CN111162038A - 一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘。包括从上到下依次布置的固定层、流道层和分离式吸附层，固定层周围开设有四个沿圆周间隔分布的孔道，孔道作为气体入口连接气源；流道层包括分别上下布置的环状式流道层与扩散式流道层；分离式吸附层包括从外圈到内圈布置的外圈吸附层、环状导流板和内圈吸附层；硅片布置于分离式吸附层正下方，硅片和分离式吸附层之间具有吸附间隙，外部气体通过气泵输入经各层流入吸附间隙中，形成伯努利效应及气流层产生负压吸附硅片。本发明设计出层间狭小间隙，形成伯努利效应非接触环状吸附硅片，并侧面接触硅片辅助搬运，改善硅片吸附的受力均匀性，避免了硅片上下表面的接触性损伤，提高硅片质量。

Description

一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘

技术领域

本发明涉及了一种盘片真空吸盘，尤其是涉及到了一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘。

背景技术

基于硅片搬运吸附的真空吸盘是一种通过控制气流流动调节局部区域气压实现吸附抓取的装置。硅片的吸附搬运在其制造过程中起着至关重要的作用，且吸附搬运性能的好坏对硅片的质量影响极大，随着工业上对高质量、无污染硅片的迫切需求，在一定条件下能够实现硅片低损伤高效搬运的真空吸盘获得了广泛的关注。

传统的真空吸盘主要由流道层、吸附层与接触层三部分组成，其中流道层能够调节气体流向与分布，使气体按预期要求流至吸附层；吸附层调节气流流动性能，改变局部区域压强，使吸附区产生负压；接触层直接接触吸附工件，利用摩擦力提供侧向力辅助搬运。

因此，现有结构存在以下问题：1)接触层与硅片产生接触，有相对滑动趋势，对硅片表面质量产生损伤；2)吸附方式为分布式多点吸附，使硅片在被吸附时受力不均，产生较大变形。

发明内容

基于上述背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种能够实现非接触式吸附搬运硅片的环状真空吸盘结构，通过伯努利原理实现非接触式硅片吸附搬运的，可以提高硅片的表面质量，减小硅片吸附时的变形损伤。

本发明的目的可以采用以下技术方案实现：

本发明包括从上到下依次布置的固定层、流道层和分离式吸附层。

所述的固定层周围开设有四个沿圆周间隔分布的孔道，孔道作为气体入口连接气源。

所述的流道层包括分别上下布置的环状式流道层与扩散式流道层；环状式流道层的底面开设有环形凹槽作为环状流道，环状流道上沿周向间隔开设有四个上流通孔，四个上流通孔分别和固定层的四个孔道同轴布置且连通，使得孔道经上流通孔连通到环状流道；扩散式流道层的底面开设有内外两圈且直接连通的环形阶梯凹槽，环形阶梯凹槽的内圈为内圈流道区，环形阶梯凹槽的外圈为外圈流道区，内圈流道区的槽深深于外圈流道区的槽深，内圈流道区位于环状式流道层的环状流道的正下方，内圈流道区沿周向间隔开设有四个下流通孔，四个下流通孔和四个上流通孔均不同轴布置且不直接连通，使得环状流道经下流通孔和内圈流道区连通。

所述的分离式吸附层包括从外圈到内圈布置的外圈吸附层、环状导流板和内圈吸附层；内圈吸附层位于外圈吸附层中心，内圈吸附层和外圈吸附层之间具有间隙，间隙中布置有环状导流板，外圈吸附层、环状导流板和内圈吸附层均同心布置；内圈吸附层上部设置中心圆柱凸台，中心圆柱凸台外圆周侧面和外圈吸附层的上部内圆周侧面之间具有间隙，该间隙形成环状气体缓冲室；环状气体缓冲室内径小于外圈流道区的外径，使得内圈流道区经外圈流道区连通到环状气体缓冲室；内圈吸附层下部的外圆周侧面和外圈吸附层下部的内圆周侧面均设置为环形锥面，内圈吸附层和外圈吸附层的环形锥面之间布置环状导流板，且环状导流板的内外侧圆周表面均为环形锥面，环状导流板内外的环形锥面分别和内圈吸附层和外圈吸附层的环形锥面平行配合形成环状倾斜导流曲面，使得环状导流板内圈的环形锥面和内圈吸附层的环形锥面之间以及环状导流板外圈的环形锥面和外圈吸附层的环形锥面之间均形成内外圈的环状狭小间隙，两处环状狭小间隙的上端均和环状气体缓冲室连通，下端连通到外界。

所述的环状导流板内圈、外圈的环形锥面分别和内圈吸附层、外圈吸附层的环形锥面之间形成的内外圈的两个环状狭小间隙，分别朝向外和朝向中心倾斜。

硅片布置于分离式吸附层正下方，硅片和分离式吸附层之间具有吸附间隙，外部气体通过气泵输入到固定层的孔道，从孔道经上流通孔流入到环状流道，再从环状流道经下流通孔流入到内圈流道区，接着从内圈流道区经过外圈流道区流入环状气体缓冲室，最后从环状气体缓冲室经两个环状狭小间隙流入吸附间隙中，形成伯努利效应及气流层产生负压吸附硅片。

所述的固定层、环状式流道层、扩散式流道层和内圈吸附层的中心贯穿开设有中心孔，作为环内气流出口；从内圈的环状狭小间隙流出的气流经硅片和内圈吸附层间的吸附间隙后流入到中心孔，从下往上从中心孔排出。

每个孔道在靠近中心一侧侧方的固定层、环状式流道层、扩散式流道层和内圈吸附层贯穿开设一个通孔，螺栓上端穿过通孔后螺纹套接固定螺母，使得螺栓穿设于通孔而将固定层、环状式流道层、扩散式流道层和内圈吸附层固定连接在一起。

流道外围的环状式流道层、扩散式流道层和外圈吸附层贯穿开设一个外圈通孔，固定螺栓穿过外圈通孔将环状式流道层、扩散式流道层和外圈吸附层固定连接在一起，多个固定螺栓沿外圈吸附层圆周周向间隔布置。

同时环状导流板通过固定螺栓固定安装于环状式流道层和扩散式流道层底面，固定螺栓上端穿过环状导流板的通孔后套装于环状式流道层和扩散式流道层的导流板固定孔，多个固定螺栓沿环状导流板圆周周向间隔布置。

所述的外圈吸附层的圆周上开设沿周向间隔均布的多个阶梯通孔，导向体浮动在外圈吸附层阶梯通孔与扩散式流道层下表面构成的导向体浮动室内，不受外力时自然贴合在导向体浮动室下表面，导向体下端伸出阶梯通孔并低于外圈吸附层下表面，以提供侧向力辅助硅片搬运。

所述的外圈吸附层的阶梯通孔上端直径大下端直径小，导向体为阶梯轴结构，并且为和外圈吸附层阶梯通孔相吻合的上端直径大下端直径小同样结构。

所述的导向体制造材料采用陶瓷。

所述的待搬运硅片尺寸为6-10英寸，可依据导向体所在位置搬运不同大小硅片

所述的流道层，采用电火花切割或激光加工获得；所述的分离式吸附层，环状导流板，固定层，采用机械加工或铸造成型获得。

所述的通入气体为氮气。

本发明通过气流均匀并高速流出环状导流板与分离式吸附层间狭小间隙，使环状导流板下方形成伯努利效应，产生负压，非接触环状吸附硅片，并以导向体侧面接触硅片辅助搬运，改善硅片吸附的受力均匀性，避免了硅片上下表面的接触性损伤，提高硅片的质量。

本发明通过伯努利效应与吸附气层实现非接触式吸附成为一种切实可行的手段。因接触层通过与硅片表面直接接触，利用摩擦力提供侧向力辅助搬运，易对硅片表面造成损伤，故改善吸附层结构实现非接触式吸附，同时在吸附区外层设计导向体，使导向体与硅片侧面接触，避免对硅片表面产生损伤的同时，提供侧向力辅助搬运，满足硅片表面低损伤、高质量的需求。

本发明的有益效果如下：

(1)本发明采用导流板结构，利用狭小间隙产生高速气流，使导流板下方产生伯努利效应与气流层，实现非接触式吸附，并通过吸附区外的可自由上下浮动的导向体与硅片侧面接触提供侧向力辅助搬运，避免对硅片表面造成接触性损伤，提高硅片表面质量。

(2)本发明将所述导流板设计成环状，产生环状吸附负压区，改善吸附时硅片的受力状况，并通过设置中心孔结构，解决环状导流板内侧气体的排放问题同时在真空吸盘中心产生一定吸附效果，减小硅片的变形损伤。

附图说明

图1是本发明环状真空吸盘的倾斜俯视立体结构图；

图2是本发明环状真空吸盘的倾斜仰视立体结构图；

图3是本发明环状真空吸盘的倾斜仰视爆炸视图；

图4是本发明环状真空吸盘的倾斜俯视爆炸视图；

图5是本发明环状真空吸盘固定层的立体结构图；

图6是本发明环状真空吸盘环状流道层的立体结构图；

图7是本发明环状真空吸盘扩散式流道层的立体结构图；

图8是本发明环状真空吸盘内圈吸附层的侧视图；

图9是本发明环状真空吸盘内圈吸附层的立体结构图；

图10是本发明环状真空吸盘环状导流板的立体结构图；

图11是本发明环状真空吸盘外圈吸附层的立体结构图；

图12是本发明环状真空吸盘外圈吸附层的剖视图；

图13是图1的A线剖视图；

图14是图13中虚线部分的局部放大图，说明了通入气体的流动过程。

图中：1、固定层，2、流道层，3、固定螺母，4、分离式吸附层，5、外圈吸附层，6、环状导流板，7、导向体，8、内圈吸附层，9、环状流道层，10、扩散式流道层，11、内圈通孔，12、孔道，13、中心孔，14、外圈通孔，15、环状流道，16、外圈流道区，17、内圈流道区，18、环状倾斜导流曲面，19、导向体浮动室，20、环状气体缓冲室；21、导流板固定孔，22、固定螺栓，23、下流通孔，24、环状狭小间隙，25、上流通孔。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施方式做进一步说明。

如图1和图2所示，具体实施的装置包括从上到下依次布置的固定层1、流道层2和分离式吸附层4。

如图5所示，固定层1周围开设有四个沿圆周间隔分布的孔道12，孔道12作为气体入口连接气源。

如图3和图4所示，流道层2包括分别上下布置的环状式流道层9与扩散式流道层10，环状式流道层9位于固定层1下方，扩散式流道层10环状式流道层9位于环状式流道层9下方。

如图6所示，环状式流道层9的底面开设有环形凹槽作为环状流道15，环状流道15上沿周向间隔开设有四个上流通孔25，四个上流通孔25分别和固定层1的四个孔道12同轴布置且连通，使得孔道12经上流通孔25连通到环状流道15。

如图6所示，扩散式流道层10的底面开设有内外两圈且直接连通的环形阶梯凹槽，环形阶梯凹槽的内圈为内圈流道区17，环形阶梯凹槽的外圈为外圈流道区16，内圈流道区17的槽深深于外圈流道区16的槽深，内圈流道区17位于环状式流道层9的环状流道15的正下方，内圈流道区17沿周向间隔开设有四个下流通孔23，四个下流通孔23和四个上流通孔25均不同轴布置且不直接连通，四个下流通孔23和四个上流通孔25在同一圆周周向错开分布，使得环状流道15经下流通孔23和内圈流道区17连通；外圈流道区16不位于环状式流道层9的环状流道15的正下方。

如图3和图4所示，分离式吸附层4包括从外圈到内圈布置的外圈吸附层5、环状导流板6和内圈吸附层8；外圈吸附层5、环状导流板6均为环状结构，内圈吸附层8为盘状结构。固定层1、环状式流道层9、扩散式流道层10、内圈吸附层8、外圈吸附层5和环状导流板6均同心布置；内圈吸附层8位于外圈吸附层5中心，内圈吸附层8和外圈吸附层5之间具有间隙，间隙中布置有环形的环状导流板6，外圈吸附层5、环状导流板6和内圈吸附层8均同心布置。

如图8和图9所示，内圈吸附层8上部设置中心圆柱凸台，中心圆柱凸台外圆周侧面和外圈吸附层5的上部内圆周侧面之间具有间隙，该间隙形成环状气体缓冲室20环状气体缓冲室20中不布置环状导流板6，；环状气体缓冲室20内径小于外圈流道区16的外径，但环状气体缓冲室20外径大于外圈流道区16的外径，使得内圈流道区17经外圈流道区16连通到环状气体缓冲室20。

如图8-图11所示，内圈吸附层8下部的外圆周侧面和外圈吸附层5下部的内圆周侧面均设置为环形锥面，内圈吸附层8和外圈吸附层5的环形锥面之间布置环状导流板6，如图10所示，且环状导流板6的内外侧圆周表面均为环形锥面，环状导流板6内外的环形锥面分别和内圈吸附层8和外圈吸附层5的环形锥面平行配合形成环状倾斜导流曲面18，使得环状导流板6内圈的环形锥面和内圈吸附层8的环形锥面之间以及环状导流板6外圈的环形锥面和外圈吸附层5的环形锥面之间均形成环锥形的内外圈的环状狭小间隙24，两处环状狭小间隙24的上端均和环状气体缓冲室20连通，下端连通到外界；这样内圈吸附层8、外圈吸附层5分别与环状导流板6形成的两个环状狭小间隙24作为环状气流出口。

环状导流板6具有内外两个环状倾斜导流曲面18，缓冲气流向下方冲击，引导气流向环状导流板6两侧流动，通过六角分布的6个固定螺母3固定在流道层2下方，形成环状气体缓冲室20。

环状导流板6内圈、外圈的环形锥面分别和内圈吸附层8、外圈吸附层5的环形锥面之间形成的内外圈的两个环状狭小间隙24，分别朝向外和朝向中心倾斜。具体实施中，内圈吸附层8的环形锥面和环状导流板6内圈的环形锥面均为向下向中心倾斜延伸的锥面，外圈吸附层5的环形锥面和环状导流板6外圈的环形锥面均为向下向外倾斜延伸的锥面，环状导流板6内圈的环形锥面。

如图13所示，固定层1、环状式流道层9、扩散式流道层10和内圈吸附层8的中心贯穿开设有中心孔13，作为环内气流出口，中心孔13贯通于上述各层的板；从内圈的环状狭小间隙24流出的气流经硅片和内圈吸附层8间的吸附间隙后流入到中心孔13，从下往上从中心孔13排出。这样使向环状导流板6内侧流经的气流通过该中心孔13穿过真空吸盘流入大气，而且能够在分离式吸附层4中心孔正下方产生一定吸附效果，降低硅片在中心处的变形。

而从外圈的环状狭小间隙24流出的气流经硅片和外圈吸附层5间的吸附间隙后侧方径向向外排出。

如图13所示，每个孔道12在靠近中心一侧侧方的固定层1、环状式流道层9、扩散式流道层10和内圈吸附层8贯穿开设一个通孔11，每个通孔11贯通于上述各层的板，螺栓上端穿过通孔11后螺纹套接固定螺母3，使得螺栓穿设于通孔11而将固定层1、环状式流道层9、扩散式流道层10和内圈吸附层8固定连接各层结构在一起。

如图13所示，流道外围的环状式流道层9、扩散式流道层10和外圈吸附层5贯穿开设一个外圈通孔14，每个外圈通孔14贯通于上述各层的板，固定螺栓22穿过外圈通孔14将环状式流道层9、扩散式流道层10和外圈吸附层5固定连接各层结构在一起，多个固定螺栓22沿外圈吸附层5圆周周向间隔布置。

同时环状导流板6通过固定螺栓22固定安装于环状式流道层9和扩散式流道层10底面，固定螺栓22上端穿过环状导流板6的通孔后套装于环状式流道层9和扩散式流道层10的导流板固定孔21，多个固定螺栓22沿环状导流板6圆周周向间隔布置。

如图11-图12所示，外圈吸附层5的圆周上开设沿周向间隔均布的多个阶梯通孔，导向体7浮动在外圈吸附层5阶梯通孔与扩散式流道层10下表面构成的导向体浮动室19内，不受外力时自然贴合在导向体浮动室19下表面，导向体7下端伸出阶梯通孔并低于外圈吸附层5下表面3.5mm，以提供侧向力辅助硅片搬运。

外圈吸附层5的阶梯通孔上端直径大下端直径小，导向体7为阶梯轴结构，并且为和外圈吸附层5阶梯通孔相吻合的上端直径大下端直径小同样结构，且导向体7上端直径大于外圈吸附层5的下端直径，使得导向体7无法从外圈吸附层5的阶梯通孔掉落脱出。

导向体浮动室19由外圈吸附层5阶梯通孔与扩散式流道层10下表面构成，为阶梯圆柱状腔室，导向体7可在导向体浮动室19中自由上下浮动以调节导向体7下端面与分离式吸附层4下端面之间的距离，最大行程为3.5mm，导向体不受竖直向上推力时，贴合在导向体浮动室19下表面，此时导向体7下端面距外圈吸附层5下端面距离最远。

如图14所示，本发明的具体实施工作过程是：

硅片布置于分离式吸附层4正下方，硅片和分离式吸附层4之间具有吸附间隙，外部气体通过气泵输入到固定层1的孔道12，从孔道12经上流通孔25流入到环状流道15，再从环状流道15经下流通孔23流入到内圈流道区17，接着从内圈流道区17经过外圈流道区16流入环状气体缓冲室20，最后从环状气体缓冲室20经两个环状狭小间隙24流入吸附间隙中，形成伯努利效应及气流层产生负压吸附硅片。

环状流道15经上流通孔25连通孔道12，使从各个孔道12进入的气流相通，气压相同，气流均匀。

扩散式流道层10通过环状连通内圈流道区17与外圈流道区16，使气流先流入内圈流道区17缓冲，再以环状扩散至外圈流道区16，实现气体的均匀分布与流动。内圈流道区17与外圈流道区16衔接使气流均匀地从内圈流道区17向四周扩散至外圈流道区16，再到环状气体缓冲室20。内圈流道区17与外圈流道区16相邻，使气体先通过大尺寸流道进入小尺寸流道时气体以环形沿径向扩散时更加均匀稳定。

通入吸盘的所有气体，从孔道12进入，经环状式流道层9，实现各气体孔道间气体交流，再通入扩散式流道层10，形成均匀环状式扩散，流入环状气体缓冲室20。

气流经环状气体缓冲室20流向环状狭小间隙24，会通过环状导流板的6导流面的导向，沿着环状狭小间隙24向环状导流板6两侧高速流出，削弱气流对硅片的冲击效果并在环状导流板正下方形成伯努利效应及气流层，产生负压吸附硅片。负压区的形状受导流板形状影响，因导流板为环状，进而形成环状负压吸附区，使被吸附硅片受力均匀变形量小。

真空吸盘垂直靠近待抓取硅片时，导向体会先于放置硅片处的平面接触，向上移动直至真空吸盘与硅片之间的距离达到预期值，进而吸附起硅片；真空吸盘吸附起硅片向上移动时，导向体受自身重力向下移动直至最低位置，此时导向体下端面低于硅片下表面，能够对硅片提供侧向力辅助搬运。

最终情况下，气体通过气体入口12进入吸盘内部，通过固定层1后进入环状流道15，再通过扩散式流道相邻的内圈流道区17与外圈流道区16均匀平稳进入环状气体缓冲室20，气体得到一定缓冲后，从分离式吸附层4与环状导流板6之间两个环状狭小间隙24高速流出，当真空吸盘吸附硅片时，真空吸盘会先靠近硅片，利用硅片放置台使导向体向浮动以至硅片上表面与分离式吸附层4之间具有合适距离，产生伯努利效应形成吸附气层，实现非接触式吸附，其中向内侧即向中心流动的气流会穿过中心孔13流入大气，且会在中心产生一定吸附效果。

由此，本发明的环状真空吸盘，通过环状流道层与扩散式流道层使通入真空吸盘的气体均匀环状扩散至气体缓冲室，并通过分离式吸附层与环状导流板的4个倾斜环状导流曲面形成两个环状狭小间隙使气体高速向两侧流出，形成环状吸附区并产生伯努利效应与吸附气层达到非接触式吸附效果，再利用可自由上下浮动的导向体侧面接触硅片，提供侧向力辅助搬运，实现了硅片的非接触式环状吸附搬运，改善硅片的受力状况，降低了硅片的变形损伤，减少吸附对硅片表面造成的损伤。

Claims (10)

1.一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：包括从上到下依次布置的固定层(1)、流道层(2)和分离式吸附层(4)；

所述的固定层(1)周围开设有四个沿圆周间隔分布的孔道(12)，孔道(12)作为气体入口连接气源；

所述的流道层(2)包括分别上下布置的环状式流道层(9)与扩散式流道层(10)；环状式流道层(9)的底面开设有环形凹槽作为环状流道(15)，环状流道(15)上沿周向间隔开设有四个上流通孔(25)，四个上流通孔(25)分别和固定层(1)的四个孔道(12)同轴布置且连通，使得孔道(12)经上流通孔(25)连通到环状流道(15)；扩散式流道层(10)的底面开设有内外两圈且直接连通的环形阶梯凹槽，环形阶梯凹槽的内圈为内圈流道区(17)，环形阶梯凹槽的外圈为外圈流道区(16)，内圈流道区(17)的槽深深于外圈流道区(16)的槽深，内圈流道区(17)位于环状式流道层(9)的环状流道(15)的正下方，内圈流道区(17)沿周向间隔开设有四个下流通孔(23)，四个下流通孔(23)和四个上流通孔(25)均不同轴布置且不直接连通，使得环状流道(15)经下流通孔(23)和内圈流道区(17)连通；

所述的分离式吸附层(4)包括从外圈到内圈布置的外圈吸附层(5)、环状导流板(6)和内圈吸附层(8)；内圈吸附层(8)位于外圈吸附层(5)中心，内圈吸附层(8)和外圈吸附层(5)之间具有间隙，间隙中布置有环状导流板(6)，外圈吸附层(5)、环状导流板(6)和内圈吸附层(8)均同心布置；内圈吸附层(8)上部设置中心圆柱凸台，中心圆柱凸台外圆周侧面和外圈吸附层(5)的上部内圆周侧面之间具有间隙，该间隙形成环状气体缓冲室(20)；环状气体缓冲室(20)内径小于外圈流道区(16)的外径，使得内圈流道区(17)经外圈流道区(16)连通到环状气体缓冲室(20)；内圈吸附层(8)下部的外圆周侧面和外圈吸附层(5)下部的内圆周侧面均设置为环形锥面，内圈吸附层(8)和外圈吸附层(5)的环形锥面之间布置环状导流板(6)，且环状导流板(6)的内外侧圆周表面均为环形锥面，环状导流板(6)内外的环形锥面分别和内圈吸附层(8)和外圈吸附层(5)的环形锥面平行配合形成环状倾斜导流曲面(18)，使得环状导流板(6)内圈的环形锥面和内圈吸附层(8)的环形锥面之间以及环状导流板(6)外圈的环形锥面和外圈吸附层(5)的环形锥面之间均形成内外圈的环状狭小间隙(24)，两处环状狭小间隙(24)的上端均和环状气体缓冲室(20)连通，下端连通到外界。

2.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：所述的环状导流板(6)内圈、外圈的环形锥面分别和内圈吸附层(8)、外圈吸附层(5)的环形锥面之间形成的内外圈的两个环状狭小间隙(24)，分别朝向外和朝向中心倾斜。

3.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：硅片布置于分离式吸附层(4)正下方，硅片和分离式吸附层(4)之间具有吸附间隙，外部气体通过气泵输入到固定层(1)的孔道(12)，从孔道(12)经上流通孔(25)流入到环状流道(15)，再从环状流道(15)经下流通孔(23)流入到内圈流道区(17)，接着从内圈流道区(17)经过外圈流道区(16)流入环状气体缓冲室(20)，最后从环状气体缓冲室(20)经两个环状狭小间隙(24)流入吸附间隙中，形成伯努利效应及气流层产生负压吸附硅片。

4.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：所述的固定层(1)、环状式流道层(9)、扩散式流道层(10)和内圈吸附层(8)的中心贯穿开设有中心孔(13)，作为环内气流出口；从内圈的环状狭小间隙(24)流出的气流经硅片和内圈吸附层(8)间的吸附间隙后流入到中心孔(13)，从下往上从中心孔(13)排出。

5.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：每个孔道(12)在靠近中心一侧侧方的固定层(1)、环状式流道层(9)、扩散式流道层(10)和内圈吸附层(8)贯穿开设一个通孔(11)，螺栓上端穿过通孔(11)后螺纹套接固定螺母(3)，使得螺栓穿设于通孔(11)而将固定层(1)、环状式流道层(9)、扩散式流道层(10)和内圈吸附层(8)固定连接在一起。

6.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：流道外围的环状式流道层(9)、扩散式流道层(10)和外圈吸附层(5)贯穿开设一个外圈通孔(14)，固定螺栓(22)穿过外圈通孔(14)将环状式流道层(9)、扩散式流道层(10)和外圈吸附层(5)固定连接在一起，多个固定螺栓(22)沿外圈吸附层(5)圆周周向间隔布置。

7.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：同时环状导流板(6)通过固定螺栓(22)固定安装于环状式流道层(9)和扩散式流道层(10)底面，固定螺栓(22)上端穿过环状导流板(6)的通孔后套装于环状式流道层(9)和扩散式流道层(10)的导流板固定孔(21)，多个固定螺栓(22)沿环状导流板(6)圆周周向间隔布置。

8.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：所述的外圈吸附层(5)的圆周上开设沿周向间隔均布的多个阶梯通孔，导向体(7)浮动在外圈吸附层(5)阶梯通孔与扩散式流道层(10)下表面构成的导向体浮动室(19)内，不受外力时自然贴合在导向体浮动室(19)下表面，导向体(7)下端伸出阶梯通孔并低于外圈吸附层(5)下表面，以提供侧向力辅助硅片搬运。

9.根据权利要求8所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：所述的外圈吸附层(5)的阶梯通孔上端直径大下端直径小，导向体(7)为阶梯轴结构，并且为和外圈吸附层(5)阶梯通孔相吻合的上端直径大下端直径小同样结构。

10.根据权利要求1所述的一种非接触式硅片搬运的环状真空吸盘，其特征在于：所述的导向体(7)制造材料采用陶瓷。

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