CN111061084B - 彩膜基板的制备方法及彩膜基板 - Google Patents

彩膜基板的制备方法及彩膜基板 Download PDF

Info

Publication number
CN111061084B
CN111061084B CN201911233140.2A CN201911233140A CN111061084B CN 111061084 B CN111061084 B CN 111061084B CN 201911233140 A CN201911233140 A CN 201911233140A CN 111061084 B CN111061084 B CN 111061084B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
quantum dot
substrate
sub
photoresist layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911233140.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111061084A (zh
Inventor
陈杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN201911233140.2A priority Critical patent/CN111061084B/zh
Priority to US16/627,292 priority patent/US11513269B2/en
Priority to PCT/CN2019/125810 priority patent/WO2021109232A1/zh
Publication of CN111061084A publication Critical patent/CN111061084A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111061084B publication Critical patent/CN111061084B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/206—Filters comprising particles embedded in a solid matrix
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
    • B41M3/003—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns on optical devices, e.g. lens elements; for the production of optical devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板，该制备方法包括：提供一基板，基板包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；在第一子像素区上形成第一光阻层；在基板上形成量子点层，量子点层包括至少两种量子点，至少两种量子点的出光颜色分别与第一光阻层的出光颜色不同；在量子点层上依次形成第二光阻层和第三光阻层，第二光阻层对应第二子像素区设置，第三光阻层对应第三子像素区设置；以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭处理，使量子点层未被遮掩的量子点无效。本申请以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭的设置，替换了采用光罩形成图案化的量子点层的工序，从而节省了光罩，进而降低了成本。

Description

彩膜基板的制备方法及彩膜基板
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板。
背景技术
在现有的量子点彩膜基板中，需要额外增加光罩去图案化量子点层，提高了制备成本。
发明内容
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法及彩膜基板，以解决现有的量子点彩膜基板在制备的过程需要采用额外的光罩区图案化量子点层，造成制备成本较高的技术问题。
本申请实施例提供一种彩膜基板的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基板，所述基板包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；
在所述基板的第一子像素区上形成图案化的第一光阻层；
在所述基板上形成量子点层，所述量子点层覆盖所述基板和所述第一光阻层，所述量子点层包括至少两种量子点，所述至少两种量子点的出光颜色分别与所述第一光阻层的出光颜色不同；
在所述量子点层上依次形成图案化的第二光阻层和第三光阻层，所述第二光阻层对应所述第二子像素区设置，所述第三光阻层对应所述第三子像素区设置；
以所述第二光阻层和所述第三光阻层为遮挡层，对所述量子点层进行猝灭处理，使所述量子点层未被遮掩的量子点无效。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，所述在所述基板上形成量子点层，包括以下步骤：
提供混合了所述至少两种量子点和溶剂的量子点溶液；
在所述基板上涂布或喷墨打印一层所述量子点溶液；
烘干所述量子点溶液；
重复以上步骤，获得设定厚度的量子点层。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，所述溶剂为石油醚、二氯甲烷或乙酸乙酯中的一种。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，所述对所述量子点层进行猝灭处理中；
采用猝灭剂对所述量子点层进行猝灭处理，以使所述量子点层中被遮挡的部分形成第一量子点层，所述量子点层中未被遮挡的部分发生量子点猝灭形成第二量子点层。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，所述猝灭剂为12-烷基硫醇、14-烷基硫醇或吡啶溶液中的一种。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，所述第一光阻层为蓝色光阻层，所述第二光阻层为红色光阻层，所述第三光阻层为绿色光阻层；所述量子点层包括红色量子点和绿色量子点。
在本申请实施例的彩膜基板的制备方法中，在所述提供一基板之后，及在所述基板的第一子像素区上形成图案化的第一光阻层之前，还包括步骤：
在所述基板上形成黑色矩阵。
本申请实施例还涉及一种彩膜基板，其包括：
基板，所述基板包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；
第一光阻层，所述第一光阻层设置在所述基板上的第一子像素区；
量子点层，所述量子点层设置在所述基板上并覆盖所述基板和所述第一光阻层，所述量子点层包括至少两种量子点，所述至少两种量子点的出光颜色分别与所述第一光阻层的出光颜色不同；
第二光阻层，所述第二光阻层设置在所述量子点层对应于所述第二子像素区的部分之上；以及
第三光阻层，所述第三光阻层设置在所述量子点层对应于所述第三子像素区的部分之上；
所述量子点层包括设置在所述第二子像素区和所述第三子像素区上的第一量子点层和所述第一量子点层之外的第二量子点层；在光照下，所述第一量子点层内的量子点受激发出相应颜色的荧光，所述第二量子点层内的量子点被猝灭而呈透光状态。
在本申请实施例的彩膜基板中，所述第一光阻层为蓝色光阻层，所述第二光阻层为红色光阻层，所述第三光阻层为绿色光阻层；所述量子点层包括红色量子点和绿色量子点。
在本申请实施例的彩膜基板中，所述彩膜基板还包括黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在所述基板和所述量子点层之间。
在本申请实施例的彩膜基板中，所述基板的折射率大于所述量子点层的折射率。
本申请的彩膜基板的制备方法通过在基板上形成覆盖基板和第一光阻层的量子点层，随后在量子点层上形成第二光阻层和第三光阻层，最后以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭处理，以使量子点层裸露的部分失效。也就是说，量子点层覆盖在第一光阻层上的部分失去发出荧光的功能，量子点层对应于第二光阻层和第三光阻层的部分保留发光荧光的功能。
本申请的彩膜基板的制备方法，以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭的设置，节省了采用光罩形成图案化的量子点层的工序，从而节省了该光罩，进而降低了成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的流程图；
图1A-1F依次为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的步骤S1-S6的结构示意图；
图2为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的步骤S4的流程图；
图3为本申请实施例的彩膜基板的结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1和图1A-1F，图1为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的流程图；图1A-1F依次为本申请实施例的彩膜基板的制备方法的步骤S1-S6的结构示意图。
一种本申请实施例的彩膜基板的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供一基板11，所述基板11包括第一子像素区11a、第二子像素区11b和第三子像素区11c；
S2：在所述基板11上形成黑色矩阵12，所述黑色矩阵12将所述第一子像素区11a、第二子像素区11b和第三子像素区11c彼此隔开；
S3：在所述基板11的第一子像素区11a上形成图案化的第一光阻层13；
S4：在所述基板11上形成量子点层14，所述量子点层14覆盖所述基板11、所述黑色矩阵12和所述第一光阻层13，所述量子点层14包括至少两种量子点，所述至少两种量子点的出光颜色分别与所述第一光阻层13的出光颜色不同；
S5：在所述量子点层14上依次形成图案化的第二光阻层15和第三光阻层16，所述第二光阻层15对应所述第二子像素区11b设置，所述第三光阻层16对应所述第三子像素区11c设置；
S6：以所述第二光阻层15和所述第三光阻层16为遮挡层，对所述量子点层14进行猝灭处理，使所述量子点层14未被遮掩的量子点无效。
本实施例的彩膜基板的制备方法，以第二光阻层15和第三光阻层16为遮挡层，对量子点层14进行猝灭的设置，替换了采用光罩形成图案化的量子点层的工序，从而节省了该光罩，进而降低了成本。
本实施例的彩膜基板的制备方法通过在基板11上形成覆盖基板11和第一光阻层13的量子点层14，随后在量子点层14上形成第二光阻层15和第三光阻层16，最后以第二光阻层15和第三光阻层16为遮挡层，对量子点层14进行猝灭处理，以使量子点层14裸露的部分失效。也就是说，量子点层14覆盖在第一光阻层13上的部分失去发出荧光的功能，量子点层14对应于第二光阻层15和第三光阻层16的部分保留发光荧光的功能。
下文是对本申请实施例的彩膜基板的制备方法的详细阐述。
请参照图1A，在步骤S1中：提供一基板11。基板11包括第一子像素区11a、第二子像素区11b和第三子像素区11c。
基板11可以是硬性基板，比如玻璃基板。基板11也可以是柔性基板，比如聚酰亚胺基板。随后转入步骤S2。
请参照图1B，在步骤S2中：在基板11上形成黑色矩阵12。黑色矩阵12将第一子像素区11a、第二子像素区11b和第三子像素区11c彼此隔开。
黑色矩阵12的材料可以是黑色的金属材料，也可以是黑色有机或无机材料。黑色矩阵12可以通过光刻工艺或喷墨打印的工艺形成在基板11上。随后转入步骤S3。
请参照图1C，在步骤S3中：在基板11的第一子像素区11a上形成图案化的第一光阻层13。
在本实施例中，第一光阻层13为蓝色光阻层。第一光阻层13采用光刻工艺进行图案化处理。随后转入步骤S4。
请参照图1D，在步骤S4中：在基板11上形成量子点层14。量子点层14覆盖基板11、黑色矩阵12和第一光阻层13。量子点层14包括至少两种量子点。至少两种量子点的出光颜色分别与第一光阻层13的出光颜色不同。
具体的，请参照图2，步骤S4包括以下步骤：
步骤S41：提供混合了所述至少两种量子点和溶剂的量子点溶液；
步骤S42：在所述基板上涂布或喷墨打印一层所述量子点溶液；
步骤S43：烘干所述量子点溶液；
步骤S44：重复以上步骤，获得设定厚度的量子点层。
在步骤S41中，量子点溶液中的溶剂为低沸点溶剂，溶剂可以为石油醚、二氯甲烷或乙酸乙酯中的一种。
在本实施例中，量子点的种类有两种，分别是红色量子点和绿色量子点。在一些实施例中，量子点的种类也可以是大于两种，比如白色量子点、红色量子点和绿色量子点。总之，只要量子点的出光颜色与第一光阻层13的出光颜色不同即可。
因此，在本实施例中，量子点溶液为经处理后具有油溶性的红色量子点及绿色量子点分散于低沸点的溶剂得到。随后转入步骤S42。
在步骤S42中，采用涂布或喷墨打印的方式在基板11上形成一层量子点溶液。随后转入步骤S43。
在步骤S43中，采用加热的方式烘干量子点溶液。即采用加热的方式将量子点溶液中的溶剂挥发掉。由于溶剂为低沸点物质，因此加热所需的温度较低，从而不会破坏量子点和第一光阻层13的特性。随后转入步骤S44。
在步骤S44中，重复步骤S41-S43，获得设定厚度的量子点层。多次重复步骤S41-S43，以依次增加量子点层14的厚度，直至符合设定厚度为止。在本实施例中，量子点层14的厚度介于0.5微米-5微米之间。
另外，量子点层14的折射率小于基板11的折射率，这样的设置，使得光线进入基板11和量子点层14的界面时，只要光线的入射角度大于临界角度，光线便会在该界面发生全内反射，而在反射时，光线的能量(倏逝波)会进入到量子点层14一定的深度，从而激发量子点发出荧光，提高了量子点的发光效益。
随后转入步骤S5。
请参照图1E，在步骤S5中：在量子点层14上依次形成图案化的第二光阻层15和第三光阻层16。第二光阻层15对应第二子像素区11b设置，第三光阻层16对应第三子像素区11c设置。
具体的，第二光阻层15于基板11所在平面的正投影在第二子像素区11b上。第三光阻层16于基板11所在平面的正投影在第三子像素区11C上。
在本实施例中，第二光阻层15为红色光阻层，第三光阻层16为绿色光阻层。采用光刻工艺形成图案化的第二光阻层15和第三光阻层16。随后转入步骤S6。
请参照图1F，在步骤S6中：以第二光阻层15和第三光阻层16为遮挡层，对量子点层14进行猝灭处理，使量子点层14未被遮掩的量子点无效。
具体的，采用猝灭剂对量子点层14进行猝灭处理，以使量子点层14中被遮挡的部分形成第一量子点层141，量子点层14中未被遮挡的部分发生量子点猝灭形成第二量子点层142。猝灭剂为具有吸电子能力的有机试剂，比如可以为12-烷基硫醇、14-烷基硫醇或吡啶溶液中的一种。
需要说明的是，由于量子点的表面效应的特性，根据该特性，表面性质的变化对于量子点材料的材料特征影响巨大，这其中最主要的就是光学性质的影响，不同类型的表面配体对量子点的影响也不尽相同，比如长烷基链的脂肪胺与脂肪酸等，作用于量子点表面能有效钝化表面电子陷阱，而如吡啶或硫醇等配体，由于自身电负性过大、吸电子能力强，一旦作用于量子点表面会诱发新的表面电子缺陷的产生，对于激发态的电子有较强的吸引能力，在一定程度上会造成光生电子与空穴的复合障碍，从而引发荧光猝灭。
而当量子点层14未被遮挡的部分被荧光猝灭后，其失去了被激发发出荧光的能力，而具备有透光性能。
这样便完成了本申请实施例的彩膜基板的制备方法的过程。
在本申请的一些实施例中，第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层也可以是与本实施例不同颜色的光阻。比如第一光阻层、第二光阻层和第三光阻层依次为红、绿和蓝光阻层。而量子点层包含的量子点的种类，只要具有两种不同于第一光阻层颜色的量子点即可，比如绿色和蓝色量子点。
请参照图3，本申请实施例还涉及一种彩膜基板200，其包括基板21、黑色矩阵22、第一光阻层23、量子点层24、第二光阻层25和第三光阻层26。基板21包括第一子像素区21a、第二子像素区21b和第三子像素区21c。
黑色矩阵22设置在基板21上，且将第一子像素区21a、第二子像素区21b和第三子像素区21c彼此隔开。第一光阻层23设置在基板21上的第一子像素区21a。量子点层24设置在基板21上并覆盖基板21和第一光阻层23。第二光阻层25设置在量子点层24对应于第二子像素区21b的部分之上。第三光阻层26设置在量子点层24对应于第三子像素区21c的部分之上。
其中，量子点层24包括至少两种量子点。至少两种量子点的出光颜色分别与第一光阻层23的出光颜色不同。
量子点层24包括设置在第二子像素区21b和第三子像素区21c上的第一量子点层241和第一量子点层241之外的第二量子点层242。
在光照下，第一量子点层241内的量子点受激发出相应颜色的荧光，第二量子点层242内的量子点被猝灭而呈透光状态。
本实施例的彩膜基板200采用量子点层部分猝灭的方式替换了采用光罩图案化量子点层的方式，节省了光罩的成本。
在本实施例的彩膜基板200中，第一光阻层23为蓝色光阻层，第二光阻层25为红色光阻层，第三光阻层26为绿色光阻层。量子点层24包括红色量子点和绿色量子点。
在一些实施例中，第一光阻层、第二光阻层、第三光阻层也可以是与本实施例不同颜色的光阻。比如第一光阻层、第二光阻层和第三光阻层依次为红、绿和蓝光阻层。而量子点层包含的量子点的种类，只要具有两种不同于第一光阻层颜色的量子点即可，比如绿色和蓝色量子点。
在本实施例的彩膜基板200中，基板21的折射率大于量子点层24的折射率。这样的设置，使得光线进入基板11和量子点层14的界面时，只要光线的入射角度大于临界角度，光线便会在该界面发生全内反射，而在反射时，光线的能量(倏逝波)会进入到量子点层14一定的深度，从而激发量子点发出荧光，提高了量子点的发光效益。
在本实施例中，照射本实施例的彩膜基板200的光源的光为蓝光。因此蓝光为短波，能更好的激发量子点，使得其应用于显示面板时具有高色域。
另外，本实施例的彩膜基板200可以应用于液晶显示面板、OLED显示面板、LED显示面板或背光模组。
当本实施例的彩膜基板200作为背光模组的一部分时，只要第一光阻层、第二光阻层和第三光阻层的出光颜色混合后为白光即可，其中量子点层内的量子点的种类也相应的与第一光阻层的颜色互补，以形成三基色(红绿蓝)。
本实施例的彩膜基板的制备方法具体请参照上述实施例的彩膜基板的制备方案的内容，此处不再赘述。
本申请的彩膜基板的制备方法通过在基板上形成覆盖基板和第一光阻层的量子点层，随后在量子点层上形成第二光阻层和第三光阻层，最后以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭处理，以使量子点层裸露的部分失效。也就是说，量子点层覆盖在第一光阻层上的部分失去发出荧光的功能，量子点层对应于第二光阻层和第三光阻层的部分保留发光荧光的功能。
本申请的彩膜基板的制备方法，以第二光阻层和第三光阻层为遮挡层，对量子点层进行猝灭的设置，节省了采用光罩形成图案化的量子点层的工序，从而节省了该光罩，进而降低了成本。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种彩膜基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板，所述基板包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；
在所述基板的第一子像素区上形成图案化的第一光阻层；
在所述基板上形成量子点层，所述量子点层覆盖所述基板和所述第一光阻层，所述量子点层包括至少两种量子点，所述至少两种量子点的出光颜色分别与所述第一光阻层的出光颜色不同；所述至少两种量子点包括红色量子点和绿色量子点；
在所述量子点层上依次形成图案化的第二光阻层和第三光阻层，所述第二光阻层对应所述第二子像素区设置，所述第三光阻层对应所述第三子像素区设置；
以所述第二光阻层和所述第三光阻层为遮挡层，对所述量子点层进行猝灭处理，使所述量子点层未被遮掩的量子点无效。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成量子点层，包括以下步骤：
提供混合了所述至少两种量子点和溶剂的量子点溶液；
在所述基板上涂布或喷墨打印一层所述量子点溶液；
烘干所述量子点溶液；
重复以上步骤，获得设定厚度的量子点层。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述溶剂为石油醚、二氯甲烷或乙酸乙酯中的一种。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述对所述量子点层进行猝灭处理中：
采用猝灭剂对所述量子点层进行猝灭处理，以使所述量子点层中被遮挡的部分形成第一量子点层，所述量子点层中未被遮挡的部分发生量子点猝灭形成第二量子点层。
5.根据权利要求4所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述猝灭剂为12-烷基硫醇、14-烷基硫醇或吡啶溶液中的一种。
6.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，所述第一光阻层为蓝色光阻层，所述第二光阻层为红色光阻层，所述第三光阻层为绿色光阻层。
7.根据权利要求1所述的彩膜基板的制备方法，其特征在于，在所述提供一基板之后，及在所述基板的第一子像素区上形成图案化的第一光阻层之前，还包括步骤：
在所述基板上形成黑色矩阵。
8.一种彩膜基板，其特征在于，由权利要求1-7任意一项所述的彩膜基板的制备方法制备形成，所述的彩膜基板包括：
基板，所述基板包括第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；
第一光阻层，所述第一光阻层设置在所述基板上的第一子像素区；
量子点层，所述量子点层设置在所述基板上并覆盖所述基板和所述第一光阻层，所述量子点层包括至少两种量子点，所述至少两种量子点的出光颜色分别与所述第一光阻层的出光颜色不同；所述至少两种量子点包括红色量子点和绿色量子点；
第二光阻层，所述第二光阻层为红色光阻层，所述第二光阻层设置在所述量子点层对应于所述第二子像素区的部分之上；以及
第三光阻层，所述第三光阻层为绿色光阻层，所述第三光阻层设置在所述量子点层对应于所述第三子像素区的部分之上；
所述量子点层包括设置在所述第二子像素区和所述第三子像素区上的第一量子点层和所述第一量子点层之外的第二量子点层；在光照下，所述第一量子点层内的量子点受激发出相应颜色的荧光，所述第二量子点层内的量子点被猝灭而呈透光状态。
9.根据权利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一光阻层为蓝色光阻层。
10.根据权利要求8所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括黑色矩阵，所述黑色矩阵设置在所述基板和所述量子点层之间。
CN201911233140.2A 2019-12-05 2019-12-05 彩膜基板的制备方法及彩膜基板 Active CN111061084B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911233140.2A CN111061084B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 彩膜基板的制备方法及彩膜基板
US16/627,292 US11513269B2 (en) 2019-12-05 2019-12-17 Manufacturing method of color film substrate and color film substrate
PCT/CN2019/125810 WO2021109232A1 (zh) 2019-12-05 2019-12-17 彩膜基板的制备方法及彩膜基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911233140.2A CN111061084B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 彩膜基板的制备方法及彩膜基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111061084A CN111061084A (zh) 2020-04-24
CN111061084B true CN111061084B (zh) 2020-12-04

Family

ID=70299830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911233140.2A Active CN111061084B (zh) 2019-12-05 2019-12-05 彩膜基板的制备方法及彩膜基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11513269B2 (zh)
CN (1) CN111061084B (zh)
WO (1) WO2021109232A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284417B (zh) * 2021-12-29 2024-04-30 深圳市思坦科技有限公司 颜色转换基板及其制备方法
CN114839810A (zh) * 2022-05-13 2022-08-02 惠州视维新技术有限公司 背光模组及其制备方法、液晶显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104156131A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 触摸屏的制造方法
CN105116604A (zh) * 2015-09-24 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 量子点显示装置及其制作方法
CN105242449A (zh) * 2015-11-13 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
CN105278153A (zh) * 2015-11-13 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
CN105278155A (zh) * 2015-11-30 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
CN105319765A (zh) * 2015-11-16 2016-02-10 深圳市华星光电技术有限公司 量子点显示面板的制作方法
KR20180045974A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 색변환 패널을 포함하는 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10180596B2 (en) 2015-02-03 2019-01-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
CN105044974B (zh) 2015-08-28 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 彩色滤光层、显示基板及显示装置
CN105204103B (zh) * 2015-10-09 2018-11-23 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩色滤光片及液晶显示装置
CN105259694B (zh) * 2015-11-13 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 彩色滤光片的制作方法及彩色滤光片
CN105301827B (zh) * 2015-11-13 2019-02-01 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
KR102377904B1 (ko) * 2016-04-29 2022-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102497282B1 (ko) * 2016-09-13 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 컬러 필터
CN109343267B (zh) 2018-11-30 2021-02-26 武汉华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板及其制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104156131A (zh) * 2014-08-20 2014-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 触摸屏的制造方法
CN105116604A (zh) * 2015-09-24 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 量子点显示装置及其制作方法
CN105242449A (zh) * 2015-11-13 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
CN105278153A (zh) * 2015-11-13 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制备方法及量子点彩膜基板
CN105319765A (zh) * 2015-11-16 2016-02-10 深圳市华星光电技术有限公司 量子点显示面板的制作方法
CN105278155A (zh) * 2015-11-30 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
KR20180045974A (ko) * 2016-10-26 2018-05-08 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 색변환 패널을 포함하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210325582A1 (en) 2021-10-21
CN111061084A (zh) 2020-04-24
US11513269B2 (en) 2022-11-29
WO2021109232A1 (zh) 2021-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386748B1 (ko) 유기 일렉트로 루미네선스 표시 장치
CN111061084B (zh) 彩膜基板的制备方法及彩膜基板
US20210336096A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN104730759A (zh) 显示面板及其制作方法
US8648527B2 (en) Display apparatus
US20120268042A1 (en) Display apparatus
KR20190039772A (ko) 발광 디바이스의 제조 방법, 발광 디바이스 및 하이브리드 발광 디바이스
CN109239967B (zh) 量子点彩膜的制备方法、彩膜基板、显示面板和显示装置
US9867289B2 (en) Filled large-format imprinting method
JP6439255B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
KR20070005501A (ko) 총천연색 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN109768180A (zh) Oled基板、oled基板的制作方法及柔性显示装置
CN106206983A (zh) 一种有机发光二极管结构
CN112689862A (zh) 分隔壁的制造方法、图像显示装置及其制造方法
CN106133935A (zh) 多层并排的高分辨率图案化
JP2020072248A (ja) 発光素子およびその製造方法
KR100785031B1 (ko) 컬러 필터용 블랙 매트릭스 및 그 제조방법
KR20160076406A (ko) 디스플레이 장치, 색변환 필름 및 그들의 제조방법
CN110488405B (zh) 彩色滤光片的制作方法及彩色滤光片
KR100582830B1 (ko) 기판상에 증착된 다층 구조물에 대한 고분해능 포토레지스트 구조화
CN105676332A (zh) 彩色滤光片及其制造方法
JP6536035B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びカラーフィルタ
JP2009251499A (ja) 色変換フィルタ基板の製造方法
US20230276685A9 (en) Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
KR101683894B1 (ko) 칼라필터 제조용 포토마스크

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant