CN111040719A - 半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程 - Google Patents

半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程，遮蔽制程步骤包括：点胶/涂布该半导体封装遮蔽胶料于半导体封装的局部表面、光/热固化该半导体封装遮蔽胶料、溅镀金属层、发泡剥离该半导体封装遮蔽胶料等步骤，该半导体封装遮蔽胶料在溅镀的温度不产生发泡，仅于发泡步骤时产生发泡并导致胶料剥离；本发明利用胶体形式的半导体封装胶料，完全或高度遮蔽的效果，再搭配发泡制程以及微球发泡剂，由于微球发泡剂发泡时会迅速膨胀并向外扩张，可以使半导体封装胶料完全剥离，减少残胶或溢镀的问题，有效提升半导体封装溅镀遮蔽面的品质。

Description

半导体封装遮蔽胶料及其遮蔽制程
技术领域
本发明涉及胶料技术领域，尤其涉及一种应用于半导体封装电磁防护制程中所使用的遮蔽胶料及其遮蔽制程。
背景技术
半导体封装完成后，为了避免晶片受到外界无线电射频干扰(radio frequencyinterference；RFI)或电磁干扰(electromagnetic interference；EMI)，会对该半导体封装施以电磁防护，电磁防护制程主要是在半导体封装的周围以溅镀法形成一金属薄膜，达成电磁防护的效果。
前述电磁防护制程在溅镀金属薄膜前，会先使用遮蔽材料对半导体封装底部(即IC载板面，IC Substrate)，无论是有锡球或无锡球，黏着于IC载板面后进行遮蔽，避免金属薄膜溅镀到半导体封装底部(IC载板面)，并在溅镀完成后，将遮蔽材料剥除。目前遮蔽材料使用的型态是胶带，但胶带容易有遮蔽不完全，且剥除后，容易在底部锡球四周或无锡球面残胶，影响贴着面(IC载板面)的品质。
发明内容
为了解决目前遮蔽使用的胶带遮蔽不完全且容易残胶，继而影响半导体封装品质的问题，本发明提供一种半导体封装遮蔽胶料，其包括：
脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；
异冰片基丙烯酸酯8～15wt％；
微球发泡剂9～20wt％；
光起始剂3～10wt％；以及
光固化胶20～25wt％。
其中，该微球发泡剂为具一核壳结构的球状塑胶颗粒，该核壳结构包含一外壳与一内核，该外壳为热塑性丙烯酸树脂类聚合物，该内核为烷烃类气体，粒径介于10～45微米。
其中，该光起始剂的种类包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE 500、IRGACURE 651、IRGACURE 369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE784、IRGACURE 819、IRGACURE 819DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE 2020、DAROCUR 1173、DAROCUR BP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。
其中，该半导体封装遮蔽胶料进一步包括一导电添加剂及/或一绝缘添加剂5wt％以下。该导电添加剂包括石墨、碳黑、碳纤维、奈米碳管、铜粉或镍粉；以及该绝缘添加剂包括氮化硼、碳化硅、氮化铝、氧化铝、氧化镁或氧化锌。
其中，该光固化胶为乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯类(EOEOEA)及其衍生或类似物。
本发明进一步提供一种半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其步骤包括：
将一半导体封装遮蔽胶料点胶或涂覆于一半导体封装的部分表面；
利用紫外光固化或热固化该半导体封装遮蔽胶料形成胶膜；
溅镀一金属层于该半导体封装未覆盖有该半导体封装遮蔽胶料的区域；
加热使该半导体封装遮蔽胶料发泡，使该半导体封装遮蔽胶料完全剥离于该半导体封装遮蔽部分的表面；其中：
该半导体封装遮蔽胶料包括脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、微球发泡剂、光起始剂、光固化胶、一导电添加剂及/或一绝缘添加剂；以及该半导体封装遮蔽胶料溅镀时不发泡。
其中，该半导体封装的部分表面包括无锡球或具有多个锡球表面。
其中，该溅镀温度介于75～180℃；以及该发泡温度高于100℃。
其中，该半导体封装包括IC载板。
通过上述说明可知，本发明利用胶体形式的半导体封装胶料，可达到遮蔽面完全或高度遮蔽的效果，再搭配发泡制程以及半导体封装遮蔽胶料中均匀混合的微球发泡剂，由于微球发泡剂发泡时会迅速膨胀产生向外扩张的力量，可以使半导体封装遮蔽部分的表面(有锡球或无锡球面)的胶料完全剥离，减少残胶或溢镀的问题，有效提升半导体封装溅镀遮蔽面的品质。
附图说明
图1为本发明一种实施例公开的半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图对本发明做进一步的详细描述：
一种半导体封装遮蔽胶料，其包括：
脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；
异冰片基丙烯酸酯8～15wt％；以及
微球发泡剂9～20wt％；
光起始剂3～10wt％；以及
光固化胶20～25wt％。
其中，该微球发泡剂是一种核壳结构，外壳为热塑性丙烯酸树脂类聚合物，内核为烷烃类气体组成的球状塑胶颗粒，其粒径介于10～45微米，加热后体积可迅速膨胀增大到自身的几十倍，从而达到发泡的效果。
该光起始剂的种类包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE500、IRGACURE 651、IRGACURE 369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE 784、IRGACURE 819、IRGACURE 819 DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE2020、DAROCUR 1173、DAROCUR BP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。
该光固化胶为乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯类(EOEOEA)及其衍生或类似物。
另外，为了使本发明该半导体封装遮蔽胶料有更好的导热效果，避免于溅镀制程中因高温无法即时消散而导致产品损坏，本发明进一步可加入导热系数高的功能添加剂5wt％以下，例如导电添加剂及/或绝缘添加剂，依据制程与产品需求将导电添加剂与绝缘添加剂的单用或混合使用，以得到最佳的导热效果或产品加工性。其中，该导热添加剂包括石墨、碳黑、碳纤维、奈米碳管、铜粉或镍粉，而该绝缘添加剂包括氮化硼、碳化硅、氮化铝、氧化铝、氧化镁或氧化锌。
请参考图1，本发明进一步提供前述该半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其步骤包括：
点胶/涂布步骤：将前述该半导体封装遮蔽胶料点胶或涂覆于一半导体封装或一模压(molding)后未切割的IC载板(IC substrate)的部分表面，该部分表面包括无锡球或多个锡球的表面；
光/热固化步骤：利用紫外光固化或热固化该半导体封装遮蔽胶料形成胶膜；
溅镀步骤：溅镀一金属层于该半导体封装未覆盖有该半导体封装遮蔽胶料的区域；以及
发泡剥离步骤：加热使该半导体封装遮蔽胶料发泡，使该半导体封装遮蔽胶料完全剥离于该部分表面。
其中，本发明溅镀步骤的温度较佳介于75～180℃，而发泡剥离的步骤较佳高于100℃，但本发明的该半导体封装遮蔽胶料于溅镀步骤所使用的温度不产生发泡，仅于发泡剥离步骤产生发泡特性。本发明通过该微球发泡剂发泡时会迅速膨胀的特性，可产生与黏着方向相反的脱离力，达到优异的发泡脱离效果。
本发明除了可以点胶/涂布于半导体封装上，也可先在未切割的晶圆或模压后未切割的IC载板(IC substrate)表面点胶/涂布后进行切割，再施作溅镀制程，在此不限定。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，包括：
脂肪族聚氨酯丙烯酸酯45～60wt％；
异冰片基丙烯酸酯8～15wt％；
微球发泡剂9～20wt％；
光起始剂3～10wt％；以及
光固化胶20～25wt％。
2.根据权利要求1所述的半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，该微球发泡剂为具一核壳结构的球状塑胶颗粒，该核壳结构包括一外壳与一内核，该外壳为热塑性丙烯酸树脂类聚合物，该内核为烷烃类气体，粒径介于10～45微米。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，该光起始剂的种类包括IRGACURE 184、IRGACURE 2959、IRGACURE 1000、IRGACURE 500、IRGACURE 651、IRGACURE369、IRGACURE 907、IRGACURE 1300、IRGACURE 784、IRGACURE 819、IRGACURE 819 DW、IRGACURE 250、IRGACURE2005、IRGACURE 2010、IRGACURE 2020、DAROCUR 1173、DAROCURBP、DAROCUR MBF、DAROCUR 4265或DAROCUR TPO。
4.根据权利要求1所述的半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，其进一步包括一导电添加剂和/或一绝缘添加剂5wt％以下。
5.根据权利要求4所述的半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，其中：
该导电添加剂包括石墨、碳黑、碳纤维、奈米碳管、铜粉或镍粉；以及
该绝缘添加剂包括氮化硼、碳化硅、氮化铝、氧化铝、氧化镁或氧化锌。
6.根据权利要求1或2所述的半导体封装遮蔽胶料，其特征在于，该光固化胶为乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯类(EOEOEA)及其衍生或类似物。
7.一种半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其特征在于，其步骤包括：
将一半导体封装遮蔽胶料点胶或涂覆于一半导体封装或一模压后未切割的IC载板的部分表面；
利用紫外光固化或热固化该半导体封装遮蔽胶料形成胶膜；
溅镀一金属层于该半导体封装或该模压后未切割的IC载板未覆盖有该半导体封装遮蔽胶料的区域；
加热使该半导体封装遮蔽胶料发泡，使该半导体封装遮蔽胶料完全剥离于该半导体封装或该模压后未切割的IC载板遮蔽部分的表面；其中：
该半导体封装遮蔽胶料包括脂肪族聚氨酯丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、微球发泡剂、光起始剂、光固化胶、一导电添加剂和/或一绝缘添加剂；以及该半导体封装遮蔽胶料溅镀时不发泡。
8.根据权利要求7所述的半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其特征在于，其中，该半导体封装或该模压后未切割的IC载板的部分表面包括无锡球或具有多个锡球表面。
9.根据权利要求7所述的半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其特征在于，其中，该溅镀温度介于75～180℃；以及该发泡温度高于100℃。
10.根据权利要求7所述的半导体封装遮蔽胶料的遮蔽制程，其特征在于，该半导体封装包括IC载板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115466576A (zh) * 2022-08-29 2022-12-13 青岛歌尔微电子研究院有限公司 Uv胶带、bga磁控溅射封装方法和bga电子产品

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020004130A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-10 Ramesh Lhila Acrylic foam-like tape
CN101076224A (zh) * 2006-05-16 2007-11-21 南京汉德森科技股份有限公司 铝基印刷电路板及其制作方法
JP2010059223A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Nitto Denko Corp 発泡充填材およびその製造方法
CN101831269A (zh) * 2010-05-14 2010-09-15 上海鼎道科技发展有限公司 一种用于汽车玻璃砂眼及裂纹修补的光固化粘合剂及其制备方法
CN102863921A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 日东电工株式会社 导电性粘合带
CN104212399A (zh) * 2014-09-18 2014-12-17 烟台德邦科技有限公司 用于半导体芯片封装的低模量非导电胶

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020004130A1 (en) * 2000-07-07 2002-01-10 Ramesh Lhila Acrylic foam-like tape
CN101076224A (zh) * 2006-05-16 2007-11-21 南京汉德森科技股份有限公司 铝基印刷电路板及其制作方法
JP2010059223A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Nitto Denko Corp 発泡充填材およびその製造方法
CN101831269A (zh) * 2010-05-14 2010-09-15 上海鼎道科技发展有限公司 一种用于汽车玻璃砂眼及裂纹修补的光固化粘合剂及其制备方法
CN102863921A (zh) * 2011-07-06 2013-01-09 日东电工株式会社 导电性粘合带
CN104212399A (zh) * 2014-09-18 2014-12-17 烟台德邦科技有限公司 用于半导体芯片封装的低模量非导电胶

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115466576A (zh) * 2022-08-29 2022-12-13 青岛歌尔微电子研究院有限公司 Uv胶带、bga磁控溅射封装方法和bga电子产品
CN115466576B (zh) * 2022-08-29 2023-11-17 青岛歌尔微电子研究院有限公司 Uv胶带、bga磁控溅射封装方法和bga电子产品

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