CN111133126A - 能够稳定放电的溅射靶 - Google Patents

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Abstract

提供一种强磁性材料溅射靶，在磁控溅射装置能够获得稳定的放电，并且溅射时的颗粒产生少，提高了漏磁通。溅射靶具备由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)、以及填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)，构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)以及复合相(B)的合计面积的面积比率为20～65％。

Description

能够稳定放电的溅射靶
技术领域
本发明涉及磁记录介质的磁性薄膜尤其是采用了垂直磁记录方式的硬盘的磁记录层的成膜中所使用的强磁性材料溅射靶，涉及漏磁通大并且在磁控溅射装置进行溅射时能得到稳定的放电的、产生颗粒少的非金属无机材料粒子分散型强磁性材料溅射靶。
另外，在以下的说明中，有时将“溅射靶”简写为“靶”，但是实质上意思相同。慎重起见附带说一下。
背景技术
在以硬盘驱动器为代表的磁记录的领域中，作为承担记录的磁性薄膜的材料，使用了以作为强磁性金属的Co、Fe或Ni为基础的材料。例如，在采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中，使用了以Co为主成分的Co-Cr系、Co-Cr-Pt系的强磁性合金。此外，在采用近年来被实用化了的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，大多使用了使氧化物、碳等非磁性粒子分散于以Co为主成分的Co-Cr-Pt系的强磁性合金的复合材料。基于生产性的观点，大多利用以上述材料为成分的溅射靶通过溅射法来制作磁性薄膜。所谓溅射法，是使成为正电极的基板和成为负电极的靶对置在惰性气体气氛下在该基板与靶间施加高电压来产生电场的方法。
此时，惰性气体电离，形成由电子和阳离子构成的等离子体，若该等离子体中的阳离子碰撞靶(负电极)的表面则构成靶的原子被激发出，而该飞出的原子附着到对置的基板表面形成膜。通过这样的一系列的动作，从而利用了在基板上成膜构成靶的材料的原理。
对于溅射装置，存在各种方式的溅射装置，但是在上述磁记录膜的成膜中，基于生产性的高度，广泛使用了具备DC电源的磁控溅射装置。
磁控溅射是在靶的背侧配置永磁铁，通过其磁场限制由溅射产生的2次电子从而高效地进行溅射的方法。但是，对于垂直磁记录用靶这样的强磁靶，磁场穿过靶内部，漏磁通变小，所以溅射的效率变差。因此，需要提高靶的漏磁通。与此同时，伴随近年来硬盘驱动器的记录密度的提高，磁头的浮动量变小，所以作为磁记录介质而允许的颗粒的大小、个数的限制变严，低颗粒化也变得重要。
例如，提出了如下方法：利用行星运动型混合器将Co球形粉末与混合了Co粉末、Cr粉末、TiO2粉末和SiO2粉末而得到的混合粉末进行混合，通过热压使该混合粉成形，得到磁记录介质用溅射靶(专利文献1)。
该情况下的靶组织，可以看到如下情况：在非金属无机材料粒子均匀分散的金属质地的相(A)中，具有透磁率比周围组织高的球形的金属相(B)(专利文献1的图1)。这种组织具有后述的问题，因而不能说是合适的磁记录介质用溅射靶。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/089760号
发明内容
发明要解决的课题
如前所述，若要用磁控溅射装置溅射强磁性材料溅射靶，则来自磁铁的磁通大多穿过作为强磁体的靶内部，所以产生如下较大的问题：漏磁通变小，在溅射时不进行放电，或者即使进行放电，放电也不稳定。
要解决该问题，可以考虑如下方法：通过加入Co粗粒来制作透磁率高的部分(Co粗粒部)和低的部分(氧化物分散部)，使整体透磁率下降，提高漏磁通。但是，由Co粗粒部和氧化物分散部会形成组分差，所以在烧结工序中在Co粗粒部和氧化物分散部会引起金属扩散，伴随于此会产生引起氧化物凝集的问题。这成为颗粒数增加的原因。此外，这种方法在Cr少、加入了Pt的组分等的情况下难以得到效果。
因此，本发明基于上述见解，课题在于提供一种在磁控溅射装置可以获得稳定的放电、并且溅射时的颗粒产生少、提高了漏磁通的强磁性材料溅射靶。
用于解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题经过深入研究，发现了通过着眼于控制氧化物的浓度分散从而使透磁率不均匀，提高靶整体的漏磁通的方法，而不是如Co粗粒部和氧化物分散部那样设置金属的组分差的方法。而且，发现了能够获得如下效果：通过尽可能地使靶内的Co浓度均匀，从而抑制扩散，进而减少氧化物的凝集。
因此，本申请发明如以下那样来确定。
(1)一种溅射靶，具备：
由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)；以及
填埋该多个金属粒子间的隙间的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)，
构成所述多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成所述复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，
所述多个金属粒子(A)相对于所述多个金属粒子(A)以及所述复合相(B)的合计面积的面积比率为20～65％。
(2)根据(1)所述的溅射靶，其中，观察所述多个金属粒子(A)的一面中的、所述多个金属粒子(A)的粒径为20μm以上并且该粒径的平均为20～250μm。
(3)根据(1)或(2)所述的溅射靶，其中，所述多个金属粒子(A)以及所述复合相(B)都含有Co合金，该Co合金含有从由Cr、Pt、Ru以及B构成的组中选择的一种以上的合金元素。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的溅射靶，其中，所述复合相(B)的所述金属氧化物的面积比率为40～70％。
发明效果
通过使用本发明所涉及的强磁性材料溅射靶进行溅射，能够使得在溅射时获得稳定的放电且溅射时的颗粒产生少，并能够提高漏磁通。
附图说明
图1是示出多个金属粒子(A)以及复合相(B)的图。
图2是各实施例以及比较例的各自的剖面组织的激光显微镜照片。
图3是各实施例以及比较例的各自的剖面组织的激光显微镜照片。
图4是示出了构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度、构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度的测量方法的图。
图5是示出了多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)及复合相(B)的合计面积的面积比率的测量方法的图。
图6是示出了复合相(B)中的金属氧化物的面积比率的测量方法的图。
具体实施方式
本发明的强磁性材料溅射靶具备由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)、以及填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)。在由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)与复合相(B)中，由于金属氧化物的浓度差而在透磁率方面存在差异，因此作为靶整体能够提高漏磁通。
(多个金属粒子(A)以及复合相(B))
本发明所涉及的溅射靶在一实施方式中，将由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)，与后述的填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)进行比较的情况下，构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下。
如前所述，作为靶整体提高漏磁通的方法，可以考虑设置金属氧化物少、透磁率高的部分以及金属氧化物集中、透磁率低的部分，但是若这些部分中的组分之差大，则会引起金属扩散，在(A)的外周部形成氧化物的凝集，所以颗粒数增加。与此相对，通过使构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，从而能够抑制金属扩散，能够抑制氧化物的凝集，所以漏磁通提高，在磁控溅射装置能够获得稳定的放电，能够获得溅射时的颗粒产生少这样的效果。
根据该观点，优选为，构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为3at％以下。
能够通过组织观察时的颜色浓淡来判断金属粒子部分和金属氧化物部分。例如如图1所示，在基于SEM(扫描型电子显微镜)的组织观察结果中，2次电子的强度表现为图像的浓淡，所以一般金属部分因为2次电子强度变强所以看起来亮，氧化物因为强度变低所以看起来暗。利用图像的相对浓度差，能够区别金属粗粒部分与基质、或者基质中的金属部分与金属氧化物部分的区域。但是，根据组织观察时使用的装置、条件，并不一定是金属粒子部分看起来白，金属氧化物部分看起来黑，也可能存在相反的情况。在该情况下，将看起来白的部分作为金属氧化物部分、将看起来黑的部分作为金属粒子部分来测量即可。在本说明书中，针对金属粒子部分看起来白、金属氧化物部分看起来黑的实施方式进行说明。
利用基于SEM/EDS(扫描型电子显微镜/能量色散型X射线光谱法)下的点分析的元素分析，进行Co浓度的测量。作为测量方法，如图4所示，对于溅射靶，以低倍率取得组织图像。在低倍率的组织图像中，根据颜色浓淡，能够判断多个金属粒子(A)和复合相(B)，针对多个金属粒子(A)部分进行定量分析。对于测量位置，测量从金属粒子(A)的最外周部起超过至少8μm的内侧。为了提高测量的精度，至少选定5个金属粒子(A)来测量Co浓度，将其平均值作为构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度。关于低倍率的具体数值，优选为在1视野中能够多个地观察到多个金属粒子(A)的倍率，优选为200～500倍。此外，进行定量分析时的点尺寸设为3μm见方以下。
接下来，针对低倍率的组织图像中复合相(B)部分，以高倍率取得像。此时，关于以高倍率测量像的位置，设为从任意的金属粒子(A)的最外周部至少离开10μm的位置。在该像中，能够通过颜色浓淡来判断复合相(B)中的金属粒子部分和金属氧化物部分，其中，对于复合相(B)的金属粒子部分进行点分析。测量复合相(B)的金属粒子部分，采用测量结果的氧元素值为1at％以下的情况。为了提高测量的精度，至少选定5个复合相(B)的金属粒子来测量Co浓度，将其平均值作为构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度。关于高倍率的具体数值，优选为仅能够个别地观察到复合相(B)的倍率，优选为5000倍以上。此外，进行定量分析时的点尺寸设为0.5μm见方以下。
另外，测量装置只要具备能够进行组织观察的功能和能够进行元素分析的功能，则使用装置不局限于SEM/EDS。例如，也可以使用SEM/WDS、TEM/EDS、EPMA等。
多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)以及复合相(B)的合计面积的面积比率设为20～65％。若多个金属粒子(A)的面积比率低于20％，则不能获得漏磁通的提高效果，若面积比率超过65％，则氧化物彼此相连变得粗大，颗粒数上升。多个金属粒子(A)的面积比率优选设为35～45％。
通过利用激光显微镜的组织观察来进行多个金属粒子(A)相对于多个金属粒子(A)以及复合相(B)的合计面积的面积比率的测量。作为测量方法，能够利用激光显微镜观察溅射靶的切断面，测量在200倍的视野中存在的多个金属粒子(A)的面积，并将其除以视野整体的面积来求取。具体而言，在激光显微镜照片中，多个金属粒子(A)看起来白，复合相(B)看起来黑，所以使用图像处理软件进行二值化(图5)，计算各自的面积，进而，为了提高精度，在任意的5视野中实施同样的测量，计算多个金属粒子(A)以及复合相(B)的面积的平均值，由此计算多个金属粒子(A)的面积比率。
作为金属氧化物，能够使用从Co、Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb、B选择的一种成分以上的氧化物。另外，代替金属氧化物，除了氧化物以外，还可以利用氮化物、碳化物、碳氮化物。此外，也可以复合使用这些无机物材料。这些能够保有与氧化物同等的功能。
优选为，观察多个金属粒子(A)的一面中的、多个金属粒子(A)的平均粒径为20～250μm。在平均粒径不足20μm的情况下，难以与(B)相区别，难以形成金属氧化物相的浓度差。在超过250μm的情况下，失去靶表面的平滑性，成为颗粒源的可能性提高。此外，在多个金属粒子(A)的粒径不足16μm的情况下，难以与(B)相区别，多个金属粒子(A)的粒径设为16μm以上，不足16μm考虑为(B)相。
对于多个金属粒子(A)的粒径，从组织观察图像求出金属粒子的面积，将与该面积相当的圆的直径设为粒径。具体而言，用激光显微镜观察溅射靶的切断面，测量在200倍的视野中存在的多个金属粒子(A)的面积，将与该面积相当的圆的直径设为该粒径，针对视野整体的多个金属粒子(A)对其进行测量，能够通过求出它们的平均值来求出。
此外，在复合相(B)中，作为由Co或Co合金构成的粒子，存在观测到粒径不足20μm的粒子的情况，但是不重新将其作为多个金属粒子(A)而算入。
复合相(B)中的金属氧化物的面积比率优选为40～70％。若金属氧化物的面积比率为40％以上，则漏磁通的提高效果进一步变得显著，若面积比率为70％以下，则能够防止金属氧化物的粗大化。
复合相(B)的金属氧化物的面积比率的测量也通过利用激光显微镜的组织观察来进行。作为测量方法，能够通过如下方法来求出：用激光显微镜观察溅射靶的切断面，确认在200倍的视野中存在的复合相(B)，针对该复合相(B)，进一步测量在12000倍的视野中存在的金属氧化物的面积，用其除以视野整体的面积。具体而言，在激光显微镜照片中构成复合相(B)的Co或Co合金看起来白，金属氧化物看起来黑，所以使用图像处理软件进行二值化(图6)，计算各自的面积，进而，为了提高精度，在任意的5视野中实施同样的测量，计算Co或Co合金以及金属氧化物的面积的平均值，由此计算金属氧化物的面积比率。
作为优选的本发明的强磁性材料溅射靶，除了金属氧化物之外的组分，能够含有从由Cr、Pt、Ru以及B构成的组中选择的一种以上的元素。这些是为了提高作为磁记录介质的特性而根据需要添加的元素。具体而言，优选如下组分：Cr为零或15mol％以下，Pt为10mol％以上且50mol％以下，Ru为零或15mol％以下，B为零或15mol％以下，其余为Co。
此外，在含有从上述由Cr、Pt、Ru以及B构成的组中选择的一种以上的元素的情况下，优选为多个金属粒子(A)以及复合相(B)都含有Co合金，该Co合金含有从上述由Cr、Pt、Ru以及B构成的组中选择的一种以上的元素而作为合金元素。
另外，在本发明中，在溅射靶中，除了多个金属粒子(A)以及复合相(B)以外，只要不会妨碍获得本发明的效果，也能够设置其他相，但是为了最大限度地引出本发明的效果，优选不存在其他相。
(制法)
本发明所涉及的溅射靶能够使用粉末烧结法例如通过以下的方法来制作。首先，分别制作具有由Co或Co合金构成的组分的粒子粉末、以及Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的粒子粉末，然后，将它们称量/混合，使得成为期望的靶组分，作为烧结用的粉末。能够利用热压等对其进行烧结，而制作本发明的溅射靶。
作为起始原料，使用细微的Co金属粉末或Co合金粉末、和粗大的Co金属粉末或Co合金粉末、以及金属氧化物粉末。细微的Co金属粉末或Co合金粉末期望使用最大粒径为20μm以下的粉末。粗大的Co金属粉末或Co合金粉末期望20～250μm的粒径范围的粉末。金属氧化物粉末期望使用最大粒径为5μm以下的粉末。另外，因为粒径过小时容易凝集，所以期望使用0.1μm以上的粉末。
首先，为了作成Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的相(B)，称量细微的Co金属粉末或Co合金粉末和金属氧化物粉末。针对该粉末，使用球磨机等公知方法，兼具粉碎而进行混合。此时，期望在粉碎容器内装入惰性气体来尽可能地抑制原料粉的氧化。作为惰性气体，可以列举Ar、N2气体。接下来，在该混合粉末中，为了作成由Co或Co合金构成的相(A)而加入粗大的Co金属粉末或Co合金粉末，进而进行混合。此时不使用粉碎力高的球磨机，使得粒子粉末不被粉碎。通过不使粒子粉末进行细微粉碎，从而能够残留粗大的金属粒子，并且能够在烧结时抑制粒子粉末间的扩散，能够获得前述的具备多个金属粒子(A)和复合相(B)的烧结体。此外，也能够通过上述以外的方法来混合粒子粉末。
利用热压使如此所得到的烧结用粉末成型/烧结。除了热压以外，也可以使用等离子体放电烧结法、热等静压烧结法(熱間静水圧焼結法)。烧结时的保持温度，优选设定为靶充分致密化的温度范围中最低的温度。虽然取决于靶的组分，大多情况下处于800～1300℃的温度范围。通过以上的工序，能够制造强磁性材料溅射靶用烧结体。
通过利用车床等将所得到的烧结体成形加工为期望的形状，从而能够制作本发明所涉及的溅射靶。靶形状没有特别限制，但是例如可以列举平板状(包括圆盘状、矩形板状)以及圆筒状。本发明所涉及的溅射靶，尤其作为粒状构造磁性薄膜的成膜中使用的溅射靶是有用的。
【实施例】
以下与比较例一起示出本发明的实施例，但是这些实施例是为了更好地理解本发明及其优点而提供的，不是意图限定本发明。
<溅射靶的制作>
·实施例1～5、比较例2、3
作为原料粉末，准备了平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径2μm的CoO粉末、直径处于50～150μm的范围的Co雾化粉末。针对各实施例以及比较例分别称量了这些粉末，使得构成表1所示的多个金属粒子(A)和复合相(B)的组分、以及(A)与(B)的Co浓度差。
接下来，分别将所称量的Co粉末、TiO2粉末、SiO2粉末与介质的氧化锆球一起装入容量为10升的球磨机罐中，运转20小时进行了混合。进而，在所得到的混合粉末中加入CoO粉末和Co雾化粉末，利用容量为约7L的行星运动型混合器混合2小时，得到了烧结用混合粉。
将构成各组分的混合粉填充到碳制的模具中，在真空气氛中，在温度950℃、保持时间2小时、加压力30MPa的条件下进行热压从而得到了烧结体。
·实施例6、7、8、比较例4、5
作为原料粉末，准备了平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径2μm的CoO粉末、直径为30～150μm的范围的Co-Pt雾化粉末。针对各实施例以及比较例，分别称量了这些粉末，以构成表1所示的多个金属粒子(A)和复合相(B)的组分、以及(A)与(B)的Co浓度差。
接下来，分别将所称量的Co粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末与介质的氧化锆球一起装入容量10升的球磨机罐中，旋转20小时进行了混合。进而，在所得到的混合粉末中加入CoO粉末和Co-Pt雾化粉末，用容量约7L的行星运动型混合器混合2小时，得到了烧结用混合粉。
将构成各组分的混合粉填充到碳制的模具，在真空气氛中，在温度950℃、保持时间2小时、加压力30MPa的条件下进行热压从而得到了烧结体。
·比较例1、6
作为原料粉末，准备了平均粒径3μm的Co粉末、平均粒径1μm的Pt粉末、平均粒径1μm的TiO2粉末、平均粒径1μm的SiO2粉末、平均粒径2μm的CoO粉末。针对各实施例以及比较例，分别称量了这些粉末，以构成表1所示的多个金属粒子(A)和复合相(B)的组分、以及(A)与(B)的Co浓度差。
接下来，分别将所称量的Co粉末、Pt粉末、TiO2粉末、SiO2粉末与介质的氧化锆球一起装入容量10升的球磨机罐，旋转20小时进行混合。进而，在所得到的混合粉末中加入CoO粉末，用容量约7L的行星运动型混合器混合2小时，得到了烧结用混合粉。
将构成各组分的混合粉填充到碳制的模具，在真空气氛中，在温度950℃、保持时间2小时、加压力30MPa的条件下进行热压从而得到了烧结体。
接下来，使用车床将各个烧结体切削加工成直径180.0mm、厚度5.0mm的形状，得到了圆盘状的溅射靶。对于用车床切削由上述制造过程所得到的各试验例所涉及的靶而得到的切屑，利用ICP-AES装置(日立高科技公司制(旧SII制)，装置名：SPS3100HV)进行组分分析，确认了任意靶的组分都实质上与称量组分相同。这里为了提高测量精度，对于金属组分分析，用内标法划校正曲线而实施。
<二值化的方法>
多个金属粒子(A)的面积比率通过前述的利用激光显微镜的组织观察进行了测量。激光显微镜使用了日本基恩士公司(KEYENCE)制VK-9710。图像的二值化使用了图像处理软件image J(National Institutes of Health(国立卫生研究院)制，Ver1.49n)。从File→Open读入图像。从Image→Type选择8-bit。选择图像的除了标尺的部分，利用Image→Crop切掉标尺部分。选择Process→Filters→Gaussian Blur，在Sigma输入2，点击OK。选择Process→Binary→Make Binary。利用以上的过程，进行图像的二值化。
<(A)相以及(B)相的Co浓度的测量>
通过利用SEM-EDS(日立制S-3700N)的基于点分析的元素分析来进行多个金属粒子(A)以及复合相(B)的Co浓度的测量。作为测量方法，对于溅射靶，利用SEM以500倍取得像。在显微镜照片中多个金属粒子(A)看起来白，复合相(B)看起来黑，所以针对白的部分进行点分析。关于测量位置，测量从金属粒子(A)的最外周部起至少更靠内侧8μm的位置。为了提高测量精度，至少选定5个金属粒子(A)来测量Co浓度，将其平均值作为构成多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度。
接下来，针对SEM中500倍的像中看起来黑的复合相(B)，以5000倍取得像。此时，以5000倍测量像的位置，设为从任意金属粒子(A)的最外周部起至少离开10μm的位置。在该像中，还能够观察到看起来白的部分和看起来黑的部分，针对其中白的部分进行点分析。测量白的部分，采用测量结果的氧值为1at％以下的情况。为了提高测量精度，至少选定5个复合相(B)的白的部分来测量Co浓度，将其平均值作为构成复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度。
<PTF的测量方法>
漏磁通的测量按照ASTM F2086-01(Standard Test Method for Pass Through Fluxof Circular Magnetic Sputtering Targets(圆形磁控溅射靶磁通的标准测试方法)，Method 2(方法2))进行了实施。将靶的中心固定，将使其旋转0度、30度、60度、90度、120度进行测量而得到的漏磁通密度除以由ASTM定义的参考域(reference field)的值，再乘以100，而用百分率表示。而且，将针对这5点进行平均得到的结果作为平均漏磁通密度(PTF)。
<溅射评价>
对于靶，安装到DC磁控溅射装置进行了溅射。溅射条件设为溅射功率1kW、Ar气压1.5Pa，实施了2kWhr的预溅射之后，向4英寸直径的硅基板上以目标膜厚1000nm进行了溅射。而且，用颗粒计数器测量了向基板上附着的颗粒的个数。颗粒计数器使用了坎德拉(Candela)CS920(恪纳腾公司(KLA Tencor)制)。对通过溅射而成膜的晶片照射激光，通过探测该激光的反射、散射从而对颗粒进行判别。
【表1】
Figure BDA0002074852920000141
对这些实施例和比较例的结果进行比较，比较例1相较于实施例1～5不具备多个金属粒子(A)，所以平均漏磁通密度变低，被认为是颗粒数增加了。比较例2的多个金属粒子(A)的面积比率小于本发明的范围，未得到平均漏磁通密度提高的效果，被认为是颗粒数增加了。比较例3的金属粒子(A)的面积比率大于本发明的范围，氧化物变得粗大，被认为是颗粒数增加了。比较例4以及5相较于实施例6～8，(A)与(B)相的Co浓度之差大于本发明范围，变得在(A)周边能够看到粗大的氧化物，被认为是考虑颗粒数增加了。比较例6与比较例1同样地不具备多个金属粒子(A)，所以平均漏磁通密度变低，被认为是颗粒数增加了。

Claims (4)

1.一种溅射靶，具备：
由Co或Co合金构成的多个金属粒子(A)；以及
填埋在该多个金属粒子间的隙间中的Co或Co合金与金属氧化物相互彼此分散的复合相(B)，
构成所述多个金属粒子(A)的Co或Co合金中的Co浓度与构成所述复合相(B)的Co或Co合金中的Co浓度之差为5at％以下，
所述多个金属粒子(A)相对于所述多个金属粒子(A)以及所述复合相(B)的合计面积的面积比率为20～65％。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
对所述多个金属粒子(A)进行观察的一面中的、所述多个金属粒子(A)的粒径为20μm以上并且该粒径的平均为20～250μm。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
所述多个金属粒子(A)以及所述复合相(B)都含有Co合金，该Co合金含有从由Cr、Pt、Ru以及B构成的组中选择的一种以上的合金元素。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，
所述复合相(B)的所述金属氧化物的面积比率为40～70％。
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