CN110998234B - 转速传感器、用于制造转速传感器的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明要求保护一种转速传感器，该转速传感器具有衬底，其中，所述衬底具有主延伸平面(110、120)，其中，所述转速传感器具有能置于振动中的至少一个第一质量元件和第二质量元件(10、20)，其中，所述衬底的第一主延伸方向(110)从所述第一质量元件(10)指向所述第二质量元件(20)，其中，沿第一主延伸方向(110)在所述第一质量元件和第二质量元件(10、20)之间布置有耦合结构(30)，其特征在于，所述耦合结构(30)的第一耦合区域(31)布置在第一功能层(1)中，其中，所述第一质量元件(10)的第一质量区域(11)布置在所述第一功能层(1)中，其中，所述第一质量元件(10)的第二质量区域(12)布置在第二功能层(2)中，其中，所述第一功能层(1)沿垂直于所述主延伸平面(110、120)的延伸方向(200)布置在所述衬底和所述第二功能层(2)之间，其中，第二主延伸方向(120)垂直于所述第一主延伸方向(110)，其中，所述第一耦合区域(31)沿所述第一主延伸方向(110)具有大于沿所述第二主延伸方向(120)的延展尺度。

Description

转速传感器、用于制造转速传感器的方法
技术领域
本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的转速传感器。
背景技术
通常已知在衬底上的转速传感器。在此，涉及大多数在硅基底上的特定的微机电系统(MEMS)，通过所述微机电系统可以测量转速。典型地，转速传感器在此具有不同的质量体。这种质量体作为探测质量、驱动质量和/或科里奥利质量使用。为此使各个质量相互耦合并且部分地与衬底耦合。质量和弹簧在平面内转速传感器中经常构造在一个功能层中。然而，弹簧元件在此典型地局限于弯曲和扭转元件，而所述弯曲和扭转元件通常仅具有小的构型可能性并且仅具有用于质量耦合和实现/抑制确定的相对振动方向和模式的局限的可能性。
发明内容
本发明的任务是，提出一种具有衬底的转速传感器，在该转速传感器中存在用于耦合不同质量的改善的和/或扩展的可能性，例如能够以通常的方式或者选择性地抑制质量在衬底的主延伸平面中的运动，而能够实现垂直于该主延伸平面的运动。
按照主要权利要求所述的根据本发明的转速传感器相对于现有技术具有以下优点：通过使用第一和第二功能层和第一质量元件的质量区域在两个功能层中的布置，能够实现用于产生两个质量元件的期望的振动行为的有利可能性。根据本发明尤其可能的是，耦合结构完全地或部分地构造在第一功能层中。由此例如以有利的方式产生以下可能性，能够实现弹簧元件，所述弹簧元件尤其沿第一主延伸方向刚性地实施并且允许质量元件垂直于主延伸平面的运动，例如翻转运动和/或旋转运动。
本发明的另一主题是具有衬底的转速传感器，其中，衬底具有主延伸平面，其中，转速传感器具有可置于振动中的至少一个第一质量元件和第二质量元件，其中，衬底的第一主延伸方向从第一质量元件指向第二质量元件，其中，沿第一主延伸方向在第一和第二质量元件之间布置有耦合结构，其特征在于，耦合结构的第一耦合区域布置在第一功能层中，其中，第一质量元件的第一质量区域布置在第一功能层中，其中，第一质量元件的第二质量区域布置在第二功能层中，其中，第一功能层沿垂直于主延伸平面的延伸方向布置在衬底和第二功能层之间。
本发明的有利的实施方式和扩展方案可以由从属权利要求以及说明书参照附图得出。
根据本发明的实施方式，第一功能层沿垂直于主延伸平面的延伸方向具有小于第二功能层的延展尺度，由此能够以有利的方式实现，第一耦合区域和/或整个耦合结构允许质量元件垂直于主延伸平面的运动，例如翻转运动和/或旋转运动。
根据本发明的实施方式，第一耦合区域沿第一主延伸方向具有高于沿第二主延伸方向的刚性，由此可能的是，能够实现第一耦合区域，该第一耦合区域既沿垂直于衬底的主延伸平面的延伸方向也沿衬底的第二主延伸方向的刚性小于沿第一主延伸方向地实施。由此可能的是，实现一种耦合结构，借助于该耦合结构可以使质量元件这样耦合，使得所述质量元件可以沿第二主延伸方向和延伸方向(垂直于衬底的主延伸平面)相对彼此运动，但沿第一主延伸方向刚性地耦合。
根据本发明的实施方式，在延伸方向上在衬底和第一功能层之间布置有第三功能层，其中，第一质量元件的第三质量区域布置在第三功能层中，由此可能的是，实现耦合的质量元件，所述质量元件在应力进入衬底的主延伸平面中的情况下不实施明显的补偿运动。尤其可能的是，由第一质量元件、第二质量元件和耦合结构组成的组件(关于沿垂直于衬底的主延伸平面的延伸方向和沿第一主延伸方向延伸的对称平面)对称地实施。这特别在以下情况下是可能的：第二质量元件的另外的第一质量区域布置在第一功能层中，其中，第二质量元件的另外的第二质量区域布置在第二功能层中，其中，尤其地，第二质量元件的另外的第三质量区域布置在第三功能层中。根据本发明的实施方式尤其可能的是，连接的(第一和第二)质量元件沿正的延伸方向(垂直于主延伸平面)和负的延伸方向的弯曲基本上对称地进行。
这尤其在以下情况下是可能的：在质量沿延伸方向偏移时通过铰链弹簧限定的力输入(关于质量沿延伸方向的延展尺度)居中地进行，因为耦合结构(例如铰链弹簧)可以居中地与质量元件连接。因此可能的是，进入主延伸平面中的力不导致耦合结构沿负的或正的延伸方向(垂直于主延伸平面)的移位运动。这可以有利地影响转速传感器的特性。
根据本发明的实施方式可能的是，设置有另外的功能层(或结构平面)。多个结构平面的扩展允许耦合结构(例如铰链弹簧、连杆和/或连带)居中地(关于延伸方向)定位在质量元件上。尤其在三个或其他奇数数量的功能层的情况下，能够以有利的方式实现本身对称的微机械耦合结构以及对称地安装在质量元件上的耦合结构。
根据本发明的实施方式，耦合结构的第二耦合区域布置在第二功能层中，由此可能的是，能够实现用于耦合结构的不同的有利的横截面(垂直于第一主延伸方向)。例如可能的是，实现L形、T形或U形的横截面。
根据本发明优选的是，耦合结构的第三耦合区域布置在第三功能层中。由此，摆杆结构可以构造有特别有利的特性。例如可以实现具有十字形的横截面的耦合结构。这种横截面例如导致耦合结构/扭转元件关于扭转轴的提高的对称性并且也使关于沿衬底的主延伸平面和垂直于该主延伸平面的延伸方向的(不期望的)弯曲运动而言的不对称的刚性最小化。
根据本发明的实施方式，第四功能层在延伸方向上布置在第二功能层上方，其中，在第四功能层中布置有另外的第二质量元件，其中，耦合结构具有布置在第二功能层中的第二耦合区域和另外的耦合区域，其中，所述另外的耦合区域布置在第四功能层中，其中，借助于耦合结构使第一质量元件和所述另外的第二质量元件相互机械连接，由此可能的是，在不同的功能层中的质量元件能够以有利的方式相互耦合。例如可能的是，所述另外的第二质量元件至少部分地布置在第二质量元件上方。
根据本发明的实施方式，在第四功能层中布置有另外的第一质量元件，其中，在第一主延伸方向中在第一和第二质量元件之间布置有附加的耦合结构，其中，附加的耦合结构具有附加的耦合区域和附加的另外的耦合区域，其中，附加的耦合区域构造在第一和第二功能层中，其中，所述附加的另外的耦合区域构造在第四功能层中，其中，借助于附加的耦合结构使第二质量元件和所述另外的第一质量元件相互机械连接，由此能够以有利的方式实现第三功能层，使得分别彼此相叠布置的质量元件具有交叉的耦合，这尤其针对以下情况：所述另外的第一质量元件至少部分地布置在第一质量元件上方。
根据本发明的实施方式，耦合结构具有在衬底上的至少一个、优选两个锚固部，尤其通过耦合结构包括铰链元件的方式，由此能够以有利的方式实现，耦合结构构造为铰链部。由此可能的是，能够抑制不期望的弯曲运动。附加地或替代地可能的是，耦合结构构造为摆杆结构。
整体上，根据本发明通过使用多个功能层可能的是，可以实现具有不同的期望的(耦合的)振动特性的耦合的质量元件。
根据本发明的用于制造根据本发明的实施方式所述的转速传感器的方法相对于现有技术具有已经结合根据本发明的转速传感器或根据本发明的转速传感器的实施方式所描述的优点。
附图说明
在附图中示出并且在随后的说明书中详细阐释本发明的实施例。
图1示意性示出根据本发明的第一示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图2示意性示出根据本发明的第一示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图3示意性示出根据本发明的第一示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图4示意性示出根据本发明的第二示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图5示意性示出根据本发明的第二示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图6示意性示出根据本发明的第三示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图7示意性示出根据本发明的第四示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图8示意性示出根据本发明的第五示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图9示意性示出根据本发明的第六示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图10示意性示出根据本发明的第七示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图11示意性示出根据本发明的第八示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图12示意性示出根据本发明的第九示例性实施方式的转速传感器的一部分。
图13示意性示出根据本发明的第十示例性实施方式的转速传感器的一部分。
在不同附图中，相同的部件总是设有相同的附图标记并且因此通常也分别仅命名或提到一次。
具体实施方式
在图1示意性示出根据本发明的实施方式的转速传感器的一部分。示出的是第一质量元件10和第二质量元件20。这两个质量元件10、20分别部分地构造在第一功能层1和第二功能层2中，尤其地，第一质量区域11和另外的第一质量区域21布置在第一功能层1中，并且第二质量区域12和另外的第二质量区域22布置在第二功能层2中。质量元件10、20借助于耦合结构30彼此耦合。耦合结构30具有第一耦合区域31，该第一耦合区域布置在第一功能层1中。耦合结构30构造为连杆并且在衬底的第一和第二主延伸方向110、120中是刚性的。所示出的实施方式例如允许这两个质量元件10、20根据所画出的虚线箭头的耦合运动。另外的独立的微机械元件70例如可以布置在耦合结构30上方。这在图1中通过虚线画出的物体70示出。
在图2示意性示出根据图1中示出的本发明的第一示例性实施方式的转速传感器的一部分。所画出的实心的粗箭头象征着从外部作用到第一和第二质量元件10、20上的机械应力，该机械应力例如可以通过温度效应确定。因为第一质量元件10和第二质量元件20通过耦合结构30关于延伸方向200不对称地耦合，所以这种应力耦入导致耦合结构30或整个示出的组件沿着虚线画出的粗箭头(即沿负的延伸方向200)的移位运动。
在图3中示意性示出根据图1中示出的本发明的第一示例性实施方式的转速传感器的一部分。耦合结构30在垂直于衬底的主延伸平面110、120的延伸方向200上的刚性还通过耦合结构30的厚度(沿延伸方向200)并且由此通过第一和第二功能层1、2的厚度的比例决定性地确定。在结构元件的尺寸合适的情况下，可以实现在第一和第二主延伸方向110、120上的充分刚性的连接部/耦合结构30，例如对于独立的微机械元件70横穿过的情况也是这样。所示出的实施方式例如允许这两个质量元件10、20根据所画出的箭头沿延伸方向200的耦合运动，其中，质量既可以反相地也可以同相地运动。
在图4中示意性示出根据本发明的第二示例性实施方式的转速传感器的一部分。示出的是第一质量元件10和第二质量元件20。这两个质量元件分别部分地构造在第一功能层1和第二功能层2中，尤其地，第一质量区域11和另外的第一质量区域21布置在第一功能层1中，并且第二质量区域12和另外的第二质量区域22布置在第二功能层2中。质量元件10、20借助于耦合结构30彼此耦合。耦合结构具有第一耦合区域31，该第一耦合区域布置在第一功能层1中。耦合结构31构造为薄的连杆并且在衬底的第一主延伸方向110上是刚性的。所示出的实施方式例如允许这两个质量元件10、20根据所画出的虚线箭头、即尤其沿衬底的第二主延伸方向120和沿垂直于衬底的主延伸平面110、120走向的延伸方向200的耦合运动。另外的独立的微机械元件70例如可以布置在耦合结构30上方。这在图4中通过虚线画出的物体70示出。
在图5中示意性示出根据图4中示出的本发明的第二示例性实施方式的转速传感器的一部分。所画出的实心的粗箭头象征着从外部作用到第一和第二质量元件10、20上的机械应力，该机械应力例如可以通过温度效应决定。因为第一质量元件10和第二质量元件20通过耦合结构30关于延伸方向200不对称地耦合，所以这种应力耦入导致耦合结构30或整个示出的组件沿着虚线画出的粗箭头(即沿负的延伸方向200)的移位运动。
在图6中示意性示出根据本发明的第三示例性实施方式的转速传感器的一部分。示出第一质量元件10、第二质量元件20、另外的第一质量元件10’和另外的第二质量元件20’。第一质量元件和第二质量元件10、20布置在第一和第二功能层1、2中。所述另外的第一质量元件和所述另外的第二质量元件10’、20’构造在第四功能层4中。第四功能层4布置在第二功能层2上方。此外，示出耦合结构30。耦合结构30包括构造在第一功能层1中的第一耦合区域31、构造在第二功能层2中的第二耦合区域32和构造在第四功能层4中的另外的耦合区域34。耦合结构将第一质量元件10与所述另外的第二质量元件20’机械连接。此外是附加的耦合结构30’。附加的耦合结构30’在第一主延伸方向110上部分地布置在第一和第二质量元件10、20之间。所述附加的耦合结构包括附加的耦合区域31’和附加的另外的耦合区域32’。附加的耦合区域31’布置在第一和第二功能层1、2中。所述附加的另外的耦合区域32’构造在第四功能层4中。通过附加的耦合结构30’使第二质量元件20和所述另外的第一质量元件10’相互机械连接并且耦合。通过示出的实施方式能够实现各个耦合的质量元件10、20’、10’、20在主延伸平面110、120中的平行运动，抑制反平行的运动。根据第一和第二功能层1、2相对于第四功能层4的厚度比例尤其能够实现沿延伸方向200的弯曲运动，或者例如对于厚的功能层1、2、4而言抑制该弯曲运动。通过所示出的实施方式例如能够实现(沿延伸方向200)彼此相叠地布置并且沿第一或第二主延伸方向110、120可以相对彼此振动的质量元件。各个质量元件10、10’、20、20’的可能的振动方向通过实线和虚线箭头示出。
在图7中示意性示出根据本发明的第四示例性实施方式的转速传感器的一部分。所示出的实施方式包括已经在图1中示出的部件。此外，示出第三功能层3，该第三功能层布置在衬底和第一功能层3之间。第一质量元件10包括第三质量区域13，该第三质量区域构造在第三功能层3中。第二质量元件20包括另外的第三质量区域23，该另外的第三质量区域同样构造在第三功能层3中。由此可能的是，连接第一和第二质量元件10、20的耦合结构10(既关于第一和第二主延伸方向110、120而言也关于垂直于所述主延伸方向的延伸方向200而言)居中地布置在第一和第二质量元件10、20上。所画出的实心粗箭头象征着从外部作用到第一和第二质量元件10、20上的机械应力。因为第一质量元件10和第二质量元件20通过耦合结构30关于延伸方向200对称地耦合，即使在这种应力耦入的情况下也以有利的方式不发生耦合结构30或整个示出的组件的补偿运动(虚线画出的粗箭头)。
在图8中示意性示出根据本发明的第五示例性实施方式的转速传感器的一部分。第五示例性实施方式类似于第四示例性实施方式(图7)，区别在于，耦合结构30在第一主延伸方向110上具有明显大于在第二主延伸方向120上的延展尺度。由此能够使两个质量元件10、20相互耦合，使得这两个质量元件可以实施沿延伸方向200和第二主延伸方向120的相对运动，但在从外部耦入应力(实心粗箭头)的情况下仍不发生沿延伸方向200的补偿运动。
在图9中示意性示出根据本发明的第六示例性实施方式的转速传感器的一部分。第六示意性实施方式类似于第五示例性实施方式(图8)。附加地示出另外的独立微机械元件70，该另外的独立微机械元件部分地围绕耦合结构30。此外，虚线画出的箭头象征着第一和第二质量元件10、20在该实施方式中沿延伸方向200和第二主延伸方向120的可能的运动。
在图10中示意性示出根据本发明的第七示例性实施方式的转速传感器的一部分。第一和第二质量元件10、20借助于耦合结构30机械耦合。这两个质量元件10、20分别部分地构造在第一功能层1和第二功能层2中，其中，第一质量区域11和另外的第一质量区域21布置在第一功能层1中，并且第二质量区域12和另外的第二质量区域22布置在第二功能层2中。耦合结构30包括构造在第一功能层1中的第一耦合区域31和构造在第二功能层2中的第二耦合区域32。第一和第二耦合区域31、32在第一主延伸方向110上具有大于在第二主延伸方向120上的延展尺度。尤其地，仅仅第一耦合区域31直接邻接到质量元件10、20上，并且第二耦合区域32没有直接邻接到所述质量元件上。由此，(并且通过第一耦合区域31在延伸方向200上的小的延展尺度)能够实现质量元件10、20沿延伸方向200的振动(通过沿正的和负的延伸方向200指向的实心箭头示出)。此外，耦合结构30包括两个锚固部50，借助于所述锚固部可以将耦合结构30耦合到衬底上。锚固部50的主延伸方向与衬底的第二主延伸方向120一致。锚固部50构造在第一和第二功能层1、2中。此外，锚固部50(关于第一主延伸方向110而言)居中地布置在第一和第二质量元件之间并且由此同样居中地布置在第一和第二耦合区域31、32上，由此得出扭转梁的形式。由此，所示出的组件构造为具有铰链部的摆杆结构(能够实现沿着所画出的弯曲的实心箭头的运动)。在示出的实施方式中仅部分地抑制沿第一主延伸方向110的运动，因为锚固部50在该方向110上仅具有小的延展尺度，并且因此具有相对较小的刚性。这通过虚线画出的箭头示出。
在图11中示意性示出根据本发明的第八示例性实施方式的转速传感器的一部分。第八示例性实施方式类似于第七示例性实施方式(图10)。然而在该实施方式中，构造为耦合结构30的部分的锚固部50具有T形的横截面。这尤其通过以下方式实现：锚固部50在第一功能层1中具有沿第一主延伸方向110加宽的第一锚固区域(该第一锚固区域沿第一主延伸方向110宽于锚固部50在第二功能层2中布置的第二锚固区域)，由此，在第八示例性实施方式中耦合结构30沿第一主延伸方向110的刚性大于在第七示例性实施方式(图10)中并且抑制沿第一主延伸方向110的振动。摆杆通过具有T形轮廓的扭转梁的悬挂尤其沿第一主延伸方向110和延伸方向200是弯曲刚性的(相比于扭转刚性)。
在图12中示意性示出根据本发明的第九示例性实施方式的转速传感器的一部分。所示出的第九示例性实施方式类似于在图11中示出的第八示例性实施方式。然而，在第九示例性实施方式中存在第三功能层3。在该第三功能层3中既布置有第一质量元件10的第三质量区域13、第二质量元件20的另外的第三质量区域23，也布置有耦合结构30的第三耦合区域33。此外，锚固部50分别包括第三锚固区域，该第三锚固区域构造在第三功能层50中。由此尤其得到锚固部50的十字形的横截面。整体示出的布置关于对称平面镜对称地构造，该对称平面平行于衬底的主延伸平面110、120地布置并且居中地走向经过质量元件10、20和耦合结构30。
在图13中示意性示出根据本发明的第十示例性实施方式的转速传感器的一部分。尤其示出一个耦合结构30和两个另外的耦合结构30”。(另外的)耦合结构30、30”沿第一主延伸方向110并排地并且直接彼此邻接地布置。耦合结构30、30”共同形成未示出的两个质量元件之间的机械连接。耦合结构30包括布置在第一功能层1中的第一耦合区域31和布置在第二功能层2中的第二耦合区域32。此外，耦合结构30包括在衬底上的两个锚固部50，所述耦合部主要沿第二主延伸方向120延伸。锚固部50同样部分地构造第一和第二功能层1、2中并且具有T形横截面。另外的耦合结构30”基本上等同于耦合结构30。所示出的(另外的)耦合结构30、30”能够实现通过实心箭头示出的局部的运动。通过铰链弹簧得出仅仅有利于沿延伸方向200的运动的耦合结构30、30”的布置。在耦合结构30、30”之间的相邻的连接节点反相地运动(通过沿正的和负的延伸方向200的实心箭头表示)。

Claims (20)

1.转速传感器，该转速传感器具有衬底，其中，所述衬底具有主延伸平面(110、120)，其中，所述转速传感器具有能置于振动中的至少一个第一质量元件和第二质量元件(10、20)，其中，所述衬底的第一主延伸方向(110)从所述第一质量元件(10)指向所述第二质量元件(20)，其中，沿第一主延伸方向(110)在所述第一质量元件和第二质量元件(10、20)之间布置有耦合结构(30)，其特征在于，所述耦合结构(30)的第一耦合区域(31)布置在第一功能层(1)中，其中，所述第一质量元件(10)的第一质量区域(11)布置在所述第一功能层(1)中，其中，所述第一质量元件(10)的第二质量区域(12)布置在第二功能层(2)中，其中，所述第一功能层(1)沿垂直于所述主延伸平面(110、120)的延伸方向(200)布置在所述衬底和所述第二功能层(2)之间，其中，第二主延伸方向(120)垂直于所述第一主延伸方向(110)，其中，所述第一耦合区域(31)沿所述第一主延伸方向(110)具有大于沿所述第二主延伸方向(120)的延展尺度，其中，在所述延伸方向(200)上在所述第二功能层(2)上方布置有第四功能层，其中，在所述第四功能层(4)中布置有另外的第二质量元件(20’)，其中，所述耦合结构(30)具有布置在所述第二功能层(2)中的第二耦合区域(32)并具有另外的耦合区域(34)，其中，所述另外的耦合区域(34)布置在所述第四功能层(4)中，其中，借助于所述耦合结构(30)使所述第一质量元件(10)和所述另外的第二质量元件(20’)相互机械连接。
2.根据权利要求1所述的转速传感器，其中，所述第一质量元件和第二质量元件(10、20)借助于所述耦合结构(30)机械连接。
3.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，所述第一功能层(1)沿垂直于所述主延伸平面(110、120)的所述延伸方向(200)具有小于所述第二功能层(2)的延展尺度。
4.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，所述第一耦合区域(31)沿所述第一主延伸方向(110)具有高于沿所述第二主延伸方向(120)的刚性。
5.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，在所述延伸方向(200)上在所述衬底和所述第一功能层(1)之间布置有第三功能层(3)，其中，所述第一质量元件(10)的第三质量区域(13)布置在所述第三功能层中。
6.根据权利要求5所述的转速传感器，其中，所述第二质量元件(20)的另外的第一质量区域(21)布置在所述第一功能层(1)中，其中，所述第二质量元件(20)的另外的第二质量区域(22)布置在所述第二功能层(2)中。
7.根据权利要求5所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)的第二耦合区域(32)布置在所述第二功能层(2)中。
8.根据权利要求7所述的转速传感器，其中，第二主延伸方向(120)垂直于所述第一主延伸方向(110)，其中，所述第二耦合区域(32)沿所述第二主延伸方向(120)具有小于所述第一耦合区域(31)的延展尺度。
9.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，在所述第四功能层(4)中布置有另外的第一质量元件(10’)，其中，在所述第一主延伸方向(110)上在所述第一质量元件和第二质量元件(10、20)之间布置有附加的耦合结构(30’)，其中，所述附加的耦合结构(30’)具有附加的耦合区域(31’)和附加的另外的耦合区域(32’)，其中，所述附加的耦合区域(31’)构造在所述第一功能层和第二功能层(1、2)中，其中，所述附加的另外的耦合区域(32’)构造在所述第四功能层(4)中，其中，借助于所述附加的耦合结构(30’)使所述第二质量元件(20)和所述另外的第一质量元件(10’)相互机械连接。
10.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)具有在所述衬底上的至少一个锚固部(50)。
11.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)构造为摆杆结构。
12.根据权利要求1或2所述的转速传感器，其中，所述转速传感器具有至少一个另外的耦合结构(30”)，其中，所述另外的耦合结构(30”)与所述耦合结构(30)相同地构造，其中，所述耦合结构(30)和所述另外的耦合结构(30”)在所述衬底的所述第一主延伸方向(110)上彼此并排地布置。
13.根据权利要求6所述的转速传感器，其中，所述第二质量元件(20)的另外的第三质量区域(23)布置在所述第三功能层(3)中。
14.根据权利要求7所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)的第三耦合区域(33)布置在所述第三功能层(3)中。
15.根据权利要求8所述的转速传感器，其中，第三耦合区域(33)沿所述第二主延伸方向(120)具有小于所述第一耦合区域(31)的延展尺度。
16.根据权利要求10所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)具有两个锚固部(50)。
17.根据权利要求10所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)通过所述耦合结构(30)包括铰链元件的方式具有所述锚固部(50)。
18.根据权利要求12所述的转速传感器，其中，所述转速传感器具有至少两个另外的耦合结构(30”)。
19.根据权利要求12所述的转速传感器，其中，所述耦合结构(30)和所述另外的耦合结构(30”)在所述衬底的所述第一主延伸方向(110)上彼此紧邻地布置。
20.用于制造根据权利要求1至19中任一项所述的转速传感器的方法。
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