CN111147071A - 一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器 - Google Patents

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    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop

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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,属于光通信领域、比例‑‑积分通路分离的时钟数据恢复电路。为了解决时钟抖动性能和锁定时间难以兼顾的问题,在比例‑积分通路分离的电路结构中,通过设置比例通路增益调节装置,实现了比例通路增益的可调节。当VCO频率偏离中心频率较大时,使VCO能够以较大的幅度进行频率调节,保证环路能够在消耗较短时间的情况下锁定;当VCO频率偏离中心频率较小或环路接近锁定时,使VCO能够以较小的幅度进行频率调节,有效降低了恢复时钟的抖动。

Description

一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器
技术领域
本发明属于光通信技术领域,同时属于电路设计和数据传输技术领域,涉及用于光通信中的比例-积分通路分离的时钟数据恢复电路(clock and data recoverycircuit,CDR),为一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器。
背景技术
CDR广泛用于计算机和光通信领域。CDR主要用于时钟与数据的同步,从携带噪声的数据中提取出时钟信息,对数据进行重定时,恢复出高质量的时钟和数据。如图1为传统比例—积分通路分离CDR的结构示意图。
图2为压控振荡器(Voltage-controlled oscillator,VCO)的原理图。该电路包含电感L、压控电容C1-C6,2个PMOS管和1个NMOS管。积分通路可根据电荷泵的电流输出,通过积分电容转化为VCO的控制电压,控制VCO频率小范围、精确地变化。图中Vc即为VCO的控制电压接口,控制电容C1、C2;比例通路可根据时钟和数据相位关系的超前、滞后,通过逻辑高、低电平快速地对VCO频率进行调整。由于频率的超前、滞后、保持三种逻辑无法与VCO的频率输出相对应,因此必须加入了如图3所示的转换装置,使逻辑与频率输出一一对应:当超前/滞后的判决结果均为逻辑“1”或“0”时,两个控制字中有一个为“1”,VCO频率不变;当时钟相位超前于数据时,两个控制字均为逻辑“0”,VCO频率下降;当时钟相位滞后于数据时,两个控制字均为逻辑“1”,VCO频率上升。V_bb0、V_bb1为转换装置输出的逻辑控制电平,控制压控电容C3—C6
恢复时钟的抖动大小以及环路的锁定时间是决定一款CDR性能优劣的重要指标。若要缩短环路的锁定时间,可以设计较大的C3—C6电容值,但其抖动性能则会大幅下降;若要恢复出低抖动的时钟,可以设计较小的C3—C6电容值,但环路会耗费较长的时间才能锁定。时钟抖动性能和锁定时间难以兼顾的问题十分突出。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点,解决时钟抖动性能和锁定时间难以兼顾的问题,改进VCO的组成,在比例-积分通路分离的电路结构基础上,本发明提供了一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,使得环路能够在快速锁定的前提下低抖动。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,所述时钟数据恢复电路包括压控振荡器、比例通路、积分通路、转换装置以及电荷泵,其中压控振荡器包含六个压控电容C1-C6;比例通路根据时钟和数据相位关系的超前、滞后,通过逻辑高低电平控制由压控电容C3、C4、C5、C6组成的小电容阵列,对压控振荡器频率进行调整;积分通路根据电荷泵的电流输出,通过积分电容转化为压控振荡器的控制电压,控制压控电容C1、C2,进而控制压控振荡器频率精确变化;所述转换装置设置在比例通路与所述小电容阵列之间,向所述小电容阵列输出逻辑控制电平V_bb0、V_bb1,以使超前、滞后、保持三种逻辑与压控振荡器的频率输出一一对应;
其特征在于,在压控振荡器增加由压控电容C7、C8、C9、C10组成的大电容阵列,压控电容C7、C8、C9、C10的连接关系与压控电容C7、C8、C9、C10的连接关系完全相同,且压控电容C7、C8、C9、C10的电容值大于压控电容C7、C8、C9、C10电容值,在转换装置的输出端设置锁定检测装置,锁定检测装置包括频差检测装置,频差检测装置根据两个输入时钟的频差大小产生不同的输出信号Vcont,Vcont分别与V_bb0、V_bb1通过与逻辑得到控制大电容阵列的逻辑控制电平V_bb0*、V_bb1*。
所述转换装置中,当超前/滞后的判决结果均为逻辑“1”或“0”时,两个控制字中有一个为1,VCO频率不变;当时钟相位超前于数据时,两个控制字均为逻辑“0”,VCO频率下降;当时钟相位滞后于数据时,两个控制字均为逻辑“1”,VCO频率上升。
所述压控电容压控电容C1、C2的电容值相等,C3、C4、C5、C6的电容值相等,压控电容C7、C8、C9、C10的电容值相等。
所述频差检测装置包括两个D触发器,所述两个输入时钟为clk_ref和clk_div,其中,clk_ref是VCO中心频率的1/4,clk_div是恢复出的时钟经过4分频后的时钟信号,一个D触发器的D端接clk_div,clk端clk_ref,另一个D触发器的D端接clk_ref,clk端clk_div,最终根据clk_ref和clk_div的频差大小产生不同的输出信号Vcont。
当两个输入时钟信号的频差大于30MHz时,其输出Vcont为高电平;当两个输入的时钟信号频差小于30MHz或仅存在相位差时,其输出Vcont为低电平。
当Vcont为高电平时,V_bb0*、V_bb1*与V_bb0、V_bb1保持相同的逻辑状态,大小电容阵列同时接入环路;当Vcont为低电平时,V_bb0*、V_bb1*总处于低电平,仅有小电容阵列接入环路。
与现有技术相比,本发明实现了比例通路增益的可调节,使得环路能够在低抖动的情况下快速锁定。
附图说明
图1是传统CDR的结构示意图。
图2是压控振荡器的原理图。
图3是转换装置的原理图。
图4是本设计中CDR的结构示意图。
图5是比例通路增益调节装置的原理图。
图6是频差检测装置在输入时钟频差情况不同时输出的控制信号,其中:(a)有频差;(b)无频差。
图7是未使用比例通路增益调节装置时的电路仿真结果,其中:(a)低抖动;(b)快速锁定。
图8是使用比例通路增益调节装置后的电路仿真结果。
图9是环路锁定过程中比例通路增益调节装置的输出变化。
具体实施方式
下面结合附图,对优选实施例作详细说明。应该强调的是,下述说明仅仅是示例性的,而不是为了限制本发明的范围及其应用。
图4为本发明中CDR的整体结构示意图,在图1基础上,改进后的VCO又加入了一组压控电容C7—C10(其中C7=C8=C9=C10),其电容值大于C3—C6(其中C3=C4=C5=C6),使VCO在偏离自身中心频率较大时,能够以较大的幅度调节自身频率,使得环路能以较快的速度锁定。
图5为比例通路增益调节装置的原理图。部分1为频差检测装置,clk_ref是VCO中心频率的1/4(本发明中设置为1.75GHz,占空比为50%的方波信号),clk_div是恢复出的时钟经过4分频后的时钟信号,二者分别与两个D触发器的D端、clk端相连,最终能够根据clk_ref和clk_div的频差大小产生不同的输出信号Vcont。当两个输入的时钟信号频差大于30MHz时,其输出为高电平;当两个输入的时钟信号频差小于30MHz或仅存在相位差时,其输出为低电平。部分2则实现了对VCO中大电容阵列C7—C10的逻辑控制。Vcont分别与V_bb0、V_bb1通过“与”逻辑得到输出V_bb0*、V_bb1*以控制大电容阵列。当Vcont为高电平时,V_bb0*、V_bb1*与V_bb0、V_bb1保持相同的逻辑状态,大小电容阵列同时接入环路;当Vcont为低电平时,V_bb0*、V_bb1*总处于低电平,仅有小电容阵列接入环路。不同大小的电容阵列对应不同的比例通路增益。通过该装置的应用,最终达到比例通路增益的可调节。
电路中压控电容C1~C10设计如表1,可供参考:
表1压控电容电压与电容的关系
Figure BDA0002350729080000041
Figure BDA0002350729080000051
注:VCO中压控电容的关系为C1=C2,C3=C4=C5=C6,C7=C8=C9=C10。电感L=645.048pH,品质因数Q=25.0325。
现模拟输入时钟CLK1和CLK2之间有无频差两种情况对频差检测装置进行仿真,结果如图6所示。如图6(a)所示,当CLK1和CLK2之间没有频率差存在,频率均为1GHz时,Vcont输出为低电平;如图6(b)所示,当CLK1和CLK2之间存在频率差,令CLK1频率为1GHz,CLK2频率为1.5GHz时,Vcont输出为高电平。
图7是未使用比例通路增益调节装置时环路的仿真情况。在图2所示的VCO中,对电容值C3—C6设计了两种不同大小的方案(a)、(b),分别进行仿真,设计数值如表2。
表2不同方案的C3~C6
Figure BDA0002350729080000052
方案(a)设计的电容值较小,比例通路处于低增益状态,恢复出的数据抖动峰峰值为2.463ps,环路锁定时间约600ns;方案(b)设计的电容值较大,比例通路处于高增益状态,恢复出的数据抖动峰峰值为4.223ps,环路锁定时间约400ns。以上仿真结果说明,比例通路增益较小时,能够保证恢复出的时钟抖动较小,但是环路锁定时间较长;比例通路增益较大时,能够保证环路锁定时间较短,但是恢复出的时钟抖动较大。
图8是使用比例通路增益调节装置后环路的仿真情况,即在已有电容C3—C6的基础上加入电容C7—C10,本发明的表1已对其电容的参考值进行了列举。不同大小的两组电容为环路提供了两种不同的比例通路增益,而调节装置正起到了模式切换的作用。仿真结果:恢复出的数据抖动峰峰值为2.514ps,环路锁定时间约600ns,兼顾了快速锁定和低抖动的优势。
图9是环路锁定过程中比例通路增益调节装置的输出变化。在环路锁定之前,其输出常处于高电平状态,以确保两组电容同时工作,使环路工作在高增益模式,电路能够快速锁定;当接近锁定以及锁定之后,其输出为低电平,只有较小的电容C3—C6在工作,使环路工作在低增益模式,减小了恢复时钟的抖动。
综上,本发明在比例-积分通路分离的电路结构中,设计了比例通路增益调节装置,实现了比例通路增益的可调节。当VCO频率偏离中心频率较大时,使VCO能够以较大的幅度进行频率调节,保证环路能够在消耗较短时间的情况下锁定;当VCO频率偏离中心频率较小或环路接近锁定时,使VCO能够以较小的幅度进行频率调节,有效降低了恢复时钟的抖动。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,所述时钟数据恢复电路包括压控振荡器、比例通路、积分通路、转换装置以及电荷泵,其中压控振荡器包含六个压控电容C1-C6;比例通路根据时钟和数据相位关系的超前、滞后,通过逻辑高低电平控制由压控电容C3、C4、C5、C6组成的小电容阵列,对压控振荡器频率进行调整;积分通路根据电荷泵的电流输出,通过积分电容转化为压控振荡器的控制电压,控制压控电容C1、C2,进而控制压控振荡器频率精确变化;所述转换装置设置在比例通路与所述小电容阵列之间,向所述小电容阵列输出逻辑控制电平V_bb0、V_bb1,以使超前、滞后、保持三种逻辑与压控振荡器的频率输出一一对应;
其特征在于,在压控振荡器增加由压控电容C7、C8、C9、C10组成的大电容阵列,压控电容C7、C8、C9、C10的连接关系与压控电容C7、C8、C9、C10的连接关系完全相同,且压控电容C7、C8、C9、C10的电容值大于压控电容C7、C8、C9、C10电容值,在转换装置的输出端设置锁定检测装置,锁定检测装置包括频差检测装置,频差检测装置根据两个输入时钟的频差大小产生不同的输出信号Vcont,Vcont分别与V_bb0、V_bb1通过与逻辑得到控制大电容阵列的逻辑控制电平V_bb0*、V_bb1*。
2.根据权利要求1所述应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,其特征在于,所述转换装置中,当超前/滞后的判决结果均为逻辑“1”或“0”时,两个控制字中有一个为1,VCO频率不变;当时钟相位超前于数据时,两个控制字均为逻辑“0”,VCO频率下降;当时钟相位滞后于数据时,两个控制字均为逻辑“1”,VCO频率上升。
3.根据权利要求1所述应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,其特征在于,所述压控电容压控电容C1、C2的电容值相等,C3、C4、C5、C6的电容值相等,压控电容C7、C8、C9、C10的电容值相等。
4.根据权利要求1所述应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,其特征在于,所述频差检测装置包括两个D触发器,所述两个输入时钟为clk_ref和clk_div,其中,clk_ref是VCO中心频率的1/4,clk_div是恢复出的时钟经过4分频后的时钟信号,一个D触发器的D端接clk_div,clk端clk_ref,另一个D触发器的D端接clk_ref,clk端clk_div,最终根据clk_ref和clk_div的频差大小产生不同的输出信号Vcont。
5.根据权利要求4所述应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,其特征在于,当两个输入时钟信号的频差大于30MHz时,其输出Vcont为高电平;当两个输入的时钟信号频差小于30MHz或仅存在相位差时,其输出Vcont为低电平。
6.根据权利要求1或4或5所述应用于时钟数据恢复电路的比例通路增益调节器,其特征在于,当Vcont为高电平时,V_bb0*、V_bb1*与V_bb0、V_bb1保持相同的逻辑状态,大小电容阵列同时接入环路;当Vcont为低电平时,V_bb0*、V_bb1*总处于低电平,仅有小电容阵列接入环路。
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