CN111139459A - 阵列基板的制备方法、显示面板及显示器 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了阵列基板的制备方法、显示面板及显示器，该制备方法包括：接收玻璃，制程室内的承载棒将玻璃撑起；下电极以第一速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第二速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第三速度向玻璃靠近并加热玻璃，其中，第三速度大于第二速度；对玻璃进行后加工得到阵列基板。本申请的制备方法能够提高阵列基板的生产效率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及阵列基板的制备方法、显示面板及显示器。
背景技术
化学气相沉积设备能够提供密闭且恒温的环境来进行化学气相沉积，化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法。
阵列基板在制造镀膜的过程中需要通过化学气相沉积设备来完成，但是目前化学气相沉积设备的生产效率比较低，严重影响到阵列基板的正常生产。
因此，有必要提供一种阵列基板的制备方法，以解决阵列基板的生产效率低的问题。
发明内容
本申请提供了阵列基板的制备方法、显示面板及显示器，以解决现有技术中阵列基板生产效率低的问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，该阵列基板的制备方法包括：接收玻璃，制程室内的承载棒将玻璃撑起；下电极以第一速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第二速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第三速度向玻璃靠近并加热玻璃，其中，第三速度大于第二速度；对玻璃进行后加工得到阵列基板。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括依次层叠设置的上偏光片、阵列基板和下偏光片，阵列基板通过上述的制备方法制造而成。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，该显示器包括依次层叠设置的金属面框、上偏光片、阵列基板、下偏光片和背光模组，阵列基板通过上述的制备方法制造而成。
本申请的有益效果为：下电极以第二速度和第三速度运动，以对玻璃进行加热为目的。其中，第三速度大于第二速度，即下电极处于加速朝向玻璃移动的状态，在相同的时间下，这样设置下电极可以更加快速地靠近玻璃，以对玻璃进行更多地加热，从而加快使玻璃的温度与制程室内的温度持平。另外，在相同的距离下，这样设置可以使下电极更早地接近玻璃，以在玻璃上进行镀膜。从这两点可以得出，下电极的第三速度大于第二速度，玻璃在制程室内进行化学气相沉积的时间将得到缩减，从而提高了阵列基板的生产效率。
附图说明
图1是本申请提供的化学气相沉积设备的一实施例的截面示意图；
图2是本申请提供的阵列基板的制备方法的一实施例的流程示意图；
图3是本申请提供的阵列基板的制备方法的另一实施例的流程示意图；
图4是本申请提供的子阵列基板的一实施例的结构示意图；
图5是本申请提供的阵列基板的制备方法的一实施例的流程示意图；
图6是本申请提供的显示面板的一实施例的结构示意图；
图7是本申请提供的显示器的一实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1，图1是本申请提供的化学气相沉积设备10的一实施例的截面示意图。
本申请化学气相沉积设备10可以包括壳体11、承载棒12、上电极13和下电极14，壳体11的内部形成有恒温、无尘的制程室15，承载棒12、上电极13和下电极14设置在制程室15内，承载棒12用于支撑玻璃21，承载棒12设置在上电极13和下电极14之间，上电极13和下电极14用于给玻璃21进行化学气相沉积，以在玻璃21的表面上镀膜，另外，下电极14还用于对玻璃21进行加热，以使玻璃21的温度与制程室15内的温度相同。制程室15内的温度可以是340摄氏度至360摄氏度之间的任一值。
化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法。
请参阅图1和图2，图2是本申请提供的阵列基板20的制备方法的一实施例的流程示意图。
本实施例在制程室15内对玻璃21进行化学气相沉积的制备方法如下所述。
S101：接收玻璃21，制程室15内的承载棒12将玻璃21撑起。
从化学气相沉积设备10外将玻璃21放置至制程室15内的承载棒12上，此时玻璃21的温度远低于制程室15的温度。
S102：下电极14以第一速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
下电极14内的电热丝电性导通产生热量，并且下电极14以第一速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
下电极14以第一速度运动，以启动下电极14开始运动为目的，第一速度为下电极14的初始运动速度。
S103：下电极14继续以第二速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
在下电极14以第一速度运动一定距离后，下电极14继续以第二速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
S104：下电极14继续以第三速度向玻璃21靠近并加热玻璃21，其中，第三速度大于第二速度。
在下电极14以第二速度运动一定距离后，下电极14继续以第三速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热，其中，第三速度大于第二速度。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
S105：对玻璃21进行后加工得到阵列基板20。
在对玻璃21进行加热，玻璃21的温度与制程室15内的温度持平或者大约相等时，上电极13和下电极14通电，以第一电极和第二电机之间形成电场，从而在玻璃21表面上进行化学气相沉积，使玻璃21的表面形成各种膜层，进而得到阵列基板20。
下电极14以第二速度和第三速度运动，以对玻璃21进行加热为目的。其中，第三速度大于第二速度，即下电极14处于加速朝向玻璃21移动的状态，在相同的时间下，这样设置下电极14可以更加快速地靠近玻璃21，以对玻璃21进行更多地加热，从而加快使玻璃21的温度与制程室15内的温度持平。另外，在相同的距离下，这样设置可以使下电极14更早地接近玻璃21，以在玻璃21上进行镀膜。从这两点可以得出，下电极14的第三速度大于第二速度，玻璃21在制程室15内进行化学气相沉积的时间将得到缩减，从而提高了阵列基板的生产效率。
请参阅图1、图3和图4，图3是本申请提供的阵列基板20的制备方法的另一实施例的流程示意图，图4是本申请提供的子阵列基板20的一实施例的结构示意图。
本实施例在制程室15内对玻璃21进行化学气相沉积的制备方法如下所述。
S201：接收玻璃21，制程室15内的承载棒12将玻璃21撑起。
从化学气相沉积设备10外将玻璃21放置至制程室15内的承载棒12上，此时玻璃21的温度远低于制程室15的温度。
S202：下电极14以第一速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
下电极14内的电热丝电性导通产生热量，并且下电极14以第一速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
下电极14以第一速度运动，以启动下电极14开始运动为目的，第一速度为下电极14的初始运动速度。
S203：下电极14继续以第二速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
在下电极14以第一速度运动一定距离后，下电极14继续以第二速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
第二速度可以为40m/s至60m/s中任一值，例如，40m/s、45m/s、50m/s、60m/s等。
S204：下电极14继续以第三速度向玻璃21靠近并加热玻璃21，其中，第三速度大于第二速度。
在下电极14以第二速度运动一定距离后，下电极14继续以第三速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热，其中，第三速度大于第二速度。
第三速度可以为240m/s至260m/s中任一值，例如，240m/s、245m/s、250m/s、260m/s等。
下电极14以第二速度和第三速度运动，以对玻璃21进行加热为目的。其中，第三速度大于第二速度，即下电极14处于加速朝向玻璃21移动的状态，在相同的时间下，这样设置下电极14可以更加快速地靠近玻璃21，以对玻璃21进行更多地加热，从而加快使玻璃21的温度与制程室15内的温度持平。另外，在相同的距离下，这样设置可以使下电极14更早地接近玻璃21，以在玻璃21上进行镀膜。从这两点可以得出，下电极14的第三速度大于第二速度，玻璃21在制程室15内进行化学气相沉积的时间将得到缩减，从而提高了阵列基板的生产效率。
在一可选地实施例下，在预设时间下，下电极14继续以第二速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。预设时间可以为10s至20s之间的任一数值，例如，10s、11s、13s、14s、15s、16s、20s等。
第二速度在预设时间下运动，在下电极14与玻璃21的距离为一定的前提下，控制了下电极14以第二速度运行的时间，从而确保了下电极14以第三速度运行的时间。
S205：下电极14运动至玻璃21处，并支撑玻璃21。
下电极14在以第三速度运动一段时间后减速朝向玻璃21运动，直至支撑玻璃21。可以理解地，在另一实施例中，下电极14也可以运行与玻璃21保持一定距离停止运动。
S206：在玻璃21上镀防污膜22。
在下电极14停止运动且玻璃21的温度与制程室15内的温度持平或者大约相等后，上电极13和下电极14通电，以第一电极和第二电机之间形成电场，从而在玻璃21表面上进行化学气相沉积。
首先在玻璃21上镀防污膜22，以防止玻璃21上沉淀水、粉尘等。
S207：在防污膜22上镀半导体层23。
然后在防污膜22上镀半导体层23，半导体层23用于导电，从而在玻璃21上形成电极。
为了使本技术领域人员对此有更加清晰的认识，以下将以具体几个步骤进行讲解说明。
1：在防污膜22上电镀初始的半导体层23；2：在初始的半导体层23上涂布光阻层，再进行烘烤；3：通过曝光的方式将掩模版上的电路图图案，投影到光阻层上；4：将显影液喷淋到曝光后的玻璃21上，显影液会将被光照射发生反应的光阻层溶解掉，留下未被光照射的部分；5：将蚀刻液喷淋到显影后的玻璃21表面，蚀刻液会将未被光阻层覆盖的半导体层23蚀刻掉，留下被光阻层覆盖保护的部分；6：将脱膜液喷淋到蚀刻后的产品表面，脱膜液会将未被光照射的光阻层溶解掉，留下被保护的半导体层23，从而在玻璃21上面镀上最终的半导体层23。
S208：在半导体层23上镀绝缘保护层24，以得到阵列基板20。
在半导体层23上镀绝缘保护层24，得到子阵列基板20，两个子阵列基板20夹设液晶以得到阵列基板20。当然，对于彩色阵列基板20，两个子阵列基板20中的一个还要设置彩色层。
半导体层23上设置的绝缘保护层24用于防止半导体层23在通电时发生漏电，而导致电压不稳。
请参阅图1和图5，图5是本申请提供的阵列基板20的制备方法的一实施例的流程示意图。
本实施例在制程室15内对玻璃21进行化学气相沉积的制备方法如下所述。
S301：接收玻璃21，制程室15内的承载棒12将玻璃21撑起。
从化学气相沉积设备10外将玻璃21放置至制程室15内的承载棒12上，此时玻璃21的温度远低于制程室15的温度。
S302：下电极14以第一速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
下电极14内的电热丝电性导通产生热量，并且下电极14以第一速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
下电极14以第一速度运动，以启动下电极14开始运动为目的，第一速度为下电极14的初始运动速度。
S303：下电极14继续以第二速度向玻璃21靠近并加热玻璃21。
在下电极14以第一速度运动一定距离后，下电极14继续以第二速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热。
S304：下电极14继续以第三速度向玻璃21靠近并加热玻璃21，其中，第三速度大于第二速度。
在下电极14以第二速度运动一定距离后，下电极14继续以第三速度向玻璃21靠拢，并对玻璃21进行加热，其中，第三速度大于第二速度。
S305：对玻璃21进行后加工得到阵列基板20。
在对玻璃21进行加热，玻璃21的温度与制程室15内的温度持平或者大约相等时，上电极13和下电极14通电，以第一电极和第二电机之间形成电场，从而在玻璃21表面上进行化学气相沉积，使玻璃21的表面形成各种膜层，进而得到阵列基板20。
下电极14以第二速度和第三速度运动，以对玻璃21进行加热为目的。其中，第三速度大于第二速度，即下电极14处于加速朝向玻璃21移动的状态，在相同的时间下，这样设置下电极14可以更加快速地靠近玻璃21，以对玻璃21进行更多地加热，从而加快使玻璃21的温度与制程室15内的温度持平。另外，在相同的距离下，这样设置可以使下电极14更早地接近玻璃21，以在玻璃21上进行镀膜。从这两点可以得出，下电极14的第三速度大于第二速度，玻璃21在制程室15内进行化学气相沉积的时间将得到缩减，从而提高了阵列基板的生产效率。
S306：检测阵列基板20的断面倾斜角度。
经过步骤S301至S305后得到阵列基板20，在得到阵列基板20后，需要对阵列基板20的断面倾斜度进行检测，阵列基板20的断面倾斜度与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系，因此通过对阵列基板20的断面倾斜度检测就能判断出生产出来的阵列基板20是否达标。
当阵列基板20的断面倾斜度达到要求后，就可以通过步骤S301至S305以设定的第一速度、第二速度、第三速度去生产阵列基板20。
当阵列基板20的断面倾斜度没有达到要求后，调整第二速度和第三速度，重新运行步骤S301至S306，直至阵列基板20的断面倾斜角度达到要求。
请参阅图6，图6是本申请提供的显示面板30的一实施例的结构示意图。
本申请的显示面板30包括阵列基板20、上偏光片31和下偏光片32。阵列基板20通过上述实施例的制备方法制造而成。阵列基板20包括彩色基板和薄膜晶体管基板(ThinFilm Transistor，TFT)。上偏光片31、彩色基板、薄膜晶体管基板、下偏光片32依次层叠设置。
请参阅图7，图7是本申请提供的显示器的一实施例的结构示意图。
本申请的显示器40包括依次层叠设置的金属面框41、上偏光片31、阵列基板20、下偏光片32和背光模组42，背光模组42用于提供光线，阵列基板20通过上述实施例的制备方法制造而成。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
接收玻璃，制程室内的承载棒将所述玻璃撑起；
下电极以第一速度向所述玻璃靠近并加热所述玻璃；
所述下电极继续以第二速度向所述玻璃靠近并加热所述玻璃；
所述下电极继续以第三速度向所述玻璃靠近并加热所述玻璃，其中所述第三速度大于所述第二速度；
对所述玻璃进行后加工得到所述阵列基板。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述玻璃进行后加工得到所述阵列基板的步骤，包括：
清洗所述玻璃；
在所述玻璃上镀防污膜；
在所述防污膜上镀半导体层；
在所述半导体层上镀绝缘保护层，以得到所述阵列基板。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述玻璃进行后加工得到所述阵列基板的步骤之前，包括：所述下电极运动至所述玻璃处，并支撑所述玻璃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二速度为40m/s至60m/s中任一数值，所述第三速度为240m/s至260m/s中任一数值。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述玻璃进行后加工得到所述阵列基板的步骤之后，包括：检测所述阵列基板的断面倾斜角度。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述下电极继续以第二速度向所述玻璃靠近并加热所述玻璃的步骤，包括：在预设时间下，所述下电极继续以第二速度向所述玻璃靠近并加热所述玻璃。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述预设时间为10s至20s之间的任一数值。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述预设时间为14s、15s或者16s。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括依次层叠设置的上偏光片、阵列基板和下偏光片，所述阵列基板通过权利要求1至8任一项所述的制备方法制造而成。
10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括依次层叠设置的金属面框、上偏光片、阵列基板、下偏光片和背光模组，所述阵列基板通过权利要求1至8任一项所述的制备方法制造而成。
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| CN104698525A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-06-10 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种偏光片、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 |
| CN104977764A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-10-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、液晶显示器 |
| CN107706206A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-02-16 | 睿力集成电路有限公司 | 电容器阵列及其形成方法、半导体器件 |
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