CN110996425B - 灯条防过冲保护电路和背光模组 - Google Patents

Abstract

本发明公开了灯条防过冲保护电路和背光模组，其中，灯条防过冲保护电路包括：升压斩波电路、恒流驱动电路、发光二极管LED灯组电路和防过冲保护组件；升压斩波电路的电流输出端与LED灯组电路的电流输入端电连接；恒流驱动电路包括相互电连接的恒流驱动控制芯片和调光场效应MOS管；其中，恒流驱动控制芯片的使能端与升压斩波电路电连接，调光MOS管的栅极与恒流驱动控制芯片电连接，调光MOS管的漏极与LED灯组的电流输出端相连，调光MOS管的源极接地；防过冲保护组件包括：栅极升压调节电路，栅极升压调节电路连接于恒流驱动控制芯片与调光MOS管之间线路。本发明的技术方案旨在解决现有技术中LED灯条存在寄生电容，LED等在充电时容易导致LED灯电流过冲的问题。

Description

灯条防过冲保护电路和背光模组

技术领域

本发明涉及液晶电视技术领域，尤其涉及一种灯条防过冲保护电路和背光模组。

背景技术

背光源是液晶电视高质量画质的重要保障，目前市场上畅销的液晶电视，如智能电视、4K LED电视以及超高清电视等，都是采用LED灯作为背光源。LED灯需要通电才能发光，现有的LED灯都是设置于LED灯条上，通过LED灯条通电发光发热的。由于LED灯的发热，导致LED灯条所在的整个背光模组的消耗占据整机功率的70％以上，这样就导致背光模组容易过热，影响液晶屏的显示效率和使用寿命。目前在液晶电视中，LED灯条大多都是依靠背光模组中铁背板和散热片实现散热的，这样能够有效地散去LED灯条的热量，从而提高LED灯的功率负荷功耗，延长液晶屏的使用寿命。

LED灯条的结构如图1所示，该LED灯条包括独特的四层结构，分别是电路层1(铜箔)、导热绝缘层2、金属铝基板3和辅助保护膜层4(在散热铝条固定在背板上之前撕掉该保护膜)。因为LED灯条最上面的电路层1和最下面的金属铝基板层4均为金属材质，而中间的导热绝缘层2并不导电，因此当LED灯发光，电路层1有电流经过时，该电路层1相当于一个电容的正极；同理，金属铝基板层3相当于电容的负极，中间的导热绝缘层2隔离两极，当金属铝基板固定在铁背板，就相当于电容的负极连接地线，这样一个无形的寄生电容就形成了。

该寄生电容对流过LED灯条的电流是有影响的。目前市场上多采用背光恒流驱动控制芯片通过LED灯条控制LED灯的充电和调光。在LED灯条负端(即金属铝基板)基本上都设置有调光MOS管，在为LED灯进行PWM调光时，上述寄生电容会对LED灯充电，导致LED灯出现电流过冲问题。如图2所示，图2中的上层波形为调光MOS管的PWM调光控制信号，下层波形为流过LED灯条的电流，其虚线框内为灯条电流过冲部分201，该电流过冲部分201的能量(包括过冲的电流幅度和维持时间)若超过LED灯的承受范围，则可能会损坏LED灯。

发明内容

本发明提供一种灯条防过冲保护电路和背光模组，旨在解决现有技术中LED灯条存在寄生电容，LED灯在充电时容易导致LED灯电流过冲的问题。

为实现上述目的，根据本发明的第一方面，本发明公开了一种灯条防过冲保护电路，包括：

升压斩波电路、恒流驱动电路、发光二极管LED灯组电路和防过冲保护组件；其中，升压斩波电路的电流输出端与LED灯组电路的电流输入端电连接；

恒流驱动电路包括相互电连接的恒流驱动控制芯片和调光场效应MOS管；其中，恒流驱动控制芯片的使能端与升压斩波电路电连接，调光MOS管的栅极与恒流驱动控制芯片电连接，调光MOS管的漏极与LED灯组电路的电流输出端相连，调光MOS管的源极接地；

防过冲保护组件包括：栅极升压调节电路，栅极升压调节电路连接于恒流驱动控制芯片与调光MOS管之间线路。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，栅极升压调节电路包括：

第一接地保护电容，第一接地保护电容的一端连接于恒流驱动控制芯片与调光MOS管之间线路上，第一接地保护电容的另一端接地。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，防过冲保护组件还包括：连接于调光MOS管的漏极与LED灯组电路之间线路的漏极电流吸收电路。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，漏极电流吸收电路包括：

第二接地保护电容，第二接地保护电容的一端连接于调光MOS管的漏极与LED灯组电路之间的线路上，第二接地保护电容的另一端接地。

优选地，所述灯条防过冲保护电路，防过冲保护组件还包括：连接于调光MOS管的漏极与LED灯组电路之间线路上的电感器或磁珠。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，第二接地保护电容的容值大于调光MOS管内的反向转移电容的容值。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，栅极升压调节电路还包括：

接地保护电阻，接地保护电阻的一端连接于恒流驱动控制芯片与调光MOS管之间线路上，接地保护电阻的另一端接地。

优选地，所述灯条防过冲保护电路中，升压斩波电路包括：

依次电连接的滤波电容、储能电感和反向截止子电路，其中，反向截止子电路与LED灯组电路电连接；

恒流驱动电路，还包括：使能MOS管，使能MOS管的漏极连接于储能电感与反向截止子电路之间，使能MOS管的栅极连接于恒流驱动控制芯片，使能MOS管的源极接地。

根据本发明的第二方面，还提供了一种背光模组，包括LED灯条；以及上述任一项技术方案提供的灯条防过冲保护电路；其中，灯条防过冲保护电路中的LED灯组电路固定连接于LED灯条。

本发明上述技术方案提供的灯条防过冲保护电路中，在恒流驱动电路和LED灯组电路之间添加防过冲保护组件，从而在恒流驱动电路控制升压斩波电路驱动LED灯组电路发光时，减小LED灯组电路在LED灯条上可能产生的寄生电容对LED灯组电路中LED灯的过冲电流。其中，该防过冲保护组件包括栅极升压调节电路，该栅极升压调节电路连接在恒流驱动控制芯片与调光MOS管之间线路上，因为调光MOS管在恒流驱动控制芯片的驱动下能够导通LED灯组电路，而调光MOS管的栅极直接与恒流驱动控制芯片相连，因此恒流驱动控制芯片的驱动电流直接流入调光MOS管的栅极，通过电压控制调光MOS管的导通。在调光MOS管的栅极接入栅极升压调节电路，该栅极升压调节电路能够直接调节恒流驱动控制芯片输入至调光MOS管栅极的驱动电流大小，即控制调光MOS管栅极电压上升的快慢。调光MOS管栅极电压上升的快，则调光MOS管导通的速度快；调光MOS管栅极电压上升的慢，则调光MOS管导通的速度慢。这样，栅极升压调节电路能够调节栅极电压上升的快慢速度，从而使得寄生电容先放电，为LED灯充电，等到寄生电容的电能耗尽时，调光MOS管完全导通，从而使得原升压斩波电路为LED灯组电路充电。

所述防过冲保护组件包括：栅极升压调节电路，所述栅极升压调节电路连接于所述恒流驱动控制芯片与所述调光MOS管之间线路。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1是现有技术提供的一种LED灯条的结构示意图；

图2是图1实施例提供的一种LED灯条的信号波形示意图；

图3是本发明实施例提供的一种包含有寄生电容的电路结构图；

图4是图3所示实施例提供的一种信号波形示意图；

图5是本发明实施例提供的第一种灯条防过冲保护电路的结构示意图；

图6是图5实施例提供的一种灯条防过冲保护电路的具体结构图；

图7是现有技术提供的一种调光MOS管的栅极和漏极波形意图；

图8是本发明实施例提供的一种调光MOS管的基极和漏极波形示意图；

图9是本发明实施例提供的第二种灯条防过冲保护电路的结构示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；“连接”可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

由于LED灯条的制程工艺不同，因此会产生寄生电容；LED灯的颗数不同以及LED灯的排布不同，对应寄生电容的电容值大小和数量也不同。而因为寄生电容的存在，会在LED灯接电时产生电流过冲现象。

具体参见图3，图3为本发明实施例提供的一种包含有寄生电容的电路结构图。如图3所示，该包含有寄生电容的电路包括：Boost升压电路310(即升压斩波电路)、恒流驱动控制电路320和LED灯组电路330，该电路还包括寄生电容，即图3中虚线框出的C3、C4、C5、C6和C7。该电路的工作原理如下：

直流电压Vin经过保险丝F1，并经过电容C1滤波后进入至Boost升压电路；然后直流电压Vin经储能升压电感L1的转换，由稳定的直流电压变为一个规律的方形波，再由恒流控制芯片321输出门型Gate驱动波形信号来控制使能MOS管Q1进行开关；之后该电压经整流二极管D1整流，得到一个锯齿状的幅值较高的电压信号，该电压信号经电容C2滤波，得到一个稳定性较高的直流电压。这样Boost升压电路310的工作已经完成，方形波形式的电压将接入到LED灯组电路中，在恒流驱动控制电路320的控制下导通LED灯组电路330中的各LED。其中，图3中的C3、C4、C5、C6和C7分别为对应LED灯的寄生电容，是无形而存在的，它们分别并联在每一个LED灯到地的之间。C3、C4、C5、C6为都为并联关系，根据电能叠加关系，每个二极管的寄生电容的大小是不同的，而C7连接于LED灯组电路的首尾两端，因此C7的容量等于C3、C4、C5、C6之和。假设图5中的灯条有10颗LED灯，其第一颗LED1寄生电容C3的容值最小，最后一颗LED10的寄生电容C7的容值最大，那么前9颗LED灯的寄生电容就将叠加在第10颗LED灯上，前8颗LED灯的寄生电容叠加在第9颗LED灯上，以此类推，越往上寄生电容的容值就越小。寄生电容越大其开通瞬间过冲电流越大，反之过冲电流也小。所以Q2调光MOS管调光开关时，在LED1上的过冲电流是最小的，在LED10上的过冲电流最大。

将图3所示电路接入滤波器后，能够观测到图4所示图形。如图4所示，波形A是流过LED灯的灯条电流波形，波形B是调光MOS管Q2的驱动电压波形。调光MOS管Q2的驱动电压是方波数字控制信号，当该驱动电压为高电平时，则调光MOS管Q2导通，此时寄生电容就将存在电流输出；当其为低电平时调光MOS管Q2关闭，寄生电容不存在电流输出。在MOS管Q2开通瞬间，由于寄生电容的存在，需要先满足寄生电容的容量要求，寄生电容的容量越大则过冲电流就越大。

为了有效解决上述问题，作为一种思路，可减小LED灯的发热导热速率，避免出现因LED灯过热而损坏LED灯，同时解决因寄生电容导致的屏闪等显示异常问题。达到保护显示屏的目的。

具体参见图5，图5为本发明实施例提供的第一种灯条防过冲保护电路的结构示意图。如图5所示，该灯条防过冲保护电路包括：

升压斩波电路310，即Boost升压电路、恒流驱动电路320、发光二极管LED灯组电路330和防过冲保护组件；其中，升压斩波电路310的电流输出端与LED灯组电路330的电流输入端电连接；恒流驱动电路320包括相互电连接的恒流驱动控制芯片321和调光场效应MOS管Q2；其中，恒流驱动控制芯片321的使能端与升压斩波电路310电连接，调光MOS管Q2的栅极与恒流驱动控制芯片321电连接，调光MOS管Q2的漏极与LED灯组电路330的电流输出端相连，调光MOS管Q2的源极接地。

防过冲保护组件540包括：栅极升压调节电路541，栅极升压调节电路541连接于恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路。

在恒流驱动电路320和LED灯组电路330之间添加防过冲保护组件540，从而在恒流驱动电路320控制升压斩波电路310驱动LED灯组电路330发光时，减小LED灯组电路330在LED灯条上可能产生的寄生电容(图5中C3-C7)对LED灯组电路330中LED灯(图5中LED1-LED10)的电流过冲现象。其中，该防过冲保护组件540包括栅极升压调节电路541，该栅极升压调节电路541连接在恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路上，因为调光MOS管Q2在恒流驱动控制芯片321的驱动下能够导通LED灯组电路330，而调光MOS管Q2的栅极直接与恒流驱动控制芯片321相连，因此恒流驱动控制芯片321的驱动电流直接流入调光MOS管Q2的栅极，通过电压控制调光MOS管Q2的导通。在调光MOS管Q2的栅极接入栅极升压调节电路541，该栅极升压调节电路541能够直接调节恒流驱动控制芯片321输入至调光MOS管Q2栅极的驱动电流大小，即控制调光MOS管Q2栅极电压上升的快慢。调光MOS管Q2栅极电压上升的快，则调光MOS管Q2导通的速度快；调光MOS管Q2栅极电压上升的慢，则调光MOS管Q2导通的速度慢。这样，栅极升压调节电路541能够调节栅极电压上升的快慢速度，从而使得寄生电容C1-C7先放电，为LED灯充电，等到寄生电容C3-C7中的电能耗尽时，调光MOS管Q2完全导通，避免出现寄生电容C3-C7对各个LED灯的电流过冲情况发生。

其中，如图5所示，栅极升压调节电路541包括：

第一接地保护电容C9，第一接地保护电容C9的一端连接于恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路上，第一接地保护电容C9的另一端接地。

第一接地保护电容C9的一端连接于恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路上，第一接地保护电容C9的另一端接地，则第一接地保护电容C9能够吸收恒流驱动控制芯片321发送至调光MOS管Q2的栅极的电流，进而第一接地保护电容C9能够使得恒流驱动控制芯片321施加于调光MOS管栅极的电压上升变得缓慢，这样调光MOS管Q2导通的速度将变慢，则LED灯组电路接入电流的速度将变慢，在调光MOS管Q2导通的过程中，LED灯条上的寄生电容C3-C7将对LED灯释放部分电能，释放掉自身的部分能量，从而解决掉LED灯组电路的部分寄生电容的问题。

另外，如图5所示，上述实施例提到的防过冲保护组件还包括：连接于调光MOS管Q2的漏极与LED灯组电路330之间线路的漏极电流吸收电路542。

漏极电流吸收电路542用于吸收调光MOS管Q2漏极的电能，因为该漏极电流吸收电路542设置于调光MOS管Q2的漏极与LED灯组电路330之间，由上述内容可知，LED灯组电路330中寄生电容C3-C7的电能都将集中于该漏极电流吸收电路542上，通过该漏极电流吸收电路542实际上是与各个寄生电容相串联，从而将各个寄生电容的电能吸收到该漏极电流吸收电路542上。

其中，如图5所示，漏极电流吸收电路542包括：第二接地保护电容C8，第二接地保护电容C8的一端连接于调光MOS管Q2的漏极与LED灯组电路330之间的线路上，第二接地保护电容C8的另一端接地。

由上述实施例中内容可知：第二接地保护电容C8的一端连接于调光MOS管的漏极与LED灯组电路330之间的线路上，第二接地保护电容C8另一端接地，那么该第二接地保护电容C8实际上是与各个寄生电容相并联的，这样当调光MOS管Q2导通时，第二接地保护电容C8能够将各个寄生电容的电能叠加至该漏极电流吸收电路542上，从而减少各个寄生电容的电能，避免电流过冲现象发生。

或者，上述灯条防过冲保护电路中，防过冲保护组件540还包括连接于调光MOS管Q2的漏极与LED灯组电路330之间线路上的电感器LB1或磁珠。

电感器LB1具有吸收电能的功能，在调光MOS管Q2导通时，LED灯(LED1-LED10)充电，此时电感器LB1将流入至寄生电容C3-C7的部分电能转化为磁能吸收到电感器LB1内部，从而消耗掉上述寄生电容对LED灯充入过多的电能。同理，磁珠也能够起到防止寄生电容对LED灯组过冲的情况。

另外，参见图5，升压斩波电路310包括：依次电连接的滤波电容C1、储能电感L1和反向截止子电路，其中，反向截止子电路与LED灯组电路330电连接。如图5所示，反向截止子电路包括反向截止二极管D1、反向截止电容C2以及电阻R3和R4。

恒流驱动电路320还包括：使能MOS管Q1，使能MOS管Q1的漏极连接于储能电感L1与反向截止子电路之间，使能MOS管Q1的栅极连接于恒流驱动控制芯片321，使能MOS管Q1的源极接地。

图5各电路的具体结构参见图6，在图6所示的灯条防过冲保护电路中，Boost升压电路包括：保险丝F300、储能电感L300、使能MOS管Q300、二极管D300-D301、电容C300-C301、电阻R301-R315、电感器LB300和二极管ZD300。恒流控制电路包括：芯片U300、调光MOS管Q301及芯片周围器件。另外，24V、12V、BL_ENA和BL_ADJ等信号均为恒流驱动控制电路的外围控制信号。

在Boost升压电路中，直流24V电压流过保险丝F300，经C300滤波后到储能电感L300端，准备给L300电感充电。

恒流驱动控制电路中，直流24V电压的另一支路经电阻R324和电阻R325的分压，然后经C305滤波后给芯片U300的UVLS端口提供一个高电压，设定该电压高于某值，否则芯片不工作；同时12V电压经过电阻R300限流和C314滤波后，给芯片U300的VCC端口提供一个供电电压。

另外，控制信号BL_ADJ经R336和R337分压，以及C308滤波后给芯片U300的PWM端口输入调光控制信号，最后BL_ENA信号经R330和R331分压以及C306滤波后，给芯片U300的ENA端口提供开关控制信号。

当芯片U300开始工作时，芯片U300的第14脚输出门型GATE驱动方波信号。该GATE驱动方波信号为高电平时，信号经R301到Q300的G基极，使Q300的开关MOS管开通，储能电感L300经LB301、Q300以及R304-R306接地形成接地回路，从而完成Vin_24v电压信号对储能电感L300的充电。当GATE驱动方波信号为低电平时，使能MOS管Q300基极的电压经R302和D301回流到芯片U300内部到地，使能MOS管Q300关闭，然后储能电感L300开始放电，经LB300和D300给电容C301充电，同时给LED灯条供电，此时LED正端有约36V供电。到下一个周期使能MOS管Q300开通时，二极管D300反向截止，电容C301通过灯条放电。

在调光MOS管Q301工作时，调光MOS管Q301是根据控制信号BL_ADJ进行开关，调光MOS管Q301开通则灯条LED1-LED10就形成回路灯条发光，调光MOS管Q301关闭则灯条没有回路灯条，LED1-LED10不发光。

当芯片U300通过PWM(其频率小于500HZ)方式调光时，在调光MOS管Q301的漏极的寄生电容的容量最大，调光Q301开通瞬间先给漏极的寄生电容充电，若寄生电容的容量大则灯条电流给寄生电容充电的时间长，且电流幅值大，LED灯珠的温度就会升高。若寄生电容的过冲电流大于LED灯PN结所承受的最大电流时，LED灯会被过冲电流烧断开路，则LED灯电流没有回路就不发光，屏幕不亮。

通过在调光MOS管Q301的栅极和漏极对地各并联一个电容(电容C316和电容C317)，栅极电容C316的电容值大小决定着调光MOS管栅极电压上升的快慢。调光MOS管栅极电压上升快，则调光MOS管导通速度快；若调光MOS管栅极电压上升慢，则调光MOS管的导通速度慢。可调整调光MOS管的栅极电容C316的容值大小，避开调光MOS管开通时产生的过冲电流，同时调光MOS管漏极电容C317也有吸收过冲电流的作用，经栅极电容C316控制调光MOS管栅极电压的升降速度、漏极电容C317的吸收过冲电流，原LED灯组电路中寄生电容所产生的过冲电流可以有效的得到解决。

另外，寄生电容所产生的能量往往通过调光MOS管Q301内部的反向转移电容Crss耦合到调光MOS管的栅极脚，而调光MOS管Q301存在最低开通工作电压门槛，这样不利于调光MOS管Q301的导通。具体地，若该脚电压高于1.2V，则调光MOS管Q2开通，MOS管的栅极开通下降沿时产生的震荡和MOS管的漏极D的震荡是同步的，这样流过LED灯的电流震荡会引起屏闪问题。具体如图7所示，图7中两种波形分别是导通时调光MOS管的栅极和漏极波形，如图7所示，调光MOS管的栅极和漏极波形中均存在低频振荡。

为了解决该问题，图5所示实施例中，第二接地保护电容C8的容值大于调光MOS管内的反向转移电容的容值。

具体地，即图6实施例中，第二接地保护电容C317的容值大于调光MOS管的翻转转移C318的容值。因为调光MOS管漏极所接的第二接地保护电容C317的电容容量的最小值要大于MOS管Q301的Crss(即调光MOS管Q301栅极和漏极相连的电容C318)的容值，电容C317的容量大则其阻抗偏小，在恒流驱动电路通过脉冲宽度调制信号PWM调光关断时，原寄生电容所产生的震荡电压会通过阻抗偏小的回路到地，这样第二接地保护电容C317能够在瞬间吸收掉震荡的能量，减少寄生电容震荡耦合到调光MOS管Q301栅极的情况，进而避免屏闪等异常现象。

或者，在LED灯条电路的负端到调光MOS管的漏极之间直接串接穿心电感LB1，该LB1感量小属于磁珠，通过穿心电感LB1抗电磁干扰能力强的特点，能够有效抑制寄生电容产生的振荡。在灯条负端接对地保护电容以及在灯条负端到MOS管漏级之间串接穿心电感这两种方式都可以有效解决自激震荡问题，改善后的LED灯电流波形如图8所示。由图8可知，在接对地保护电容或串接穿心电感后，调光MOS管的基极和漏极波形自激振荡问题得到显著改善。

以上分析的是芯片外置调光MOS管情况的处理方式，目前行业中也有将调光MOS管内置于恒流驱动控制芯片的情况，其保护方式一样可用，如图9所示。在图9所示实施例提供的第二种灯条防过冲保护电路中，防过冲保护组件540中第一接地保护电容为C11，第二接地保护电容为C12，电感器LB2串接于调光MOS管的漏极与LED灯组电路之间。Boost升压电路和恒流控制电路类同，不同之处是，LED灯条负端所连接的调光MOS管内置在恒流驱动控制芯片内部，留有3个拼脚在恒流驱动控制芯片外部，这3个拼脚可以看做是调光MOS管的三个极(漏极、栅极和源极)，将所加的措施直接连接到对应的引脚上即可，保护的效果和外置调光MOS管一样。

另外，为了保护调光MOS管，如图5所示，栅极升压调节电路541还包括：接地保护电阻R7，接地保护电阻R7的一端连接于恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路上，接地保护电阻R7的另一端接地。

通过在恒流驱动控制芯片321与调光MOS管Q2之间线路上连接接地保护电阻R7，该接地保护电阻R7能够对调光MOS管Q2起到分压的作用，以分担恒流驱动控制芯片输出的部分电能，稳定调光MOS管Q2的输出。

另外，本发明还要求保护一种背光模组，该背光模组包括LED灯条；以及上述任一项实施例提供的灯条防过冲保护电路；其中，灯条防过冲保护电路中的LED灯组电路固定连接于LED灯条。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种灯条防过冲保护电路，其特征在于，包括：

升压斩波电路、恒流驱动电路、发光二极管LED灯组电路和防过冲保护组件；其中，

所述升压斩波电路的电流输出端与所述LED灯组电路的电流输入端电连接；

所述恒流驱动电路包括相互电连接的恒流驱动控制芯片和调光场效应MOS管；其中，所述恒流驱动控制芯片的使能端与所述升压斩波电路电连接，所述调光MOS管的栅极与所述恒流驱动控制芯片电连接，所述调光MOS管的漏极与所述LED灯组电路的电流输出端相连，所述调光MOS管的源极接地；

所述防过冲保护组件包括：栅极升压调节电路，所述栅极升压调节电路连接于所述恒流驱动控制芯片与所述调光MOS管之间线路；

所述栅极升压调节电路包括第一接地保护电容，所述第一接地保护电容的一端连接于所述恒流驱动控制芯片与所述调光MOS管之间线路上，所述第一接地保护电容的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述防过冲保护组件，还包括：

连接于所述调光MOS管的漏极与所述LED灯组电路之间线路的漏极电流吸收电路。

3.根据权利要求2所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述漏极电流吸收电路，包括：

第二接地保护电容，所述第二接地保护电容的一端连接于所述调光MOS管的漏极与所述LED灯组电路之间的线路上，所述第二接地保护电容的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述防过冲保护组件，还包括：

连接于所述调光MOS管的漏极与所述LED灯组电路之间线路上的电感器或磁珠。

5.根据权利要求3所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述第二接地保护电容的容值大于所述调光MOS管内的反向转移电容的容值。

6.根据权利要求1所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述栅极升压调节电路，包括：

接地保护电阻，所述接地保护电阻的一端连接于所述恒流驱动控制芯片与所述调光MOS管之间线路上，所述接地保护电阻的另一端接地。

7.根据权利要求1所述的灯条防过冲保护电路，其特征在于，所述升压斩波电路，包括：

依次电连接的滤波电容、储能电感和反向截止子电路，其中，所述反向截止子电路与所述LED灯组电路电连接；

所述恒流驱动电路，还包括：使能MOS管，所述使能MOS管的漏极连接于所述储能电感与所述反向截止子电路之间，所述使能MOS管的栅极连接于所述恒流驱动控制芯片，所述使能MOS管的源极接地。

8.一种背光模组，其特征在于，包括：

LED灯条；以及，

权利要求1-7中任一项所述的灯条防过冲保护电路；

其中，所述灯条防过冲保护电路中的LED灯组电路固定连接于所述LED灯条。

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