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构。搭接部设置于搭接区上，搭接部电性连接导电区和引线。通过搭接部连接的导电区和引线，其连接更加可靠，增加导电性能。同时，第一凹槽和第二凹槽可同时压印形成，再通过打印等方式在第一侧面上设置搭接部电性连接导电区和引线，工艺环保简单，降低成本，并且在所述导电区与所述引线之间设有微纳结构，这样可以增加搭接部的稳固，不容易脱落。

具体的，搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀等方式形成于所述搭接区上。形成搭接部时，不需要精准定位，工艺简单可靠。

具体的，搭接部包括朝向搭接区的底面，底面部分接触搭接区上。搭接部层叠于承载层上，搭接部的底面接触搭接区上，该底面一部分接触导电区，一部分接触搭接区，一部分接触引线。

具体的，搭接部与导电区的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种，搭接部与引线的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种。例如，导电区的一个点与搭接部的一个点相抵接；导电区的几个点与搭接部的一个面分别抵接；引线的一条边线与搭接部的一条边线相交叉；引线的一条边线与搭接部的一个面接触；引线的一个面与搭接部的一个面相接触；导电区的一个凸面与搭接部的一个凹面相配合接触；等等。搭接部的边缘与导电区的边缘相抵接，搭接部与导电区上下相叠接触等等。

优选的，导电区包括相对于第一凹槽底的第一顶面，引线包括相对于第二凹槽底的第二顶面，搭接部包括朝向第一侧面的底面，底面分别接触第一顶面和第二顶面。

优选的，搭接部的高度小于导电区的高度小于引线的高度，或者，搭接部的高度小于导电区的高度等于引线的高度，或者，导电区的高度小于桥接部的高度小于引线的高度。

优选的，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。也即导电区的宽度大于引线的宽度。第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度，也即引线的厚度大于导电区的厚度，从而保证引线的导电率。

优选的，第一凹槽的横截面呈梯形，第一凹槽位于第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，第二凹槽的横截面呈梯形，第二凹槽位于第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。呈倒梯形的第一凹槽和第二凹槽，在压印成型时可方便脱模。

优选的，第一凹槽包括第一底壁及连接第一底壁两侧的两第一侧壁，第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。弧形壁成型简单，脱模方便。

优选的，导电区包括相互连通的第一网格，引线包括相互连通的第二网格，搭接部电性搭接第一网格和第二网格。相互连通的第一网格形成了导电区，相互连通的第二网格形成的引线，搭接部搭接复数根第一网格和复数根第二网格，确保第一网格和第二网格的电性连接，且导电性能优异，且在比如丝印成型搭接部时无需严格对位，工艺简单。第一网格的网线宽度大于第二网格的网线宽度。第一网格的网格密度小于第二网格的网格密度。

优选的，搭接部可丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状等多种形状，以适应第一网格和第二网格。因第一网格和第二网格分别在第一凹槽和第二凹槽内，也即第一网格和第二网格在第一侧面所在平面的下侧，而搭接部位于第一侧面所在平面的上侧，故搭接部的形状可变化多样，大小和尺寸也可多变，以适应各种场景。

优选的，搭接部包括复数连接点，连接点连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。

优选的，搭接部呈线状，第一网格的网格线延伸至搭接部，第二网格的网格线延伸至搭接部。

优选的，搭接部呈块状，块状搭接部部分覆盖所述第一网格的网格线且部分覆盖所述第二网格的网格线。

优选的，搭接部包括第三网格，第三网格延伸至第一网格并与第一网格电性接触，第三网格延伸至第二网格并与第二网格电性接触。

优选的，搭接部呈复数条状，每条搭接部一端搭接至第一网格且另一端搭接至第二网格。

搭接部呈点状、线状、网格状等宽度较小的形状时，可与导电网格接触更大的面积，特别是当导电网格所在区为可视区时，搭接部不会影像可视效果且能得到更好的电性连接效果。

其他实施例中，导电区包括相互连通的第一网格。引线为非网格状，而是一根实线。导电区的网格线宽度小于引线的实线宽度。

优选的，导电膜包括多条相互不连通的导电区，每条导电区通过搭接部电性连接一条引线。每条导电区的第一网格通过搭接部电性连接引线的第二网格。导电膜还可包括位于相邻两条导电区之间的配色线，配色线可以为在第一侧面形成第三凹槽，填充入配色材料后形成。配色线也可以为其中一条导电区，但该导电区不连接引线。

优选的，导电膜包括竖向延伸的多条导电区和横向延伸的多条导电区，横向延伸的导电区在与竖向延伸的导电区的交叉处断开并通过第二搭接部电性连接。也即搭桥方式形成触摸屏的导电膜。

本发明还揭示一种导电膜的制备方法，包括如下步骤：

S1，用压印胶形成承载层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

S2，导电材料填充入第一凹槽和第二凹槽，分别形成导电区和引线；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；

S3，在搭接区上形成搭接部，搭接部的分别电性连接导电区和引线。

其中，通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀工艺形成搭接部。

导电区和引线一次压印工艺填充即可形成，搭接部只要搭接上导电区和引线即可，并不要求严格的对位，工艺简单，无污染，成本低。

将搭接部丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状。

另一种导电膜的制备方法，其包括如下步骤：

S1，用压印胶形成承载层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

S2,导电材料填充入第一凹槽，形成竖向延伸的多条导电区和横向延伸的多条导电区，横向延伸的导电区在与竖向延伸的导电区的交叉处断开，导电材料同时填充入第二凹槽，形成引线；

S3，设置绝缘部，分布覆盖于竖向延伸的导电区在与横向延伸的导电区的交叉处；

S4，在第一侧面上形成搭接部，搭接部的两端分别电性连接导电区和引线；在绝缘部上形成第二搭接部，第二搭接部电性连接在此处断开的导电区。

通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀工艺形成搭接部和第二搭接部。

S3和S4步骤可同时成型，在形成搭接桥同时形成第二搭接部，工艺简单，形成的触控导电膜触控效果好。

以下，请参附图，举例说明本发明。

请参图1，本发明揭示一种导电膜100，其包括承载层1、导电区2、引线3和搭接部4。承载层1包括相对设置的第一侧面11和第二侧面12，承载层1的第一侧面11凹设有相互不连通的第一凹槽111和第二凹槽112。第一凹槽111内填充导电材料形成导电区2。第二凹槽112内填充导电材料形成引线3。搭接部4设置于第一侧面11上，搭接部4电性连接导电区2和引线3。填充的导电材料选自石墨烯、导电碳、金属、金属氧化物等导电材料中的一种或几种。金属包括金、银、铜、铝、镍、锌或任意两者或两者以上的合金。

搭接部4通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀等方式形成于第一侧面11上。也即搭接部4与导电区2和引线3电性接触且不再同一层次上。搭接部4层叠于承载层1上，搭接部4的底面接触第一侧面11上，该底面一部分接触导电区2，一部分接触第一侧面11，一部分接触引线3。具体的，导电区2包括相对于第一凹槽底的第一顶面21。引线3包括相对于第二凹槽底的第二顶面31。搭接部4包括朝向第一侧面11的底面41。底面41分别接触第一顶面21、第二顶面31和第一侧面11。此实施例中，第一凹槽111和第二凹槽112正好填充满导电材料(第一顶面21、第二顶面31和第一侧面11均在一个面内)。其他实施例中，由于在第一凹槽111和第二凹槽112内未填充满导电材料(第一顶面21和第二顶面31低于第一侧面11)或者填充满盈(第一顶面21和第二顶面31高于第一侧面11)，底面41便变得不平整。其他实施例中，第一顶面21和第二顶面31因工艺原因不为平面，而是凹凸不平的，底面41也将变得凹凸不平。

导电区2和引线3同时压印填充成型，搭接部4后丝印成型，不需要电镀工艺，环保安全，且工艺简单，导电性能优异。并且，搭接部4搭接上导电区2和引线3实现导电区2和引线3的电性连接即可，所以可以不严格规定丝印时的掩膜版的对位要求，可简化工艺。如图2所示，搭接部4(为方便描述和理解，不同实施例相同的特征采用同一编号，下同)大小和位置并不做严格限定。

第一凹槽111的宽度大于第二凹槽112的宽度，也即导电区2的宽度大于引线3的宽度。

请参图3，第一凹槽111的横截面呈梯形，第一凹槽111位于第一侧面11的开口宽度大于第一凹槽111底部的宽度。第二凹槽112的横截面呈梯形，第二凹槽112位于第一侧面11的开口宽度大于位于第二凹槽112底部的宽度。梯形即为上宽下窄的倒梯形。呈倒梯形的第一凹槽111和第二凹槽112在压印成型时可方便脱模。

该梯形也可为大致呈梯形，请参图4，第一凹槽111(为清楚显示第一凹槽111的结构，图4中的一个第一凹槽111内未填充材料，)包括第一底壁1111和两第一侧壁1112，两第一侧壁1112为弧形壁1112。第二凹槽112(为清楚显示第二凹槽112的结构，图4中的一个第二凹槽112内未填充材料，)包括第二底壁1121和连接第二底壁1121两侧的两第二侧壁1122，两第二侧壁1122为弧形壁1112。弧形壁成型简单，脱模方便。

进一步的，请参图5，第二凹槽112的深度大于第一凹槽111的深度，也即引线3的厚度大于导电区2的厚度，从而保证引线的导电率，特别是在第一凹槽111的宽度大于第二凹槽112的宽度时。

一种实施方式中，请参图6，导电区2包括相互连通的第一网格22，引线包括相互连通的第二网格32(可参图7a)，搭接部4电性搭接第一网格22和第二网格32。相互连通的第一网格22形成了导电区2，相互连通的第二网格32形成了引线3，搭接部4搭接复数根第一网格22和复数根第二网格32，确保第一网格22和第二网格32，确保第一网格22和第二网格32的电性连接，且导电性能优异。

请参图7a-10b，为搭接部4与第一网格22和第二网格32连接部位的局部放大示意图例。其中7a、8a、9a、10a中，第一网格22和第二网格32之间的框示意了搭接部4的区域，可清楚显示三者之间的位置关系及连接关系。其中7b、8b、9b、10b为设置搭接部4后的示意图。从7a-10b中可以看出，搭接部4可覆盖多条第一网格22和多条第二网格32，从而确保电性连接。另，第一网格22的网线宽度大于第二网格32的网线宽度，第一网格22的网格密度小于第二网格32的网格密度。第一网格22和第二网格32可以均不设置边线，如图7a；也可以第一网格22设置边线221，第二网格32不设置边线，如图8a；也可以第一网格22不设置边线，第二网格32设置边线321，如图9a；也可以第一网格22设置边线221，第二网格32设置边线321，如图10a。搭接桥4的形状、角度和位置也不限定，可以如图7b的竖向设置，也可以如图10b的横向设置。

搭接部4可丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状等多种形状。具体的，请参图11-16举例说明搭接部的形状。

请参图11，搭接部4包括复数连接点42，连接点42连接至少一根第一网格22的网格线和至少一根第二网格32的网格线。

请参图12，搭接部4呈线状，第一网格22的网格线延伸至搭接部4，第二网格32的网格线延伸至搭接部4。

请参图13，搭接部4呈块状，块状搭接部4部分覆盖第一网格22的网格线且部分覆盖第二网格32的网格线。

请参图14，搭接部4包括第三网格43，第三网格43延伸至第一网格22余第一网格22电性接触，第三网格43延伸至第二网格32并与第二网格32电性接触。

请参图15，搭接部4呈复数条状，每条搭接部4一端搭接至第一网格22且另一端搭接至第二网格32。

请参图16，搭接部4呈复数条状且为曲线状，各曲线状搭接部4一端搭接至第一网格22且另一端搭接至第二网格32。

请参图17a-17c，举例介绍本发明导电膜的制备方法的一种实施方式。

一种导电膜的制备方法，包括如下步骤：

请参图17a，步骤S1，用压印胶形成承载层1，在压印胶的第一侧面11压印成型相互不连通的第一凹槽111和第二凹槽112。

请参图17b，步骤S2，在第一凹槽111中填充入导电材料形成导电区2，在第二凹槽中填充入导电材料形成引线3。

请参图17c，步骤S3，在第一侧面11上丝印出搭接部4，搭接部4分别电性连接导电区2和引线3。

第一凹槽111和第二凹槽112可一次压印成型，也可只填充一次导电材料即形成导电区2和引线3。

除了丝印，还可以用溅射、蒸镀、喷墨打印等形成搭接线。

请参图18a-18c，本发明另一种导电膜的制备方法，其包括如下步骤：

步骤S1，用压印胶形成承载层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

步骤S2，请参图18a，导电材料填充入第一凹槽，形成竖向延伸的多条导电区和横向延伸的多条导电区2，横向延伸的导电区在与竖向延伸的导电区的交叉处断开，导电材料同时填充入第二凹槽，形成引线3；

步骤S3，请参图18b，设置绝缘部5，分布覆盖于竖向延伸的导电区2在于横向延伸的导电区2的交叉处；

步骤S4，请参图18c，在第一侧面上丝印搭接部4，搭接部4的两端分别电性连接导电区2和引线3；在绝缘部5上形成第二搭接部6，第二搭接部6电性连接在此处断开的导电区2。

S3和S4步骤可同时成型，搭接桥4和第二搭接部6同时形成。

请参阅图19以及图20，提供了另一种导电膜结构，图19中给出了一种导电膜，包括导电区2、引线3以及搭接区，其中所述搭接区位于所述导电区2与所述引线3之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构7，请参阅图20，所述搭接区设有搭接部4，此时的导电膜还设有基材层，所述基材层位于所述导电区的相对侧，再结合图1，此时所述地面41位于所述搭接区也变成不平整的一面，这样可以很好的是的搭接部4通过微纳结构7很好的接触，使的接触面积增加，搭接部4与所述搭接区能够很好的搭接，不容易脱落。

导电膜通过同时压印填充形成导电区和引线，再丝印搭接部电性连接导电区和引线，工艺简单、环保、电气性能优异。导电膜可应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电磁的电极、加热膜、屏蔽膜、OLED显示器、OLED发光器等领域中。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (18)

1.一种导电膜，其特征在于，其包括：

承载层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述承载层的第一侧面凹设有相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

导电区，所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区；

引线，所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线；

搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；

搭接部，设置于所述搭接区上，所述搭接部电性连接所述导电区和所述引线；所述搭接部与所述导电区和所述引线电性接触且不在同一层次上。

2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述搭接区上。

3.根据权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部包括朝向所述搭接区的底面，所述底面部分接触所述搭接区上。

4.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部与所述导电区的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种；所述搭接部与所述引线的电性连接方式为点点连接、点线连接、点面连接、线线连接、线面连接或面面连接的至少一种。

5.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度，和/或，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

6.根据权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。

7.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。

8.根据权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于，所述导电区包括相互连通的第一网格，所述引线包括相互连通的第二网格，所述搭接部电性搭接所述第一网格和所述第二网格。

9.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部包括复数连接点，所述连接点连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。

10.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部呈线状，所述第一网格的网格线延伸至所述搭接部，所述第二网格的网格线延伸至所述搭接部。

11.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部呈块状，所述块状搭接部部分覆盖所述第一网格的网格线且部分覆盖所述第二网格的网格线。

12.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部包括第三网格，所述第三网格延伸至所述第一网格并与第一网格电性接触，所述第三网格延伸至所述第二网格并与所述第二网格电性接触。

13.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部呈复数条状，每条所述搭接部一端搭接至所述第一网格且另一端搭接至所述第二网格。

14.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述导电膜包括多条相互不连通的导电区，每条所述导电区通过所述搭接部电性连接一条所述引线。

15.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述导电膜包括竖向延伸的多条导电区和横向延伸的多条导电区，横向延伸的导电区在与竖向延伸的导电区的交叉处断开并通过第二搭接部电性连接。

16.一种导电膜的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1，用压印胶形成承载层，在压印胶的第一侧面压印成型相互不连通的第一凹槽和第二凹槽；

S2，导电材料填充入第一凹槽和第二凹槽，分别形成导电区和引线；搭接区，所述搭接区位于所述导电区与所述引线之间，且所述搭接区设有若干深度和/或高度不小于50nm的微纳结构；

S3，在搭接区上形成搭接部，搭接部的两端分别电性连接导电区和引线；所述搭接部与所述导电区和所述引线电性接触且不在同一层次上。

17.根据权利要求16所述的导电膜的制备方法，其特征在于，通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀工艺形成搭接部。

18.根据权利要求16所述的导电膜的制备方法，其特征在于，将搭接部丝印呈点状、线状、面状、块状、条状或网格状。

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