CN111007949A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置。所述显示装置包括:显示面板,包括基底、设置在基底上的像素以及覆盖像素的封装层;以及触摸传感器,设置在显示面板上。触摸传感器包括设置在封装层上的感测电极和分别连接到感测电极的感测线。感测线中的每条感测线包括:第一感测线图案,延伸到基底上;第二感测线图案,在封装区域外侧连接到第一感测线图案,第二感测线图案包括第一连接部和第二连接部;以及第三感测线图案,在封装层的下侧处连接到第二感测线图案的第二连接部。

Description

显示装置
本申请要求于2018年10月5日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0119242号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括触摸传感器的显示装置。
背景技术
通常,显示装置包括设置在显示区域中的像素和设置在非显示区域中的驱动单元,并且像素和驱动单元通过线连接。
显示装置可以包括覆盖显示区域的触摸传感器,以用作触摸显示装置。用户通过触摸显示在触摸显示装置的显示区域中的图像来输入信息。
然而,由于显示装置具有增大的分辨率并且包括触摸传感器,因此设置在非显示区域中的线的数量增多。近来,已经进行了研究来减小非显示区域的面积和无效空间的面积,否则非显示区域和无效空间的尺寸由于线的数量增多而增大。
发明内容
实施例提供一种包括感测线的显示装置,感测线包括包含在封装层的外侧处延伸到封装层的下侧的一部分的第二感测线图案以及在封装层的下侧处连接感测线的第三感测线图案。
根据本公开的实施例,提供一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包括基底、设置在基底上的像素以及覆盖像素的封装层,显示面板具有设置有像素的显示区域、与封装层的位置对应的封装区域以及设置在显示区域的至少一侧处的非显示区域;以及触摸传感器,设置在显示面板上。触摸传感器包括:感测电极,设置在封装层上;以及感测线,分别连接到位于封装层上的感测电极。感测线中的一些感测线包括:第一感测线图案,从封装层的一端延伸并且延伸到基底上;第二感测线图案,在封装区域外侧连接到第一感测线图案,第二感测线图案包括在第一方向上延伸的第一连接部和在与第一方向相反的方向上延伸到封装层的下侧的第二连接部;以及第三感测线图案,在封装层的下侧处连接到第二感测线图案的第二连接部,第三感测线图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
第一感测线图案、第二感测线图案和第三感测线图案可以设置在不同的绝缘层上。第三感测线图案可以设置在封装区域中。
显示面板还可以包括置于第二感测线图案与第三感测线图案之间的至少一个绝缘层。所述至少一个绝缘层可以具有与第二连接部的一个端部叠置的接触孔。第二连接部的所述一个端部和第三感测线图案可以通过接触孔彼此连接。
接触孔可以形成在封装区域中。
其它感测线可以包括:第一感测线图案;以及第四感测线图案,包括在封装区域外侧连接到第一感测线图案的第一端部,第四感测线图案在与第一方向相反的方向上延伸。
第四感测线图案的第二端部可以连接到第三感测线图案。
第二感测线图案和第四感测线图案可以设置在同一层上。
显示面板的非显示区域可以包括弯曲区域和位于封装区域与弯曲区域之间的连接区域。
第一感测线图案可以延伸到连接区域。第一感测线图案的一个端部可以包括设置在连接区域中的第一垫。
第二感测线图案可以包括设置在第一连接部与第二连接部之间的第二垫。当在平面上观看时,第一垫和与第一垫对应的第二垫可以彼此叠置。
显示面板还可以包括置于第一感测线图案与第二感测线图案之间的至少一个绝缘层。所述至少一个绝缘层可以在第一垫与第二垫彼此叠置处具有接触孔。第一垫和第二垫可以通过接触孔彼此连接。
第四感测线图案的第一端部可以包括设置在连接区域中的第三垫。
显示面板还可以包括置于第一感测线图案与第四感测线图案之间的至少一个绝缘层,所述至少一个绝缘层在第一垫与第三垫彼此叠置处具有接触孔。第一垫和第三垫可以通过接触孔彼此连接。
第二感测线图案的第一连接部可以延伸到弯曲区域。
第三感测线图案可以连接到一个第二感测线图案和多个第四感测线图案。
感测电极可以形成多个传感器块。多个传感器块中的每个可以包括:第一感测电极;以及i个第二感测电极,在第一方向(例如列方向)上布置,并且与第一感测电极分隔开,其中i是大于1的自然数。感测线可以包括:多条第一感测线,分别连接到第一感测电极;以及多条第二感测线,分别连接第n传感器块的第j第二感测电极和第n+1传感器块的第i-j+1第二感测电极,其中j是大于或等于1且小于或等于i的自然数,并且n是自然数。
第一感测线中的一个第一感测线组可以包括第一感测线图案、第二感测线图案和第三感测线图案,并且第一感测线中的其它第一感测线组可以包括第一感测线图案和第四感测线图案。第二感测线中的一个第二感测线组可以包括第一感测线图案、第二感测线图案和第三感测线图案,并且第二感测线中的其它第二感测线组可以包括第一感测线图案和第四感测线图案。
像素可以包括:栅电极,设置在基底上;第一绝缘层,覆盖栅电极;以及源电极和漏电极,设置在第一绝缘层上。第二感测线图案可以与源电极和漏电极设置在同一层上,并且第三感测线图案可以与栅电极设置在同一层上。
根据本公开的实施例,提供一种显示装置,所述显示装置包括:显示面板,包括显示区域和与封装层对应的封装区域,封装层覆盖显示区域;以及触摸传感器,设置在封装区域中。触摸传感器包括:感测电极,设置在封装层上;以及感测线,分别连接到位于封装层上的感测电极。感测线中的一些感测线包括:第一感测线图案,远离封装层的一端延伸;第二感测线图案,在封装区域外侧连接到第一感测线图案,第二感测线图案包括在第一方向上延伸的第一连接部和在与第一方向相反的方向上延伸到封装层的下侧的第二连接部;以及第三感测线图案,在封装层的下侧处连接到第二感测线图案的第二连接部,第三感测线图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。其它感测线包括:第一感测线图案;以及第四感测线图案,包括在封装区域外侧连接到第一感测线图案的第一端部,第四感测线图案在与第一方向相反的方向上延伸。
显示装置还可以包括:基底;像素,设置在基底上,其中,像素和覆盖像素的封装层设置在显示区域中;以及非显示区域,设置在显示区域的至少一侧处。第四感测线图案还可以包括连接到第三感测线图案的第二端部,第二感测线图案和第四感测线图案可以设置在同一层上,并且第三感测线图案可以连接到一个第二感测线图案和多个第四感测线图案。
根据本公开的实施例,一种显示装置包括感测线,感测线包括第二感测线图案和第四感测线图案以及第三感测线图案,第二感测线图案和第四感测线图案在封装区域内侧延伸,第三感测线图案在封装区域中连接第二感测线图案和第四感测线图案并且与第二感测线图案和第四感测线图案位于不同的绝缘层上,使得可以减少延伸到弯曲区域和第二平坦区域中的感测线的数量。因此,可以减小弯曲区域中的线集成度,并且可以减少触摸传感器的垫的数量并减小显示面板的无效空间的面积。
此外,由于弯曲区域中的线的数量减少,因此可以减小附加区域在第二方向上的宽度。因此,显示装置的未连接到附加区域的两个侧部可以更容易地弯曲或折叠,例如以形成弯折边缘或弯曲边缘。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施例;然而,实施例可以采用不同的形式并且不应该局限于这里阐述的示例性实施例。
在附图中,为了说明的清楚性,可以夸大尺寸。将理解的是,当元件被称为“在”两个元件“之间”时,该元件可以是两个元件之间的唯一元件,或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终可以指同样的元件。
图1A是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
图1B是图1A的显示装置的透视图。
图2是图1A的显示装置的一部分的平面图。
图3示出了包括在图1A的显示装置中的触摸传感器的示例。
图4是图3的部分A和部分B的示例的平面图。
图5是沿图1A的线I-I’截取的示例的剖视图。
图6是沿图1A的线II-II’截取的示例的剖视图。
图7是沿图1A的线I-I’截取的示例的剖视图。
图8示出了图3的触摸传感器的示例。
图9是图8的部分C的示例的平面图。
图10至图13是沿图9的线III-III’截取的示例的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。贯穿附图,相同的附图标记可以被赋予相同的元件,并且将省略它们的重复描述。
图1A是根据本公开的实施例的显示装置的平面图。图1B是图1A的显示装置的透视图。
参照图1A和图1B,根据实施例,显示装置DD包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素PX、具有覆盖像素PX的封装层TFE的显示面板以及设置在显示面板上的触摸传感器。
根据实施例,基底SUB包括显示区域DA和设置在显示区域DA的至少一侧处的非显示区域NDA。
根据实施例,基底SUB具有大致矩形的形状。然而,基底SUB的形状不限于此,并且在其它实施例中基底SUB可以具有不同的形状。例如,基底SUB可以具有包括线性边的闭合的多边形形状,或者具有包括弯曲的边的圆形或椭圆形形状等,或者具有包括线性边和弯曲的边的半圆、半椭圆等。在实施例中,当基底SUB具有线性边时,形状的至少一些角部是弯曲的。
根据实施例,显示区域DA是其中设置有多个像素PX使得可以显示图像的区域。显示区域DA具有与基底SUB的形状对应的形状。
根据实施例,像素PX设置在基底SUB上的显示区域DA中。每个像素PX是用于显示图像的最小单元,并且设置有多个像素PX。像素PX发射白光或彩色光。每个像素PX可以发射红光、绿光和蓝光中的任何一种。然而,本公开的实施例不限于此,在其它实施例中,像素PX可以发射诸如青色、品红色或黄色的颜色的光。
根据实施例,像素PX可以实现为包括有机层的有机发光元件。然而,本公开的实施例不限于此,在其它实施例中,像素PX可以实现为另一种类型的显示器件,诸如液晶器件、电泳器件或电润湿器件。
根据实施例,非显示区域NDA是其中未设置像素PX的区域,并且是其中不显示图像的区域。
根据实施例,非显示区域NDA设置有连接到像素PX的导电线CL和连接到导电线CL并驱动像素PX的驱动器。
根据实施例,导电线CL向每个像素PX提供信号,并且包括扫描线、数据线、驱动电压线(或电源线)、初始化线等。另外,如果需要,导电线CL还可以包括其它线。
根据实施例,导电线CL设置为贯穿显示区域DA和非显示区域NDA。
根据实施例,驱动器包括沿扫描线向每个像素PX传输扫描信号的扫描驱动器、沿数据线向每个像素PX传输数据信号的数据驱动器、控制扫描驱动器和数据驱动器的时序控制器等。
在实施例中,扫描驱动器直接安装在基底SUB上。在实施例中,扫描驱动器形成为单独的芯片,从而以玻璃上芯片的形式设置在基底SUB上。在另一实施例中,扫描驱动器安装在印刷电路板上以通过连接构件连接到基底SUB。
在实施例中,数据驱动器直接安装在基底SUB上。在实施例中,数据驱动器形成为单独的芯片以连接到基底SUB。当数据驱动器形成为单独的芯片时,数据驱动器可以设置为玻璃上芯片、塑料上芯片、膜上芯片COF等的形式。在其它实施例中,数据驱动器安装在印刷电路板上以通过连接构件连接到基底SUB。
在实施例中,非显示区域NDA还包括从非显示区域NDA的侧边突出的附加区域ADA。附加区域ADA从非显示区域NDA的侧边突出。在实施例中,数据驱动器或触摸驱动器设置在附加区域ADA中或连接到附加区域ADA。然而,本公开的实施例不限于此,在其它实施例中,各种其它组件设置在附加区域ADA中。另外,数据驱动器和触摸驱动器可以集成为一个驱动器。
在实施例中,显示面板包括覆盖显示区域DA的封装层TFE和与封装层TFE对应的封装区域。
在实施例中,触摸传感器包括设置在显示面板上的感测电极IE1和IE2以及感测线SL。感测电极IE1和IE2设置在封装层TFE上。感测线SL从封装层TFE延伸到基底SUB的一侧。
在实施例中,感测线SL和导电线CL在基底SUB上延伸,但不彼此连接或接触。
在实施例中,显示装置DD的至少一部分是柔性的,并且显示装置DD可以在柔性部分处折叠。也就是说,显示装置DD包括柔性的并且可以沿一个方向弯曲的弯曲区域BA以及设置在弯曲区域BA的至少一侧处并且是平坦的而不弯曲的平坦区域。平坦区域可以是或者可以不是柔性的。
在实施例中,设置有第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2,第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2彼此分隔开,并且弯曲区域BA置于第一平坦区域FA1与第二平坦区域FA2之间。第一平坦区域FA1包括显示区域DA。在实施例中,弯曲区域BA与显示区域DA分隔开。
在实施例中,显示装置DD围绕其折叠的线被称为折叠线,并且折叠线设置在弯曲区域BA中。术语“折叠”不是指固定的形状而是指从原始形状可变形为另一种形状的形状,并且包括沿至少一条特定的线(即折叠线)折叠、弯曲或卷曲的形状。
在实施例中,数据驱动器或触摸驱动器以膜上芯片COF的形式设置在第二平坦区域FA2中。另外,连接导电线CL和驱动器的垫(pad,或可称为“焊盘”或“焊垫”)以及连接感测线SL和驱动器的垫设置在第二平坦区域FA2中。
图2是图1A的显示装置的一部分的平面图。
将在图2中示意性地描述其中包括在显示装置DD中的组件大致设置的区域的位置或形状。
参照图1A至图2,在实施例中,基底SUB被划分为平坦区域FA1和FA2以及弯曲区域BA。
在实施例中,弯曲区域BA和第二平坦区域FA2位于附加区域ADA中,并且弯曲区域BA位于第一平坦区域FA1与第二平坦区域FA2之间。
在实施例中,第一平坦区域FA1包括封装区域EA和连接区域CA。封装区域EA与其中设置有封装层TFE的区域对应。
在实施例中,多条导电线CL设置在导电线区域CLA中。导电线CL设置在封装层TFE与基底SUB之间。导电线CL从显示区域DA经过导电线区域CLA延伸到驱动器DIC,以连接像素PX和驱动器DIC。
在实施例中,触摸传感器的触摸有效区域TA位于封装层TFE上。感测电极IE1和IE2以及感测线SL设置在封装层TFE上的触摸有效区域TA中。感测线SL在第一方向DR1上从触摸有效区域TA延伸。
在实施例中,感测线SL沿第一感测线区域SLA1和第二感测线区域SLA2设置。例如,第一感测线区域SLA1在封装层TFE上沿左右斜线方向分离。在示例中,一些感测线SL包括沿第二方向DR2或者沿第二方向DR2与第一方向DR1之间的斜线方向延伸的段以及从前述段沿第一方向DR1延伸的段。其它感测线SL包括沿与第二方向DR2相反的方向或者沿与第二方向DR2和第一方向DR1相反的方向之间的斜线方向延伸的段以及从前述段沿第一方向DR1延伸的段。
在实施例中,第一感测线区域SLA1延伸到达连接区域CA。连接区域CA位于封装区域EA与弯曲区域BA之间。垫区域PDA设置在其中连接区域CA与第一感测线区域SLA1彼此叠置的区域的至少一部分处。感测线SL中的每条包括位于垫区域PDA中的垫,并且从第一感测线区域SLA1延伸的感测线图案和从第二感测线区域SLA2延伸的感测线图案通过垫电连接。也就是说,位于封装层TFE上的感测线在基底SUB上的预定的绝缘层上延伸穿过连接区域CA中的垫区域PDA。
在实施例中,导电线CL和感测线SL在非显示区域NDA中而不是在封装区域EA中设置在同一层中。因此,如图2中所示,导电线区域CLA与第一感测线区域SLA1和第二感测线区域SLA2在基底SUB上不彼此叠置。
在实施例中,设置在第二感测线区域SLA2中的感测线SL延伸到达第二平坦区域FA2以连接到设置在第二平坦区域FA2中的驱动器DIC,诸如触摸驱动器。第二感测线区域SLA2设置在弯曲区域BA和第二平坦区域FA2中。在实施例中,设置在第二感测线区域SLA2中的感测线SL沿相对于第一方向DR1的斜线方向延伸。然而,这仅是说明性的,实施例不限于此,在其它实施例中,设置在第二感测线区域SLA2中的感测线SL沿各种其它方向朝向驱动器DIC延伸。
在实施例中,设置在第一感测线区域SLA1中的感测线SL中的仅一些感测线SL延伸到第二感测线区域SLA2中。也就是说,设置在第二感测线区域SLA2中的感测线SL的数量比设置在第一感测线区域SLA1中的感测线SL的数量少。因此,减少了穿过弯曲区域BA的感测线SL的数量。
例如,在实施例中,位于垫区域PDA中的感测线SL另外朝向接触区域CTA延伸。延伸到接触区域CTA的感测线SL延伸到封装层TFE的下侧。延伸到接触区域CTA中的预定组的感测线SL被连接。因此,多条感测线SL可以传输一个感测信号或驱动信号。连接感测线SL的感测线图案不与导电线CL接触。
也就是说,在实施例中,位于封装区域EA中的每个感测线组包括多条连接的感测线SL,使得可以减少穿过弯曲区域BA的感测线SL的数量。因此,可以减少触摸传感器垫的数量并减小无效空间的面积。因此,显示装置DD的未连接到附加区域ADA的侧部可以更容易地弯曲或折叠。
图3示出了包括在图1A的显示装置中的触摸传感器的示例。
参照图1A至图3,在实施例中,触摸传感器TS包括第一感测电极IE1、第二感测电极IE2-1至IE2-4以及多条感测线SL1和SL2。
在实施例中,触摸传感器TS包括设置在触摸有效区域TA中的多个传感器块SB。传感器块SB形成多个传感器列ISC1至ISC5,或形成多个传感器行ISL1至ISL4。传感器列ISC1至ISC5中的每个包括布置在第一方向(列方向)DR1上的多个传感器块SB。传感器列ISC1至ISC5在第二方向(行方向)DR2上布置。尽管图3示出了以矩阵形式布置的多个传感器块SB,但本公开的实施例不限于此。
在实施例中,传感器块SB中的每个包括第一感测电极IE1和与第一感测电极IE1相邻地设置并且在预定方向上布置的i个(其中i是大于1的自然数)第二感测电极IE2-1至IE2-i。图3中示出了第二感测电极IE2-1至IE2-i(对其来说,i=4)。然而,这仅是说明性的,并且在其它实施例中包括在传感器块SB中的第二感测电极的数量不限于此。i个第二感测电极IE2-1至IE2-i构成一个感测电极组。沿其布置第二感测电极IE2-1至IE2-i的方向与第一感测电极IE1的延伸方向基本相同,也就是说,第二感测电极IE2-1至IE2-i与第一感测电极IE1并行地布置。
在实施例中,传感器块SB包括“一个第一感测电极还是多个第一感测电极”根据彼此电绝缘的第一感测电极IE1的数量来确定。尽管传感器块SB包括两个导电图案,但通过感测线电连接的这两个导电图案形成一个第一感测电极IE1。也就是说,在图3中示出的第一感测电极IE1之中,四个第一感测电极IE1可以通过第三感测线图案SLP3用作一个第一感测电极IE1。
在实施例中,这同样适用于第二感测电极IE2。也就是说,图3中示出的i个第二感测电极IE2-1至IE2-i彼此电分离。例如,设置在第一传感器列ISC1中的第二感测电极IE2可以电连接到设置在第五传感器列ISC5中的第二感测电极IE2,并且这些第二感测电极IE2可以用作一个第二感测电极IE2。
在下文中,随着传感器列ISC1至ISC5从左到右,随着传感器行ISL1至ISL4从顶部到底部,并且随着i个第二感测电极IE2-1至IE2-i从顶部到底部,组件的序数增大。
在实施例中,当第二感测电极IE2-1至IE2-i接收用于外部输入检测的检测信号或传输信号时,第一感测电极IE1电容耦合到第二感测电极IE2-1至IE2-i。当输入手段(诸如手指)放置在电容耦合的第二感测电极IE2-1至IE2-i中的一个上时,第一感测电极IE1与第二感测电极IE2之间的电容改变。可以通过从特定的第二感测电极IE2检测改变的电容来确定输入手段的坐标信息。
例如,在实施例中,第一感测电极IE1接收用于外部输入的检测信号。因此,当从特定的第二感测电极IE2检测到改变的电容时,可以计算输入手段的坐标信息。
将基于第一传感器列ISC1和第二传感器列ISC2来描述根据实施例的传感器块SB与感测线SL1和SL2之间的连接关系。
在实施例中,第一感测线SL1-1至SL1-4分别连接到第一传感器列ISC1的传感器块SB的第一感测电极IE1。连接到第一传感器列ISC1的传感器块SB的第一感测电极IE1的第一感测线SL1中的每条包括第一感测线图案SLP1、第二感测线图案SLP2和第三感测线图案SLP3,并且包括连接第一感测线图案SLP1和第二感测线图案SLP2的第一垫部PD1。
在实施例中,第一感测线图案SLP1连接到感测电极IE1和IE2,并且在第一方向DR1上延伸。因此,第一感测线图案SLP1的数量可以等于第一感测线SL1和第二感测线SL2的数量。
在实施例中,第二感测线图案SLP2连接到第一感测线图案SLP1,并且延伸到弯曲区域BA。例如,第二感测线图案SLP2在封装区域EA外侧大致在第一方向DR1上延伸。至少一些第二感测线图案SLP2与第一感测线图案SLP1叠置。
在实施例中,位于第一传感器列ISC1中的第一感测线SL1-1至SL1-4通过第三感测线图案SLP3分别电连接到位于第二传感器列ISC2至第四传感器列ISC4中的第一感测线SL1-1至SL1-4。也就是说,位于不同的传感器列中的四条第一感测线SL1彼此电连接。
在实施例中,第三感测线图案SLP3形成在封装区域EA中。第三感测线图案SLP3大致在第二方向DR2上延伸。第三感测线图案SLP3不延伸到封装区域EA外。
在实施例中,第一垫部PD1在位于封装层TFE外侧的连接区域CA中对齐。
在实施例中,第二感测线SL2-1至SL2-4连接传感器列的第n(其中,n是自然数)传感器块的第j(其中,j是大于或等于1且小于或等于i的自然数)第二感测电极以及传感器列的第n+1传感器块的第i-j+1第二感测电极。在下文中,将参照与第一传感器列ISC1对应的四条第二感测线SL2-1、SL2-2、SL2-3和SL2-4来详细地对此进行描述。
在实施例中,任一第二感测线SL2-1可以连接第一传感器块SB的第一第二感测电极IE2-1、第二传感器块SB的第四第二感测电极IE2-4、第三传感器块SB的第一第二感测电极IE2-1和第四传感器块SB的第四第二感测电极IE2-4。另一第二感测线SL2-2可以连接第一传感器块SB的第二第二感测电极IE2-2、第二传感器块SB的第三第二感测电极IE2-3、第三传感器块SB的第二第二感测电极IE2-2和第四传感器块SB的第三第二感测电极IE2-3。
在实施例中,与第一传感器列ISC1对应的第二感测线SL2和与第五传感器列ISC5对应的第二感测线SL2通过第三感测线图案SLP3连接。连接第二感测线SL2的第三感测线图案SLP3在第二方向DR2上的长度大于连接第一感测线SL1的第三感测线图案SLP3在第二方向DR2上的长度。
在实施例中,第三感测线图案SLP3中的每个连接i条第一感测线SL1或i条第二感测线SL2。在该实施例中,一个第三感测线图案SLP3连接四条第一感测线SL1或四条第二感测线SL2。因此,延伸到弯曲区域BA中的第二感测线图案SLP2的数量可以减少到第一感测线图案SLP1(即,第一感测线SL1和第二感测线SL2)的数量的1/4。
在实施例中,连接到第二传感器列ISC2的传感器块SB的第一感测电极IE1的第一感测线SL1中的每条包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4,并且包括连接第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4的第二垫部PD2。
在实施例中,第四感测线图案SLP4通过第二垫部PD2连接到第一感测线图案SLP1,并且在与第一方向DR1相反的方向上延伸。也就是说,第四感测线图案SLP4朝向显示区域DA延伸。
在实施例中,第二垫部PD2在位于封装层TFE外侧的连接区域CA中对齐。
在实施例中,第四感测线图案SLP4可以通过接触孔连接到第三感测线图案SLP3。因此,第二传感器列ISC2的第一感测线SL1可以分别传输与第一传感器列ISC1的第一感测线SL1的信号相同的信号。
如上所述,在实施例中,感测电极IE1和IE2以及感测线SL1和SL2通过同一工艺形成在同一层上。经由弯曲区域BA连接到驱动器DIC的感测线SL1和SL2的数量减少到连接到感测电极IE1和IE2的感测线SL1和SL2的数量的1/i。
在下文中,将参照图4至图12来描述根据实施例的感测线SL1和SL2的构造。
图4是图3的部分A和部分B的示例的平面图。
参照图3和图4,根据实施例,一些第一感测线SL1(即,部分A中的第一感测线SL1)包括第一感测线图案SLP1、第二感测线图案SLP2和第三感测线图案SLP3,其它第一感测线SL1(即,部分B中的第一感测线SL1)包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4。
在实施例中,第一感测线图案SLP1、第二感测线图案SLP2和第三感测线图案SLP3设置在不同的绝缘层上。另外,第四感测线图案SLP4与第二感测线图案SLP2设置在同一层上。
在实施例中,设置在部分A中的第一感测线SL1-1至SL1-4延伸穿过弯曲区域BA,设置在部分B中的第一感测线SL1-1’至SL1-4’延伸到达连接区域CA。然而,这仅是说明性的,实施例不限于此。在其它实施例中,设置在部分A中的一些第一感测线SL1-1至SL1-4和设置在部分B中的一些第一感测线SL1-1’至SL1-4’延伸穿过弯曲区域BA。
在实施例中,连接到感测电极IE1的第一感测线图案SLP1穿过封装层TFE的一端,然后延伸到基底SUB上。第一感测线图案SLP1的一个端部设置在连接区域CA中。第一感测线图案SLP1在连接区域CA中设置在第二绝缘层INS2上。第一感测线图案SLP1的所述一个端部包括设置在连接区域CA中的第一垫P1。
在实施例中,第一感测线图案SLP1的第一垫P1与第二方向DR2基本平行地设置。然而,这仅是说明性的,并且相邻的第一垫P1可以相对于第二方向DR2彼此交错地设置。
在实施例中,第二感测线图案SLP2在封装区域EA外侧连接到第一感测线图案SLP1。第二感测线图案SLP2在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1。第二感测线图案SLP2包括第一连接部CP1和第二连接部CP2,第一连接部CP1在第一方向DR1上延伸,第二连接部CP2在与第一方向DR1相反的方向上延伸以在封装层TFE下方延伸。
在实施例中,第二感测线图案SLP2与第一感测线图案SLP1设置在不同的绝缘层上。在实施例中,第一连接部CP1和第二连接部CP2由相同的材料通过同一工艺形成。
在实施例中,第二感测线图案SLP2包括位于第一连接部CP1与第二连接部CP2之间的第二垫P2。第二垫P2在连接区域CA中连接。第一垫P1和第二垫P2彼此叠置,并且至少一个绝缘层置于第一垫P1与第二垫P2之间。
在实施例中,至少一个绝缘层在其中第一垫P1和第二垫P2彼此叠置的区域中具有接触孔,并且第一垫P1和第二垫P2通过接触孔彼此连接。因此,第一感测线图案SLP1和第二感测线图案SLP2彼此连接。然而,这仅是说明性的,在其它实施例中,第一垫P1和第二垫P2可以通过多个接触孔彼此连接。
在实施例中,第二感测线图案SLP2的第二连接部CP2设置在封装区域EA中并且延伸穿过封装区域EA,同时避开其它导电线CL。导电线CL包括扫描线、数据线、电源线、初始化线等。
在实施例中,第三感测线图案SLP3连接到位于封装层TFE下方的第二感测线图案SLP2的第二连接部CP2,并且在第二方向DR2上延伸。第三感测线图案SLP3与第二感测线图案SLP2设置在不同的绝缘层上。
例如,根据实施例,至少一个绝缘层置于第二感测线图案SLP2与第三感测线图案SLP3之间。所述至少一个绝缘层具有第一接触孔CH1,其中第二连接部CP2的一个端部和第三感测线图案SLP3彼此叠置。第二连接部CP2的所述一个端部和第三感测线图案SLP3通过第一接触孔CH1彼此连接。然而,这仅是说明性的,在其它实施例中,第二连接部CP2的所述一个端部和第三感测线图案SLP3可以通过多个接触孔彼此连接。
在实施例中,第一接触孔CH1形成在封装区域EA中。另外,第三感测线图案SLP3仅设置在封装区域EA中。因此,多条第一感测线SL1-1至SL1-4和SL1-1’至SL1-4’在封装区域EA中电连接。
在实施例中,第三感测线图案SLP3延伸穿过封装区域EA,同时避开其它导电线CL。
在实施例中,设置在部分B处的第一感测线SL1-1’至SL1-4’包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4。位于部分B处的第一感测线SL1-1’至SL1-4’通过第三感测线图案SLP3分别连接到设置在部分A处的第一感测线SL1-1至SL1-4。
在实施例中,第四感测线图案SLP4在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1。第四感测线图案SLP4包括在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1的第一端部和在封装区域EA中连接到第三感测线图案SLP3的第二端部。
在实施例中,第四感测线图案SLP4的第一端部包括设置在连接区域CA中的第三垫P3。第三垫P3与第二垫P2通过同一工艺形成在同一层中。第三垫P3和第一垫P1通过接触孔彼此连接。
在实施例中,至少一个绝缘层置于第四感测线图案SLP4与第三感测线图案SLP3之间。所述至少一个绝缘层具有第二接触孔CH2,其中第四感测线图案SLP4的第二端部和第三感测线图案SLP3彼此叠置。第四感测线图案SLP4和第三感测线图案SLP3通过第二接触孔CH2彼此连接。
在实施例中,第四感测线图案SLP4在与第一方向DR1相反的方向上延伸。例如,第四感测线图案SLP4朝向显示区域DA延伸。
在实施例中,第四感测线图案SLP4在避开其它导电线CL的同时延伸。导电线CL包括扫描线、数据线、电源线、初始化线等。
如上所述,根据实施例,不是全部第一感测线SL1-1至SL1-4和SL1-1’至SL1-4’都设置在弯曲区域BA中,而仅是包括第二感测线图案SLP2的那些感测线设置在弯曲区域BA中。例如,当n条第一感测线SL1从第一感测电极IE1延伸时,仅n/i条第一感测线SL1经由弯曲区域BA延伸到达驱动器DIC(例如,触摸驱动器)。因此,可以减少触摸传感器TS的垫的数量并减小显示面板的无效空间的面积。此外,可以减小图1A和图1B的附加区域ADA在第二方向DR2上的宽度。因此,显示装置DD的未连接到附加区域ADA的两个侧部可以更容易地弯曲或折叠。
图5是沿图1A的线I-I’截取的示例的剖视图。图6是沿图1A的线II-II’截取的示例的剖视图。
参照图1A至图6,根据实施例,显示装置DD包括显示面板DP和触摸传感器TS。显示装置DD包括显示区域DA和非显示区域NDA。
首先将描述显示区域DA,然后将描述非显示区域NDA。
如图6中所示,根据实施例,多个像素PX设置在显示区域DA中。每个像素PX包括连接到导电线CL的晶体管、连接到晶体管的发光元件和电容器(或储存电容器)Cst。晶体管可以是控制发光元件的驱动晶体管或开关驱动晶体管的开关晶体管。
为了便于描述,图6中示出了其中一个像素PX设置有一个晶体管和一个电容器的实施例。然而,本公开的实施例不限于此,并且一个像素PX可以设置有两个或更多个晶体管和至少一个电容器或者三个或更多个晶体管和两个或更多个电容器。
在实施例中,像素PX设置在基底SUB上。
在实施例中,基底SUB由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。另外,基底SUB包括可弯曲或可折叠的柔性材料。基底SUB可以具有单层或多层结构。
在实施例中,缓冲层BF可以形成在基底SUB上。缓冲层BF防止杂质扩散到开关晶体管和驱动晶体管中。缓冲层BF是由无机材料制成的无机绝缘层。例如,缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成。根据基底SUB的材料和工艺条件,可以省略缓冲层BF。
在实施例中,有源图案ACT设置在缓冲层BF上。有源图案ACT由半导体材料形成。有源图案ACT包括源区、漏区和位于源区与漏区之间的沟道区。有源图案ACT是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成的半导体图案。
在实施例中,栅极绝缘层GI设置在有源图案ACT之上。栅极绝缘层GI是由无机材料制成的无机绝缘层。
在实施例中,栅电极GE和电容器下电极(或称为下电极)LE设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE覆盖与有源图案ACT的沟道区对应的区域。
在实施例中,栅电极GE和电容器下电极LE由金属制成。例如,栅电极GE由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成。另外,栅电极GE可以具有其中堆叠有两种或更多种材料的金属和合金的单层或多层结构。
在实施例中,包括扫描线的至少一些导电线CL与栅电极GE和电容器下电极LE由相同的材料形成在同一层中。导电线CL直接或间接连接到晶体管的一部分,诸如栅电极GE。
在实施例中,层间绝缘层IL设置在栅电极GE和电容器下电极LE之上。层间绝缘层IL是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
在实施例中,电容器上电极(或称为上电极)UE设置在层间绝缘层IL上。电容器上电极UE由金属制成。例如,电容器上电极UE由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成。另外,电容器上电极UE具有单层。然而,本公开的实施例不限于此,电容器上电极UE可以具有其中堆叠有两种或更多种金属或合金的多层结构。
在实施例中,电容器下电极LE和电容器上电极UE构成电容器Cst,并且层间绝缘层IL置于电容器下电极LE与电容器上电极UE之间。
在实施例中,第一绝缘层INS1设置在电容器上电极UE之上。第一绝缘层INS1是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
在实施例中,源电极SE和漏电极DE设置在第一绝缘层INS1上。源电极SE和漏电极DE通过形成在第一绝缘层INS1、层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI中的接触孔分别与有源图案ACT的源区和漏区接触。
在实施例中,源电极SE和漏电极DE由金属制成。例如,源电极SE和漏电极DE由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成。
在实施例中,诸如数据线、初始化线、一些扫描线和电源线的导电线CL与源电极SE和漏电极DE由相同的材料形成在同一层中。数据线或电源线可以直接或间接连接到晶体管的部分,诸如每个像素PX中的源电极SE或漏电极DE。
在实施例中,钝化层PSV设置在源电极SE和漏电极DE之上。钝化层PSV是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
在实施例中,第三绝缘层INS3设置在钝化层PSV上。第三绝缘层INS3是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟隆(Teflon))或苯并环丁烯类化合物。
在实施例中,连接图案CNP设置在第三绝缘层INS3上。连接图案CNP通过穿透第三绝缘层INS3和钝化层PSV的接触孔连接到晶体管的漏电极DE。连接图案CNP由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成。
在实施例中,诸如虚设电源线、虚设数据线等的其它线与连接图案CNP由相同的材料形成在同一层中。
在实施例中,第四绝缘层INS4设置在连接图案CNP之上。第四绝缘层INS4是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟隆)或苯并环丁烯类化合物。
在实施例中,第一电极EL1设置在第四绝缘层INS4上。第一电极EL1通过穿透第四绝缘层INS4的接触孔连接到连接图案CNP。在一些实施例中,第一电极EL1是阳极和阴极中的一者。
在图6中,根据实施例,尽管钝化层PSV、第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4设置在漏电极DE之上,但绝缘层的布置可以改变。例如,在一些实施例中,仅钝化层PSV设置在漏电极DE之上,而第一电极EL1设置在钝化层PSV上。在其它实施例中,仅设置钝化层PSV和第三绝缘层INS3,并且第一电极EL1设置在第三绝缘层INS3上。因此,可以省略连接图案CNP,并且第一电极EL1可以直接连接到漏电极DE。
在实施例中,第一电极EL1由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr的金属或其任何合金等制成,或者由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等制成。
在实施例中,限定像素区域以与每个像素PX对应的像素限定层PDL设置在基底SUB上。像素限定层PDL是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟隆)或苯并环丁烯类化合物。
在实施例中,像素限定层PDL使第一电极EL1的上表面暴露,并且沿像素PX的外周从基底SUB突出。
在实施例中,有机层OL设置在像素区域中并且被像素限定层PDL围绕。有机层OL可以具有单层,或者可以具有包括各种功能的多层。当有机层OL具有多层时,有机层OL包括以单一的或复杂的结构堆叠的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)。
在实施例中,第二电极EL2设置在有机层OL上。对每个像素PX设置第二电极EL2。然而,第二电极EL2覆盖显示区域DA的大部分,并且被多个像素PX共用。
在一些实施例中,第二电极EL2是阳极和阴极中的一者。当第一电极EL1是阳极时,第二电极EL2是阴极。当第一电极EL1是阴极时,第二电极EL2是阳极。
在实施例中,第二电极EL2由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属制成,或者由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电氧化物制成。在实施例中,第二电极EL2具有多层结构,该多层结构具有两层或更多层并且包括金属薄膜。例如,第二电极EL2具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
在实施例中,封装层TFE设置在第二电极EL2之上。封装层TFE可以具有单层或者具有多层。在实施例中,封装层TFE包括第一封装层EC1、第二封装层EC2和第三封装层EC3。第一封装层EC1、第二封装层EC2和第三封装层EC3由有机材料和无机材料制成。位于封装层TFE的最外侧处的第三封装层EC3由无机材料制成。在本公开的实施例中,第一封装层EC1由无机材料制成,第二封装层EC2由有机材料制成,第三封装层EC3由无机材料制成。与有机材料相比,湿气或氧较少渗透到无机材料中,但无机材料较脆弱,并且由于其不屈曲性而产生裂纹。第一封装层EC1和第三封装层EC3由无机材料形成,第二封装层EC2由有机材料形成,使得可以防止裂纹的传播。有机材料层(即,第二封装层EC2)完全被第三封装层EC3覆盖,使得第二封装层EC2的端部不暴露于外部。有机材料包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟隆)或苯并环丁烯类化合物。无机材料包括无机绝缘材料,诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
在实施例中,封装层TFE覆盖显示区域DA,并且延伸到显示区域DA的外侧。
在实施例中,由有机材料制成的第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4或像素限定层PDL连续地延伸到连接区域CA,并且具有通过沿显示区域DA的外周去除显示区域DA的一部分而形成的第一开口OPN1。因此,通过第一开口OPN1暴露的像素限定层PDL的上表面以及第三绝缘层INS3的侧表面、第四绝缘层INS4的侧表面或像素限定层PDL的侧表面被包括无机材料的绝缘层(诸如封装层TFE)封装,使得可以防止第三绝缘层INS3、第四绝缘层INS4或像素限定层PDL暴露于外部。
在实施例中,第一感测电极IE1和第二感测电极IE2设置在封装层TFE上。连接到第一感测电极IE1的第一感测线SL1和连接到第二感测电极IE2的第二感测线SL2设置在封装层TFE上。
在实施例中,第一感测电极IE1、第二感测电极IE2、第一感测线SL1和第二感测线SL2中的每个可以具有单层结构或多层结构。当第一感测电极IE1、第二感测电极IE2、第一感测线SL1和第二感测线SL2中的每个具有单层结构时,这些组件包括金属层或透明导电层。金属层包括钼、银、钛、铜、铝或其合金。透明导电层包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。另外,透明导电层包括诸如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。当第一感测电极IE1、第二感测电极IE2、第一感测线SL1和第二感测线SL2中的每个具有多层结构时,这些组件包括多层金属层。多层金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。
在实施例中,第一感测电极IE1、第二感测电极IE2、第一感测线SL1和第二感测线SL2中的每个具有包括多个网格孔的网格图案。
在实施例中,第一感测电极IE1、第二感测电极IE2、第一感测线SL1和第二感测线SL2中的每个与像素限定层PDL叠置。
接着,将描述非显示区域NDA。在下文中,当描述非显示区域NDA时,将省略或简要描述已经描述的那些部分的描述以避免冗余。
如图5中所示,根据实施例,非显示区域NDA包括与显示区域DA相邻的封装区域EA、连接区域CA、基底SUB在其中折叠的弯曲区域BA和第二平坦区域FA2。
在实施例中,坝部DPP进一步设置在非显示区域NDA的封装区域EA中。坝部DPP围绕显示区域DA。坝部DPP设置在连接区域CA的内侧。
在实施例中,坝部DPP具有双层结构。例如,下坝部DPP1与第三绝缘层INS3或INS3’同时形成,上坝部DPP2与像素限定层PDL同时形成。
在实施例中,坝部DPP在形成第二封装层EC2的工艺中防止液态有机材料从诸如第一绝缘层INS1等的下绝缘层向外扩散。
然而,这仅是说明性的。在一些实施例中,可以省略坝部DPP,并且可以设置多个坝部。
在实施例中,导电线CL包括扫描线、数据线、电源线等。图5中示出的导电线CL是数据线。然而,实施例不限于此,在其它实施例中不同类型的导电线CL可以设置在第一绝缘层INS1上。
在实施例中,感测线(诸如图4的第一感测线SL1-1)包括多个感测线图案SLP1至SLP3。感测线SL1-1连接到位于封装层TFE上的感测电极(诸如第一感测电极IE1)。感测线SL1-1连接感测电极IE1和驱动器DIC。为此,感测线SL1-1从感测电极IE1大致沿第一方向DR1延伸。感测线沿第一方向DR1延伸到达附加区域ADA的端部,并且接触电极CTE设置在所述端部处。感测电极IE1由感测线SL1-1通过接触电极CTE连接到驱动器DIC。
在实施例中,感测线SL1-1包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3。第一感测线图案SLP1和第二感测线图案SLP2一对一连接。第三感测线图案SLP3将一个第二感测线图案SLP2和图4的多个第四感测线图案SLP4电连接。也就是说,多条感测线通过第三感测线图案SLP3连接。
在实施例中,缓冲层BF在基底SUB上设置在非显示区域NDA中。缓冲层BF在弯曲区域BA中具有第三开口OPN3。
在实施例中,栅极绝缘层GI设置在缓冲层BF上。
在实施例中,第三感测线图案SLP3设置在栅极绝缘层GI上。另外,设置在第二平坦区域FA2中的附加线L1进一步设置在栅极绝缘层GI上。第三感测线图案SLP3和附加线L1与栅电极GE由相同材料通过同一工艺形成。
在实施例中,第三感测线图案SLP3设置在封装区域EA中,并且大致沿第二方向DR2延伸。第三感测线图案SLP3不与第二封装层EC2叠置。例如,第三感测线图案SLP3设置在坝部DPP与连接区域CA之间。
在实施例中,层间绝缘层IL设置在第三感测线图案SLP3之上,第一绝缘层INS1设置在层间绝缘层IL上。
在实施例中,第三开口OPN3形成在设置在弯曲区域BA中的绝缘层中。弯曲区域BA是其中基底SUB弯曲的区域。也就是说,去除缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的与弯曲区域BA对应的部分,从而形成第三开口OPN3。
在实施例中,第三开口OPN3的宽度宽于弯曲区域BA的宽度。图5示出了其中第三开口OPN3的宽度等于弯曲区域BA的宽度的情况。然而,这是出于描述的目的,实施例不限于此。在其它实施例中第三开口OPN3的宽度可以大于弯曲区域BA的宽度。
在实施例中,第二绝缘层INS2设置在第三开口OPN3中。第二绝缘层INS2填充第三开口OPN3的至少一部分。图5示出了第二绝缘层INS2完全填充第三开口OPN3。第二绝缘层INS2在与第三开口OPN3相邻的区域(诸如连接区域CA和/或第二平坦区域FA2)中覆盖第一绝缘层INS1的顶部的一部分。
在实施例中,第二绝缘层INS2是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料包括有机绝缘材料,诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟隆)或苯并环丁烯类化合物。
在实施例中,第二感测线图案SLP2设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。第二感测线图案SLP2的第一连接部CP1经由弯曲区域BA延伸到达第二平坦区域FA2。第二感测线图案SLP2的第二连接部CP2从弯曲区域BA通过连接区域CA延伸到封装区域EA。另外,导电线CL(诸如数据线)设置在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2上。设置在其它绝缘层上的导电线CL(诸如扫描线、电源线等)通过接触孔与第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2进行接触,并且在连接区域CA和/或弯曲区域BA中在同一层上延伸到第二平坦区域FA2。导电线CL和第二感测线图案SLP2不彼此接触,而彼此分隔开地延伸。
另外,在实施例中,下接触电极CTEa设置在第一绝缘层INS1上。第二感测线图案SLP2和下接触电极CTEa与源电极SE和漏电极DE由相同的材料通过同一工艺形成。第二感测线图案SLP2设置在第二绝缘层INS2上。第二感测线图案SLP2在其中没有第二绝缘层INS2的部分处设置在第一绝缘层INS1上。
在实施例中,穿透层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1被形成,并且与第二感测线图案SLP2的第二连接部CP2的一个端部叠置。第二感测线图案SLP2通过第一接触孔CH1连接到第三感测线图案SLP3。第一接触孔CH1形成在封装区域EA中。例如,第一接触孔CH不与第二封装层EC2叠置。第一接触孔CH1距第二封装层EC2在外侧形成。另外,第二感测线图案SLP2的所述一个端部不与第二封装层EC2叠置。
类似地,在实施例中,连接第三感测线图案SLP3和图4的第四感测线图案SLP4的第二接触孔CH2也形成在封装区域EA中。第二接触孔CH2不与第二封装层EC2叠置。另外,第四感测线图案SLP4的第二端部不与第二封装层EC2叠置。
在实施例中,钝化层PSV设置在第二感测线图案SLP2上。钝化层PSV是无机绝缘层,并且不设置在弯曲区域BA中。
在实施例中,钝化层PSV使下接触电极CTEa的部分上表面暴露。第四绝缘层INS4设置在第三绝缘层INS3上。第一开口OPN1形成在第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4中。
在实施例中,第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4的与显示区域DA的一侧相邻的侧表面被封装层TFE覆盖,但位于封装区域EA外侧的第四绝缘层INS4’的上表面以及第四绝缘层INS4’和第三绝缘层INS3’的侧表面暴露于外部。然而,位于封装区域EA外侧的第三绝缘层INS3’和第四绝缘层INS4’可以通过与形成位于封装区域EA内侧的第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4的工艺不同的工艺形成。
在实施例中,在形成第三绝缘层INS3之后,形成上接触电极CTEb。上接触电极CTEb与显示区域DA的连接图案CNP由相同的材料通过同一工艺形成。下接触电极CTEa和上接触电极CTEb构成接触电极CTE,并且感测线SL1-1通过接触电极CTE连接到驱动器DIC。
在实施例中,在连接区域CA中,位于封装区域EA外侧的钝化层PSV、第三绝缘层INS3’和第四绝缘层INS4’具有第二开口OPN2。因此,第二感测线图案SLP2的一部分通过第二开口OPN2被暴露。第二感测线图案SLP2的暴露的部分形成第二垫P2。
在实施例中,第一感测线图案SLP1设置在覆盖第三绝缘层INS3和第四绝缘层INS4以及像素限定层PDL的封装层TFE上。第一感测线图案SLP1沿封装层TFE的表面延伸。另外,第一感测线图案SLP1延伸到连接区域CA中,并且在其中没有封装层TFE的区域中沿暴露的最上层的表面设置。例如,如图5中所示,第一感测线图案SLP1在连接区域CA中沿位于封装区域EA外侧的第三绝缘层INS3’的侧表面以及位于封装区域EA外侧的第四绝缘层INS4’的侧表面和上表面形成。
在实施例中,第一感测线图案SLP1的一个端部形成第一垫P1,并且在第一垫部PD1处连接到第二感测线图案SLP2的第二垫P2。
如上所述,在实施例中,感测线SL1-1中的第三感测线图案SLP3在封装区域EA中连接多条感测线,从而连接的感测线中的一条感测线SL1-1包括第二感测线图案SLP2的延伸到弯曲区域BA的第一连接部CP1。因此,延伸到弯曲区域BA和第二平坦区域FA2的感测线的数量减少到不多于现有感测线的数量的1/4,并且可以减小位于弯曲区域BA中的线的集成度。
图7是沿图1A的线I-I’截取的示例的剖视图。
在图7中,与参照图5和图6描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示,并且将省略其重复描述。除了第二感测线图案SLP2和第三感测线图案SLP3彼此连接的位置之外,图7的显示装置具有与图5的显示装置的构造基本相同或相似的构造。
参照图1A、图5和图7,在实施例中,显示装置DD包括显示面板DP和触摸传感器TS。显示装置DD包括显示区域DA和非显示区域NDA。
在实施例中,非显示区域NDA包括与显示区域DA相邻的封装区域EA、连接区域CA、其中基底SUB弯曲的弯曲区域BA以及第二平坦区域FA2。
在实施例中,感测线包括多个感测线图案SLP1至SLP3。在实施例中,第一感测线图案SLP1和第二感测线图案SLP2一对一连接。第三感测线图案SLP3将一个第二感测线图案SLP2和图4的多个第四感测线图案SLP4电连接。也就是说,多条感测线通过第三感测线图案SLP3连接。
在实施例中,第三感测线图案SLP3设置在封装区域EA中,并且大致沿第二方向DR2延伸。第三感测线图案SLP3与第二封装层EC2叠置。例如,第三感测线图案SLP3设置在像素限定层PDL和第二封装层EC2下方。
在实施例中,第二感测线图案SLP2通过穿透层间绝缘层IL和第一绝缘层INS1的第一接触孔CH1连接到第三感测线图案SLP3。第一接触孔CH1形成在封装区域EA中。例如,第一接触孔CH1与第二封装层EC2叠置。
图8示出了图3的触摸传感器的示例。图9是图8的部分C的示例的平面图。
为了便于描述,图8中仅示出了连接到第二感测电极IE2的第二感测线SL2。在图8和图9中,与参照图3和图4描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示,并且将省略其重复描述。
参照图2至图9,根据实施例,第二感测线SL2-1至SL2-4连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4。
图8示出了第二感测电极IE2-1至IE2-4彼此不连接而彼此分开地传输信号。
在实施例中,设置在第一传感器列ISC1中的第二感测电极IE2和设置在第五传感器列ISC5中的第二感测电极IE2彼此连接。例如,第一传感器列ISC1的第二感测电极IE2通过第三感测线图案SLP3连接到第五传感器列ISC5的第二感测电极IE2。另外,第一传感器列ISC1的第二感测电极IE2连接到第九传感器列的第二感测电极IE2和第十三传感器列的第二感测电极IE2。i个第二感测电极IE2以i个传感器列的距离彼此连接。
因此,在实施例中,第二感测线SL2以i:1的比例延伸到弯曲区域BA中。
在实施例中,在一个传感器列中一条第二感测线SL2延伸到弯曲区域BA中。然而,这仅是说明性的,在一些实施例中,在一个传感器列中多条第二感测线SL2延伸到弯曲区域BA中,使得在预定的传感器列中第二感测线SL2不延伸到弯曲区域BA中。
也就是说,根据实施例,一些第二感测线SL2(诸如图9的SL2-1)包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3,并且其它第二感测线SL2(诸如SL2-2、SL2-3和SL2-4)包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4。具体地讲,在第一传感器列ISC1中,第二感测线SL2-1包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3,并且第二感测线SL2-2、SL2-3和SL2-4包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4;在第五传感器列ISC5中,第二感测线SL2-2包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3,并且第二感测线SL2-1、SL2-3和SL2-4包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4;在第九传感器列中,第二感测线SL2-3包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3,并且第二感测线SL2-1、SL2-2和SL2-4包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4;在第十三传感器列中,第二感测线SL2-4包括第一感测线图案SLP1至第三感测线图案SLP3,并且第二感测线SL2-1、SL2-2和SL2-3包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4。
在下文中,将参照图9以第一传感器列ISC1至第四传感器列ISC4中涉及到的第二感测线为例描述第二感测线SL2-1至SL2-4的构造。
在实施例中,第一感测线图案SLP1、第二感测线图案SLP2和第三感测线图案SLP3设置在不同的绝缘层上。另外,第四感测线图案SLP4与第二感测线图案SLP2设置在同一层上。第一感测线图案SLP1至第四感测线图案SLP4的构造与第一感测线SL1的构造类似。
在实施例中,连接到第二感测电极IE2的第一感测线图案SLP1在封装层TFE上延伸超过封装层TFE的一端,然后延伸到基底SUB上。第一感测线图案SLP1的一端设置在连接区域CA中。第二感测线SL2-1的第一感测线图案SLP1的一端在第三垫部PD3处连接到第二感测线图案SLP2。第二感测线SL2-2至SL2-4中的每个的第一感测线图案SLP1的一端连接到第四感测线图案SLP4。第二感测线SL2-2至SL2-4中的每个包括第四垫部PD4,并且第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4通过第四垫部PD4连接。彼此相邻的第三垫部PD3和第四垫部PD4相对于第二方向DR2彼此交错地设置。
在实施例中,第二感测线图案SLP2在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1。第二感测线图案SLP2包括沿第一方向DR1延伸的第一连接部CP1和沿与第一方向DR1相反的方向延伸以在封装层TFE下方延伸的第二连接部CP2。第一连接部CP1和第二连接部CP2由相同的材料通过同一工艺形成。
在实施例中,第二感测线图案SLP2的第二连接部CP2在封装区域EA中延伸,同时避开其它导电线CL。
在实施例中,第三感测线图案SLP3连接到第二感测线图案SLP2的位于封装层TFE下方的第二连接部CP2,并且沿第二方向DR2延伸。第三感测线图案SLP3与第二感测线图案SLP2设置在不同的绝缘层上。第二连接部CP2的一个端部和第三感测线图案SLP3通过第三接触孔CH3彼此连接。
在实施例中,第三接触孔CH3形成在封装区域EA中。另外,第三感测线图案SLP3仅设置在封装区域EA中。因此,设置在不同的传感器列中的多条第二感测线SL2在封装区域EA中电连接。第三感测线图案SLP3在避开其它导电线CL的同时延伸。
在实施例中,第四感测线图案SLP4在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1。第四感测线图案SLP4从第四垫部PD4沿与第一方向DR1相反的方向延伸。第四感测线图案SLP4通过接触孔连接到第三感测线图案SLP3。第四感测线图案SLP4在避开其它导电线CL的同时延伸。
图10至图13是示意性地示出沿图9的线III-III’截取的示例的剖视图。
在图10至图13中,与参照图5和图6描述的组件相同的组件由同样的附图标记表示,并且将省略其重复描述。
尽管图10至图13中示出了其中感测线SL2-4包括第四感测线图案SLP4的情况,但本公开的实施例不限于此。例如,感测线SL2-4可以包括在第二绝缘层INS2上延伸到弯曲区域BA中的第二感测线图案SLP2,而不包括第四感测线图案SLP4。
参照图5、图6和图9至图13,根据实施例,感测线SL2-4的第一感测线图案SLP1从显示区域DA延伸到连接区域CA。
在实施例中,导电线CL1至CL4向每个像素PX传输预定的信号。
在实施例中,第一导电线CL1与栅电极GE由相同的材料通过同一工艺形成在栅极绝缘层GI上。例如,第一导电线CL1设置为存储电容器Cst的下电极LE或扫描线。
在实施例中,第二导电线CL2形成在层间绝缘层IL上,并且设置为存储电容器Cst的上电极UE等。
在实施例中,第三导电线CL3与源电极SE和漏电极DE由相同的材料通过同一工艺形成在第一绝缘层INS1上。例如,第三导电线CL3可以是传输初始化电压的线或者传输预定的栅极信号的线。
在实施例中,第四导电线CL4与连接图案CNP由相同的材料通过同一工艺形成在第三绝缘层INS3上。例如,第四导电线CL4设置为初始化线或数据线等。
然而,这仅是说明性的,第一导电线CL1至第四导电线CL4的布置和功能不限于此。在其它实施例中,第一导电线CL1至第四导电线CL4可以是扫描线、数据线和电源线中的任一种。另外,可以在一些绝缘层上省略导电线。
在实施例中,第一导电线CL1至第四导电线CL4在非显示区域NDA中通过接触孔与第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2进行接触,并且在连接区域CA和弯曲区域BA中在同一层上延伸到第二平坦区域FA2中。第一导电线CL1至第四导电线CL4和第四感测线图案SLP4彼此不接触。
在实施例中,包括第一电极EL1、有机层OL、第二电极EL2和像素限定层PDL的发光元件DP-OLED设置在第四绝缘层INS4上。设置覆盖发光元件DP-OLED的封装层TFE。
在实施例中,感测线SL2-4包括第一感测线图案SLP1和第四感测线图案SLP4,并且连接到第三感测线图案SLP3。
在实施例中,在连接区域CA中连接到第一感测线图案SLP1的第四感测线图案SLP4设置在第一绝缘层INS1上。例如,第四感测线图案SLP4与源电极SE和漏电极DE由相同的材料通过同一工艺形成。
在实施例中,如图10中所示,第三感测线图案SLP3设置在层间绝缘层IL上。例如,第三感测线图案SLP3与存储电容器Cst的上电极UE由相同的材料通过同一工艺形成。第三感测线图案SLP3和第四感测线图案SLP4通过穿透第一绝缘层INS1的接触孔连接。
在实施例中,如图11中所示,第三感测线图案SLP3设置在栅极绝缘层GI上。例如,第三感测线图案SLP3与存储电容器Cst的下电极LE由相同的材料通过同一工艺形成。第三感测线图案SLP3和第四感测线图案SLP4通过穿透第一绝缘层INS1和层间绝缘层IL的接触孔连接。
在实施例中,如图12中所示,第三感测线图案SLP3设置在钝化层PSV上。第三感测线图案SLP3和第四感测线图案SLP4通过穿透钝化层PSV的接触孔连接。
在实施例中,如图13中所示,第三感测线图案SLP3设置在第三绝缘层INS3上。第三感测线图案SLP3和第四感测线图案SLP4通过穿透钝化层PSV和第三绝缘层INS3的接触孔连接。
然而,这仅是说明性的,在其它实施例中第三感测线图案SLP3和第四感测线图案SLP4的竖直堆叠关系不限于此。
如上所述,根据本公开的实施例的显示装置包括感测线SL1和SL2,感测线SL1和SL2包括第二感测线图案SLP2和第四感测线图案SLP4以及第三感测线图案SLP3,第二感测线图案SLP2和第四感测线图案SLP4延伸到封装区域EA中,第三感测线图案SLP3在封装区域EA中连接第二感测线图案SLP2和第四感测线图案SLP4并且与第二感测线图案SLP2和第四感测线图案SLP4设置在不同的绝缘层上,使得可以减少延伸到弯曲区域BA和第二平坦区域FA2中的感测线的数量。因此,可以减小弯曲区域BA中的线集成度,并且可以减少触摸传感器TS的垫的数量并减小显示面板DP的无效空间的面积。
此外,由于弯曲区域BA中线的数量减少,因此可以减小图1的附加区域ADA在第二方向DR2上的宽度。因此,显示装置DD的未连接到附加区域ADA的两个侧部可以更容易地弯曲或折叠,例如以形成弯折边缘或弯曲边缘。
这里已经公开了示例性实施例,并且尽管采用了特定术语,但是仅以一般性和描述性的意义来使用和解释它们,而不是出于限制的目的。在一些情况下,如在提交本申请时对于本领域普通技术人员将明显的是,除非另外明确地指出,否则结合特定实施例描述的特征、特性和元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和元件组合使用。因此,本领域技术人员将理解的是,在不脱离如权利要求中所阐述的本公开的实施例的精神和范围的情况下,可以在形式上和细节上进行各种改变。

Claims (18)

1.一种显示装置,所述显示装置包括:
显示面板,包括基底、设置在所述基底上的像素和覆盖所述像素的封装层,所述显示面板具有设置有所述像素的显示区域、与所述封装层的位置对应的封装区域以及设置在所述显示区域的至少一侧处的非显示区域;以及
触摸传感器,设置在所述显示面板上,
其中,所述触摸传感器包括:感测电极,设置在所述封装层上;以及感测线,分别连接到位于所述封装层上的所述感测电极,并且
其中,所述感测线中的一些感测线包括:第一感测线图案,从所述封装层的一端延伸并且延伸到所述基底上;第二感测线图案,在所述封装区域外侧连接到所述第一感测线图案,所述第二感测线图案包括第一连接部和第二连接部,所述第一连接部在第一方向上延伸,所述第二连接部在与所述第一方向相反的方向上延伸到所述封装层的下侧;以及第三感测线图案,在所述封装层的所述下侧处连接到所述第二感测线图案的所述第二连接部,所述第三感测线图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一感测线图案、所述第二感测线图案和所述第三感测线图案设置在不同的绝缘层上,并且
其中,所述第三感测线图案设置在所述封装区域中。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:
至少一个绝缘层,置于所述第二感测线图案与所述第三感测线图案之间,
其中,所述至少一个绝缘层具有与所述第二连接部的一个端部叠置的接触孔,并且
其中,所述第二连接部的所述一个端部和所述第三感测线图案通过所述接触孔彼此连接。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述接触孔形成在所述封装区域中。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,其它感测线包括:
所述第一感测线图案;以及
第四感测线图案,包括在所述封装区域外侧连接到所述第一感测线图案的第一端部,所述第四感测线图案在与所述第一方向相反的所述方向上延伸。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第四感测线图案还包括连接到所述第三感测线图案的第二端部。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二感测线图案和所述第四感测线图案设置在同一层上。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述显示面板的所述非显示区域包括弯曲区域以及位于所述封装区域与所述弯曲区域之间的连接区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一感测线图案延伸到所述连接区域,
其中,所述第一感测线图案的一个端部包括设置在所述连接区域中的第一垫。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二感测线图案包括设置在所述第一连接部与所述第二连接部之间的第二垫,
其中,当在平面上观看时,所述第一垫和与所述第一垫对应的所述第二垫彼此叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:
至少一个绝缘层,置于所述第一感测线图案与所述第二感测线图案之间,
其中,所述至少一个绝缘层在所述第一垫和所述第二垫彼此叠置处具有接触孔,并且
其中,所述第一垫和所述第二垫通过所述接触孔彼此连接。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第四感测线图案的所述第一端部包括设置在所述连接区域中的第三垫。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:
至少一个绝缘层,置于所述第一感测线图案与所述第四感测线图案之间,所述至少一个绝缘层在所述第一垫与所述第三垫彼此叠置处具有接触孔,并且
其中,所述第一垫和所述第三垫通过所述接触孔彼此连接。
14.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二感测线图案的所述第一连接部延伸到所述弯曲区域中。
15.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三感测线图案连接到一个第二感测线图案和多个第四感测线图案。
16.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述感测电极形成多个传感器块,
其中,所述多个传感器块中的每个包括:第一感测电极;以及i个第二感测电极,在所述第一方向上布置,并且与所述第一感测电极分隔开,其中,i是大于1的自然数,并且
其中,所述感测线包括:多条第一感测线,分别连接到所述第一感测电极;以及多条第二感测线,分别连接第n传感器块的第j第二感测电极和第n+1传感器块的第i-j+1第二感测电极,其中,j是大于或等于1且小于或等于i的自然数,并且n是自然数。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一感测线中的一个第一感测线组包括所述第一感测线图案、所述第二感测线图案和所述第三感测线图案,并且所述第一感测线中的其它第一感测线组包括所述第一感测线图案和所述第四感测线图案,并且
所述第二感测线中的一个第二感测线组包括所述第一感测线图案、所述第二感测线图案和所述第三感测线图案,并且所述第二感测线中的其它第二感测线组包括所述第一感测线图案和所述第四感测线图案。
18.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述像素包括:
栅电极,设置在所述基底上;
第一绝缘层,覆盖所述栅电极;以及
源电极和漏电极,设置在所述第一绝缘层上,
其中,所述第二感测线图案与所述源电极和所述漏电极设置在同一层上,并且
所述第三感测线图案与所述栅电极设置在同一层上。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102578168B1 (ko) 2018-10-01 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
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KR20200135659A (ko) * 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112114701A (zh) * 2020-09-07 2020-12-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN112799550B (zh) * 2021-03-04 2024-04-09 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180014378A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107977109A (zh) * 2016-10-21 2018-05-01 三星显示有限公司 显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3056978A1 (en) 2009-02-26 2016-08-17 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor and patterned substrate having overlaid micropatterns with low visibility
KR101474349B1 (ko) * 2013-04-30 2014-12-24 주식회사 리딩유아이 정전용량식 터치감지패널 및 이를 갖는 정전용량식 터치감지장치
KR102081318B1 (ko) * 2013-09-23 2020-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 내장형 액정 표시장치
US10296147B2 (en) 2015-02-02 2019-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Touch screen and display device including the same
KR102381121B1 (ko) 2015-02-02 2022-04-01 삼성디스플레이 주식회사 터치패널 및 이를 포함하는 표시장치
KR102402256B1 (ko) 2015-11-04 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI740908B (zh) * 2016-03-11 2021-10-01 南韓商三星顯示器有限公司 顯示設備
KR102639568B1 (ko) * 2016-03-11 2024-02-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102557140B1 (ko) 2016-06-16 2023-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102007435B1 (ko) * 2016-08-02 2019-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시모듈 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
JP2018063669A (ja) 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102583831B1 (ko) * 2016-11-25 2023-09-27 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 전계발광 표시장치
KR20180064600A (ko) * 2016-12-05 2018-06-15 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102367724B1 (ko) 2017-06-21 2022-03-02 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 및 이를 구비한 표시 장치
KR102578168B1 (ko) * 2018-10-01 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180014378A (ko) * 2016-07-29 2018-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107977109A (zh) * 2016-10-21 2018-05-01 三星显示有限公司 显示装置

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Publication number Publication date
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