JP7084063B1

JP7084063B1 - 感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管

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Publication number: JP7084063B1
Application number: JP2021070063A
Authority: JP
Inventors: 盧福星; 劉栄土
Original assignee: 厦門普為光電科技有限公司
Priority date: 2021-02-21
Filing date: 2021-04-19
Publication date: 2022-06-14
Anticipated expiration: 2041-04-19
Also published as: JP2022128382A; CN113056061B; CN113056061A; US11265987B1

Abstract

【課題】本発明は、感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管を提供する。【解決手段】照明管は、複数の光源負荷及び制御回路を内部に含み、制御回路は、互いに電気的に接続される感電防止保護回路、フィルタリング・定電流駆動回路、ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路及び高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を含む。高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路は、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１及びＰＴＣ抵抗を含み、ＰＴＣ抵抗とＴＶＳ１が直列に電気的に接続される。ＴＶＳ１の両端には、抵抗Ｒ１１がダミー負荷として並列に接続されている。これにより、入力電圧整流・電圧クランプモジュールは、入力された交流電圧を整流して、交流電圧を直流脈動電圧に変換する。整流した脈動直流電圧を抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプして、信号伝達アセンブリＵ１の供給電源とする。【選択図】図１

Description

本発明は照明管に関し、特に、感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モード（例えば、電子バラスト、高速型インダクタンスバラスト及び商用電源からの電気供給）との互換性を有する照明管に関する。

近年、省エネやＣＯ_２削減の動きに伴って、ＬＥＤ光源が様々な応用市場で大量に使用されるようになっている。ＬＥＤ照明は、革新的な照明装置を提供することでエネルギー消費を効果的に削減するものであり、電力不足地域に広く利用されているほか、世界市場にも普及し、利用されつつある。

市場に存在する蛍光灯照明デバイスは、ソケット、蛍光管及び電子バラストを主に含んでいる。そのため、蛍光管をＬＥＤ照明管に替えて省電力効果を達成したい場合には、前記電子バラストに適合可能な同一規格のＬＥＤ照明管とするか、ソケット全体を交換せねばならない。しかし、いずれの処理方式の場合にも大規模な工事が必要となるため、時間を浪費するだけでなく、コストも嵩んでしまう。

そこで、如何にしてＬＥＤ照明管単体に感電防止保護策を持たせつつ、既存の電子バラスト、高速型インダクタンスバラストとの互換性を持たせ、且つ商用電源による起動との互換性も持たせ得るかが、業界関係者にとって考慮を要する課題となっている。

上記の課題に鑑みて、本発明の一実施例は、感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管を提供する。前記照明管の両端には、商用電源に電気的に接続される２つの導電ピン群がそれぞれ設けられており、各導電ピン群が２つのピンを含む。前記照明管内には複数の光源負荷と制御回路が含まれている。前記制御回路は、複数の光源負荷と、２つの導電ピン群にそれぞれ電気的に接続される。前記照明管は、以下を特徴とする。即ち、前記制御回路は、互いに電気的に接続される感電防止保護回路、フィルタリング・定電流駆動回路、ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路及び高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を含む。前記高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路は、更に、互いに電気的に接続される入力電圧整流・電圧クランプモジュール、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール、高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール、高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール及び出力負荷選択モジュールを含む。前記入力電圧整流・電圧クランプモジュールは、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１及びＰＴＣ抵抗を含んでおり、ＰＴＣ抵抗とＴＶＳ１が直列に電気的に接続される。且つ、ＴＶＳ１の両端には抵抗Ｒ１１がダミー負荷として並列に接続されている。これにより、前記入力電圧整流・電圧クランプモジュールは、入力された交流電圧を整流して、交流電圧を直流脈動電圧に変換する。且つ、整流した脈動直流電圧を抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプして、信号伝達アセンブリＵ１の供給電源とする。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記信号伝達アセンブリＵ１は、フォトカプラ、変圧器又はソリッドステートリレーのうちのいずれかとすればよい。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記抵抗Ｒ１１の抵抗値範囲は１０Ω～１００ＫΩの間である。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールは、抵抗Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１２、コンデンサＣ３及びＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。抵抗Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０により分圧し、コンデンサＣ１によりフィルタリングし、定電圧ダイオードＤＶ２により電圧をクランプし、抵抗Ｒ４により電流を制限したあと、コンデンサＣ３を充電する。このとき、コンデンサＣ３両端の電圧がＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートの閾値電圧よりも高くなると、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）がオンとなり、整流された脈動電圧信号が、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプされてから、信号伝達アセンブリＵ１の入力側である正極を通過し、負極から抵抗Ｒ１２を経由することで電流が制限されて、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のドレイン、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のソース、グランドに流れる。信号が信号伝達アセンブリＵ１を通過する際には、これと同時に、信号が信号伝達アセンブリＵ１の出力側に接続される。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュールは、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７、コンデンサＣ１、Ｃ２、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ１、ＤＶ２及びＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。また、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７によって分圧回路が構成され、抵抗Ｒ５及びコンデンサＣ２によってＲＣフィルタ回路が構成されている。高速起動型インダクタンスバラストの違いに応じてフィラメントコイル両端の最大電圧を設定しておき、実際の電圧が予め定められた電圧を上回った場合には、非高速起動型のインダクタンスバラスト動作モードにデフォルト設定する。抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７で構成される分圧回路によって、実際の電圧が正常下における高速起動型インダクタンスバラスト動作モード時よりも高いことが発見される際には、抵抗Ｒ３の両端に電圧の上昇が現れる。抵抗Ｒ３両端の電圧が上昇した場合には、電圧信号が抵抗Ｒ５により電流制限されて、コンデンサＣ２を充電する。そして、コンデンサＣ２の電圧がＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートのブレークオーバー電圧よりも高くなると、Ｑ２（ＭＯＳＦＥＴ）が導通してＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を通過する電圧信号を低下させることで、信号伝達アセンブリＵ１に出力させないようにする。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュールは、抵抗Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、ダイオードＤ４、コンデンサＣ４、Ｃ５、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３及びＱ３（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。抵抗Ｒ１６、Ｒ１３、Ｒ１４、ダイオードＤ４、コンデンサＣ５及び信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３によって駆動信号源クランプ・フィルタ回路が構成されている。また、信号伝達アセンブリＵ１の出力側、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）、抵抗Ｒ１５及びコンデンサＣ４によって駆動実行回路が構成されている。これにより、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールが信号伝達アセンブリＵ１を通じて出力側に接続した信号をフィルタリング及び平滑化して、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）を駆動させる。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）は、メカニカルリレー又はソリッドステートリレーのいずれかに置き換え可能である。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記出力負荷選択モジュールは、トグルスイッチＫ１及び平滑コンデンサＥＣ２を含む。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールは、通電ごとの起動時間が前記高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュールより少なくとも１ｍＳ以上遅い。

上記の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管の好ましい実施形態によれば、前記感電防止保護回路は、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１を介して照明管両端の２つのピンに接続される。また、前記照明管両端のピンにヒューズを接続したあと、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１の手前に、静電容量が１．０ｎＦ～１００ｎＦのコンデンサＣ１、Ｃ１０をそれぞれ有する。

以上述べたように、本発明の一実施例又は複数の実施例に基づく感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管は、以下の特色を有している。即ち、前記制御回路に設けられる感電防止保護回路、フィルタリング・定電流駆動回路及びＴｙｐｅＡ電子バラスト回路をベースにトポロジーを行うことで、高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を追加しているため、漏電に対する信頼性を保証することを前提に、電子バラストと高速起動型インダクタンスバラスト及び商用電源からの電気供給との互換性を有する照明管が実現される。且つ、照明管の任意の両端からの入力を実現可能であるとともに、整流器モードにおける調光ニーズを満たすこともできる。

図１は、本発明における照明管の制御回路を示す図である。図２は、本発明における照明管の高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を示す図である。

以下に、当業者が本発明の技術内容を十分に理解して実施できるよう、実施形態において本発明の詳細な特徴及び利点について詳述する。且つ、本明細書で開示する内容、請求項及び図面より、当業者は本創造に係る目的及び利点を容易に理解可能である。

技術方案における技術内容、構造の特徴、実現しようとする目的及び効果を詳細に説明すべく、以下では、具体的な実施例と図面を組み合わせて詳述する。

照明管内部の制御回路に設けられるＴｙｐｅＡ電子バラスト回路、高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を利用することで、商用電源からの入力電圧、電子バラスト回路からの入力電圧、或いは高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路からの入力電圧を識別することができる。且つ、制御回路は感電防止保護回路を有している。これにより、漏電に対する信頼性を保証することを前提に、電子バラストと高速起動型インダクタンスバラスト及び商用電源からの電気供給との互換性を実現する。また、照明管の任意の両端からの入力を実現可能であるとともに、整流器モードにおける調光ニーズを満たすこともできる。

本発明における照明管の制御回路を示す図、及び本発明における照明管の高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を示す図である図１～図２を参照する。

本発明は、感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管に関する。前記照明管の両端には、商用電源に電気的に接続される２つの導電ピン群がそれぞれ設けられている。各導電ピン群は、２つのピン（例えば、Ｎ，Ｌ及びＮ１，Ｌ２）を含む。また、前記照明管内には、複数の光源負荷（例えば、ＬＥＤ発光部材又はその他の発光部材）及び制御回路が含まれている。制御回路は、複数の光源負荷と２つの導電ピン群にそれぞれ電気的に接続される。

前記制御回路は、互いに電気的に接続される感電防止保護回路１００１、フィルタリング・定電流駆動回路１００２、ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路１００３及び高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路１００４を含む。前記感電防止保護回路１００１は、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１を介して照明管両端の２つのピンに接続されており、照明管の装着過程における感電発生リスクを回避する。前記フィルタリング・定電流駆動回路１００２は、ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路１００３から出力される直流起動電圧をフィルタリングし、定電流化することで、前記光源負荷に出力される電流の大きさを調整する。前記高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路１００４は、互いに電気的に接続される入力電圧整流・電圧クランプモジュール１００４１、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール１００４２、高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール１００４３、高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール１００４４、出力負荷選択モジュール１００４５を含む。

前記入力電圧整流・電圧クランプモジュール１００４１は、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１（トランジェント電圧抑制回路）及びＰＴＣ抵抗（正温度係数サーミスタ）を含む。ＰＴＣ抵抗とＴＶＳ１は直列に電気的に接続される。また、ＴＶＳ１の両端には、抵抗Ｒ１１（例えば、抵抗の抵抗値範囲は１０Ω～１００ＫΩの間）がダミー負荷として並列に接続されている。これにより、入力電圧整流・電圧クランプモジュール１００４１は、入力された交流電圧を整流して、交流電圧を直流脈動電圧に変換する。且つ、整流した脈動直流電圧を抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプして、信号伝達アセンブリＵ１（例えば、フォトカプラ、変圧器、ソリッドステートリレー、又はその他の分離型結合素子）の供給電源とする。

前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール１００４２は、抵抗Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１２、コンデンサＣ３及びＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。抵抗Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０により分圧し、コンデンサＣ１によりフィルタリングし、定電圧ダイオードＤＶ２により電圧をクランプし、抵抗Ｒ４により電流を制限したあと、コンデンサＣ３を充電する。このとき、コンデンサＣ３両端の電圧がＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートの閾値電圧よりも高くなると、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）がオンとなり、整流された脈動電圧信号が、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプされてから、信号伝達アセンブリＵ１（例えばフォトカプラ）の入力側である正極を通過し、負極から抵抗Ｒ１２を経由することで電流が制限されて、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のドレイン、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のソース、グランドに流れる。信号（例えば、整流された脈動直流電圧）が信号伝達アセンブリＵ１（例えばフォトカプラ）を通過する際には、これと同時に、信号が信号伝達アセンブリＵ１の出力側に接続される。

前記高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール１００４３は、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７、コンデンサＣ１、Ｃ２、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ１、ＤＶ２及びＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。また、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７によって分圧回路が構成され、抵抗Ｒ５及びコンデンサＣ２によってＲＣフィルタ回路が構成されている。高速起動型インダクタンスバラストの違いに応じてフィラメントコイル両端の最大電圧を設定しておき、実際の電圧が予め定められた電圧を上回った場合には、非高速起動型のインダクタンスバラスト動作モードにデフォルト設定する。例えば、動作過程として、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７で構成される分圧回路によって、実際の電圧が正常下における高速起動型インダクタンスバラスト動作モード時よりも高いことが発見される際には、抵抗Ｒ３の両端に電圧の上昇が現れる。抵抗Ｒ３両端の電圧が上昇した場合には、電圧信号が抵抗Ｒ５により電流制限されて、コンデンサＣ２を充電する。そして、コンデンサＣ２の電圧がＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートのブレークオーバー電圧よりも高くなると、Ｑ２（ＭＯＳＦＥＴ）が導通してＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を通過する電圧信号を低下させることで、信号伝達アセンブリＵ１（例えばフォトカプラ）に出力させないようにする。前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール１００４２は、通電ごとの起動時間が高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール１００４３より少なくとも１ｍＳ以上遅い。

前記高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール１００４４は、抵抗Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、ダイオードＤ４、コンデンサＣ４、Ｃ５、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３及びＱ３（ＭＯＳＦＥＴ）を含む。抵抗Ｒ１６、Ｒ１３、Ｒ１４、ダイオードＤ４、コンデンサＣ５及び信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３によって駆動信号源クランプ・フィルタ回路が構成されている。また、信号伝達アセンブリＵ１（例えばフォトカプラ）の出力側、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）、抵抗Ｒ１５及びコンデンサＣ４によって駆動実行回路が構成されている。これにより、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール１００４２が信号伝達アセンブリＵ１（例えばフォトカプラ）を通じて出力側に接続した信号をフィルタリング及び平滑化して、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）を駆動させる。前記高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール１００４４は、本発明の電子スイッチ（Ｑ３のＭＯＳＦＥＴ）形式に限らず、メカニカルリレー又はソリッドステートリレーで駆動制御してもよい。また、スイッチの数も制限しない。

前記出力負荷選択モジュール１００４５は、トグルスイッチＫ１及び平滑コンデンサＥＣ２を含む。また、トグルスイッチＫ１と平滑コンデンサＥＣ２によって前記出力負荷選択モジュール１００４５が構成される。前記照明管では、更に、トグルスイッチＫ１によって出力負荷を切り替え及び選択することで、色温度の変更又は出力パワーの変更機能を実現可能である。

本実施例では、高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール１００４３を兼ね備えており、ブリッジ整流器ＤＢによって、高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール１００４３の交流信号を直接整流する。

本実施例では、照明管両端のピンにヒューズを接続したあと、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１の手前に、静電容量が１．０ｎＦ～１００ｎＦのコンデンサＣ１、Ｃ１０をそれぞれ有する。

本実施例では、照明管内にトグルスイッチＫ１を更に備えているため、出力負荷を切り替え及び選択することで、色温度の変更又は出力パワーの変更機能を実現可能である。

照明管が高速起動型インダクタンスバラストとの互換性を有するよう、前記制御回路に設けられる感電防止保護回路１００１、フィルタリング・定電流駆動回路１００２及びＴｙｐｅＡ電子バラスト回路１００３をベースにトポロジーを行うことで、高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路１００４を追加した。これにより、漏電に対する信頼性を保証することを前提に、電子バラストと高速起動型インダクタンスバラスト及び商用電源からの電気供給との互換性を有する照明管が実現される。且つ、照明管の任意の両端からの入力を実現可能であるとともに、整流器モードにおける調光ニーズを満たすこともできる。

説明すべき点として、本文では上記の各実施例について記載したが、本発明の権利の保護範囲はこれに限らない。従って、本発明の創造の理念に基づき、本文で記載した実施例について行われる変更及び修正、或いは、本発明の明細書及び図面の内容を用いて行われる等価の構造又は等価のフローへの変換、及び、関連するその他の技術分野における上記技術方案の直接的又は間接的な運用は、いずれも本発明の権利の保護範囲に含まれる。

１００１感電防止保護回路
１００２フィルタリング・定電流駆動回路
１００３ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路
１００４高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路
１００４１入力電圧整流・電圧クランプモジュール
１００４２高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール
１００４３高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール
１００４４高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール
１００４５出力負荷選択モジュール

Claims

感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管であって、前記照明管の両端には、商用電源に電気的に接続される２つの導電ピン群がそれぞれ設けられており、各導電ピン群が２つのピンを含み、前記照明管内には複数の光源負荷と制御回路が含まれており、前記制御回路は、複数の光源負荷と、２つの導電ピン群にそれぞれ電気的に接続され、
前記照明管において、
前記制御回路は、互いに電気的に接続される感電防止保護回路、フィルタリング・定電流駆動回路、ＴｙｐｅＡ電子バラスト回路及び高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路を含み、前記高速起動型インダクタンスバラスト検出・駆動回路は、更に、互いに電気的に接続される入力電圧整流・電圧クランプモジュール、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュール、高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュール、高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュール及び出力負荷選択モジュールを含み、前記入力電圧整流・電圧クランプモジュールは、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１及びＰＴＣ抵抗を含み、ＰＴＣ抵抗とＴＶＳ１が直列に電気的に接続され、且つ、ＴＶＳ１の両端に抵抗Ｒ１１がダミー負荷として並列に接続され、前記入力電圧整流・電圧クランプモジュールは、入力された交流電圧を整流して、交流電圧を直流脈動電圧に変換し、整流した脈動直流電圧を抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプして、信号伝達アセンブリＵ１の供給電源とすることを特徴とする照明管。
前記信号伝達アセンブリＵ１は、フォトカプラ、変圧器又はソリッドステートリレーのうちのいずれかとすればよいことを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記抵抗Ｒ１１の抵抗値範囲は、１０Ω～１００ＫΩの間であることを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールは、抵抗Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１２、コンデンサＣ３及びＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、抵抗Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０により分圧し、コンデンサＣ１によりフィルタリングし、定電圧ダイオードＤＶ２により電圧をクランプし、抵抗Ｒ４により電流を制限したあとコンデンサＣ３を充電し、このとき、コンデンサＣ３両端の電圧がＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートの閾値電圧よりも高くなると、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）がオンとなり、整流された脈動電圧信号が、抵抗Ｒ１１、ＴＶＳ１、ＰＴＣ抵抗によりクランプされてから、信号伝達アセンブリＵ１の入力側である正極を通過し、負極から抵抗Ｒ１２を経由することで電流が制限されて、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のドレイン、Ｑ１（ＭＯＳＦＥＴ）のソース、グランドに流れ、信号が信号伝達アセンブリＵ１を通過する際には、これと同時に、信号が信号伝達アセンブリＵ１の出力側に接続されることを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュールは、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７、コンデンサＣ１、Ｃ２、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ１、ＤＶ２及びＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７によって分圧回路が構成され、抵抗Ｒ５及びコンデンサＣ２によってＲＣフィルタ回路が構成され、高速起動型インダクタンスバラストの違いに応じてフィラメントコイル両端の最大電圧を設定しておき、実際の電圧が予め定められた電圧を上回った場合には、非高速起動型のインダクタンスバラスト動作モードにデフォルト設定し、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ７で構成される分圧回路によって、実際の電圧が正常下における高速起動型インダクタンスバラスト動作モード時よりも高いことが発見される際には、抵抗Ｒ３の両端に電圧の上昇が現れ、抵抗Ｒ３両端の電圧が上昇した場合には、電圧信号が抵抗Ｒ５により電流制限されてコンデンサＣ２を充電し、コンデンサＣ２の電圧がＱ２（ＭＯＳＦＥＴ）のゲートのブレークオーバー電圧よりも高くなると、Ｑ２（ＭＯＳＦＥＴ）が導通してＱ１（ＭＯＳＦＥＴ）を通過する電圧信号を低下させることで、信号伝達アセンブリＵ１に出力させないようにすることを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記高速起動型インダクタンスバラスト出力駆動モジュールは、抵抗Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、ダイオードＤ４、コンデンサＣ４、Ｃ５、信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３及びＱ３（ＭＯＳＦＥＴ）を含み、抵抗Ｒ１６、Ｒ１３、Ｒ１４、ダイオードＤ４、コンデンサＣ５及び信号クランプ定電圧ダイオードＤＶ３によって駆動信号源クランプ・フィルタ回路が構成され、信号伝達アセンブリＵ１の出力側、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）、抵抗Ｒ１５及びコンデンサＣ４によって駆動実行回路が構成され、高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールが信号伝達アセンブリＵ１を通じて出力側に接続した信号をフィルタリング及び平滑化し、Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）を駆動させることを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記Ｑ３（ＭＯＳＦＥＴ）は、メカニカルリレー又はソリッドステートリレーのいずれかに置き換え可能であることを特徴とする請求項６に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記出力負荷選択モジュールは、トグルスイッチＫ１及び平滑コンデンサＥＣ２を含むことを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記高速起動型インダクタンスバラスト前段駆動モジュールは、通電ごとの起動時間が前記高速起動型インダクタンスバラスト識別モジュールより少なくとも１ｍＳ以上遅いことを特徴とする請求項１又は５に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。
前記感電防止保護回路は、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１を介して照明管両端の２つのピンに接続され、前記照明管両端のピンにヒューズを接続したあと、ブリッジ整流器ＤＢ及びＤＢ１の手前に、静電容量が１．０ｎＦ～１００ｎＦのコンデンサＣ１、Ｃ１０をそれぞれ有することを特徴とする請求項１に記載の感電防止保護策を備え、且つ多様な電気供給モードとの互換性を有する照明管。