KR100582830B1 - 기판상에 증착된 다층 구조물에 대한 고분해능 포토레지스트 구조화 - Google Patents

Abstract

기판상에 증착된 m2층의 다중-층 구조물을 제조하기 위해서, 구조물 소자에 의해 조사된 방사선이 피복층 (covering layer)의 리소그래픽 노출에 이용되어 다른 층사이에 공간 자기-정렬을 달성된다. 제1 단계에서 제1층은 기판상에 증착된다. 다음 단계에서, 제1층은 구조물 소자로 구조화된다. 또 다른 단계에서, 구조물 소자에서 제2층까지의 화상 전달에 적합한 물리적 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용에 민감한 물질의 제2층은 기판상에 증착된다. 제2층은 구조물 소자에 의해 발생 또는 변조된 전술한 상호작용으로 노출된다. 마지막으로 제2층의 노출된 또는 노출되지 않은 물질은 기판에서 제거되므로 상기 화상전사에 따라 구조화된 제2층이 드러난다.

고분해능, 정렬, 리소그래피

Description

기판상에 증착된 다층 구조물에 대한 고분해능 포토레지스트 구조화{High-Resolution Photoresist Structuring of Multi-Layer Structures Deposited onto Substrate}

본 발명은 일반적으로 기판상에 증착된 두 층 이상의 다층 구조물을 제조하기 위한 리소그래피(lithography) 분야에 관한 것이며, 보다 구체적으로 다층 구조물을 구성하는 상이한 구조물 소자(structure element)에 대한 마스크 정렬(mask alignment)에 관한 것이다.

컬러 디스플레이 어플리케이션(color display application)용 컬러필터(color filter) 및 색변환기(color converter)는 일반적으로 이하의 필수 단계를 포함하는 표준 포토리소그래픽(photolithographic) 공정을 이용하여 제조된다.

a) 기판을 포토레지스트 물질층으로 코팅하는 단계와,

b) 마스크를 설계하는 단계와,

c) 마스크를 기판 또는 기판상에 이미 존재하는 구조물에 정렬시키는 단계와,

d) 정렬된 마스크로 방사선을 차단하는(masking) 동안 포토레지스트 물질을 광활성 방사선(photoactive radiation)에 노출시키는 단계(exposing)와,

e) 노출된 포토레지스트 물질을 현상하는 단계(developing)와,

f) 현상된 포토레지스트 물질을 기판에서 제거하는 단계

단계 f)에서는 현상된 포토레지스트 물질을 제거(소위, 포지티브 포토리소그래픽 공정 : positive lithographic process)하는 대신 현상되지 않은 포토레지스트 물질을 제거(소위 네거티브(negative) 포토리소그래픽 공정)할 수 있다.

마스크 정렬이 불필요한 몇몇의 접근법이 이미 존재한다. 첫번째 접근법은, 고정밀도 마스크 정렬이 불필요한 반도체 발광소자를 제조하는 방법으로서 일본 요약서 JP4162689A2에 개시된다. 이에 의해 포토레지스트는 캡층 표면에 평평하게 도포되고, 캡층의 상부 및 돌출부 부근만 노출되도록 포토레지스트가 제거된다. 나머지 포토레지스트가 마스크로써 이용되는 동안 캡층표면이 거의 평평화되도록 나머지 포토레지스트 일부가 추가로 제거된다.

또한, 미국 특허 제5,688,551호는 기판상에 개별적으로 컬러화된 유기 EL매체를 형성하기 위해, 도너 쉬트(donor sheet)에서 기판까지 유기 EL 매체(organic electro-luminisent medium)를 패턴방향으로(patternwise) 전사하는 조밀-간격형 증착 기술(close-spaced deposition technique)을 이용함으로써 다색 유기 전자-발광 디스플레이 패널(multicolor organic electro-luminisent display panel)을 형성하는 방법을 개시한다. 보다 구체적으로, 투명한 도전층(transparent conductive layer)은 이격된 다수의 전극(spaced electrode)을 제공하기 위해 투명한 기판상에 형성되어 패턴화된다. 또한, 이격된 전극 상에는, 각각 본래의 색을 방출하는 컬러화된 인접한 서브픽셀(subpixel)을 형성하는 도너쉬트로부터 컬러 유기EL매체가 조밀-간격형 증착에 의해 제공된다. 더욱이, 도전층은 이격된 다수의 전극을 제공하기 위해 컬러화된 서브픽셀상에 형성되어 패턴화된다. 광흡수층(light absorbing layer)으로 사전에 패턴화된 각각의 도너쉬트에 빛을 조사하여(iluminating) 컬러화된 유기 EL매체 각각을 투명기판에 전사함으로써 이루어진다. 전술한 방법에 따르면 종래의 포토리소그래피가 필요하지 않으므로 포토리소그래피 공정이 갖는 유기 EL매체와의 비양립성(incompatibility) 문제를 피할 수 있다.

또한, 미국 특허 제4,743,099호에는 박막 트랜지스터 액정 컬러 디스플레이 디바이스(thin film transistor(TFT) liquid crystal color display device)를 제조하기 위한 방법이 개시되며, 이 방법은 픽셀전극을 사용하여 다색 유리(polychromatic glass)에 컬러필터를 생성하는 것으로, 레드-그린-블루 컬러필터(red-green-blue color filter)와 픽셀전극(pixel electrode) 사이에 정렬이 제공된다. 이 방법은 이격된 전방 유리 패널 및 후방 유리 패널을 구비하는 조립체(assembly)를 이용하는데, 이들 중 하나는 노출되지 않은 다색 유리물질이다. 투명한 공통 전극층은 유리패널 중 하나의 내부표면상에 형성된다. 개별적으로 어드레서블 픽셀 전극(addressable pixel electrode)의 배열(array)은 다른 유리 패널의 내부 표면상에 형성된다. 유리 패널에 의해 규정된 캐비티(cavity)는 불투명한 물질(opaque substance)로 도핑된 액정 물질로 일시적으로 충진된다. 자외선은 다색이 아닌 유리 패널로 향하게 된다. 그 다음 하나의 색에 관련된 픽셀 전극이 액정을 투명 상태로 선택적으로 전환하기 위해 지정됨으로써(address), 외부 자외선광에 의해 다색 유리패널의 소정 영역을 국부적으로(locally) 노출시킨다. 그에 의해 그 영역에서 임의의 색깔(hue)이 생성되며, 다색의 유리 패널의 다른 영역에서 상이한 색깔을 확정하기 위해 상이한 전극에서 프로시저가 반복된다. 그 다음 조립체는 확정된 색깔을 고정하기 위해 열 처리된다. 끝으로, 조립체는 캐비티로부터 일시적인 액정 물질을 제거하고 캐비티를 적합한 영구액정물질로 대체함으로써 완성된다.

전술된 공지된 마스킹 기술에는 몇몇 결함이 있다. 첫째, 각 공정단계의 수가 상대적으로 많으며 전술한 대부분의 공지 기술은 중요한 단계로 마스크 정렬을 포함한다. 둘째, 충분히 높은 분해능을 달성하기 위해서는, 컨택트 마스크가 필요하며, 이것은 복잡한 공정 단계 및 마스크 구조물을 포함한다.

결과적으로, 일반적으로 공지된 기술(들)은 서로에 대해서 활성적으로 정렬되는 다수의 증착층이 필요하기 때문에 적어도 이에 대응하는 다수의 증착 및 정렬단계가 필요하다는 문제점을 갖는다.

따라서 본 발명의 목적은 상이한 층 사이에 필수적인 공간 정렬(spatial allignment)과 관련하여 그 하부에 위치하는(underlying) 다층 구조화 공정에 대해 상술한 문제점들을 회피하는 다층 구조물을 제조하기 위한 방법, 다층구조물을 제조하기 위한 마스킹 구조물 및 다층 구조물을 제공하는 것이다.

다른 목적은 마스크 정렬을 필요로 하지 않는 다층 구조물 제조방법 및 다층 구조물을 제공하는 것이다.

또 다른 목적은 최소한의 기술적인 노력으로 리소그래픽 기술을 이용하여 기판상에 증착된 두개 이상의 층에 대한 아주 높은 공간 정렬 및 분해능을 제공하는 것이다.

또 다른 목적은 전술한 패턴화된 구조물에 대한 제조 공정의 처리율을 강화하는 것이다.

또 다른 목적은 시간 및 비용이 많이 드는 정렬 단계를 회피함으로써 제조 비용을 줄이기 위한 것이다.

전술한 목적들은 독립청구항에 따른 단계 및 수단에 의해 해결된다. 바람직한 실시예들은 종속항에 기재되어 있다.

본 발명의 기본적인 개념은, 구조물 소자들 자기 방사선, 즉, 구조물 소자에 의해 자기-방출된(self-irradiated) 광 또는 방사선을, 예를 들면, 피복층(covering layer)의 리소그래픽 노광에 사용하여 상이한 층들 사이에 공간 자기-정렬을 달성하는 것이다.

보다 구체적으로, 본 발명은, 예를 들면, 색필터, 색변환기, 블랙 마스크, 스터드(stud) 등과 같은 구조화된 풀-컬러 디바이스의 제조를 위한 포토리소그래픽 공정에서 심볼 또는 픽셀과 같은 구조화된 단색의 디바이스가 조사선 또는 광원(light source)으로 사용할 수 있다는 사실을 이용한다. 바람직한 구조물 소자는 발광 다이오드 또는 수직 캐비티 레이저(vertical cavity laser)일 수 있다.

한편, 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용으로 적어도 제2층을 노출시키는 단계는 구조물 소자에 의해 일어나는 소정의 상호작용이, 상기 상호작용에 기반을 둔 리소그래픽 공정에 의해 적어도 제2층을 구조화하기 위해 이용될 수 있다는 사실을 이용한다. 또 다른 한편, 소정의 상호작용, 즉, 적어도 구조물 소자에 의해 변경될 수 있는 제2층의 물리적 특성 또는 화학적 특성 또는 양쪽의 특성은 제안된 메커니즘으로 충분하다. 또한 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용은 상기 화상 전사에 적합한 제1층과 적어도 제2층 사이에 소정의 전기 또는 자기 또는 열적 상호작용( 예를 들면, 자기장 또는 전류)일 수 있다.

제안된 메커니즘을 전술한 시간 및 비용이 많이 드는 정렬 단계를 회피한다. 추가적으로 상기 메커니즘을 이용하여 제조된 구조물의 다른 층들은 특별한 정렬단계나 기술을 필요로 하지 않고 서로 자기-정렬(self-aligned)된다는 것이 확실하다. 제안된 기술의 고유한 근접(near-field) 특성으로 인해, 제조된 디바이스 또는 구조물의 아주 높은 공간 분해능과 각각 다른 층들 사이에서 정밀한 정렬을 쉽게 얻게 될 수 있다.

더 강조하면, 종래 방법을 사용하면, 이 컨택트 마스크 기술은 기계적인 접촉(mechanical contact)에 의해 단색 디바이스에 손상을 야기할 수 있으며(소위, 정렬 결함) 그 위에 추가 고정밀 정렬 단계가 요구된다는 점에서 불리하기 때문에, 전술한 고분해능 및 정렬은 특정 컨택트 마스크 기술을 사용하여 획득할 수 있다.

제안된 메커니즘은 전술한 일부 필수 정렬 단계가 필요없으므로 정렬의 실행에 대한 시간 및 비용 노력을 줄이려고 하는 한 공지된 접근법에 비해서 기술적으로 복잡하지 않다. 그러므로 메커니즘은 공지된 기술 또는 심지어 기존 구조물을 이용하여 실행될 수 있다. 제1층에 이용된 물질은 마스크층의 방사선-유도 현상 및 구조화를 가능하게 하기에 적합한 방사선을 방출하는 것을 요구하며, 예를 들면, 이용된 방사선은 리소그래피 단계 동안 명확하게 정의된 방식으로 마스크 물질이 제거될 수 있도록 마스크 물질의 기계적, 물리적 또는 화학적 특성에 영향을 미치거나 변화시킬 수 있어야만 한다.

추가적으로, 전술된 자기-방출 특성 때문에, 구조화될 기판이 평면은 아니더라도, 구조화 공정동안 유연성(flexible)이 있거나 심지어 구부러질 수 있도록 되어 있어 상기 메커니즘이 유리하다.

또한, 제안된 기술은 발광 다이오드(LED), 유기 전자-발광 화상 디스플레이 디바이스(OLED) 또는 폴리머 LED(pLED)와 같은 모든 종류의 자기-방출 디바이스에 적용할 수 있지만, 후광형 LCD(back-lighted LCD)와 같은 발광형 디바이스에도 적용할 수 있다.

더욱이, 모든 종류의 포토리소그래픽 방법, 예를 들면, 포지티브 또는 네거티브 포토리소그래픽 공정 또는 리프트-오프(lift-off) 기술은 제안된 방법 및 디바이스의 구현에 이용될 수 있다.

또한, 본 발명은 전술한 자기-방출 디바이스를 이용하거나 수동적인 방사선-흡수 물질, 예를 들면, 열흡수 형광(thermal absorptive fluorescent) 또는 인광물질(phosphorescent material)로 구성된 수동 방사 구조를 사용함으로써 실행될 수 있다. 이에 의해, 구조물에 기본적으로 상이한 파장의 다른 방사선을 조사함으로써 포토레지스트 현상 공정 단계에 적합한 방사선을 재방출하기 위해 이 구조물을 초기화할 수 있다. 이는 단지 예시적일 뿐, 구조물에 자외선과 같은 비-열적 방사선을 조사하고 리소그래픽 물질과 같이 열에 민감한 레지스트를 이용함으로써 달성될 수 있다.

본 발명은 첨부한 도면과 관련하여 이하 상세화된 설명으로부터 더 쉽게 이해될 수 있으며, 첨부한 도면에서 동일 또는 기능적으로 유사한 특징은 동일한 참조 번호로 지칭된다.

도 1a 및 도 1b는 본 발명에 따른 방법에 대한 제1 실시 예의 공정 단계를 도시한 것으로, 여기서, 도 1a는 블랙 매트릭스 컬러 디스플레이를 제조하기 위한 실시예이며, 도 1b는 블랙 매트릭스가 없는 컬러 디스플레이를 제조하기 위한 실시예이다.

도 2는 본 발명에 대한 제2실시 예의 공정단계를 도시한다.

도 3은 본 발명에 따른 마스킹 기판의 확대된 부분 측단면도를 나타낸다.

도 4는 본 발명의 제3 실시 예에 대한 공정단계를 도시한다.

도 1a는 평면 기판(plain substrate : 10)상에 풀-컬러 블랙-매트릭스 디스플레이(full-color black-matrix display)를 제조하기 위해 본 발명에 따른 리소그래픽 공정(lithographic process)의 제1 실시 예를 도시한다. 이하에 개시된 공정은 평면 또는 평평한 기판을 이용하지 않는 대신 평평하지 않거나 심지어 구부러진 기판에서도 수행할 수 있다.

방사선(25)을 방출하는 블루픽셀(blue pixel: 20)로부터 시작하여, 그린(green) 및 레드(red) 방출을 위해 블랙 매트릭스(black matrix: 30) 및 색변환기(color converter: 40)가 추가된다. 본 실시 예에서, 블루 방출 디바이스인 블루픽셀(20)은 포토레지스트(50)로 코팅되며(단계 A), 그 다음 이 포토리지스트(50)를 블루 픽셀(20)의 광(25)으로 노광한다(단계 B). 원리적으로, 블랙 매트릭스(30)는 포지티브 또는 네거티브 리소그래픽 공정으로 생성할 수 있다(단계 C). 색변환기(40)는 적합한 염료가 도핑된 포토레지스트가 이용될 수 있다. 그러므로, 종래 기술에서와 같은, 마스크 제조 및 정렬 없이, 구조화된 풀-컬러 디바이스를 생성하기 위해 노광(단계 D) 및 현상(단계 E) 사이클만이 필요하며, 여기서, 단계 D 및 E에서 생성된 픽셀 결합은 그린 색광(미도시)의 생성에 사용되고, 단계 F 및 G에서의 결합은 레드 색광(미도시)의 생성에 사용된다.

이에 의해 전술한 프로시저 역시 네거티브 리소그래픽 공정(여기서 변환기 물질의 코팅 및 리프트-오프)과 결합하여 포토레지스트를 이용할 수 있다.

도 1b에서 개시된 제2 실시 예는 블랙 매트릭스를 포함하지 않는 풀-컬러 디스플레이에 관한 것이다. 그러므로, 이 실시 예는 도 1a에서 단계 B 및 C를 요구하지 않는다. 다른 단계 D' 내지 G'에 대해서는 도 1a에서 대응하는 단계 D 내지 G로 지칭된다.

도 2에 도시된 실시 예에서, 공정 단계 A" 및 B"는 전술된 실시 예와 동일하다. 다시 한번, 기판(10)상에 증착된 구조물 소자(20)는 포토레스트 층(50)에 의해 오버-코팅된다(over-coat). 그러나, 다른 실시 예와 달리 구조물 소자(20)는 열방사선과 같은 방사선이 조사된 다음 방사선을 재방출하는 물질을 포함한다. 따라서, 포토레지스트 물질(50)은 방사선에 대하여, 즉, 재방출된 방사선에 의해 현상될 수 있는 열사(열적방사)의 경우에는 현상에 민감해야만 한다.

그러므로 사전에 전술된 실시 예에서 벗어나는 다른 공정 단계는 단계 C"인데, 여기서 오버 코팅된 기판에 방사선(60)이 조사되므로 구조물 소자(20)가 방사선(25)을 재방출하기 시작한다. 이하 공정 단계 F" - G"는 다른 실시 예에서 대응하는 단계와 유사하거나 동일하다.

도 3은 사전-구성된 마스킹 구조물로 제조될 수 있는 본 발명에 따른 마스킹 역할을 수행하는 마스킨 기판의 확대된 측단면도를 도시한다. 전술한 바와 같이, 마스킹 구조물은 기판(10) 및 사전-증착되고 사전-구조화된 구조물 소자(층)(20)를 포함하며, 본 실시 예에서는 소자층(20) 사이에 블랙 매트릭스(30)를 포함한다. 마스킹 구조물은 소자층(20)에 의해 방출된 방사선(25)에 의해 현상되기 적합한 제2 물질층인 포토레지스트(50)로 사전 코팅될 수 있다. 여기서 구조물 소자층(20)은 발광 디바이스를 이용할 수 있으며, 또한 구조물 소자층(20)은 조사선 유도형 방사선, 특히 열방사선을 재방출시킨다. 제2 물질층은 방사선 유도형, 특히 열유도형 구조화에 적합한 물질이다. 소자(20)의 방출이 전압공급선(80)에 의해 조절될 수 있기 때문에, 본 발명 및 전술에 제안된 마스킹 구조물 메커니즘으로 반도체 구조로 사용되는 것과 같은 더 복잡한 구조물 패턴도 제조할 수 있다.

더우기, 본 발명에 의해 제안된 방법 역시 도전 경로의 몇몇층을 구성하는 전기회로를 형성하기 위해 이용될 수 있다. 이를 개시하기 위해, 도 4는 도전경로인 제1층(105)을 갖는 단단한 또는 유연성있는 기판(100)을 도시한다(단계 A). 제1층(105)은 열상호 작용에 민감한 절연 레지스트(110)로 코팅된다(단계 B). 각각의 도전경로(115)에서는 전류가 인가된다(switch on)(단계 C). 내부 저항으로 인해 이 경로에는 열이 생기며(120) 그러므로 국부적으로 레지스트를 노출시키는데, 즉, 레지스트의 견고성이나 화학적 저항과 같은 레지스트의 물리적 또는 화학적 또는 그 양쪽의 특성이 용매(solvent)에 의해 변한다. 다음 단계에서는 레지스트의 절연 코팅(125)을 가지며 전류가 인가된 도전 경로를 남긴 채 레지스트가 제거된다(단계 D). 이제 이들 경로가 보호됨에 따라, 도전 경로의 후속층(130)은, 예를 들면, 상이한 도전 경로(135, 140)들 사이에 상호 연결을 생성하도록 제1층의 상부에 증착될 수 있다(단계 E).

전술한 방법의 이점은 임의의 도전경로를 보호하고 다른 경로상에서 절연보호층을 증착하기 위해 마스크 기술을 포함하는 복잡하고 비용이 많이 드는 공정이 불필요하다는 것이다. 도전 경로의 내부저항으로 인해 열적으로 민감한 레지스트 및 레지스트를 노출하기 위해 필요한 열에너지의 자기-생성에 대한 단순한 코팅 기술이 대신 이용된다.

전술한 특정한 어플리케이션의 시나리오하에서 본 발명에 따른 방법 및 디바이스는 마스크 리소그래피를 이용하여 임의의 마이크로-기술에 대한 마이크로-제조에 이용될 수 있다. 액정 디스플레이, 박막 트랜지스터(TFT) 디스플레이, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이, 또는 색필터 및 색변환기와 같은 박막 광디바이스(thin film optical device)라고 지칭된 것은 단지 실시 예에 불과할 뿐이다. 그러므로, 그것은 반도체 디바이스(프로세서, 저장부 등)의 제조 또는 광-전기 다바이스의 제조에 이용될 수 있다.

Claims (24)

1. 리소그래피를 이용하여 기판상에 증착된 두 개 이상의 층의 다층 구조물을 제조하는 방법에 있어서,

   a) 상기 기판상에 어드레서블 구조물 소자(addressable structure elements)인 제1층 -상기 제1층은 (상기 어드레서블 구조물 소자 위에) 상기 기판상에 증착된 제2 물질층과 물리적 또는 화학적 또는 그 양쪽의 상호작용을 일으킬 수 있음- 을 제공하는 단계와;

   b) 상기 제2 물질층 -상기 제2 물질층은 상기 제1층에서 적어도 상기 제2 물질층으로 화상을 전사하기에 적합한 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용에 민감함- 을 증착하는 단계와,

   c) 상기 제1층에서 일어나는(originating) 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호 작용 또는 그 양쪽의 상호작용으로 상기 적어도 제2 물질층의 일부를 노출시키는 단계, 및

   d) 상기 제2 물질층 중 노출된 물질 또는 노출되지 않은 물질을 상기 기판에서 제거하여 상기 화상 전사에 따라 구조화된 제2 물질층을 구비하는 단계

   를 포함하며, 상기 적어도 제2 물질층의 일부를 노출시키는 단계 및 상기 적어도 제2 물질층 중 노출된 물질 또는 노출되지 않은 물질을 상기 기판으로부터 제거하는 단계가 리소그래픽 단계를 나타내는 다층 구조물 제조방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용은 상기 적어도 제2 물질층이 상기 화상전사에 민감한 임의의 방사선 상호작용인 다층 구조물 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용은 상기 제1층 및 상기 적어도 제2 물질층 사이에서의 열전도인 다층 구조물 제조방법.
5. 삭제
6. 삭제
7. 제1항, 제3항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 물질층 중 적어도 일부는 마스크 물질을 포함하며, 상기 방법은

   e) 상기 기판상의 상기 마스크 물질을 포함하는 상기 구조화된 제2 물질층 상에 적어도 부분적으로 제3층을 증착하는 단계를 더 포함하는 다층 구조물 제조방법.
8. 제1항, 제3항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조물 소자인 상기 제1층은 어드레서블 발광 디바이스(addresable light emitting device)이며, 상기 발광 디바이스는 무기 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 또는 Ⅱ-Ⅳ족 화합물로 이루어지는 발광다이오드 또는 유기 OLED(organic light emitting device) 또는 전계 방출 소자(field emission device) 또는 수직 캐비티 레이저(vertical cavity laser)로 구성되는 다층 구조물 제조방법.
9. 제1항, 제3항, 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 구조물 소자인 제1층은 상기 적어도 제2 물질층의 방사선-유도형 구조화에 적합한 조사선-유도형 방사선을 재방출하는 물질로 구성되는 다층 구조물 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 구조물 소자는 열방사선에 의해 조사되며, 상기 적어도 제2 물질층은 열-유도형 구조에 적합한 물질로 구성되는 다층 구조물 제조방법.
11. 제9항에 있어서, 방사선-투과 기판을 이용하여 상기 기판의 후방에서 상기 구조물 소자에 조사하는 다증 구조물 제조방법.
12. 리소그라피를 이용하여 기판상에 증착된 두 개 이상의 층을 갖는 다층 구조물을 제조하기 위한 마스킹 구조물(masking arrangement)에 있어서,

    제2 물질층과, 적어도 상기 제2 물질층과 물리적 또는 화학적 또는 그 양쪽의 상호작용을 일으키는 어드레서블 구조물 소자층을 포함하며,

    상기 제2 물질층은 상기 어드레서블 구조물 소자층에서 상기 제2 물질층으로 화상을 전달하기에 적합하며 상기 물리적 또는 화학적 또는 그 양쪽의 상호작용에 민감한 물질인 마스킹 구조물.
13. 삭제
14. 삭제
15. 제12항에 있어서, 상기 어드레서블 구조물 소자층은 발광 디바이스인 마스킹 구조물.
16. 제12항 또는 제15항에 있어서, 상기 어드레서블 구조물 소자층은 조사선 유도형 방사선, 특히 열방사선을 재-방출시키는 마스킹 구조물.
17. 제16항에 있어서, 상기 제2 물질층은 방사선 유도형, 특히 열유도형 구조화에 적합한 마스킹 구조물.
18. 청구항 제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 따른 방법 또는 청구항 제12항 또는 제15항에 따른 마스킹 구조물을 이용하여 제조된 두 개 이상의 층을 갖는 다층 구조물.
19. 제18항에 있어서, 기판상에 형성되는 어드레서블 구조물 소자층인 제1층과 상기 제1층 상에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 물질층을 포함하며,

    상기 제1층은 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용을 생성할 수 있으며, 상기 제2 물질층은 상기 제1층에서 상기 제2물질층까지 화상을 전달하기에 적합한 상기 물리적 상호작용 또는 화학적 상호작용 또는 그 양쪽의 상호작용에 민감한 다층 구조물.
20. 삭제
21. 삭제
22. 제18항에 있어서, 상기 어드레서블 구조물 소자층은 발광 디바이스인 다층 구조물.
23. 제19항에 있어서, 상기 어드레서블 구조물 소자층은 조사선 유도형 방사선, 특히, 열방사선을 재-방출하는 다층 구조물.
24. 제23항에 있어서, 상기 제2 물질층은 방사선 유도형, 특히, 열유도형 구조에 적합한 다층 구조물.

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