CN111066078B - 显示装置以及显示装置的驱动方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式的显示装置具备多个像素,所述多个像素呈矩阵状设置于基板之上并各自具备液晶显示元件以及有机EL显示元件,有机EL显示元件具备与液晶显示元件的像素电极以及对置电极电分离而分别形成的阳极以及阴极,多个像素的各像素具备:第一晶体管,其基于第一总线的电位改变向有机EL显示元件供给的电流的大小;第二晶体管,其基于第三总线的电位使第一总线与液晶显示元件的像素电极电分离;以及第三晶体管,其基于第二总线的电位对第一晶体管以及第二晶体管和第一总线进行电连接。在实施方式的显示装置的驱动方法中,在从液晶显示元件的显示向有机EL显示元件的显示的切换中,在将第二晶体管设为断开状态前减少像素电极与对置电极之间的电位差。

Description

显示装置以及显示装置的驱动方法
技术领域
本发明涉及一种多个像素的各像素具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置以及该显示装置的驱动方法。
背景技术
近年来,液晶显示面板、有机EL显示面板等薄型的显示装置,作为例如智能电话、平板电脑型PC、或可穿戴终端等便携式设备的主要要素而广泛普及。针对这样的便携式设备中使用的显示装置,特别谋求相对于可根据使用场所而变化的周围亮度而言的稳定的显示性能、低电力消耗性能。因此,对具备在室外等明亮的环境中以较少的电力呈现出优异的目视确认性的反射型的液晶显示元件、和即使在较暗的环境下也呈现出优异的目视确认性的有机EL发光元件的显示装置进行了研究(例如参照专利文献1)。
专利文献1的显示装置具备:具有按照每像素设置的反射电极的常白型的反射型液晶显示元件、以及具有按照每像素形成的阳极的有机EL发光元件。有机EL发光元件的阳极与EL用TFT的漏极连接,EL用TFT的栅极与反射型液晶显示元件的像素电极一起连接于液晶用TFT的漏极。在进行反射型液晶显示元件的显示的情况下,在超过EL用TFT的临界电压的范围内,从源极总线经由液晶用TFT而将期望的驱动电压施加于反射型液晶显示元件。此外,在进行有机EL发光元件的显示的情况下,反射型液晶显示元件成为黑显示的电压且EL用TFT的临界电压以上的电压,从源极总线经由液晶用TFT而施加于EL用TFT的栅极。EL用TFT成为与该施加电压对应的导通状态,向有机EL显示元件供给期望的驱动电流。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3898012号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1公开的显示装置中,通过将规定大小以上的电压施加于源极总线从而有机EL发光元件被设为发光状态,并且液晶显示元件被设为黑显示的状态。因此,即使在有机EL发光元件的显示中也需要向液晶显示元件供给驱动电压。因此,针对包含由向各显示元件供给数据电压的驱动器产生的消耗量在内的装置整体的功耗难以获得充分的降低效果。此外,在液晶显示元件以及有机EL发光元件各自的显示中,有时向各元件的施加电压被限制在对另一方的显示元件没有影响的范围内。因此,有时无法采用对个别的液晶显示装置或有机EL显示装置使用的优选的驱动方法、数据电压。例如,有时在液晶显示元件的显示中进行翻转驱动的情况下的控制变得繁琐。此外,有时在液晶显示元件以及有机EL发光元件各自的显示中难以使用对多级的灰度表现有利的广泛的数据电压。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够减少对液晶显示元件(以下,也称作LC元件)以及有机EL显示元件(以下,也称作EL元件)的驱动电压的限制且能够更加减少功耗的、具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置。此外,本发明的目的在于,提供一种在具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置中,可显示品质优异的图像的显示装置的驱动方法。
解决问题的方案
本发明的第一实施方式的显示装置的特征在于,具备:基板,其具备多个总线;以及多个像素,其呈矩阵状设置于所述基板之上并各自具备液晶显示元件以及有机EL显示元件,所述多个总线至少包含:第一总线,其设置于所述多个像素中的每列;第二总线,其设置于所述多个像素中的每行;第三总线,其在所述液晶显示元件被驱动时被设定为规定的电位;以及第四总线,其向所述有机EL显示元件供给电流,所述液晶显示元件具备隔着包含液晶组成物的液晶层而对置的像素电极和对置电极,所述有机EL显示元件具备与所述像素电极以及所述对置电极电分离而分别形成的阳极以及阴极以及夹装在所述阳极与所述阴极之间的有机层,所述多个像素的各像素还具备:第一晶体管,其基于所述第一总线的电位改变向所述有机EL显示元件供给的电流的大小;第二晶体管,其基于所述第三总线的电位使所述第一总线与所述液晶显示元件的所述像素电极电分离;以及第三晶体管,其基于所述第二总线的电位对所述第一晶体管以及所述第二晶体管和所述第一总线进行电连接。
本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,多个像素的各像素具备分别形成于基板的表面的液晶显示元件以及有机EL显示元件,其中,在进行所述有机EL显示元件的显示时,将基于与所述多个像素的各像素中的显示相关的数据即显示数据的电压,施加于使在所述有机EL显示元件中流通的电流变化的第一晶体管的栅极与源极之间,且使用与所述液晶显示元件的像素电极连接的第二晶体管,使被设定为基于所述显示数据的电位的第一总线与所述液晶显示元件电分离,在进行所述液晶显示元件的显示时,通过将所述第二晶体管以及设置于所述第二晶体管与所述第一总线之间的第三晶体管设为导通状态从而使所述第一总线与所述像素电极电连接,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,在将所述第二晶体管从导通状态设为断开状态前减少所述液晶显示元件的所述像素电极与对置电极之间的电位差。
发明效果
根据本发明的实施方式,在具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置中,能够减少对液晶显示元件以及有机EL显示元件的驱动电压的限制。此外,能够更加减少功耗。此外,根据本发明的实施方式,在具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置中,能够显示品质优异的图像。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动电路的结构的一个示例的图。
图2为表示本发明的第一实施方式的显示装置的截面构造的一个示例的图。
图3为表示本发明的第一实施方式的显示装置的一个像素的驱动电路的一个示例的图。
图4为表示在本发明的第一实施方式的显示装置中具备电流遮断电路的驱动电路的一个示例的图。
图5为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法中的从LC元件的显示向EL元件的显示的切换期间内的动作的一个示例的时序图。
图6为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法中的EL元件的显示期间内的动作的一个示例的时序图。
图7A为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法中的LC元件的显示期间内的动作的一个示例的时序图。
图7B为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法中的LC元件的显示期间内的动作的其他例的时序图。
图7C为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动方法中的LC元件的显示期间内的动作的其他例的时序图。
图8A为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动电路的第一变形例的图。
图8B为表示图8A的驱动电路中的动作的一个示例的时序图。
图9A为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动电路的第二变形例的图。
图9B为表示图9A的驱动电路中的动作的一个示例的时序图。
图10A为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动电路的第三变形例的图。
图10B为表示图10A的驱动电路中的动作的一个示例的时序图。
图11A为表示本发明的第一实施方式的显示装置的驱动电路的第四变形例的图。
图11B为表示图11A的驱动电路中的动作的一个示例的时序图。
图12为表示本发明的第二实施方式的显示装置的一个像素的驱动电路的一个示例的图。
图13为表示本发明的第二实施方式的显示装置的驱动方法中的从LC元件的显示向EL元件的显示的切换期间、以及EL元件的显示期间内的动作的一个示例的时序图。
图14为表示本发明的第二实施方式的显示装置的驱动方法中的从LC元件的显示向EL元件的显示的切换期间、以及EL元件的显示期间内的动作的其他例的时序图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的显示装置以及显示装置的驱动方法进行说明。另外,以下说明的实施方式中的各构成要素的材质、形状以及它们的相对的位置关系、以及各时序图中的电压的大小以及其变化的时机等,只不过是例示。本发明的显示装置以及显示装置的驱动方法并不通过这些内容进行限定性地解释。
<第一实施方式>
在图1中示意地示出第一实施方式的显示装置1中的整体的驱动电路的结构的示例。此外,在图2中示出显示装置1所具备的多个像素3的一个截面的一个示例,在图3中示出多个像素3的各像素所具备的驱动电路10的一个示例。如图1~3所示,本实施方式的显示装置1具备:基板2,其具备多个总线(参照图2);以及多个像素3,其呈矩阵状设置于基板2之上。多个像素3的各像素具备液晶显示元件50以及有机EL显示元件60。多个总线包含:设置于多个像素3中的每列的第一总线41、以及设置于多个像素3中的每行的第二总线42、以及第三总线43和第四总线44。
显示装置1具备数据线驱动器13和扫描线驱动器12。数据线驱动器13基于多个像素3的各像素在显示图像中应具有的明度或者亮度,生成与多个像素3的各像素相关的显示数据。扫描线驱动器12生成对多个像素3的各像素的驱动电路10的导通/断开进行切换的扫描信号。设置于像素3的每列的多个第一总线(源极总线)41分别与数据线驱动器13连接。设置于像素3的每行的多个第二总线(栅极总线)42分别与扫描线驱动器12连接。此外,在图1的示例中,第四总线44与数据线驱动器13连接。第三总线43与扫描线驱动器12连接。另外,第三总线43也可以与数据线驱动器13连接,第四总线44也可以与扫描线驱动器12连接。此外,多个第三总线43也可以不像图1那样从一个基础的总线分支出来,也可以分别与扫描线驱动器12连接。同样地,多个第四总线44也可以分别与数据线驱动器13连接。
第三总线(开关总线)43在液晶显示元件50被驱动时被设定为规定的电位。例如,第三总线43在液晶显示元件50被驱动时,被设定为比期望的阈值(例如后述的第二晶体管22成为导通状态的电位)高的高电平电位、和比该阈值低的低电平电位中的事先确定的任意一方的电位,在液晶显示元件50未被驱动时,被设定为另一方的电位。在图3的示例中,与第三总线43相连的第二晶体管22为n沟道场效应型晶体管,因此在液晶显示元件50被驱动时,第三总线43被设定为比该阈值电压高的电位。由此,第二晶体管22成为导通状态,液晶显示元件50与第一总线41连接而成为驱动状态。同样地,在假设与第三总线43相连的第二晶体管22为p沟道场效应型晶体管的情况下,第三总线43被设定为比该阈值电压低的电位(绝对值较大的负的电位)。由此,第二晶体管22成为导通状态,液晶显示元件50与第一总线41连接而成为驱动状态。第四总线(当前总线)44向有机EL显示元件60供给驱动电流。另外,虽在图1中未示出,但多个总线除第一至第四总线41~44以外,也可以包含后述的第五总线45(参照图12)那样的总线。此外,如图1所示,显示装置1也可以包含能够与扫描线驱动器12独立地进行动作的第二扫描线驱动器12a。在图1的示例中,在第二扫描线驱动器12a连接有多个第九总线49。第九总线49设置于像素矩阵的每行。
如图2所示,液晶显示元件50具备隔着包含液晶组成物的液晶层52而对置的像素电极51和对置电极53,有机EL显示元件60具备阳极61以及阴极63、以及夹装在阳极61与阴极63之间的有机层62。阳极61以及阴极63分别形成为与液晶显示元件50的像素电极51以及对置电极53电分离。即,显示装置1完全不同于例如在液晶显示元件以及有机EL显示元件中的任意一方之上层压有另一方从而液晶显示元件以及有机EL显示元件中的任意的电极在上述两个元件之间共用的构造的显示装置。在本实施方式中,应仅向液晶显示元件50以及有机EL显示元件60中的任意一方施加的电压,不会直接施加于本来不应施加的一方的显示元件。因此,考虑到在任意的显示元件的驱动中,原理上不存在对驱动电压的限制。
如图3所示,多个像素3(参照图1)的各像素具备驱动电路10,驱动电路10具备第一晶体管21、第二晶体管22、以及第三晶体管23。在图3的示例中,第一至第三晶体管21~23为n沟道场效应型晶体管(n-FET)。第一晶体管21的漏极与第四总线44连接,第一晶体管21的源极与EL元件60的阳极61连接,在第一晶体管21的栅极与源极间连接有EL元件用辅助电容C1。此外,第二晶体管22的栅极与第三总线43连接,第二晶体管22的源极与LC元件50的像素电极51连接,LC元件50的对置电极53与各像素3中共用的COM线CM连接。以一端与LC元件50的像素电极51连接的方式形成有LC元件用辅助电容C2,另一端与电容线CL连接。第三晶体管23的漏极与第一总线41连接,栅极与第二总线42连接,第三晶体管23的源极与第一晶体管21的栅极以及第二晶体管22的漏极连接。因此,第三晶体管23基于第二总线42的电位,对第一晶体管21以及第二晶体管22和第一总线41进行电连接。第一晶体管21在第三晶体管23成为导通状态的情况下,基于第一总线41的电位改变向有机EL显示元件60供给的电流的大小。因此,在本实施方式中,通过对第二以及第三总线42、43设定适当的电位,能够将基于第一总线41的电位的电压施加于LC元件50,能够在EL元件60中流通有基于第一总线41的电位的电流。
并且,在本实施方式中,第二晶体管22基于第三总线43的电位,使第一总线41与液晶显示元件50的像素电极51电分离。因此,例如在EL元件60的显示中,通过将第三总线43设定为第二晶体管22成为断开状态的电位,从而能够遮断向LC元件50的电压的施加。因此,能够将在电压无施加时成为黑显示的常黑模式的液晶显示元件用于LC元件50,在该情况下,向LC元件50的电压的施加在LC元件50显示期间内是充足的。因此,有时能够降低显示装置1的功耗。
此外,LC元件50可与第一总线41以及EL元件60电分离,因此从避免对LC元件50的影响的观点出发,可消除或减少对驱动电压的限制。因此,有时能够使用广泛的范围的电流来驱动EL元件60。此外,当LC元件50与EL元件60一起进行显示动作时,在室内等周围光比较暗的环境下,在色再现性范围广的EL元件60的颜色中混入有色再现性范围窄的反射显示的LC元件50的颜色,虽有时无法充分发挥色再现范围广的EL元件60的性能,但能够防止那样的情形。
而且,如图4所示,本实施方式的显示装置1还可以具备电流遮断电路11,所述电流遮断电路11构成为应停止来自第四总线44的向有机EL显示元件60的电流的供给。通过具备电流遮断电路11,从而例如在LC元件50显示中将第一晶体管21设为导通状态的电位被设定于第一总线41的情况下,也能够防止向EL元件60的通电且能够防止无用的电力消耗。此外,能够消除EL元件60的预料之外的发光等的可能性,能够对LC元件50施加广泛范围的电压。例如,还能够容易地进行防止LC元件50的所谓“粘着”的帧翻转驱动等。
在图4的示例中,电流遮断电路11配置于从第四总线44向EL元件60的驱动电流的供给线L的中途,通过电流遮断电路11而使供给线L分断。图4为电流遮断电路11是p沟道场效应型晶体管(p-FET)的示例,在其源极以及漏极连接有被分断的驱动电流的供给线L。并且,作为电流遮断电路11的p-FET的栅极与第二晶体管22的栅极一起与第三总线43连接。例如,在图4的示例中第三总线43被设定为作为n沟道场效应型晶体管(n-FET)的第二晶体管22的阈值以上且电流遮断电路11的p-FET的阈值以上的电位。通过如此设置,能够将第二晶体管22设为导通状态,并且能够将电流遮断电路11设为遮断状态。如此,电流遮断电路11优选构成为,在通过第二晶体管22对第一总线41和液晶显示元件50的像素电极51进行电连接时停止向有机EL显示元件60的电流的供给。在图4所示的驱动电路10的示例中,除具备电流遮断电路11这一点以外与图3所示的示例相同,因此省略与电流遮断电路11以外的结构要素相关的说明。
另外,电流遮断电路11如果能够遮断向EL元件60的电流的供给则并不特别限定,也可以是p-FET以外的晶体管、半导体开关。此外,电流遮断电路11也可以不必通过第三总线43的电位来控制。例如,电流遮断电路11也可以经由与第一至第四总线41~44不同的信号线,与扫描线驱动器12(参照图1)、数据线驱动器13(参照图1)连接。此外,电流遮断电路11也可以不设置于多个像素3的每个像素,例如也可以设置于被分支为多个像素3的每列前的第四总线44的基础的总线的中途(例如图1中的点N)。或者,电流遮断电路11也可以是,停止向第四总线44供给电流的未图示的电源的动作的半导体开关、机械开关等任意的开关、那样的电源内的任意的输出停止(禁止)机构等。
接下来,以图1~4所示的显示装置1的驱动电路10为例,参照图5、6、以及7A~7C对第一实施方式的显示装置的驱动方法进行说明。第一实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,在进行有机EL显示元件60的显示时,将基于与多个像素3的各像素中的显示相关的数据即显示数据的电压,施加于使有机EL显示元件60中流通的电流变化的第一晶体管21的栅极与源极之间,且使用与液晶显示元件50的像素电极51连接的第二晶体管22使被设定为基于显示数据的电位的第一总线41与液晶显示元件50电分离。此外,第一实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,在进行液晶显示元件50的显示时,通过将设置于第二晶体管22以及第二晶体管22与第一总线41之间的第三晶体管23设为导通状态从而使第一总线41与像素电极51电连接。而且,第一实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,在从液晶显示元件50的显示向有机EL显示元件60的显示的切换中,在将第二晶体管22从导通状态设为断开状态前减少液晶显示元件50的像素电极51与对置电极53之间的电位差。首先,参照图5以及所述的图4对从LC元件50的显示向EL元件60的显示的切换时的动作进行说明。
图5中示出了本实施方式的显示装置的驱动方法中的、从LC元件50的显示期间P2向EL元件60的显示的切换期间P21(以下,仅称作“切换期间P21”)中的动作。如图5所示,LC元件50的像素电极51在LC元件50的显示期间P2内对与对置电极53(参照图4)的电位(即COM线的电位Vcm)不同的任意的电位进行保持,通过两者的电位差来进行LC元件50的显示动作。在下一个切换期间P21内,像素电极51与对置电极53的电位差比LC元件50的显示期间P2小。像素电极51的电位例如被设为对置电极53的电位、即与COM线的电位Vcm大致相同的电位。优选上述电极间的电位差大致为零。
如图5所示,该像素电极51与对置电极53的电位差的降低在将第三总线43设为低电平前来进行。另外,在图5中,第二以及第三总线42、43的高电平分别为比第三晶体管23以及第二晶体管22成为导通状态的阈值高的电位,低电平为比该阈值低的电位。此外在图5中示出向电流遮断电路11(参照图4)的EL元件60的电流的供给和停止作为第四总线44的高电平以及低电平(其中,与图4的示例不同,电流遮断电路11经由第三总线43以外的信号线来控制)。在图5以外的时序图中,也使用同样的记载方法。
如上所述,在LC元件50的显示期间P2内,基于LC元件50的像素电极51与对置电极53的电位差,来进行LC元件50的显示动作。因此,在该状态下,当显示装置1向EL元件60的显示期间P1过渡时,存在有LC元件50继续显示动作而对EL元件60的显示造成影响的可能性。因此,在本实施方式的显示装置的驱动方法中,在向EL元件60的显示期间P1过渡前,像素电极51与对置电极53的电位差变小。优选其电位差大致为零。通过如此设置,在EL元件60的显示期间内,能够将LC元件50设为黑显示。
在图5以及图6的示例中,在切换期间P21,暂时将第一总线41的电位设定为对置电极53的电位、即与COM线的电位Vcm大致相同的电位从而减小像素电极51与对置电极53的电位差。具体而言,在第三总线43成为高电平(第二晶体管22为导通状态)之后,由呈矩阵状配置的多个像素3构成的像素矩阵的整列的第一总线41的电位被设定为与COM线的电位Vcm大致相同的电位。另外,在LC元件50的显示期间P2,第一总线41、第一晶体管21的栅极电位VG11以及像素电极51的电位为任意的值,因此在COM线的电位Vcm的高位侧与低位侧这双方描绘表示各自的电位的线。
接着,通过像素矩阵的整行的第二总线42成为高电平而第三晶体管23成为导通状态,其结果为,像素电极51的电位与第一晶体管21的栅极电位VG11一起成为第一总线41的电位、即与COM线的电位Vcm大致相同电位。
之后,第三总线43以及第二总线42被设定为低电平。第一总线41也可根据需要设定为任意的电位。在图5以及图6的示例中,在第三总线43成为低电平后第一总线41从电位Vcm变更为其他电位,因此像素电极51直接保持与Vcm大致相同的电位。另一方面,第一晶体管21的栅极电位VG11伴随着第一总线41的电位的变化而变化。此时,第一总线41的电位(以及第一晶体管21的栅极电位VG11)理想的是被设定为与第一晶体管21的阈值电压相比而绝对值较大的值。于是,当接下来第四总线44成为高电平而供给电源电压时,经由驱动晶体管即第一晶体管21而在EL元件60中流通有电流,蓄积于EL元件60的寄生电容的电荷被放电,第一晶体管21的源极电位VS11缓缓地到达零电位。另外,也可以与图5以及图6的示例不同,与第三总线43相比而第二总线42先成为低电平。另外,像素电极51也可以为了降低像素电极51与对置电极53的电位差而被设为COM线的电位Vcm以外的电位。像素电极51也可以被设为使LC元件50呈现不影响EL元件60的显示的程度的黑显示的任意的电位。
第四总线44成为高电平,开始向EL元件60的电流的供给,当第一晶体管21的源极电位VS11充分到达零电位时,结束切换期间P21。
接下来,参照图6以及所述的图4对EL元件60的显示期间内的驱动电路10的动作进行说明。在图6中示出在EL元件60的显示期间P1内,将基于多个像素3的各像素的显示数据的电压施加于第一晶体管21的栅极-源极间的动作的一个示例。如图6所示,在EL元件60的显示期间P1中,第三总线43被设定为低电平,通过第二晶体管22使第一总线41与LC元件50电分离。在EL元件60供给有第四总线44电流。
如图6所示,在EL元件60的显示期间P1内,首先像素矩阵的各列的第一总线41被设定为零电位(例如,与EL元件60的阴极63(参照图4)的电位相同的接地电位),并且,第一行的第二总线42被设定为高电平(第三晶体管23成为导通状态)(时期t0)。EL元件用辅助电容C1以及EL元件60的未图示的寄生电容被放电,第一行的第一晶体管21的栅极电位VG11与源极电位VS11一起成为零电位。
接下来,第一总线41被设定为电位VA(VA>第一晶体管21的临界电压VT1且(VA-VT1)<EL元件60的正向电压Vf)(时期t1)。第一晶体管21的栅极电位VG11上升至与电位VA大致相同的电位。此外,由于VA>VT1,因此在第一晶体管21的漏极-源极间流通有电流,EL元件60的寄生电容(未图示)被充电,第一晶体管21的源极电位VS11上升至VA-VT1(另外,(VA-VT1)<Vf,因此EL元件60不发光)。因此,第一晶体管21的栅极-源极间电压VGS成为VT1。接下来,第一总线41被设定为比电位VA大的电位VB(时期t2)。第一晶体管21的栅极电位VG11上升至大致电位VB,VGS成为VB-(VA-VT1)。如此,在图6的示例中,基于被设定为基于显示数据的电位的第一总线41的电位VA、VB的电压(VB-VA+VT1)被施加于第一晶体管21的栅极与源极之间。
并且,当第二总线42被设定为低电平(时期t3)而第三晶体管23成为断开状态时,第一晶体管21的栅极-源极间电压VGS通过EL元件用辅助电容C1来维持。另一方面,进行EL元件60的未图示的寄生电容的充电并且第一晶体管21的源极电位VS11上升,在VS11超过Vf时EL元件60发光。在EL元件60中流通有通过VGS=VB-VA+VT1确定的大小的第一晶体管21的漏极电流,放射与该电流值对应的亮度的光。在此,VGS-VT1通过VB-VA来确定,因此能够对第一晶体管21的临界电压VT1的偏差进行补正,通过电位VA以及VB的适当的选择来控制EL元件60中流通的电流。
当向第一行的第一晶体管21的电压的施加结束时,进行向第二行之后的第一晶体管21的电压的施加且第一帧显示期间F1结束。并且,在第二帧之后也同样地在第一晶体管21的栅极-源极间施加有电压。在本实施方式的显示装置的驱动方法中,第一总线41与LC元件50电分离,因此能够不用担心对LC元件50的影响,如此,从第一晶体管21的偏差补正的观点出发,能够使用有利的控制方法。另外,LC元件50的像素电极51在EL元件60的显示期间内,维持切换期间P21中设定的电位。例如,像素电极51的电位与对置电极53的电位大致相同。
接下来,参照图7A~7C以及所述的图4对液晶显示元件(LC元件)50的显示期间内的动作进行说明。在图7A~7C中示出LC元件50的显示期间内的向各LC元件50的驱动电压的写入动作。此外,图7A为对按照每帧向全部像素的LC元件50的施加电压的极性进行切换的帧翻转方式的动作的示例,图7B为按照每帧对而互不相同地切换向相邻的像素的LC元件50的施加电压的极性的点翻转方式动作的示例。此外,图7C为按照每帧在两个电位之间改变对置电极53的电位的帧翻转方式的动作的示例。通过设置电流遮断电路11从而可停止EL元件60的发光,因此在LC元件50的显示中能够容易地使用这样的翻转驱动方式。
如图7A所示,首先,通过电流遮断电路11停止来自第四总线44的向EL元件60的电流的供给(图7A~7C为经由第三总线43以外的信号线来控制电流遮断电路11的示例)。此外,通过第三总线43成为高电平而LC元件50与第三晶体管23电连接。期间P12表示从EL元件60的显示向LC元件50的显示的切换期间,期间F1为第一帧(第一画面)的显示期间且期间F2为继第一帧的第二帧的显示期间。
在LC元件50的显示期间P2内,第一总线41被设定为基于向LC元件50施加的电压的期望的电位。在期间F1,第一总线41被设定为比COM线CM的电位Vcm高的电位。在图7A中,第一总线41被设定为电位V1。接下来,配置于像素矩阵的第一行的第二总线42为高电平,并分别经由导通状态的第二晶体管22和第三晶体管23使各列的第一总线41和各列的第一行的LC元件50的像素电极51电连接,像素电极51的电位变化为与第一总线41的电位大致相同的电位。之后,当第二总线42成为低电平而第三晶体管23成为断开状态时,像素电极51的电位因寄生电容的影响而下降,但是通过LC元件50的电容成分以及LC元件用辅助电容C2的作用而至少在期间F1之间维持在电位V2。如此,向第一行的LC元件50写入V2和Vcm的差电压。接下来,第二行的第二总线42的电位成为高电平,以同样的过程进行向第二行的LC元件50的写入。依次进行向所有LC元件50的写入,第一帧结束。另外,第一总线41可与写入对象的行变换对应地变化为应当期望的电位,但在图7A的示例中,第一总线41在一帧中全部被设定为相同电位。
在第二帧中也同样地向LC元件50进行写入,但在第二帧中,在第一总线41设定有比Vcm低的电位V3,像素电极51的电位维持比V3更低的电位V4。因此,在各LC元件50中写入有与第一帧相反极性的V4和Vcm的差电压。如此,进行使用了帧翻转方式的LC元件50的显示。另外,电位V1以及V3也可以在LC元件50的显示期间内分别为第一总线41中设定的最大电位以及最低电位,在该情况下,电位V1也可以大致为6V,电位V3也可以大致为0V。此外,在该情况下,电位V2也可以大致为5V,电位V4也可以大致为-1V,Vcm也可以大致为2V。
如图7B所示,在点翻转方式中,在像素矩阵的一个列,以通过奇数行和偶数行切换相对于COM线的电位Vcm的极性的方式设定第一总线41的电位。而且,即使在一个行中也以通过奇数列和偶数列切换相对于COM线的电位Vcm的极性的方式设定布置于各列的第一总线41的电位。并且,在连续的两个帧间,以相对于向同一LC元件50的像素电极51施加的电位的电位Vcm的极性翻转的方式设定各第一总线41的电位。通过使用这样的点翻转方式,从而有时能够减小例如由翻转驱动产生的画面的闪光(闪烁)等。第二至第四总线42~44的切换的时机、像素电极51的电位与图7A相同,因此省略其说明。
如图7C所示,在按照每帧在两个电位之间改为对置电极53的电位的帧翻转方式中,第一总线41的电位与所述的图7A的示例同样地设定,但电位Vcm按照每帧来变更。在图7C的示例中,电位Vcm在第一帧被设定为电位V5,在第二帧被设定为电位V6。另一方面,第一总线41的电位在第一帧被设定为比电位V5高的期望的电位V7,在第二帧被设定为比电位V6低的期望的电位V9。针对LC元件50,在第一帧中写入比电位Vcm高的电位V8(从电位V7下降至寄生电容的影响后的电位)与电位Vcm的差电压。此外,在第二帧,比电位Vcm低的电位V10(从电位V9下降至寄生电容的影响后的电位)与电位Vcm的差电压被写入LC元件50。通过使用这样的驱动方式,从而即使在第一总线41中设定的电位的范围较窄的情况下,也能够获得向LC元件50的较大的写入电压。因此,作为第一总线41的电位的生成装置(例如数据线驱动器13(参照图1))由于是通用的因此能够使用廉价的装置。另外,电位V5也可以大致为-1V,电位V6也可以大致为2V。此外,电位V7以及V9也可以分别在图7C的示例的驱动方式中,在LC元件50的显示期间内为第一总线41中设定的最大电位以及最低电位,在该情况下,电位V7也可以大致为3V,电位V9也可以大致为0V。此外,在该情况下,电位V8也可以大致为2V,电位V10也可以大致为-1V。第二至第四总线42~44的切换的时机与图7A相同,因此省略其说明。
在本实施方式中,通过设置电流遮断电路11可停止EL元件60的发光,因此在LC元件50的显示中,能够容易使用如此多样的翻转驱动方式。也可以使用对在各帧间按照每行写入LC元件50的电压的极性进行翻转的所谓1H翻转方式、按照每列翻转的所谓列翻转方式。能够根据显示装置1的用途等使用适当的翻转驱动方式来防止LC元件50的粘着。
接下来,参照附图对本实施方式的显示装置1的变形例进行说明。在图8A中示出本实施方式的显示装置1的驱动电路10的第一变形例。如图8A所示,在第一变形例的驱动电路10中,多个像素3(参照图1)的各像素还具备与有机EL显示元件60并列连接的第四晶体管24。在图8A的示例中,第四晶体管24为n沟道场效应型晶体管(n-FET),其漏极与n-FET即第一晶体管21的源极、有机EL显示元件60的阳极61、以及EL元件用辅助电容C1的一端连接。此外,第四晶体管的源极和EL元件60的阴极63一起与接地线E连接,栅极与第六总线46连接。第六总线46例如与扫描线驱动器12(参照图1)连接。除了具备第四晶体管24这一点,图8A所示的第一变形例与图3所示的驱动电路10的示例相同。对与图3的示例同样的结构要素标注相同附图标记,并省略其说明。
如图8B所示,在图8A所示的第一变形例中,在切换期间P21,第六总线46成为高电平,第四晶体管24成为导通状态,第一晶体管21的源极经由第四晶体管24与接地线E连接这一点与所述的图3以及图6的示例不同。
首先,在第三总线43为高电平的期间,第六总线46与第二总线42一起成为高电平,第三晶体管23以及第四晶体管24成为导通状态,第一晶体管21的源极经由第四晶体管24与接地线E连接。因此,蓄积于EL元件60的未图示的寄生电容的电荷被放电,第一晶体管21的源极电位VS11成为零电位。此时,第一总线41的电位成为与Vcm大致相同的电位,第一晶体管21的栅极电位VG11以及LC元件50的像素电极51的电位成为与Vcm大致相同的电位LC元件50的残留电荷被放电。之后,第三总线43成为低电平,LC元件50与其他的结构要素电分离,像素电极51的电位大致保持在Vcm。
而且,之后,第一总线41的电位根据需要被设定为任意的电位,第一晶体管21的栅极电位VG11也成为追随其的电位。此时,在所述的图3以及图6的示例中,第一总线41的电位优选被设定为比第一晶体管21的阈值电压稍微大的值,在第一晶体管21中流通电流,从而其源极电位VS11下降至零电位。另一方面,在图8A以及图8B的示例中,最初通过第六总线46使源极电位VS11下降至接地线E的电位(零电位),因此能够将第一总线41的电位设定为与第一晶体管21的阈值电压相比绝对值较小的值。通过如此设置,第一晶体管21成为断开状态,因此在切换期间P21在第四总线44成为高电平而施加有电源电压的瞬间,能够抑制EL元件60不进行多余的发光。如此,通过还具备与有机EL显示元件60并列连接的第四晶体管24,从而能够更可靠且以短时间将第一晶体管21的源极电位VS11设为零电位,能够准确地控制EL元件60的驱动电流。此外,在向EL元件60的显示的切换的瞬间能够防止EL元件60进行多余的发光。图8B所示的时序图除了这一点以外与图6所示的时序图相同,因此省略与其他动作相关的说明。
在图9A中示出本实施方式的显示装置1的驱动电路10的第二变形例。如图9A所示,在第二变形例的驱动电路10中,多个像素3(参照图1)的各像素还具备连接在第四总线44和第一晶体管21之间的第十晶体管30。在图9A的示例中,第十晶体管30为n沟道场效应型晶体管(n-FET),其漏极与第四总线44连接,源极与第一晶体管21的漏极连接。并且,第十晶体管30的栅极与第七总线47连接。第七总线47例如与扫描线驱动器12(参照图1)连接。另外,第十晶体管30也可以是构成所述的电流遮断电路11(参照图4)的场效应型晶体管。除了具备第十晶体管30这一点,图9A所示的第二变形例与图3所示的驱动电路10的示例相同。对与图3的示例同样的结构要素标注相同附图标记,并省略其说明。
如图9B所示,在图9A所示的第二变形例中,在切换期间P21,第七总线47成为高电平,第十晶体管30成为导通状态而第四总线44的电源电压施加于第一晶体管21的漏极这一点与所述的图3以及图4的示例不同。
首先,在第三总线43为高电平的期间,第二总线42全部成为高电平,被设定为与COM线的电位Vcm大致相同的电位的第一总线41的电位被施加于第一晶体管21的栅极。第一晶体管21的栅极电位VG11以及LC元件50的像素电极51的电位成为与Vcm大致相同的电位,LC元件50的残留电荷被放电。之后,第三总线43成为低电平而第二晶体管22断开,LC元件50与其他的结构要素电分离,像素电极51的电位保持在Vcm。
而且,之后,第一总线41的电位根据需要被设定为任意的电位,第一晶体管21的栅极电位VG11也成为追随其的电位。此时,第一总线41的电位(以及第一晶体管21的栅极电位VG11)理想的是被设定为,与第一晶体管21的阈值电压相比而绝对值较大的值。于是,接着当第七总线47以及第四总线44成为高电平而供给电源电压时,经由驱动晶体管即第一晶体管21在EL元件60中流通有电流,蓄积于EL元件60的寄生电容的电荷被放电,第一晶体管21的源极电位VS11缓缓地到达零电位。如此,通过还具备控制与电源电压的连接的第十晶体管30,从而能够自由地控制EL元件60的发光状态(导通/断开),能够更加精度良好地表现任意的灰度。图9B所示的时序图除所述的点以外与图6所示的时序图相同,因此省略与其他动作相关的说明。
在图10A中示出本实施方式的显示装置1的驱动电路10的第三变形例。如图10A所示,在第三变形例的驱动电路10中,第一晶体管21、第二晶体管22以及第三晶体管23为p沟道场效应型晶体管(p-FET)这一点与图3所示的示例不同。因此,第三晶体管23的漏极与第一晶体管21的栅极以及第二晶体管22的源极连接。第三晶体管23的源极与第一总线41连接,第二晶体管22的漏极与LC元件50的像素电极51连接。此外,第一晶体管21的源极与第四总线44连接,其漏极与EL元件60的阳极61连接。因此,EL元件用辅助电容C1的一端和第一晶体管21的源极一起与第四总线44连接。除了第一至第三晶体管21~23为p-FET这一点,图10A所示的第三变形例与图3所示的驱动电路10的示例相同。对与图3的示例同样的结构要素标注相同附图标记,并省略其说明。
在图10B中示出图10A所示的第三变形例的驱动电路10中的EL元件60的显示期间内的动作。第一晶体管21如图10A那样为p-FET,在其源极与第四总线44连接的情况下,源极电位稳定,因此能使用与所述的图6所示的向第一晶体管21的电压的施加方法不同的简单方法。即,如图10B所示,第一总线41在像素矩阵的各行的第一晶体管21的电压施加时,能够仅被设定为应设置于第一晶体管21的栅极的电位。在表示图10B的第一总线41的电位的段,重叠示出按照像素矩阵的每行而第一总线41从高电平(VH)被设定为低电平(VL)以及从低电平被设定为高电平的情况下的电位的变化(在图10B中,以因从第一总线41到第一晶体管21的栅极之间的电容成分的影响而电位缓和地变化的方式进行描绘)。同样地,在表示各行的第一晶体管21的栅极电位VG11、VG12的段,重叠示出各栅极电位从高电平被设定为低电平以及从低电平被设定为高电平的情况下的电位的变化。此外,第二晶体管22以及第三晶体管23为p-FET,因此在第三总线43以及第二总线42分别为低电平时,第二晶体管22以及第三晶体管23分别成为导通状态。
在图11A中示出本实施方式的显示装置1的驱动电路10的第四变形例。如图11A所示,在第四变形例的驱动电路10中,第一晶体管21为p沟道场效应型晶体管(p-FET)这一点与图3所示的示例不同。因此,第一晶体管21的源极与EL元件用辅助电容C1的一端连接,并且与第四总线44连接,其漏极与EL元件60的阳极61连接。与所述的图10A的示例同样地,第一晶体管21为p-FET,因此能够在向第一晶体管21的电压的施加时使用简单的方法。另一方面,第二以及第三晶体管22、23为载流子的移动度较高的n沟道场效应型晶体管,因此能够以短时间进行向LC元件50的驱动电压的写入。除了第一晶体管21为p-FET这一点,图11A所示的第四变形例与图3所示的驱动电路10的示例相同。对与图3的示例同样的结构要素标注相同附图标记,并省略其说明。
如图11B所示,在图11A所示的第四变形例中,也与所述的图10A所示的第三变形例同样地,在第一总线41中,在向像素矩阵的各行的第一晶体管21的电压施加时设定有仅应设置于第一晶体管21的栅极的电位。在第四变形例中,也能够如此使用简单的施加方法。另外,在图11B中,在第三总线43以及第二总线42分别为高电平时,n沟道场效应型晶体管即第二晶体管22以及第三晶体管23分别成为导通状态。
<第二实施方式>
接下来,参照附图对第二实施方式的显示装置进行说明。另外,第二实施方式的显示装置主要与各像素3的驱动电路相关,且与第一实施方式的显示装置不同。另一方面,第二实施方式的显示装置的构造、多个像素3的配置等与图2以及图1例示的第一实施方式的显示装置1的构造、像素3的配置相同。因此,主要对第二实施方式所涉及的驱动电路10a进行说明,省略与第一实施方式同样的结构要素相关的说明。在图12中示出驱动电路10a的一个示例。
如图12所示,本实施方式所涉及的驱动电路10a与所述的第一实施方式所涉及的驱动电路10同样地至少包含:第一总线41、第二总线42、第三总线43、以及向有机EL显示元件60供给电流的第四总线44,有机EL显示元件(EL元件)60具备与液晶显示元件(LC元件)50的像素电极51以及对置电极53电分离而分别形成的阳极61以及阴极63。而且,驱动电路10a与所述的驱动电路10同样地具备:基于第一总线41的电位改变向EL元件60供给的电流的大小的第一晶体管21、第二晶体管22、基于第二总线42的电位对第一晶体管21以及第二晶体管22和第一总线41进行电连接的第三晶体管23。并且,在本实施方式中,第一晶体管21、第二晶体管22以及第三晶体管23为p沟道场效应型晶体管(p-FET),第一晶体管21的源极与第三晶体管23的漏极连接,并且第三晶体管23的源极与第一总线41连接。此外,第一晶体管21的栅极与第二晶体管22的源极连接,并且第二晶体管22的漏极与液晶显示元件50的像素电极51连接。并且,驱动电路10a还具备应基于第二总线42的电位而使第一晶体管21的栅极和第一晶体管21的漏极基本上短路而设置的第五晶体管25。而且,驱动电路10a具备使第一晶体管21的源极和第四总线44电连接或电分离的第六晶体管26、使第一晶体管21的漏极和有机EL显示元件60的阳极61电连接或电分离的第七晶体管27。
第五晶体管25的漏极与第一晶体管21的栅极连接,第五晶体管25的源极与第一晶体管的漏极连接,第五晶体管25的栅极与第二总线42连接。此外,第六晶体管26的源极与第四总线44连接,第六晶体管26的漏极和第三晶体管23的漏极一起与第一晶体管21的源极连接。EL元件用辅助电容C1连接在第一晶体管21的栅极与第四总线44之间。此外,第七晶体管27的源极与第一晶体管21的漏极以及第五晶体管25的源极连接,第七晶体管27的漏极与EL元件60的阳极61连接。并且,在图12的示例中,第六晶体管26的栅极以及第七晶体管27的栅极一起与第八总线48连接。
另外,在第一晶体管21的栅极中,在第五晶体管25成为导通状态而第一晶体管21的栅极与漏极短路时,其源极之间成为所谓二极管连接的状态。在该情况下,在第一晶体管21的栅极中经由第三晶体管23而设定有基于第一总线41的电位(具体而言,与源极电位相比下降了临界电压的大小的电位)。因此,第一晶体管21基于第一总线41的电位改变向EL元件60供给的电流的大小。此外,如此第一晶体管21的源极与漏极进行二极管连接,因此第三晶体管23基于第二总线42的电位,将第二晶体管22的源极与第一总线41电连接。通过使用图12所示的驱动电路,能够针对第一晶体管21的栅极-源极间的电压而补偿临界电压,因此能够减小临界电压的偏差的影响,能够细致地控制EL元件60中流通的电流。
此外,在图12的示例中,第二实施方式的显示装置所具备的多个总线还包含第五总线45,所述第五总线45在设置于多个像素3(参照图1)中的每行并在后述的第一晶体管21的栅极电位的初始化时与第一晶体管21的栅极电连接。此外,在图12的示例中,多个像素3的各像素的驱动电路10a具备使第五总线45和第一晶体管21的栅极电连接或电分离的第八晶体管28、应基于第二总线42的电位使有机EL显示元件60放电而设置的第九晶体管29。
即,第八晶体管28的源极与第一晶体管21的栅极以及第二晶体管22的源极连接,第八晶体管28的漏极与第五总线45连接。在图12的示例中,第八晶体管28的栅极与第九总线49连接。此外,第九晶体管29的源极与EL元件60的阳极61连接,漏极与第五总线45连接。通过具备第九晶体管29,从而能够防止由有机EL显示元件60的残留电荷引起的显示不匀的产生等。在图12的示例中,第九晶体管29的栅极与第二总线42连接。另外,在图12的示例中,第五至第九晶体管25~29全部为p沟道场效应型晶体管,第五以及第八总线45、48例如与扫描线驱动器12(参照图1)连接。第九总线49也可以与扫描线驱动器12连接,但在本实施方式中,也可以与相对于扫描线驱动器12而独立进行动作的第二扫描线驱动器12a(参照图1)连接。
另外,第一晶体管21的栅极电位的“初始化”是指,在向第一晶体管21的栅极-源极间施加基于显示数据的电压前,将第一晶体管21的栅极电位设定为预设的初始电位。例如,第一晶体管21的栅极电位在初始化时被设定为第五总线45的电位。在初始化时,使EL元件用辅助电容C1充电或放电。
以图12所示的驱动电路10a为例,参照图13以及图14对第二实施方式的显示装置的驱动方法进行说明。在图13以及图14中示出本发明的第二实施方式的显示装置的驱动方法中的、从LC元件的显示期间P2向EL元件的显示的切换期间P21以及EL元件的显示期间P1中的动作的示例。第二实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,与所述的第一实施方式的显示装置的驱动方法同样地,在进行EL元件60的显示时,将基于显示数据的电压施加于第一晶体管21的栅极与源极之间,且使用第二晶体管22对第一总线41和液晶显示元件50进行电分离。此外,第二实施方式的显示装置的驱动方法的特征在于,在进行LC元件50的显示时,通过将第三晶体管23设为导通状态从而对第一总线41和LC元件50的像素电极51进行电连接,而且在向EL元件60的显示的切换中,在将第二晶体管22设为断开状态前减少像素电极51与对置电极53之间的电位差。
并且,如图13以及图14所示,第二实施方式的显示装置的驱动方法除了在切换期间P21减少LC元件50的像素电极51与对置电极53之间的电位差以外,还包含在将第二晶体管22设为断开状态(将第三总线43设为高电平)后,将第一晶体管21的栅极电位设定为初始电位Vini。该栅极电位的初始化在将基于显示数据的电压施加于第一晶体管21的栅极与源极之间前来进行。
首先,对在切换期间P21减少LC元件50的像素电极51与对置电极53之间的电位差的方法进行说明。如图13以及图14所示,该电位差的降低在后述的初始化期间Pini之前的残留电荷消除期间Pdis进行。
在图13所示的电位差的降低方法的一个示例中,第三总线43为低电平的状态(第二晶体管22为导通的状态),第五总线45的电位被设定为LC元件50的对置电极53的电位、即与COM线的电位Vcm大致相同的电位。并且,像素矩阵的整行的第九总线49成为低电平。通过如此设置,第八晶体管28成为导通状态,并经由第二晶体管22以及第八晶体管28对像素电极51和第五总线45进行电连接。其结果为,像素电极51的电位成为COM线的电位Vcm、即与对置电极53的电位大致相同的电位。如此,能够在将第二晶体管22从导通状态设为断开状态前减少像素电极51与对置电极53之间的电位差。之后,整行的第九总线49成为高电平,在其之前或之后,第三总线43成为高电平(第二晶体管22断开)。第五总线45的电位在第九总线49以及第三总线43中的至少任意一者成为高电平后,变更为电位Vcm以外的任意的电位,优选被设定为下一个初始化期间Pini内设定的初始电位Vini。此外,第一晶体管21的栅极伴随着第九总线49成为低电平而被设定为与电位Vcm大致相同的电位。另外,在图13中,第一总线41的电位在第三总线43为低电平的期间,被设定为与电位Vcm大致相同的电位,之后被设定为初始电位Vini。但是,在图13所示的电位差的降低方法的示例中,在第九总线49与第二扫描线驱动器12a连接并与其他总线(例如第二总线42)独立地被控制的情况下,在残留电荷消除期间Pdis内,第一总线41被设定为任意的电位。这是由于,只要第二总线42为高电平,第一总线41就会与第一晶体管21的栅极、像素电极51电分离。
在图14所示的像素电极51与对置电极53之间的电位差的降低方法的其他例中,第三总线43为低电平的状态(第二晶体管22为导通的状态),首先,第一晶体管21的栅极电位被设定为初始电位Vini。该设定以与后述的初始化期间Pini内的第一晶体管21的栅极电位的初始化同样的方法来进行。即,在第五总线45被设定为初始电位Vini的状态下,整行的第九总线49成为低电平。此时,如图14所示,如果第二总线42为高电平,则第一总线41被设定为任意的电位。另外,在图14中初始电位Vini为比COM线的电位Vcm(接下来第一总线41中设定的电位)低的电位,且与电位Vcm的电位差的绝对值为第一晶体管21的临界电压VT1的绝对值以上的电位。
在整行的第九总线49返回高电平后,第一总线41的电位被设定为对置电极53的电位、即与COM线的电位Vcm大致相同的电位(时期t4)。而且,作为像素电极51与对置电极53之间的电位差降低的对象的行的第二总线42成为低电平(时期t5),第三晶体管23以及第五晶体管25成为导通状态。通过第五晶体管25成为导通状态,从而第一晶体管21的漏极与栅极电连接。即,第一晶体管21的源极与栅极成为所谓二极管连接的状态,第一总线41与像素电极51经由第三、第一、第五以及第二晶体管23、21、25、22而被电连接。其结果为,像素电极51的电位成为与第一总线41中设定的电位Vcm接近的电位(例如,比Vcm低第一晶体管21的临界电压VT1的电位)。如此,也可以减少像素电极51与对置电极53之间的电位差。或者,也可以预先将时期t5中的第一总线41的设定电位设定为比Vcm高与第一晶体管21的临界电压VT1对应的量的电位,经由二极管连接状态的第一晶体管21而向像素电极51施加的电位成为大致Vcm。如此,也可以将像素电极51与对置电极53之间的电位差设为大致为零。
接下来,像素矩阵的各行的第二总线42依次成为低电平,各行的LC元件50的像素电极51与对置电极53的电位差依次减少。在所有行的LC元件50中,当像素电极51与对置电极53的电位差减少时,第三总线43成为高电平(时期t6)。另外,各行的第二总线42在各行的像素电极51的电位成为与对置电极53的电位接近的电位之后,返回高电平。第一总线41在如此所有行的第二总线42成为高电平后,变更为电位Vcm以外的任意的电位,但优选被设定为相当于在下一个初始化期间Pini写入的电位的初始电位Vini。另外,第一晶体管21的栅极在被设定为初始电位Vini后,伴随着第二总线42成为低电平而变换为与Vcm接近的电位。第五总线45的电位也可以为初始电位Vini且恒定,也可以在第一晶体管21的栅极电位被设定为初始电位Vini后变更为任意的电位。在图14所示的方法中,第五总线45例如为电位Vini且恒定的状态,能够减少像素电极51与对置电极53之间的电位差。另外,在本实施方式的显示装置的驱动方法中,也与所述的第一实施方式的方法同样地,像素电极51也可以为了降低与对置电极53之间的电位差而成为COM线的电位Vcm以外的电位。
接下来,对切换期间P21内的、第一晶体管21的栅极电位被设定为初始电位Vini的初始化期间Pini进行说明。初始电位Vini为,比在切换为有机EL显示元件60的显示切换后最初第一总线41中应设定的第一电位低的电位且与第一电位的电位差的绝对值为第一晶体管21的临界电压(VT1)的绝对值以上的电位。第一电位为,在图13以及图14的示例中,从电位V1L到电位V1H的范围内的电位,电位V1H表示最初第一总线41中设定的电位中的最高电位,V1L表示最低电位。因此,在第一晶体管21的栅极中,在切换期间P21,将处于从电位V1L到电位V1H的范围内的第一电位设定为以VT1的绝对值以上的差降低的初始电位Vini。另外,图13以及图14中针对初始化期间Pini以及EL元件60显示期间P1而示出同样的图表,因此在以下的说明中,主要参照图13。
在初始化期间Pini,第八总线48成为高电平(第六晶体管26以及第七晶体管27为断开状态),第五总线45的电位被设定为初始电位Vini。另外,Vini也可以是与固定电源连接的恒定电压,也可以是与扫描线电路连接的电压信号。并且,像素矩阵的整行的第九总线49成为低电平。即,整行的第八晶体管28成为导通状态,其结果为,整行的第一晶体管21的栅极电位VG11被设定为第五总线45的电位Vini。当第一晶体管21的栅极电位VG11被设定为初始电位Vini时,整行的第九总线49被设定为高电平,初始化期间Pini结束。在初始化期间Pini的结束后,第五总线45的电位也可以变更为初始电位Vini以外的任意的电位。此外,初始化期间Pini中的第一总线41的电位只要第二总线42为高电平,就可以被设定为任意的电位,但优选被设定为与初始电位Vini大致相同的电位。
在切换为EL元件60的显示前的LC元件50的显示期间内,LC元件50的像素电极51被设定为基于显示数据的任意的电位,第一晶体管21的栅极也维持大致相同的电位。在该状态下过渡至EL元件60的显示期间的情况下,当最初第一总线41中设定的第一电位为比第一晶体管21的栅极电位低的电位时,第一晶体管21的源极-栅极间成为反偏置的状态。在该情况下,有时在第一晶体管21的栅极-源极间未施加有用于EL元件60的显示的期望的电压。另外,如上所述,在本实施方式中,在切换期间P21中,第一晶体管21的栅极成为与对置电极53大致相同的电位。但是,即使在该情况下,第一晶体管21的源极-栅极间也以第一电位的大小逐渐地成为反偏置的状态。因此,在本实施方式的驱动方法中,在将基于显示数据的电压向第一晶体管21的栅极与源极之间施加前,将第一晶体管21的栅极电位VG11设定为初始电位Vini。
对像素矩阵的整行的第一晶体管21一并进行第一晶体管21的栅极电位VG11的初始化。在该情况下,也可以至少在第一帧显示期间F1中,在向各行的第一晶体管21的电压的施加时,按照每行进行初始化。但是,第一晶体管21的栅极电位的初始化也可以,在将基于显示数据的电压向各行的第一晶体管21施加时,按照每行来进行。另外优选为,也可以在第二帧显示期间F2之后对第一晶体管21的栅极电位VG11进行初始化,以便不会影响在紧前的帧中第一晶体管21的栅极中设定的电位且能够将电压施加于第一晶体管21。在该情况下,也可以对整行一并进行初始化,也可以按照每行来进行。
另外,第九总线49也可以和第二总线42等一起与扫描线驱动器12连接。例如,作为与像素矩阵的各行连接的第九总线49,也可以利用与该行的相邻行连接的第二总线42。通过如此设置,有时能够减少所需的总线的总数、扫描线驱动器的数量。但是,在将如此相邻行的第二总线42用作第九总线49的情况下,在所述的残留电荷消除期间Pdis、初始化期间Pini将整行的第九总线49设为低电平时,第二总线42也成为低电平。其结果为,除第五总线45以外第一总线41也与第一晶体管21的栅极、像素电极51电连接。在那样的状况下为了获得稳定的动作,也优选为在将第一晶体管21的栅极电位VG11设定为初始电位Vini时,将第一总线41的电位设定为与初始电位Vini大致相同的电位。此外,优选在利用所述的图13所示方法消除LC元件50的残留电荷时,将第一总线41的电位设定为与第五总线45的电位(例如电位Vcm)大致相同的电位。
接下来,对本实施方式的驱动方法的EL元件60的显示期间P1中的动作进行说明。另外,在本实施方式的驱动方法中,针对LC元件50的显示,只有除第三以及第二晶体管23、22以外还经由第一晶体管21向LC元件50施加电压这一点与第一实施方式的驱动方法不同。因此,省略LC元件50的显示期间内的动作的说明。
如图13所示,在初始化期间Pini的结束后,在电压设定期间Pst,第二总线42成为低电平,从而第一总线41与第一晶体管21的源极电连接,并且第一晶体管21的栅极与第一晶体管21的漏极电连接。
第一晶体管21的栅极与漏极基本上短路,因此如上所述,第一晶体管21成为所谓二极管连接的状态,第一晶体管21的栅极成为降低与从第一总线41的电位(例如V1H)至第一晶体管21的临界电压(VT1)对应的量的电位。第一总线41被设定为基于显示数据的电位(图13中,与所述的图10B同样地,以通过电容成分的影响而电位缓和地变化的方式进行描绘),基于显示数据的电位施加于第一晶体管21的栅极。在电压设定期间Pst,第八总线48处于高电平,因此第六以及第七晶体管26、27成为断开状态,因此,EL元件60不发光。另一方面,在EL元件用辅助电容C1蓄积有相当于第一晶体管21的栅极与第四总线44的差电压的电荷。另外,在图13以及图14中在表示第一总线41的电位的段,重叠地示出按照像素矩阵的每行而第一总线41从高电平(V1H)设定为低电平(V1L)以及从低电平设定为高电平的情况下的电位的变化。同样地,在表示第一晶体管21的栅极电位VG11的段,重叠地示出向各栅极电位写入第一总线41的电位而被设定为高电平(VGH)的情况以及被设定为低电平(VGL)的情况下的电位的变化。
此外,在电压设定期间Pst,第二总线42为低电平,因此与第五晶体管25一起第九晶体管29成为导通状态。即,图13的示例的方法包含:在第一晶体管21的栅极与漏极电连接时,经由第九晶体管29使有机EL显示元件60放电。如此能够通过使发光前EL元件60放电来抑制产生显示不匀等。
基于显示数据的电位被施加于第一晶体管21的栅极,在图13所示那样的栅极电位的变化饱和后,第二总线42成为高电平,电压设定期间Pst结束。通过第二总线42成为高电平,第三以及第五晶体管23、25成为断开状态,其结果为,第一晶体管21的栅极与漏极电分离。此外,第一晶体管的源极与第一总线41分离。
在该状态下,在发光期间Pem,第八总线48被设定为低电平,第六以及第七晶体管26、27成为导通状态。通过第六晶体管26成为导通状态,从而第一晶体管21的源极与第四总线44电连接。其结果为,在第一晶体管21的栅极与源极之间施加有电压设定期间Pst内的EL元件用辅助电容C1的两端之间的电压。基于该栅极源极间电压,在第一晶体管21中流通有漏极电流,在经由导通状态的第七晶体管27而连接的EL元件60中流通有驱动电流。其结果为,EL元件60以与驱动电流对应的亮度进行发光。
另外,EL元件用辅助电容C1的两端间的电压如上所述,通过第一晶体管21的临界电压(VT1)与由第一总线41的电位来确定的第一晶体管21的栅极电位来确定。因此,对临界电压进行补偿,能够细致地控制EL元件60中流通的电流。
再次参照图2对本实施方式的显示装置1的像素3的构造进行说明。如图2所示,在基板2之上形成有包含第一以及第二晶体管21、22等的驱动电路10,在形成于各晶体管之上的绝缘层31之上形成有反射型的LC元件50以及EL元件60。虽未图示,但在基板2也形成有第一至第四总线41~44(参照图1)等各总线。此外,以与基板2中的形成有LC元件50等的面对置的方式设置有第二基板20。基板2与第二基板20空开恒定的间隙并通过未图示的密封剂层粘接于外周部。
一个像素3具有第一区域R和与第一区域R相邻的第二区域T,在第一区域R形成有LC元件50,在第二区域T形成有EL元件60。LC元件50由如下部件构成:作为反射电极发挥功能的像素电极51、第一以及第二取向层54a、54b、液晶层52、由ITO等透明的材料构成的对置电极53、滤色器55、以及偏振板56。像素电极51形成在后述的第三绝缘层64a之上。第二取向层54b、对置电极53、滤色器55以及偏振板56设置于第二基板20,将液晶层52以及第一取向层54a一同以遍及像素3的整体的方式设置于像素3。
EL元件60包含阳极61、对发光区域进行划分的第二绝缘层64、有机层62、阴极63、以及覆盖其周围的包覆层65。在图2的示例中,包覆层65以包含EL元件60的有机层62、阴极63的方式进行覆盖,包覆层65的边缘与绝缘层31接合。包覆层65优选为由氧化硅、氮化硅等水蒸气透过度极低的材料形成。通过由那样的材料构成的包覆层65对有机层62以及阴极63进行密封,因此能够防止因与水分的接触而引起的EL元件60的劣化。另外,在第一区域R的绝缘层31之上,利用与第二绝缘层64相同的材料且以大致相同的厚度形成有第三绝缘层64a。因此,能够减少第一区域R和第二区域T中的液晶层52的厚度的差异。
基板2例如由玻璃基板或聚酰胺等树脂膜等构成,第二基板20由玻璃或树脂膜等透光性的材料形成。也作为平坦化膜发挥功能的绝缘层31例如使用聚酰胺等有机材料来形成,但从所述的包覆层65的封接性的观点出发,也可以使用SiOy、SiNx等无机材料来形成。
LC元件50的像素电极51例如由Al(铝)与IZO(铟锌氧化物)的层压膜而仅形成在第一区域R。像素电极51经由设置于第三绝缘层64a的通路接触部64a1与第二晶体管22连接。针对液晶层52使用含有期望的液晶材料的任意的液晶材料。优选液晶层52构成为,通过偏振板56以及第一以及第二取向层54a、54b的协作,而LC元件50成为常黑模式。通过如此设置,有时能够降低显示装置1的功耗。
例如,在针对偏振板56使用圆偏振板并且液晶层52具有1/4波长的相位差的情况下,在未施加有电压的状态下液晶分子进行垂直取向,而选择液晶材料的介电各向异性,并且形成与其对应的第一以及第二取向层54a、54b。当如此构成液晶层52等时,在电压无施加的状态下,穿过偏振板56的外部光直接在垂直取向状态的液晶层52中穿过而通过像素电极51的反射在相位偏移1/4波长的状态下返回。因此,那样的光无法透过偏振板56,且LC元件50成为黑显示。另一方面,当对液晶层52施加恒定值以上的电压时,穿过了水平取向状态的液晶层52的光,在像素电极51中以直线偏振的状态反射,并以与入射时相反的经纬返回至偏振板56,因此返回来的光穿过偏振板56而释放至外部。
另外,在EL元件60上也形成有液晶层52,但在EL元件60上未形成有像素电极51,因此由EL元件60发出的光总是穿过垂直取向状态的液晶层52,并透过偏振板56而释放到显示装置1的外部。
EL元件60的阳极61例如由ITO/APC/ITO的层压膜形成。第二绝缘层64也被称作绝缘堤或隔壁,因此例如由聚酰胺、丙烯酸树脂等树脂形成。有机层62在图2中示出一层,但也可形成为包含正孔输送层、发光层、电子输送层等的多层构造的层压膜。正孔输送层例如由胺系材料形成,发光层例如由在作为主材料的Alq3、BAlq等中掺杂与发光色对应的掺杂剂而形成的材料来形成,电子输送层例如由Alq3等形成。有机层62也可以还包含正孔注入层以及由无机材料形成的电子注入层。另外,在EL元件60上还设置有滤色器55的情况下,发光层也可以使用进行白色发光的材料来形成,具体而言,也可以各自层压有发出蓝色和橙色光这两个层。阴极63由透光性的材料、例如薄膜的Mg-Ag共晶膜形成。在阴极63的表面,例如由Si3N4、SiO2等无机绝缘膜构成的包覆层65形成为一层或二层以上的层压膜。并且,在包覆层65之上形成有所述的第一取向层54a。另外,各实施方式的显示装置的构造并不限定于图2的示例。
<总结>
本发明的方式1所涉及的显示装置的特征在于,具备:基板,其具备多个总线;以及多个像素,其呈矩阵状设置于所述基板之上并各自具备液晶显示元件以及有机EL显示元件,所述多个总线至少包含:第一总线,其设置于所述多个像素中的每列;第二总线,其设置于所述多个像素中的每行;第三总线,其在所述液晶显示元件被驱动时被设定为规定的电位;以及第四总线,其向所述有机EL显示元件供给电流,所述液晶显示元件具备隔着包含液晶组成物的液晶层而对置的像素电极和对置电极,所述有机EL显示元件具备与所述像素电极以及所述对置电极电分离而分别形成的阳极以及阴极以及夹装在所述阳极与所述阴极之间的有机层,所述多个像素的各像素还具备:第一晶体管,其基于所述第一总线的电位改变向所述有机EL显示元件供给的电流的大小;第二晶体管,其基于所述第三总线的电位使所述第一总线与所述液晶显示元件的所述像素电极电分离;以及第三晶体管,其基于所述第二总线的电位对所述第一晶体管以及所述第二晶体管和所述第一总线进行电连接。
根据本发明的方式1的结构,在具备液晶显示元件以及有机EL显示元件的显示装置中,能够减少对液晶显示元件以及有机EL显示元件的驱动电压的限制。此外,能够减少功耗。
本发明的方式2所涉及的显示装置也可以在所述方式1的基础上,还具备电流遮断电路:所述电流遮断电路构成为,应使来自所述第四总线的向所述有机EL显示元件的电流的供给停止,所述电流遮断电路构成为,在通过所述第二晶体管而使所述第一总线与所述像素电极电连接时应使向所述有机EL显示元件的电流的供给停止。
根据本发明的方式2的结构,能够在液晶显示元件的显示中防止向有机EL显示元件的通电且防止无用的电力消耗。此外,能够对液晶显示元件施加广泛范围的电压。
本发明的方式3所涉及的显示装置也可以在所述方式1或2的基础上,所述第一晶体管为场效应型晶体管,所述第二晶体管以及所述第三晶体管为n沟道场效应型晶体管,所述第三晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的漏极连接。
根据本发明的方式3的结构,能够以短时间进行向液晶显示元件的驱动电压的写入。
本发明的方式4所涉及的显示装置也可以在所述方式3的基础上,所述第一晶体管为p沟道场效应型晶体管。
根据本发明的方式4的结构,第一晶体管的源极电位稳定,因此能够相对于有机EL显示元件的劣化而使显示品质稳定,并且能够以简单的驱动方法驱动有机EL显示元件。
本发明的方式5所涉及的显示装置也可以在所述方式3的基础上,所述第一晶体管为n沟道场效应型晶体管,所述多个像素的各像素还具备与所述有机EL显示元件并列连接的第四晶体管。
根据本发明的方式5的结构,能够准确地控制有机EL显示元件的驱动电流。
本发明的方式6所涉及的显示装置也可以在所述方式1或2的基础上,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的源极连接。
根据本发明的方式6的结构,第一晶体管的源极电位稳定,因此能够相对于有机EL显示元件的劣化而使显示品质稳定,并且能够以简单的驱动方法驱动有机EL显示元件。
本发明的方式7所涉及的显示装置也可以在所述方式1的基础上,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极连接,并且所述第三晶体管的源极与所述第一总线连接,所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接,并且所述第二晶体管的漏极与所述液晶显示元件的所述像素电极连接,所述多个像素的各像素还具备:第五晶体管,其被设为应基于所述第二总线的电位而使所述第一晶体管的所述栅极与所述第一晶体管的漏极基本上短路;第六晶体管,其使所述第一晶体管的所述源极和所述第四总线电连接或电分离;以及第七晶体管,其使所述第一晶体管的所述漏极与所述有机EL显示元件的所述阳极电连接或电分离。
根据本发明的方式7的结构,能够对各像素中的第一晶体管的临界电压的偏差进行补正,能够细致地控制有机EL显示元件中流通的电流。
本发明的方式8所涉及的显示装置也可以在所述方式7的基础上,所述多个总线还包含第五总线,所述第五总线设置于所述多个像素中的每行并在所述第一晶体管的栅极电位的初始化时与所述第一晶体管的所述栅极电连接,所述多个像素的各像素还具备第八晶体管,所述第八晶体管使所述第五总线和所述第一晶体管的所述栅极电连接或电分离。
根据本发明的方式8的结构,能够容易地进行第一晶体管的栅极电位的初始化。
本发明的方式9所涉及的显示装置也可以在所述方式7或8的基础上,所述多个像素的各像素还具备第九晶体管,所述第九晶体管被设为应基于所述第二总线的电位使所述有机EL显示元件放电。
根据本发明的方式9的结构,能够抑制有机EL显示元件的显示不匀等的产生。
本发明的方式10所涉及的显示装置的驱动方法的特征在于,多个像素的各像素具备分别形成于基板的表面的液晶显示元件以及有机EL显示元件,其中,在进行所述有机EL显示元件的显示时,将基于与所述多个像素的各像素中的显示相关的数据即显示数据的电压,施加于使在所述有机EL显示元件中流通的电流变化的第一晶体管的栅极与源极之间,且使用与所述液晶显示元件的像素电极连接的第二晶体管,使被设定为基于所述显示数据的电位的第一总线与所述液晶显示元件电分离,在进行所述液晶显示元件的显示时,通过将所述第二晶体管以及设置于所述第二晶体管与所述第一总线之间的第三晶体管设为导通状态从而使所述第一总线与所述像素电极电连接,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,在将所述第二晶体管从导通状态设为断开状态前减少所述液晶显示元件的所述像素电极与对置电极之间的电位差。
根据本发明的方式10的结构,能够减少对液晶显示元件以及有机EL显示元件的驱动电压的限制。此外,能够有防止在向机EL显示元件的显示期间的过渡后液晶显示元件继续显示。
本发明的方式11所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式10的基础上,在进行所述液晶显示元件的显示时,停止向所述有机EL显示元件的电流的供给。
根据本发明的方式11的结构,能够防止在液晶显示元件的显示中向有机EL显示元件的通电并防止无用的电力消耗。此外,能够对液晶显示元件施加广泛的范围的电压。
本发明的方式12所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式10或11的基础上,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,通过将所述第一总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位从而减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
根据本发明的方式12的结构,能够容易地防止在向有机EL显示元件的显示的过渡后液晶显示元件继续显示。
本发明的方式13所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式10或11的基础上,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,在将所述第二晶体管设为断开状态后,将所述第一晶体管的栅极电位设定为,比在切换为所述有机EL显示元件的显示后最初所述第一总线应设定的第一电位低的电位且与所述第一电位的电位差的绝对值为所述第一晶体管的临界电压的绝对值以上的初始电位,在所述有机EL显示元件的显示中,在将基于所述显示数据的电位向所述第一晶体管的所述栅极施加时使所述第一晶体管的漏极与所述栅极电连接,在将基于所述显示数据的电位施加于所述栅极后,使所述栅极与所述漏极电分离。
根据本发明的方式13的结构,在从液晶显示元件的显示期间向有机EL显示元件的显示期间的过渡时,即使在第一晶体管的栅极电位较高的状态下,也能够将期望的电压施加于第一晶体管。
本发明的方式14所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式13的基础上,将经由第八晶体管而连接于所述第一晶体管的所述栅极的第五总线的电位设定为所述初始电位,通过将所述第八晶体管设为导通状态,从而将所述栅极电位设定为所述初始电位。
根据本发明的方式14的结构,能够容易地将第一晶体管的栅极电位设定为初始电位。
本发明的方式15所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式14的基础上,在将所述栅极电位设定为所述初始电位时,将所述第一总线的电位设定为与所述初始电位大致相同的电位。
根据本发明的方式15的结构,第一晶体管的栅极电位的初始化时的控制的基础上,能够有效地利用总线。
本发明的方式16所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式13~15的任意方式的基础上,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,将经由第八晶体管而连接于所述第一晶体管的所述栅极的第五总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位,通过将应经由所述第二晶体管以及所述第八晶体管将所述像素电极与所述第五总线电连接的所述第八晶体管设为导通状态,从而在将所述第二晶体管从导通状态设为断开状态前减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
根据本发明的方式16的结构,能够容易地减少液晶显示元件的像素电极与对置电极的电位差。
本发明的方式17所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式13~15的任意方式的基础上,在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,将所述栅极电位设定为所述初始电位,将所述第一总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位,通过将应对所述第一总线和所述像素电极进行电连接的所述第三晶体管设为导通状态并且对所述第一晶体管的所述漏极和所述栅极进行电连接,从而在将所述第二晶体管设为断开状态前减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
根据本发明的方式17的结构,无需第五总线的电位的变更,而能够减少液晶显示元件的像素电极与对置电极的电位差。
本发明的方式18所涉及的显示装置的驱动方法也可以在所述方式13~17的任意方式的基础上,在对所述第一晶体管的所述栅极和所述漏极进行电连接时,使所述有机EL显示元件放电。
根据本发明的方式18的结构,能够抑制有机EL显示元件的显示不匀等的产生。
附图标记说明
1:显示装置
10、10a:驱动电路
11:电流遮断电路
12:扫描线驱动器
13:数据线驱动器
2:基板
21:第一晶体管
22:第二晶体管
23:第三晶体管
24:第四晶体管
25:第五晶体管
26:第六晶体管
27:第七晶体管
28:第八晶体管
29:第九晶体管
30:第十晶体管
3:像素
41:第一总线
42:第二总线
43:第三总线
44:第四总线
45:第五总线
46:第六总线
47:第七总线
48:第八总线
49:第九总线
50:液晶显示元件(LC元件)
51:像素电极
52:液晶层
53:对置电极
60:有机EL显示元件(EL元件)
61:阳极
62:有机层
63:阴极
CM:COM线
P1:有机EL显示元件的显示期间
P12:从有机EL显示元件的显示向液晶显示元件的显示的切换期间
P2:液晶显示元件的显示期间
P21:从液晶显示元件的显示向有机EL显示元件的显示的切换期间
Pdis:残留电荷消除期间
Pini:初始化期间
Vcm:COM线的电位
VG11、VG12:第一晶体管的栅极电位
Vini:初始电位
VS11:第一晶体管的源极电位
VT1:第一晶体管的临界电压

Claims (17)

1.一种显示装置,其特征在于,具备:
基板,其具备多个总线;以及
多个像素,其呈矩阵状设置于所述基板之上并各自具备液晶显示元件以及有机EL显示元件,
所述多个总线至少包含:
第一总线,其设置于所述多个像素中的每列;
第二总线,其设置于所述多个像素中的每行;
第三总线,其在所述液晶显示元件被驱动时被设定为规定的电位;
第四总线,其向所述有机EL显示元件供给电流;以及
电流遮断电路,其构成为,应使来自所述第四总线的向所述有机EL显示元件的电流的供给停止,
所述液晶显示元件具备隔着包含液晶组成物的液晶层而对置的像素电极和对置电极,
所述有机EL显示元件具备与所述像素电极以及所述对置电极电分离而分别形成的阳极和阴极以及夹装在所述阳极与所述阴极之间的有机层,
所述多个像素的各像素还具备:
第一晶体管,其基于所述第一总线的电位改变向所述有机EL显示元件供给的电流的大小;
第二晶体管,其基于所述第三总线的电位使所述第一总线与所述液晶显示元件的所述像素电极电分离;以及
第三晶体管,其基于所述第二总线的电位对所述第一晶体管以及所述第二晶体管和所述第一总线进行电连接,
所述电流遮断电路构成为,在通过所述第二晶体管而使所述第一总线与所述像素电极电连接时应使向所述有机EL显示元件的电流的供给停止。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一晶体管为场效应型晶体管,
所述第二晶体管以及所述第三晶体管为n沟道场效应型晶体管,
所述第三晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的漏极连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第一晶体管为p沟道场效应型晶体管。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,
所述第一晶体管为n沟道场效应型晶体管,
所述多个像素的各像素还具备与所述有机EL显示元件并列连接的第四晶体管。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,
所述第三晶体管的漏极与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的源极连接。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,
所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,
所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极连接,并且所述第三晶体管的源极与所述第一总线连接,
所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极连接,并且所述第二晶体管的漏极与所述液晶显示元件的所述像素电极连接,
所述多个像素的各像素还具备:
第五晶体管,其被设为应基于所述第二总线的电位而使所述第一晶体管的所述栅极与所述第一晶体管的漏极基本上短路;
第六晶体管,其使所述第一晶体管的所述源极和所述第四总线电连接或电分离;以及
第七晶体管,其使所述第一晶体管的所述漏极与所述有机EL显示元件的所述阳极电连接或电分离。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,
所述多个总线还包含第五总线,所述第五总线设置于所述多个像素中的每行并在所述第一晶体管的栅极电位的初始化时与所述第一晶体管的所述栅极电连接,
所述多个像素的各像素还具备第八晶体管,所述第八晶体管使所述第五总线和所述第一晶体管的所述栅极电连接或电分离。
8.根据权利要求6或7所述的显示装置,其特征在于,
所述多个像素的各像素还具备第九晶体管,所述第九晶体管被设为应基于所述第二总线的电位使所述有机EL显示元件放电。
9.一种显示装置的驱动方法,多个像素的各像素具备分别形成于基板的表面的液晶显示元件以及有机EL显示元件,
所述显示装置的驱动方法的特征在于,
在进行所述有机EL显示元件的显示时,将基于与所述多个像素的各像素中的显示相关的数据即显示数据的电压施加于使在所述有机EL显示元件中流通的电流变化的第一晶体管的栅极与源极之间,且使用与所述液晶显示元件的像素电极连接的第二晶体管,使被设定为基于所述显示数据的电位的第一总线与所述液晶显示元件电分离,
在进行所述液晶显示元件的显示时,通过将所述第二晶体管以及设置于所述第二晶体管与所述第一总线之间的第三晶体管设为导通状态,从而使所述第一总线与所述像素电极电连接,
在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,在将所述第二晶体管从导通状态设为断开状态前减少所述液晶显示元件的所述像素电极与对置电极之间的电位差。
10.根据权利要求9所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在进行所述液晶显示元件的显示时,停止向所述有机EL显示元件的电流的供给。
11.根据权利要求9或10所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,通过将所述第一总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位,从而减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
12.根据权利要求9或10所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管为p沟道场效应型晶体管,
在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,在将所述第二晶体管设为断开状态后,将所述第一晶体管的栅极电位设定为初始电位,所述初始电位为,与在切换为所述有机EL显示元件的显示后最初所述第一总线应设定的第一电位相比低的电位,且与所述第一电位的电位差的绝对值为所述第一晶体管的临界电压的绝对值以上的电位,
在所述有机EL显示元件的显示中,在将基于所述显示数据的电位施加于所述第一晶体管的所述栅极时使所述第一晶体管的漏极与所述栅极电连接,在将基于所述显示数据的电位施加于所述栅极后,使所述栅极与所述漏极电分离。
13.根据权利要求12所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
将经由第八晶体管而连接于所述第一晶体管的所述栅极的第五总线的电位设定为所述初始电位,
通过将所述第八晶体管设为导通状态,从而将所述栅极电位设定为所述初始电位。
14.根据权利要求13所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在将所述栅极电位设定为所述初始电位时,将所述第一总线的电位设定为与所述初始电位大致相同的电位。
15.根据权利要求12所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,将经由第八晶体管而连接于所述第一晶体管的所述栅极的第五总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位,
通过将应经由所述第二晶体管以及所述第八晶体管将所述像素电极与所述第五总线电连接的所述第八晶体管设为导通状态,从而在将所述第二晶体管从导通状态设为断开状态前减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
16.根据权利要求12所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在从所述液晶显示元件的显示向所述有机EL显示元件的显示的切换中,将所述栅极电位设定为所述初始电位,
将所述第一总线的电位设定为与所述对置电极的电位大致相同的电位,
通过将应对所述第一总线和所述像素电极进行电连接的所述第三晶体管设为导通状态并且对所述第一晶体管的所述漏极和所述栅极进行电连接,从而在将所述第二晶体管设为断开状态前减少所述像素电极与所述对置电极之间的电位差。
17.根据权利要求12所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,
在对所述第一晶体管的所述栅极和所述漏极进行电连接时,使所述有机EL显示元件放电。
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