CN111048054A - 一种像素驱动方法及像素驱动电路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种像素驱动方法及像素驱动电路,涉及显示技术领域。其中,所述方法包括:在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长;所述第一电压大于或等于所述薄膜晶体管的阈值电压;向所述栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式;所述第二电压小于所述阈值电压。在本发明实施例中,可以在进入手势唤醒模式之前,通过第一电压开启像素的薄膜晶体管,从而释放像素内的残留电荷,使得像素内不再满足电荷守恒,如此,进入手势唤醒模式后栅极电压的变化,不会造成像素电压的抬升,进而能够避免抬升电压所形成的电场对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种像素驱动方法及像素驱动电路。
背景技术
“手势唤醒”是指在息屏的状态下,通过在屏幕上执行用户预先设置的图形或动作,来进行快速亮屏,或者快速开启应用软件等功能,能够降低解锁、开启应用软件的繁琐程度。
然而,在显示装置的信赖实验中,在检测到用户双击屏幕的唤醒手势之后,部分显示装置在亮屏时会出现横纹不良的问题。
发明内容
本发明提供一种像素驱动方法及像素驱动电路,以解决现有的显示装置在被手势唤醒亮屏时会出现横纹不良的问题。
为了解决上述问题,本发明公开了一种像素驱动方法,包括:
在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长;所述第一电压大于或等于所述薄膜晶体管的阈值电压;
向所述栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式;所述第二电压小于所述阈值电压。
可选地,所述第一电压大于或等于6V。
可选地,所述预设时长大于或等于100微秒,且小于或等于10毫秒。
可选地,所述第二电压为接地电压。
可选地,所述向所述栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式之后,还包括:
向所述栅极输入第三电压;所述第三电压小于所述阈值电压。
可选地,所述第三电压为负压电源电压。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种像素驱动电路,所述像素驱动电路采用如上所述的像素驱动方法驱动。
与现有技术相比,本发明包括以下优点:
在本发明实施例中,可以在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长,其中,第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压。然后可以向栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式,其中,第二电压小于阈值电压。在本发明实施例中,可以在进入手势唤醒模式之前,通过第一电压开启像素的薄膜晶体管,从而释放像素内的残留电荷,使得像素内不再满足电荷守恒,如此,进入手势唤醒模式后栅极电压的变化,不会造成像素电压的抬升,进而能够避免抬升电压所形成的电场对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
附图说明
图1示出了现有的一种横纹不良的示意图;
图2示出了现有的一种像素驱动时序图;
图3示出了现有的一种像素电路的示意图;
图4示出了本发明实施例一的一种像素驱动方法的步骤流程图;
图5示出了本发明实施例一的一种像素驱动时序图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在对本发明实施例进行详细说明之前,首先对现有的像素驱动方式以及横纹不良的产生原因进行介绍。
参照图1,示出了一种横纹不良的示意图,在显示装置的信赖实验中,在检测到用户双击屏幕的唤醒手势之后,显示区域01的DP(Data Pad,驱动芯片)侧011易出现肉眼可见的横纹不良现象,对显示效果的影响很大,此外,显示区域的DPO(Data Pad Opposite,远离驱动芯片)侧012也会出现横纹不良现象。
图2示出了现有的一种像素驱动时序图,参照图2,在第一阶段,也即刚刚息屏且未进入LPWG(Low Power Wake-up Gesture,低功率手势唤醒)模式的阶段,向像素的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的栅极输入的是VGL电压,向像素电极输入的像素电压为接地电压GND,向公共电极Common输入的公共电压始终为接地电压GND。之后可以进入第二阶段,也即进入LPWG模式,在第二阶段,向栅极输入的是接地电压GND。栅极电压从VGL电压抬升至接地电压GND,会存在约8V的升压过程,然而,在栅极电压突变时,像素电压相应会存在ΔV1的抬升。之后,在第三阶段,向栅极输入的是负压电源电压VSN,该负压电源电压VSN小于接地电压GND。在栅极电压从负压电源电压VSN降为接地电压GND时,像素电压会存在ΔV2的降低,但像素电压相对于接地电压GND仍然存在ΔV的抬升。
以下将对ΔV的大小进行推导:
图3示出了一种像素电路的示意图,参照图3,Clc为像素等效电容(也称液晶电容),Cst为存储电容(也称补偿电容),以薄膜晶体管的源极连接数据线,漏极连接像素电极为例,则像素电极与栅极之间的电容可以表示为Cgd,也即是漏极与栅极之间的电容。
参照图2,在进入LPWG模式之前和之后,栅极电压始终在0V或0V以下,小于薄膜晶体管的阈值电压,因此,在图2所示的驱动过程中,薄膜晶体管始终处于关断状态,因此,图3中的虚线框区域内为封闭系统,在图2所示的驱动过程中始终满足电荷守恒,该封闭系统的电荷总量Q为:
Q=CV=(Vpixel-VCOM)*(Clc+Cst)+(Vpixel-Vgate)*Cgd
其中,Vpixel为像素电压,Vgate为栅极电压。
在第一阶段,栅极电压为VGL,像素电压为GND,该封闭系统在第一阶段的电荷总量Q1为:
Q1=(GND-VCOM)*(Clc+Cst)+(GND-VGL)*Cgd
在第二阶段,栅极电压为GND,像素电压为GND+ΔV1,该封闭系统在第二阶段的电荷总量Q2为:
Q2=(GND+ΔV1-VCOM)*(Clc+Cst)+(GND+ΔV1-GND)*Cgd
由于该封闭系统在第一阶段和第二阶段满足电荷守恒,也即Q1=Q2,因此:
ΔV1=(GND-VGL)*Cgd/(Clc+Cst+Cgd)
在第三阶段,栅极电压为VSN,像素电压为GND+ΔV1-ΔV2,该封闭系统在第三阶段的电荷总量Q3为:
Q3=(GND+ΔV1-ΔV2-VCOM)*(Clc+Cst)+(GND+ΔV1-ΔV2-VSN)*Cgd
由于该封闭系统在第二阶段和第三阶段满足电荷守恒,也即Q2=Q3,因此:
ΔV2=(GND-VSN)*Cgd/(Clc+Cst+Cgd)
因此,ΔV=GND+ΔV1-ΔV2=GND+(VSN-VGL)*Cgd/(Clc+Cst+Cgd)
由于在实际应用中,GND通常为0V,因此,上式可以简化为:
ΔV=(VSN-VGL)*Cgd/(Clc+Cst+Cgd)
需要说明的是,若是薄膜晶体管的漏极连接数据线,源极连接像素电极,则像素电极与栅极之间的电容可以表示为Cgs,也即是源极与栅极之间的电容。
发明人结合图2、图3以及上述推导,对DP侧和DPO侧出现横纹不良现象的原因进行了研究,经研究发现,像素电压抬升后会与公共电压存在一个ΔV的直流压差,而由于栅极一直处于VSN电平,且薄膜晶体管一直处于关断状态,因此,ΔV的直流压差会存在较长时间,ΔV的直流压差所产生的电场极易导致液晶极化。
此外,由于DP侧和DPO侧的液晶,在显示装置的对盒过程中更易受到污染,从而掺入杂质离子,尤其是DP侧,因此,在ΔV的直流压差作用下,DP侧和DPO侧相对于其他显示区域,会产生更强的内建偏置电场,从而使得DP侧和DPO侧的液晶更易被极化,因此,DP侧和DPO侧更易出现横纹不良的现象。由于DP侧的液晶相对于DPO侧的液晶更易在对盒过程中掺入杂质离子,因此,DP侧相对于DPO侧更易出现横纹不良的现象。
实施例一
参照图4,示出了本发明实施例一的一种像素驱动方法的步骤流程图,该方法包括以下步骤:
步骤101:在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长;第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压。
在本发明实施例中,用户在不需要使用显示装置时,可以通过按压电源键、快捷键息屏等方式,使显示装置进入息屏状态。
图5示出了本发明实施例一的一种像素驱动时序图,参照图5,在进入息屏状态后的第一阶段T1,像素的薄膜晶体管的栅极电压Vgate保持为VGL电压,VGL电压小于薄膜晶体管的阈值电压,因此,在VGL电压的持续过程中,薄膜晶体管处于关断状态。在进入息屏状态后,向像素电极输入的像素电压Vpixel始终为接地电压GND,向公共电极输入的公共电压VCOM始终为接地电压GND。
在显示装置处于息屏状态的情况下,可以在第二阶段T2向像素的栅极输入第一电压并持续预设时长,第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压,可选地,参照图5,第一电压可以是VGH电压。由于第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压,因此,在第一电压的持续过程中,薄膜晶体管处于开启状态,像素内的残留电荷被释放,如此,图3中的虚线框区域所示的封闭系统,在第二阶段T2和第三阶段T3不再满足电荷守恒,因此,后续栅极电压Vgate的变化不会造成像素电压Vpixel的抬升,进而能够避免抬升的电压对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
可选地,第一电压可以大于或等于6V。
可选地,预设时长可以大于或等于100微秒,且小于或等于10毫秒,也即是第一电压需要持续100微秒-10毫秒的时长,从而使得薄膜晶体管有效开启,像素内的残留电荷可以得到充分释放。
步骤102:向栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式;第二电压小于阈值电压。
在本发明实施例中,参照图5,在第三阶段T3,可以向薄膜晶体管的栅极输入第二电压,从而进入LPWG模式,也即是LPWG模式从第三阶段T3开始。第二电压小于阈值电压,也即是在第二电压的持续时间内,薄膜晶体管处于关断状态。
可选地,参照图5,第二电压可以为接地电压GND。
由于薄膜晶体管在第二阶段T2被开启,图3中的虚线框区域所示的封闭系统不再满足电荷守恒,因此,在第三阶段T3,当栅极电压Vgate变为接地电压GND时,不会造成像素电压Vpixel的抬升,像素电压Vpixel仍然保持为接地电压GND,由于不存在像素电压Vpixel的抬升,因此,能够避免抬升电压所形成的电场对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
步骤103:向栅极输入第三电压;第三电压小于阈值电压。
在本发明实施例中,参照图5,在第四阶段T4,可以向薄膜晶体管的栅极输入第三电压。第三电压小于阈值电压,也即是在第三电压的持续时间内,薄膜晶体管处于关断状态。
可选地,参照图5,第三电压可以为负压电源电压VSN。
在栅极电压处于第三电压的情况下,显示装置可以实时检测用户的唤醒手势,例如双击屏幕的手势等,当检测到的唤醒手势与用户预设的唤醒手势相同时,显示装置可以亮屏,而亮屏后,不会出现横纹不良的现象。
在本发明实施例中,可以在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长,其中,第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压。然后可以向栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式,其中,第二电压小于阈值电压。在本发明实施例中,可以在进入手势唤醒模式之前,通过第一电压开启像素的薄膜晶体管,从而释放像素内的残留电荷,使得像素内不再满足电荷守恒,如此,进入手势唤醒模式后栅极电压的变化,不会造成像素电压的抬升,进而能够避免抬升电压所形成的电场对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
实施例二
本发明实施例还公开了一种像素驱动电路,所述像素驱动电路采用如上所述的像素驱动方法驱动。
在本发明实施例中,像素驱动电路可以在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长,其中,第一电压大于或等于薄膜晶体管的阈值电压。然后可以向栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式,其中,第二电压小于阈值电压。在本发明实施例中,可以在进入手势唤醒模式之前,通过第一电压开启像素的薄膜晶体管,从而释放像素内的残留电荷,使得像素内不再满足电荷守恒,如此,进入手势唤醒模式后栅极电压的变化,不会造成像素电压的抬升,进而能够避免抬升电压所形成的电场对液晶的极化作用,从而可以消除显示装置在手势唤醒后出现的横纹不良。
对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本发明并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本发明,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种像素驱动方法及像素驱动电路,进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (7)
1.一种像素驱动方法,其特征在于,所述方法包括:
在息屏情况下,向像素的薄膜晶体管的栅极输入第一电压并持续预设时长;所述第一电压大于或等于所述薄膜晶体管的阈值电压;
向所述栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式;所述第二电压小于所述阈值电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一电压大于或等于6V。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设时长大于或等于100微秒,且小于或等于10毫秒。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二电压为接地电压。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述向所述栅极输入第二电压,进入手势唤醒模式之后,还包括:
向所述栅极输入第三电压;所述第三电压小于所述阈值电压。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第三电压为负压电源电压。
7.一种像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路采用如权利要求1-6任一项所述的像素驱动方法驱动。
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