CN111370163B

CN111370163B - 导电膜

Info

Publication number: CN111370163B
Application number: CN201811588551.9A
Authority: CN
Inventors: 江州; 刘立冬; 孙超
Original assignee: Shine Optoelectronics Kunshan Co Ltd
Current assignee: Shine Optoelectronics Kunshan Co Ltd
Priority date: 2018-12-25
Filing date: 2018-12-25
Publication date: 2021-09-14
Anticipated expiration: 2038-12-25
Also published as: CN111370163A

Abstract

本发明公开一种导电膜，其包括：基材层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；承载层，设于所述第一侧面，所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔；导电区，所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区；所述第一穿孔位于所述导电区边缘处，且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接；引线，所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线；所述第二穿孔位于所述引线边缘处，且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接；搭接部，设置于所述基材层上；其中，第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接，使得所述导电区与所述引线电连接。

Description

导电膜

技术领域

本发明涉及电子技术，更具体地讲，本发明涉及一种导电膜。

背景技术

透明导电膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜，具有广泛的应用前景。近年来已经成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极、透明表面发热器及柔性发光器件等领域中。

传统的触摸屏一般采用掺锡氧化铟(Indium Tin Oxides，ITO)导电层。在制备ITO层时，总是不可避免的需要镀膜，图形化，电极银引线制作。且在ITO图形化的时候需要对ITO膜进行蚀刻，这种传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。并且这种制作流程对工艺、设备要求较高，还在蚀刻中浪费大量的ITO材料，以及产生大量的含重金属的工业废液。

金属网导电膜技术的发展弥补了以上缺陷。金属网导电膜一般采用网格状设计且包括可视区和引线区，为保证可视区的透过率一般采用比较小的网格状设计，但是这样的网格线在引线区的导电能力不强。

鉴于此，本发明通过改善导电膜以解决所存在的技术问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种导电膜以解决上述的技术问题。

本发明的一个技术方案是：

一种导电膜，其特征在于，其包括：

基材层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；

承载层，设于所述第一侧面，所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔；

导电区，所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区；所述第一穿孔位于所述导电区边缘处，且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接；

引线，所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线；所述第二穿孔位于所述引线边缘处，且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接；

搭接部，设置于所述基材层上，位于所述导电区以及所述引线之间，且所述搭接部由导电材料构成；

其中，第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接，使得所述导电区与所述引线电连接。

在其中一实施例中，所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上。

在其中一实施例中，所述第一凹槽的宽度不小于所述第二凹槽的宽度，和/或，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

在其中一实施例中，所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。

在其中一实施例中，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。

在其中一实施例中，所述导电区包括相互连通的第一网格，所述引线包括相互连通的第二网格，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔电性搭接所述第一网格和所述第二网格。

在其中一实施例中，所述搭接部为网格状，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。

在其中一实施例中，所述搭接部呈线状，所述第一网格的网格线通过第一穿孔连接所述搭接部，所述第二网格的网格线通过第二穿孔连接所述搭接部。

在其中一实施例中，所述第一凹槽以及第二凹槽的底部距离所述承载层第一侧面的距离不小于50nm。

在其中一实施例中，所述引线为网格状或者为实线状。

本发明的有益效果：导电膜通过第一穿孔以及第二穿孔电连接搭接部使的导电区和引线电性连接，其连接更加可靠，增加导电性能，且工艺简单环保；并且在所述搭接部对应的基材层区域设有微纳结构，这样可以增加搭接部的稳固，不容易脱落。

附图说明

图1为本发明导电膜的平面示意图；

图2为本发明导电膜的一种截面示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明提供一种导电膜，其特征在于，其包括：

基材层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；所述基材层可以为单层结构，也可以是复合层结构；例如基材层为PET、PE、PC、PMMA、玻璃或者复合板材。

承载层，设于所述第一侧面，所述承载层远离基材层一侧设有相互不连通的第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔；所述承载层为热固化或光固化胶，也可以是光刻胶等等；所述第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔以及第二穿孔可以通过压印或者曝光显影等方式形成。

导电区，所述第一凹槽内填充导电材料形成所述导电区；所述第一穿孔位于所述导电区边缘处，且所述第一穿孔中填充导电材料且与所述导电区电连接；引线，所述第二凹槽内填充导电材料形成所述引线；所述第二穿孔位于所述引线边缘处，且所述第二穿孔中填充导电材料与所述引线电连接；所述导电区与所述引线自身并不连接，承载层远离第一侧面的一侧导电区与所述引线之间为隔离状态，所述导电区与所述引线在所述承载层远离第一侧面的一侧并没有电性连接结构。

搭接部，设置于所述基材层上，位于所述导电区以及所述引线之间，且所述搭接部由导电材料构成；其中，第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接，使的所述导电区与所述引线电连接。由于所述第一穿孔与所述第二穿孔自身分别与导电层以及引线电连接，所以第一穿孔与第二穿孔在与搭接部连接的时候使的导电区与引线电性连接。

其中，导电材料可以为金属导电材料、化合物导电材料或者有机导电材料中一种或者两者以上的组合；金属例如为银、金、铜、铁、镍、铝等；化合物例如为ITO；有机导电材料例如为PEDOT。

在其中一实施例中，所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上；所述搭接部形成于基材层上，或者所述搭接部嵌设于所述承载层第二侧，此时搭接部可以通过填充或者沉积形成；再者，所述搭接部对应的基材层表面还设有凹陷和/或凸起的微纳结构，所述微纳结构的尺寸0.01nm～10μm，使的所述搭接部与所述基材层的粘结更加稳固。

在其中一实施例中，所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。呈倒梯形的第一凹槽和第二凹槽，在压印成型时可方便脱模。

在其中一实施例中，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。弧形壁成型简单，脱模方便。

在其中一实施例中，所述引线为网格状或者为实线状。

在其中一实施例中，所述导电区包括相互连通的第一网格，所述引线包括相互连通的第二网格，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔电性搭接所述第一网格和所述第二网格。所述第一网格与所述第二网格可以相同(例如尺寸、形状等)，再或者，所述第一网格尺寸大于所述第二网格的尺寸(所述尺寸可以为面积、边长、周期等)。

在其中一实施例中，所述搭接部为网格状，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。所述搭接部的网格可以与第一网格相同，也可以与所述第二网格相同，当然也可以是第三网格，即与所述第一网格与第二网格都不相同。

在其中一实施例中，所述搭接部呈线状，所述第一网格的网格线通过第一穿孔连接所述搭接部，所述第二网格的网格线通过第二穿孔连接所述搭接部。所述搭接部呈线状，所述线状可以为直线、曲线、折线等，可以是是一条线，也可以是多条线。

在其中一实施例中，所述第一凹槽以及第二凹槽的底部距离所述基材层靠近承载层一侧面的距离不小于50nm。

本发明提供的导电膜可以使用在触摸屏、加热膜、电磁屏蔽、OPV、OLED等器件或设备上。

请参阅图1，一种导电膜100，所述导电膜100包括导电层1、引线2以及搭接部3，所述导电层1与所述引线2通过搭接部3进行电性连接；所述导电层1可以由网格构成，当然导电层2也可以是非网格结构，这样组成导电层2的导电材料可以为透明的导电材料。

请参阅图2，一种导电膜100，包括基材层101、承载层102、第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔11、第二穿孔21以及搭接部3，所述第一凹槽中设有导电材料形成导电层1，所述第二凹槽中也设有导电材料形成引线2；所述第一穿孔11位于导电区1边缘处，所述第一穿孔中填充导电材料，且与所述导电层1电连接，所述第二穿孔21位于引线2边缘处，所述第二穿孔中填充导电材料，且与所述引线2电连接；然后第一穿孔11中的导电材料以及第二穿孔21中的导电材料与所述搭接部3电性连接，使的所述导电层1与所述引线电性连接。例如基材层101为PET、PE、PC、PMMA、玻璃或者复合板材；所述承载层102为热固化或光固化胶，也可以是光刻胶等等；所述第一凹槽、第二凹槽、第一穿孔11以及第二穿孔21可以通过压印或者曝光显影等方式形成。

其中，图2中的第一凹槽以及第二凹槽、第一穿孔11以及第二穿孔21、搭接部所述的导电材料可以为金属导电材料、化合物导电材料或者有机导电材料中一种或者两者以上的组合；金属例如为银、金、铜、铁、镍、铝等；化合物例如为ITO；有机导电材料例如为PEDOT。

所述搭接部3可以通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层101上；所述搭接部形成于基材层101上，或者所述搭接部3嵌设于所述承载层102第二侧，此时搭接部3可以通过填充或者沉积形成；再者，所述搭接部3对应的基材层101表面还设有凹陷和/或凸起的微纳结构，所述微纳结构的尺寸0.01nm～10μm，使的所述搭接部3与所述基材层101的粘结更加稳固。

请参阅图2，图2中导电层1的第一凹槽的宽度大于所述引线2的第二凹槽的宽度，当然第一凹槽的宽度同样也可以小于所述第二凹槽的宽度，第一凹槽以及第二凹槽宽度也可以相同的。

请参阅图2，所述第一凹槽的开口宽度等于所述第一凹槽底部的宽度；或者所述第一凹槽开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度(图中未给出)；和/或，所述第二凹槽的开口宽度等于所述第二凹槽底部的宽度；或者，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度(图中未给出)。呈倒梯形的第一凹槽和第二凹槽，在压印成型时可方便脱模。

请参阅图2，所述第一凹槽以及第二凹槽截面形状为矩形；或者，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁(图中未给出)；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁(图中未给出)。弧形壁成型简单，脱模方便。

导电膜通过第一穿孔以及第二穿孔电连接搭接部使的导电区和引线电性连接，其连接更加可靠，增加导电性能，且工艺简单环保；并且在所述搭接部对应的基材层区域设有微纳结构，这样可以增加搭接部的稳固，不容易脱落。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种导电膜，其特征在于，其包括：

基材层，其包括相对设置的第一侧面和第二侧面；

搭接部，设置于所述基材层上，位于所述导电区以及所述引线之间，所述搭接部位于所述基材层和承载层之间，且所述搭接部由导电材料构成；

其中，第一穿孔以及第二穿孔中的导电材料与所述搭接部电连接，使的所述导电区与所述引线电连接。

2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部通过丝印、喷墨打印、溅射、蒸镀方式形成于所述基材层上。

3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽的宽度不小于所述第二凹槽的宽度，和/或，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。

4.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第一凹槽底部的宽度；和/或，所述第二凹槽位于所述第一侧面的开口宽度大于位于第二凹槽底部的宽度。

5.根据权利要求4所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽包括第一底壁及连接所述第一底壁两侧的两第一侧壁，所述第一底壁和两第一侧壁中至少一个为弧形壁；和/或，所述第二凹槽包括第二底壁及连接所述第二底壁两侧的两第二侧壁，所述第二底壁和两第二侧壁中至少一个为弧形壁。

6.根据权利要求1或2所述的导电膜，其特征在于，所述导电区包括相互连通的第一网格，所述引线包括相互连通的第二网格，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔电性搭接所述第一网格和所述第二网格。

7.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部为网格状，所述搭接部通过第一穿孔以及第二穿孔连接至少一根第一网格的网格线和至少一根第二网格的网格线。

8.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述搭接部呈线状，所述第一网格的网格线通过第一穿孔连接所述搭接部，所述第二网格的网格线通过第二穿孔连接所述搭接部。

9.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一凹槽以及第二凹槽的底部距离所述承载层第一侧面的距离不小于50nm。

10.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述引线为网格状或者为实线状。