CN111117753B - 金电极芯片用划片液 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种金电极芯片用划片液，是选用无泡两性表面活性剂、乙二胺乙氧基丙氧基化物、聚乙二醇10000与水复配而成，不仅动态润湿能力强，可快速润湿刀片和切割道，而且泡沫极低且消泡快，同时因乙二胺乙氧基丙氧基化物具有丰富的支链结构，在溶液中形成局部短程的空间位阻，可填充在聚乙二醇搭建的基础框架中，显著提高溶液的空间位阻密度，增强切割粉末的悬浮分散能力，避免切割粉末在芯片上黏附，保证了切片质量。

Description

金电极芯片用划片液

技术领域

本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种泡沫少且易消失、粉末悬浮性好的金电极芯片用划片液。

背景技术

半导体器件是经过集成电路设计、芯片制造和封装等主要环节而制成。芯片制造是在晶圆上同时批量制造多个结构相同的独立单元，并在封装前用刀片切割，使独立单元彼此分开，进而封装功能化的个体。刀片切割芯片时需要匹配划片液，其目的之一是在刀片和芯片摩擦时润滑和冷却界面，降低刀片磨损、减少生成热及加速热量传导；另一目的是分散切割粉末，避免粉末在芯片上黏附。

现有划片液有的采用有机硅或磷酸酯类表面活性剂等制成，但此类表面活性剂泡沫丰富，泡沫的持续积累会减少后续表面活性剂在刀片和切割道上的吸附量，使得切割粉末产生速率迅速提高，难以保证切割质量；同时泡沫积累易溢出槽体，污染机台和超净生产场所。有的划片液采用聚乙烯醇或聚乙二醇提供悬浮分散功能，但是因聚乙烯醇和聚乙二醇为直链结构，溶液中无规则的随机分布使其只能搭建空间网络结构的基础框架，空间位阻密度小，切割粉末在短程局部的聚集导致悬浮分散能力不足，有时会出现粉末在芯片上黏附的现象。

发明内容

本发明为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种泡沫少且易消失、粉末悬浮性好的金电极芯片用划片液。

本发明的技术解决方案是：一种金电极芯片用划片液，其特征是由以下质量百分比的原料组成：无泡两性表面活性剂1~6%、乙二胺乙氧基丙氧基化物3~6%、聚乙二醇100000.5~1%及去离子水余量，所述乙二胺乙氧基丙氧基化物结构式如下：

其中k和n为非零的整数。

本发明选用无泡两性表面活性剂、乙二胺乙氧基丙氧基化物、聚乙二醇10000与水复配而成，不仅动态润湿能力强，可快速润湿刀片和切割道，而且泡沫极低且消泡快，同时因乙二胺乙氧基丙氧基化物具有丰富的支链结构，在溶液中形成局部短程的空间位阻，可填充在聚乙二醇搭建的基础框架中，显著提高溶液的空间位阻密度，增强切割粉末的悬浮分散能力，避免切割粉末在芯片上黏附，保证了切片质量。

具体实施方式

实施例1：

室温下，去离子水中添加1%无泡两性表面活性剂（上海发凯化工有限公司FC-39）和1%聚乙二醇10000，搅拌10min，再添加3%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科莱恩PN30）搅拌20min即可。

实施例2：

室温下，去离子水中添加5%无泡两性表面活性剂（上海发凯化工有限公司FC-39）和0.5%聚乙二醇10000，搅拌10min，再添加5%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科莱恩PN30）搅拌20min即可。

实施例3：

室温下，去离子水中添加6%无泡两性表面活性剂（上海发凯化工有限公司FC-39）和1%聚乙二醇10000，搅拌10min，再添加6%乙二胺乙氧基丙氧基化物（科莱恩PN30）搅拌20min即可。

采用市售划片液（对比例）和本发明实施例1、2、3分别用去离子水稀释5000倍作为金电极芯片用划片液使用，效果如表1所示。

表1

实施例	切割粉末滞留情况	泡沫状态
			1	粉末易清洗，未见黏附	泡沫少，20秒消失
2	粉末易清洗，未见黏附	泡沫少，35秒消失
			3	粉末易清洗，未见黏附	泡沫少，40秒消失
对比例	粉末难清洗，少量粘附	泡沫多，600秒后未消失

通过对比可以看出，本发明的金电极芯片用划片液具有泡沫少，极易消失，切割粉末悬浮分散好，易于清洗，无粘附的特点。

Claims (1)

1.一种金电极芯片用划片液，其特征是由以下质量百分比的原料组成：

无泡两性表面活性剂1~6%、乙二胺乙氧基丙氧基化物3~6%、聚乙二醇10000 0.5~1%及去离子水余量，所述乙二胺乙氧基丙氧基化物结构式如下：

其中k和n为非零的整数。