CN111063770B - 一种SiO2蓝宝石复合衬底 - Google Patents
一种SiO2蓝宝石复合衬底 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111063770B CN111063770B CN201911178505.6A CN201911178505A CN111063770B CN 111063770 B CN111063770 B CN 111063770B CN 201911178505 A CN201911178505 A CN 201911178505A CN 111063770 B CN111063770 B CN 111063770B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sio
- sol
- coating
- sapphire
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 43
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 42
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 8
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 abstract description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0025—Processes relating to coatings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种SiO2蓝宝石复合衬底，涉及LED生产领域，其包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底上涂覆有SiO2涂层，其制备步骤如下：步骤1，SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N‑N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌3‑6h，然后静置陈化24‑36h。本方案在现有生产用蓝宝石衬底的基础上，通过采用溶胶凝胶法制备一层SiO2涂层，形成SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层有利于增加有源区中发射的光子的全反射机会，从而进一步使LED的出光效率提高，而且该涂层制备工艺简单，成本低，易与现有生产技术结合。
Description
技术领域
本发明涉及LED生产领域，尤其涉及一种SiO2蓝宝石复合衬底。
背景技术
蓝宝石图形化衬底技术(简称PSS)，是指在蓝宝石平面衬底上制备出周期性的图形化结构，是近年来发展起来的有效提高LED芯片出光效率的技术。图形化的界面改变了氮化镓(GaN)材料的生长过程，能减少GaN外延材料的位错密度，提高量子效率；另外，粗糙的GaN蓝宝石界面能散射从有源区发射的光子，使更多的光子有机会发生全反射，从而有效地提高了光的提取效率。PSS能提高LED出光效率30％左右，已经达到了理论值，因此如何在PSS的基础上提高 LED出光效率，成为该行业研究的重点。
有文献研究证明在PSS上溅射一层SiO2薄膜可以显著提高LED 出光效率，但是此方法成本高，工艺较为复杂，难以实现工业化生产。本发明制备的SiO2涂层，工艺简单，实用性强，可实现产业化。
发明内容
本发明的目的是针对现有的图形化蓝宝石衬底光提取效率低，而提出的一种SiO2蓝宝石复合衬底，能够进一步提高LED的出光效率，工艺简单，实用性强，可实现产业化。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种SiO2蓝宝石复合衬底，包括图形化蓝宝石衬底，图形化蓝宝石衬底上涂覆有SiO2涂层，其制备步骤如下：
步骤1，SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌 3-6h，然后静置陈化24-36h；
步骤2，SiO2溶胶的涂覆，将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以转速为2000-5000r/min转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，然后，以转速为1000-2000r/min转动5-10s，使SiO2溶胶平铺均匀，之后再以2000-5000r/min的转速旋转15-30s；
步骤3，热处理，将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，箱式电炉中的具体参数为：热处理温度为400-600℃，热处理时间为0.5h-2h，热处理气氛为空气，升温速率为2-5℃/min；
步骤4，清洗，将完成热处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层的厚度为100-300nm。
优选的，所述步骤1：在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570，N-N二甲基甲酰胺按照36：1：3：4.16×10-3：0.5：0.5摩尔比依次滴入，之后密封，并在磁力搅拌机上搅拌5h，然后静置陈化24h。
优选的，所述步骤2：将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以4000r/min的转速转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，先以1100r/min的转速旋转5s使SiO2溶胶平铺均匀，然后以 2500r/min的转速转动15s，SiO2溶胶的涂覆即完成。
优选的，所述步骤3：将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，具体参数为：热处理温度为500℃，热处理时间为1h，热处理气氛为空气，升温速率为2℃/min。
优选的，所述步骤4：将完成热处理处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，所述SiO2涂层的厚度为250nm。
本方案在现有生产用蓝宝石衬底的基础上，通过采用溶胶凝胶法制备一层SiO2涂层，形成SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层有利于增加有源区中发射的光子的全反射机会，从而进一步使LED的出光效率提高，而且该涂层制备工艺简单，成本低，易与现有生产技术结合。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中标号：1图形化蓝宝石衬底、2 SiO2涂层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一
参照图1一种SiO2蓝宝石复合衬底，包括图形化蓝宝石衬底 1，图形化蓝宝石衬底1上涂覆有SiO2涂层2，其制备步骤如下：
步骤1，SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌 3-6h，然后静置陈化24-36h；
步骤2，SiO2溶胶的涂覆，将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以转速为2000-5000r/min转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，然后，以转速为1000-2000r/min转动5-10s，使SiO2溶胶平铺均匀，之后再以2000-5000r/min的转速旋转15-30s；
步骤3，热处理，将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，箱式电炉中的具体参数为：热处理温度为400-600℃，热处理时间为0.5h-2h，热处理气氛为空气，升温速率为2-5℃/min；
步骤4，清洗，将完成热处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到的SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层的厚度为100-300nm。
实施例二
参照图1一种SiO2蓝宝石复合衬底，包括图形化蓝宝石衬底 1，图形化蓝宝石衬底1上涂覆有SiO2涂层2，其制备步骤如下：
步骤1：在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570，N-N二甲基甲酰胺按照36：1：3： 4.16×10-3：0.5：0.5摩尔比依次滴入，之后密封，并在磁力搅拌机上搅拌5h，然后静置陈化24h。
步骤2：将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以 4000r/min的转速转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的 SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，先以 1100r/min的转速旋转5s使SiO2溶胶平铺均匀，然后以2500r/min 的转速转动15s，SiO2溶胶的涂覆即完成。
步骤3：将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，具体参数为：热处理温度为500℃，热处理时间为1h，热处理气氛为空气，升温速率为2℃/min。
步骤4：将完成热处理处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到的SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层的厚度为250nm。
实施例三
参照图1一种SiO2蓝宝石复合衬底，包括图形化蓝宝石衬底 1，图形化蓝宝石衬底1上涂覆有SiO2涂层2，其制备步骤如下：
步骤1：SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照36：1：3：4.16×10-3：0.5：0.5摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌5h，然后静置陈化24h。
步骤2：SiO2溶胶的涂覆，将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以4000r/min的转速转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，先以1500r/min的转速旋转10s使SiO2溶胶平铺均匀，然后以3000r/min的转速转动20s，SiO2溶胶的涂覆即完成。
步骤3：热处理，将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，具体参数为：热处理温度为500℃，热处理时间为1h，热处理气氛为空气，升温速率为2℃/min。
步骤4：清洗，将完成热处理处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，所述SiO2涂层的厚度为200nm。
实施例四
参照图1一种SiO2蓝宝石复合衬底，包括图形化蓝宝石衬底 1，图形化蓝宝石衬底1上涂覆有SiO2涂层2，其制备步骤如下：
步骤1：SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照36：1：3：4.16×10-3：0.5：0.5摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌5h，然后静置陈化24h。
步骤2：SiO2溶胶的涂覆，将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以4000r/min的转速转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，先以2000r/min的转速旋转10s使SiO2溶胶平铺均匀，然后以4000r/min的转速转动20s，SiO2溶胶的涂覆即完成。
步骤3：热处理，将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，具体参数为：热处理温度为500℃，热处理时间为1h，热处理气氛为空气，升温速率为2℃/min。
步骤4：清洗，将完成热处理处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，所述SiO2涂层的厚度为150nm。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种SiO2蓝宝石复合衬底，其特征在于，包括图形化蓝宝石衬底(1)，图形化蓝宝石衬底(1)上涂覆有SiO2涂层(2)，其制备步骤如下：
步骤1，SiO2溶胶的制备，在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570、N-N二甲基甲酰胺按照一定的摩尔比依次滴入，之后密封并在磁力搅拌机上搅拌3-6h，然后静置陈化24-36h；
步骤2，SiO2溶胶的涂覆，将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以转速为2000-5000r/min转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO 2溶胶，然后，以转速为1000-2000r/min转动5-10s，使SiO2溶胶平铺均匀，之后再以2000-5000r/min的转速旋转15-30s；
步骤3，热处理，将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，箱式电炉中的具体参数为：热处理温度为400-600℃，热处理时间为0.5h-2h，热处理气氛为空气，升温速率为2-5℃/min；
步骤4，清洗，将完成热处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，SiO2涂层的厚度为100-300nm。
2.根据权利要求1所述的一种SiO2蓝宝石复合衬底，其特征在于，所述步骤1：在烧杯中将乙醇、正硅酸乙酯、去离子水、盐酸、硅烷偶联剂KH560、硅烷偶联剂KH570，N-N二甲基甲酰胺按照36：1：3：4.16×10-3：0.5：0.5摩尔比依次滴入，之后密封，并在磁力搅拌机上搅拌5h，然后静置陈化24h。
3.根据权利要求1或2所述的一种SiO2蓝宝石复合衬底，其特征在于，所述步骤2：将清洗干净的图形化蓝宝石片放置于旋涂机上，以4000r/min的转速转掉图形化蓝宝石片上的灰尘，接着滴入制备好的SiO2溶胶，使图形化蓝宝石片上都铺满了SiO2溶胶，先以1100r/min的转速旋转5s使SiO2溶胶平铺均匀，然后以2500r/min的转速转动15s，SiO2溶胶的涂覆即完成。
4.根据权利要求3所述的一种SiO2蓝宝石复合衬底，其特征在于，所述步骤3：将涂覆好SiO2溶胶的图形化蓝宝石片放入箱式电炉中，具体参数为：热处理温度为500℃，热处理时间为1h，热处理气氛为空气，升温速率为2℃/min。
5.根据权利要求4所述的一种SiO2蓝宝石复合衬底，其特征在于，所述步骤4：将完成热处理并具有SiO2涂层的图形化蓝宝石衬底进行清洗处理后，即得到所述的SiO2蓝宝石复合衬底，所述SiO2涂层的厚度为250nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911178505.6A CN111063770B (zh) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 一种SiO2蓝宝石复合衬底 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911178505.6A CN111063770B (zh) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 一种SiO2蓝宝石复合衬底 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111063770A CN111063770A (zh) | 2020-04-24 |
| CN111063770B true CN111063770B (zh) | 2021-06-25 |
Family
ID=70299027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911178505.6A Active CN111063770B (zh) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 一种SiO2蓝宝石复合衬底 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111063770B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113725324A (zh) * | 2021-07-30 | 2021-11-30 | 苏州光舵微纳科技股份有限公司 | 一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法 |
| CN113937199B (zh) * | 2021-09-08 | 2023-11-21 | 福建中晶科技有限公司 | 一种低折射率疏水性SiO2图形化蓝宝石衬底的制备方法 |
| CN113871512B (zh) * | 2021-09-23 | 2023-01-03 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法 |
| CN114220892B (zh) * | 2021-12-17 | 2024-02-09 | 福建中晶科技有限公司 | 一种led外延用条状复合衬底及其制备方法和制备装置 |
| CN117096238B (zh) * | 2023-10-18 | 2024-04-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种复合衬底及其制备方法、led芯片 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102646764B (zh) * | 2012-04-25 | 2014-07-16 | 清华大学 | 纳米级图案化蓝宝石衬底的全湿化学制备方法 |
| KR102077742B1 (ko) * | 2013-02-27 | 2020-02-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 요소 전사 방법 |
| CN109841709A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-06-04 | 江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司 | 一种图形化复合衬底的制备方法 |
| CN110246939A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-09-17 | 东莞市中图半导体科技有限公司 | 一种图形化复合基底、制备方法及led外延片 |
-
2019
- 2019-11-27 CN CN201911178505.6A patent/CN111063770B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111063770A (zh) | 2020-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111063770B (zh) | 一种SiO2蓝宝石复合衬底 | |
| Kumar et al. | Effect of annealing on the structural, morphological and photoluminescence properties of ZnO thin films prepared by spin coating | |
| CN101588021A (zh) | 一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器 | |
| CN106981549B (zh) | 生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱led外延片及其制备方法 | |
| CN104037293B (zh) | 一种生长在Si图形衬底上的LED外延片及其制备方法 | |
| CN107768467B (zh) | 一种硅基太阳能电池及其制备方法 | |
| CN107369774A (zh) | 一种钙钛矿复合多量子阱led及其制备方法 | |
| CN105932117B (zh) | 一种GaN基LED外延结构及其制备方法 | |
| CN105576096B (zh) | 一种采用SiN插入层在Si衬底上生长的LED外延片的制备方法 | |
| CN107507892A (zh) | 一种高发光效率的垂直结构led芯片及其制备方法 | |
| CN102208487B (zh) | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 | |
| CN105070664A (zh) | 光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜制备方法 | |
| CN106816511A (zh) | 一种发光二极管的芯片及其制作方法 | |
| CN103022292A (zh) | 一种InGaN基蓝光LED器件及其制备方法 | |
| KR101248837B1 (ko) | 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 표면에 나노 세공을 갖는 산화아연 나노로드 | |
| CN110335924A (zh) | 具有非极性、半极性面的图形蓝宝石衬底、可见光通信光源及其制备方法 | |
| CN111662715B (zh) | 一种核壳量子点及其制备方法与量子点膜及发光二极管 | |
| CN107731971B (zh) | 一种基于光子晶体的垂直结构led芯片及其制备方法 | |
| CN110993752A (zh) | 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法 | |
| Lin et al. | High efficiency enhancement of multi-crystalline silicon solar cells with syringe-shaped ZnO nanorod antireflection layers | |
| CN101740704B (zh) | 一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法 | |
| CN106653973A (zh) | 一种led芯片及其制作方法 | |
| CN113921732B (zh) | 一种基于4-碘-D-苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法 | |
| CN104701137B (zh) | AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法 | |
| CN101037596A (zh) | 具有白光发射的硫化镉/硅异质结构的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |