CN103430623B - 具有自动调平和过压保护的自动开关双向可控硅兼容性电路 - Google Patents

Abstract

呈现具有升压转换器的驱动器和镇流器电路，该升压转换器具有双向可控硅兼容性电路，其提供调节的电流负载来适应舍相双向可控硅电路保持电流要求、包括具有过压保护的自动开关驱动器电路和调节以防热和负载波动的自动调平电路。

Description

具有自动调平和过压保护的自动开关双向可控硅兼容性电路

背景技术

白炽灯的连续调光典型地使用配备双向可控硅的壁或用线路与灯泡连接的桌面调光器电路而实现，其使用所谓的“舍相（phase cut）”调光（其中线路AC波形的一部分基本上在每个AC周期中去除来减少光输出）。例如紧凑型荧光设计（CFL）和LED灯的整体的电子灯近来已经变得更流行，其中灯包括电子驱动器电路，用于产生高频AC电力来驱动荧光灯源或产生DC来驱动一个或多个LED。这些装置可以在为白炽灯泡而设计的常规灯中使用并且可包括调光电路，其允许输出的光被舍相调光（双向可控硅控制）所调整。舍相壁调光电路使用双向可控硅，其需要最小幅度的闭锁电流和保持电流来继续传导直到完成线路电力半周期。

用于电子照明电力电路的常规电容性输入滤波整流器电路无法提供这些要求，特别对于低调光水平，其中输入电容可以打断双向可控硅和它的起动电路的连续性。低功率电阻输入还可能不足以满足双向可控硅要求。不定期双向可控硅操作可以生成输入功率的非周期变化，从而在照明系统中导致闪烁。已经使用其他类型的升压电路，其汲取正弦输入电流，但这些可使调光器双向可控硅在电力线路半周期结束之前停止传导。因为输入电流在这些电路中不是恒定的，双向可控硅电流可下降到双向可控硅保持电流以下并且无法维持双向可控硅传导。也已采用其他无源技术，其无法维持恒定输入电流。因此在照明系统电力电路中提供恒流负载来防止双向可控硅类型调光装置的提早关断，这是可期望的。

发明内容

本公开提供用于例如LED驱动器或AC驱动光源的具有升压转换器级的照明系统的电力电路，所述升压转换器级具有容纳到基于双向可控硅的调光器的连接的电路。双向可控硅兼容性电路提供稳定电流来满足调光双向可控硅的保持电流要求以通过维持从起动点直到电力线路半周期结束的双向可控硅传导而避免或减轻闪烁问题。公开的兼容性电路的各种方面包括自动开关驱动器电路、过压保护和/或自动调平电路，用于调节以防改变温度和/或加载条件。

根据本公开的一个或多个方面，提供光源电力电路，其包括整流器、后跟升压转换器以及随后的DC到DC转换器电路。该DC到DC转换器电路在某些实施例中是降压转换器，其提供输出来驱动一个或多个LED光源。在其他实施例中，提供逆变器，其接收DC到DC转换器电路的输出并且提供AC输出来对荧光灯供电。升压转换器包括具有开关和驱动器电路的双向可控硅兼容性电路，该驱动器电路具有感测在开关中流动的电流的感测电阻器。驱动器提供控制信号以根据跨感测电阻器的电压来操作开关以独立于整流器的AC输入端处的舍相而在升压转换器中提供调节的电流。在某些实施例中，提供自动开关（自振荡）驱动器电路，其产生变频交变的开关控制信号。

在一些实施例中，双向可控硅兼容性电路包括自动调平电路，其基于电路中的温度变化和/或电力电路中的加载变化来选择性调整升压转换器电流。该自动调平电路可使用电容器（其中第一端连接到电路接地）和二极管（其中阳极连接到第二电容器端并且阴极连接到整流器）而实现，其中电阻器耦合于二极管的阳极与驱动器电路的开关控制端之间来提供来自电容器的信号以选择性调整升压转换器电流。某些实施例可包括过压保护电路，其选择性调整电流以限制跨总线电容的电压，其中保护电路可包括齐纳二极管（其中阴极耦合于总线电容）和电阻器，其耦合于该齐纳二极管阳极与驱动器电路开关控制端之间来提供来自齐纳二极管的信号以根据总线电压选择性调整升压转换器中的电流。

附图说明

在下列详细描述和图中阐述一个或多个示范性实施例，其中：

图1是图示根据本公开的一个或多个方面具有升压转换器级的示范性LED驱动器或镇流器电路的示意图，该升压转换器级包括具有自动调平和过压保护电路的自动开关双向可控硅兼容性电路；

图2是图示与舍相调光器连接用于调光操作的驱动器或镇流器的示意图；

图3是图示对于图1和2的系统的非舍相操作的双向可控硅兼容性电路电流和频率波形的曲线图；

图4是图示由双向可控硅兼容性电路中的自动调平电路调整电流波形的曲线图；

图5是图示对于系统的舍相操作的双向可控硅兼容性电路电流和频率波形的曲线图；

图6是图示LED驱动器应用中用于对一个或多个LED光源供电的图1的电路的简化示意图；以及

图7是在镇流器实现中用于对一个或多个荧光灯供电的图1的电路的简化示意图。

具体实施方式

现在参照图（其中类似的标号用于指示所有类似的元件，并且各种特征不必按比例绘制）。图1、6和7图示示范性LED驱动器或镇流器电路100，其包括AC输入级、整流器BR1和自动开关升压转换器电路104，其具有转换输入电力来提供给DC总线的第一开关装置M1。电路100还包括降压DC-DC转换器电路106，其具有脉宽调制开关M2，该脉宽调制开关M2经由变压器绕组T1和二极管D8而开关DC总线电力以在驱动器实现（图6）中驱动LED输出负载108。其他DC驱动器应用可以包括接收升压转换器104的DC输出并且驱动具有输出整流器的隔离变压器用于对一个或多个LED供电的逆变器。此外，如在图7中看到的，图示的电路100可以在镇流器应用中使用，其中逆变器107前面的升压转换器104（其包括公开的双向可控硅兼容性电路102）用于驱动例如荧光灯108的AC供电的光源。

如在图2中示出的，驱动器100可经由与源101和驱动器100串联耦合的舍相调光器200而由具有调光控制的单相AC源101供电。在该情况下，调光器控制200使用双向可控硅T201来对根据用户可调电阻R201输出的光调光而选择性切断或中断AC源101的每个周期的部分中的电流（舍相）。在某些实施例中，驱动器电路100容置在具有带AC输入端的爱迪生灯座的结构中。

再次参考图1，驱动器100从单相输入源接收AC电力并且通过舍相调光器200的操作来提供调光功能性。四元件整流器桥BR1对施加于输入端的AC输入电力整流来提供跨电容C2的DC总线电压，其中在电容C2之后的上部DC总线路径中提供串联电感L1和二极管D4，并且电解电容器C24跨二极管D4后的DC总线而耦合。从而提供升压转换器电路104，其包括双向可控硅兼容性电路102，该双向可控硅兼容性电路102具有自动开关（自振荡）驱动器电路103，其操作升压转换器开关M1以使用由电感器L1提供的电流而提供跨电解电容器C4的提升的DC总线电压。

电路104形成连续传导升压转换器，其独立于电力线路电压的瞬时值通过维持流过输入整流器BR1和任何附连的舍相调光器200的恒定电流而提供与基于双向可控硅的调光器的兼容性。电路102的最小电流水平由舍相调光器200的双向可控硅的最小保持电流确定。调光器双向可控硅典型地具有50ma或更小的保持电流。图示的电路设计成保证至少50ma流来确保一旦双向可控硅闭锁，它对余下的电力线路半周期保持导通并且传导（直到下一个零交叉）。采用该方式，兼容性电路102向电力线路提供负载（无论是否被舍相双向可控硅中断）并且实施例可以实现高功率因数，例如大约0.93至0.94。

兼容性电路102的调节电流水平由自振荡电路103的感测电阻器R8的值设置来维持略大于外部双向可控硅T201的保持电流的电流。瞬态吸收器D2跨R8连接用于处理高能量爆发，例如在出现线路瞬态现象时或在初始加电（其中可存在涌流来对电解电容器C4充电）期间。D2跨R8耦合来防止感测电流中大的瞬态现象。当起动双向可控硅时，电流将迅速建立并且由电路102维持在保持电流水平附近。从而，双向可控硅继续传导直到电力线路电压完成一个半周期。小输入电容器C2（在一个实施例中15nF）保证双向可控硅T201将在没有多余的输入电流减幅振荡的情况下闭锁，并且之后升压转换器的自振荡电路103维持双向可控硅的传导。在某些实施例中，设置R8以便维持至少50mA双向可控硅保持电流并且低至6瓦的输入功率是可能的。图示的电路106从而便于在使用壁调光器调光时的无闪烁光源操作、提供高功率因数并且符合FCC类别B消费者要求。

图1中的双向可控硅兼容性电路102具有自动开关驱动器电路103，其包括四层开关配置，该四层开关配置包括分别经由电阻器R3和R4而偏置到上部DC供应（在一个示例中由降压转换器级106的电力电路130提供的VCC 15V）的PNP和NPN晶体管Q1和Q2，其中电容器C1使供应VCC稳定。Q1的集电极连接到Q2的基极用于SCR类型操作并且Q1的基极作为触发控制端而操作，其通过经由基极电阻器R7根据在感测电阻器R8中流动的电流来供应足够的基极-发射极电压而致动。在该配置中，Q1和Q2共同导通和关断，并且该对通过电阻器R5将信号提供给由Q3和Q4（在一个实现中，是MBT3946DW）形成的缓冲器。

PNP晶体管Q3的集电极通过电阻器R9连接到供应线路VCC并且NPN晶体管Q4的集电极通过电阻器R10耦合于M1的接地端。Q3、Q4对作为缓冲器操作，其具有连接以基于来自Q1和Q2（其通过电阻器R5而连接到Q3和Q4的基极）的触发信号而驱动M1的栅极为高或低的发射极。电路102作为与开关M1、电感器L1和二极管D4结合的自动开关或自振荡升压转换器而操作，其在加电时自行开动。此外，电路102可选地包括经由齐纳二极管D3和电阻器R6的过压保护特征，以及由电容器C10、二极管D9和电阻器R11形成的自动调平电路120。

兼容性电路102是自动开关的（自振荡）并且从而频率是可变的。在操作中，Q1的基极电路经由基极电阻器R7感测跨R8的电压，并且当通过R8的电流足够高时，Q1导通来将Q2的基极拉低。这使PNP晶体管Q2导通，其作为由Q3和Q4形成的缓冲器操作以通过关断Q3并且导通Q4而关断MOSFET开关M1来将M1的栅极拉低。通过M1的减少的电流使跨感测电阻器R8的电压降低，从而使Q1和Q2关断。这允许NPN晶体管Q3的基极上升由此使Q3导通并且使Q4关断。因此，M1的栅极电压上升并且M1又导通，并且电路采用该方式以变化的频率来回振荡。双向可控硅兼容性电路102从而提供滞后的自动开关配置，其从加电自振荡并且在舍相调光操作期间向电力线路提供连续负载等等。图3中的振荡频率310是L1的电感（例如，在一个实施例中是25mH）和电流感测电阻器R8（在图1的示例中是近似6Ω）的函数。

图3图示曲线图300，其示出整流器桥输入电流101和其的电流302，该电流302通过双向可控硅兼容性电路102传导，并且图5中的曲线图500示出在舍相调光期间的操作。如在曲线图300中看到的，兼容性电路振荡频率310在电力线路零交叉处从零出发并且增加到接近电力线路半周期中间的点，其中电解电容器C4通过峰值充电而充电。这引起电流凸起304，在其后频率310在下一个线路电力零交叉处减小回到零，并且过程重复。电路102中的滞后电流302是由FET M1、电感器L1和二极管D4形成的升压转换器配置的函数。电路100从而形成自动开关升压转换器，其具有对后续转换器级106提供DC总线的输出电容器C4，其中电流采用具有小的高频变化和如在图3中示出的峰值充电凸起304的方波302的一般形式，而不是下面的正弦波。

自动调平电路120包括电容器C10、二极管D9和电阻器R11，其连接到Q1的基极电路。电阻器R11具有与另一基极电阻器R7相同的电阻值（510Ω），D9是例如1N4148的普通二极管，并且C10在图示的实施例中是47μF电容器。电路120执行温度补偿和负载调节，例如来适应Q1的基极-发射极结的温度中的变化和/或改变的负载条件（例如，负载电流增加或减小）。这样的变化使电解电容器C4上的电压改变。

自动调平电路120通过基本上调节电解总线电容器C4的峰值充电脉冲（凸起304）的程度而补偿这些变化。电路120测量流过电解电容器C4（其支持DC总线）的峰值电流。如果电流太高（其对应于升压转换器电流中的不足），驱动器电路103将提升该电流直到峰值电解电流减少到维持高功率因数和低THD（例如，在图示的实施例中小于大约35%）的可接受水平。相反，如果C4的峰值电流太低，电路120将使升压转换器104的电流降低，由此维持高功率因数。

如在图3中看到的，由兼容性电路102消耗的正常电流302大体上是方波，其中沿标称电流水平306的高频分量和凸起或脉冲304在C4充电期间出现。通过Q1和Q2的自振荡电路的M1的开关频率310在周期开始时是零，并且在凸起304处也是零。在这些点之间，频率310根据电力线路电压斜升并且然后斜降。图3中的最大频率点对应于大约45度、135度、225度和315度。凸起304对应于电解电容器C4充电，因为存在低的FET开关频率，因此略微对电容器C4充电。如在图5的曲线图500中看到的，双向可控硅兼容性电路102也操作成提供稳定电流加载来满足舍相期间双向可控硅调光器200的保持电流要求。

现在参考图4中的曲线图400，兼容性电路102还提供过压保护。如果负载增加，标称电流水平306将趋于减小，但电解电容器峰值充电凸起或尖峰304的持续时间和幅度将增加。这是由于通过R8的感测电流（指示负载电流）增加，由此迫使FET M1在充电事件304处持续更久地保持关断。当跨感测电阻器R8的电压增加时，电容器C4充电至更高的DC水平。跨R8的电压增加还使自动调平电路电容器C10的充电量增加。在电解电容器充电凸起后退后，负偏置通过将电流从自动调平电容器C10传导通过电阻器R11而施加于Q1的基极。对Q1基极电压的该负偏移在Q1的导通中引起延迟，因为经由电阻器R8和R7的正常致动必须抵消该偏置来实现使Q1导通所需要的基极-发射极电压。该延迟进而允许FET M1持续更长时间地保持导通，从而将标称电流水平提升到在图4中看到的更高值308，由此抵消增加的输出负载。假设增加的加载持续，电路将在更高的标称电流水平308处达到平衡，在其处凸起幅度304近似是负载改变之前的样子。对负载减小提供逆向操作，其中电路120对峰值充电凸起304的幅度中的减少作出反应以经由电容器C10和电阻器R11向Q1基极提供偏移的正偏置。此外，电路120抵消电路组件中的热漂流效应，例如对晶体管Q1的基极-发射极结的改变，等。从而，自动调平电路120在调节以防负载波动、温度变化等方面提供稳定性。

电路102还包括过压保护组件D3和R6。当系统100的输出被去载时，该电路防止DC总线爬升超出设计目标。在操作中，该瞬态电压抑制器（TVS）通过将齐纳二极管D3连接到总线电容器C4的正端而感测升压转换器的DC总线。齐纳D3与电阻器R6串联连接，该电阻器R6连接到Q1的基极。如果去除输出负载或它的阻抗明显增加，升压转换器的闭环操作将使电解电容器C4的电压增加。如果电压上升太远，过压保护齐纳二极管D3（例如，在一个示例中具有170伏Vz的SMF 170A）开始传导。当这发生时，提供通过电阻器R6到Q1的基极的电流，其使Q1和Q2导通，并且由Q3和Q4形成的缓冲器将使FET M1关断，从而基本上对Q1基极电路提供正偏置以使M1关闭尽快出现。如果跨C4的电压继续上升，可以到达一定的点，其中经由齐纳D3和电阻器R6而偏置的Q1基极电路的操作将通过转到高频操作状态而使M1明显减少电流。对于无负载条件，例如，跨C4的电压将使电路稳定在略高于整流的线路电压水平，其中M1以高频开关来有效地限制流过M1的电流的量。从而，双向可控硅兼容性电路102提供自动开关功能性结合过压保护。

如上文指出的，电路100可以用作LED阵列类型光源负载108的DC驱动器，或可以用作后跟逆变器107的初始级，用于对镇流器配置中的荧光灯光源108供电。在示范性电路100中，脉宽调制的降压类型电力电路106接收跨C4的DC总线电压并且包括第二电力开关（例如，MOSFET）M2。M2根据由PWM控制器或驱动器U1施加于M2的栅极的脉宽调制的控制输入信号操作来控制DC电力到输出负载108（例如LED阵列或后续的逆变器级107）的施加。在某些实施例中，控制器U1可以是从Intersil and STMicroelectronics可获得的转变模式功率因数校正（PFC）控制器L6562 IC。U1具有与内部误差放大器耦合的放大器输入INV，以及增益输入MULT和内部脉宽调制器，其中驱动输出GD向M2的栅极提供PWM控制信号以至少部分基于放大器输入INV和增益输入MULT来设置输出功率水平。当M2导通时，电流传导通过输出电容器C9和变压器一次绕组T1C来对输出电容器C9充电以提供DC输出电力来驱动负载。

开关M2从而连同串联连接的感测电阻器R19一起串联连接在绕组T1C与电路接地GND之间。一次电流流过串联电路，通过R19的电流在控制器U1的比较器输入端CS处提供对应的电压用于一次电流的周期间控制。驱动输出GD至少部分根据感测的负载电流、放大器输入INV和增益输入MULT经由电阻器R18向M2的栅极提供脉宽调制的控制信号。U1包括具有反向输入INV和输出COMP的板上误差放大器，用于允许补偿网络在INV与COMP引线之间的外部连接。在本实施例中，电阻器R16和电容器C6如在图1中示出的那样与从输入INV连接到电路接地的电阻器R17连接。图示的实施例使用乘法器输入MULT作为调光控制输入来改变栅极驱动信号GS的占空比并且从而改变输出电流的水平。到输入MULT的输入是与电力线路电压的整流平均值成比例的DC电压。双向可控硅将在它使角度（在这期间电流可以流动）减少时使该电压减少。

在M2中流动的电流经由电阻器R19感测，并且所得的电压V_S施加于CS引线并且与由乘法器产生的参考比较来确定MOSFET的关断。实际上，根据用于转变模式操作的ZCD输入信号状态来选择性停用栅极驱动输出GD，其中负向边缘触发MOSFET的导通。这有利地允许到可选的零电流检测电路140的连接使得开关M2在通过一次绕组T1C的电流为零时将导通。接地引线GND对U1的栅极驱动器电路和信号部分两者提供电流返回路径。

提供零交叉检测电路140，其包括缠绕在变压器T1的芯上并且与一次绕组T1C磁耦合的感测绕组T1A和T1B。电路140还包括将T1A和T1B与电容器C8连接的中心节点。C8的下端通过二极管D6耦合于VCC并且通过二极管D7耦合于接地，并且旁路电容器C7从VCC连接到接地GND。零交叉电路140使用感测绕组T1A和T1B感测一次绕组T1C的零交叉条件并且经由电阻器R14而选择性向PWM控制器U1的零交叉检测输入ZCD提供信号，其指示一次绕组T1C的感测的零交叉条件。

图示的电路还包括电力电路130，其提供控制电压VCC（例如，在一个实施例中是15伏）以用于控制器U1和双向可控硅兼容性电路102两者使用。电力电路130包括PNP晶体管Q5，其中集电极经由电阻器R13而耦合于上部DC总线线路并且栅极通过电阻器R12而耦合于上部DC总线并且经由14V齐纳二极管D5而耦合于电路接地GND。

感测电路110（图1）与输入端耦合来向U1的增益输入MULT提供传感器信号。图示的实施例中的感测电路110经由耦合于第一AC输入端与增益输入MULT之间的电阻器R1以及耦合于第二AC输入端与增益输入MULT之间的第二电阻器R2而产生传感器信号，其中电阻器R1和R2形成分压器，其中电阻器R15从MULT端连接到接地GND，并且滤波电容器C5跨R15并联连接。感测电路110向增益输入MULT提供作为全波整流波形的传感器信号，其具有对应于施加的输入电压的DC水平。因此，在操作舍相调光器200用于对光源输出调光时，MULT输入信号值将减少。作为响应，控制器U1根据MULT输入信号值修改在GD端处的脉宽调制的输出以选择性地使提供给负载的DC输出电力减少。

上文的示例仅仅说明本公开的各种方面的若干可能的实施例，其中当本领域内技术人员阅读并且理解该说明书和附图时，他们将想到等同的改动和/或修改。特别关于由上文描述的组件（组装件、装置、系统、电路等等）执行的各种功能，即使在结构上不等同于执行在本公开的图示实现中的功能的公开结构，用于描述这样的组件的术语（包括对于“部件”的引用）意在对应于（除非另外指出）执行描述的组件的指定功能的任何组件（即，其在功能上等同），例如硬件、处理器执行的软件或其的组合。尽管本公开的特定特征可能已经关于若干实现中的唯一一个说明和/或描述，这样的特征可与其他实现中的一个或多个其他特征结合，如对于任何给定或特定应用可能是期望和有利的。此外，对单数个组件或项的引用意在包含两个或以上这样的组件或项，除非另外指定。同样，就术语“包括（including/includes）”、“具有（having/has）”、“带有”或其变化形式在详细描述和/或在权利要求中使用来说，这样的术语在某种意义上与术语“包含”相似地意在为包括性的。本发明已经参照优选实施例描述。显然，当其他人阅读并且理解前面的详细描述时他们将想到修改和改动。规定本发明解释为包括所有这样的修改和改动。

Claims (19)

1.一种用于对至少一个光源供电的电路，包括：

整流器，该整流器具有接收AC输入电力的AC输入端和提供整流的DC电力的第一和第二DC输出端；

升压转换器，该升压转换器从所述整流器接收所述整流的DC电力并且提供第一DC输出，所述升压转换器包括：

电感，该电感具有与所述整流器的第一DC输出端耦合的第一端，以及第二端，

二极管，该二极管具有与所述电感的第二端耦合的阳极，以及阴极，

总线电容，该总线电容具有与所述二极管的阴极耦合的第一端以及耦合于电路接地节点的第二端，以及

双向可控硅兼容性电路，其包括：

开关装置，该开关装置耦合于所述二极管的阳极与电路接地节点之间，并且包括控制端，所述开关装置操作成根据在所述控制端处接收的信号选择性地使所述二极管的阳极与所述电路接地节点电耦合或使所述二极管的阳极从所述电路接地节点断开，以及

自动开关驱动器电路，其包括耦合于所述电路接地节点与所述整流器的第二DC输出端之间的感测电阻器来感测在所述开关装置中流动的电流，所述自动开关驱动器电路操作成至少部分基于跨所述感测电阻器的电压来向所述开关装置的控制端提供变频交变的开关控制信号以独立于所述整流器的AC输入端处的舍相而在所述升压转换器中提供调节的电流；以及DC到DC转换器电路，其中该DC到DC转换器电路的DC输入端与所述总线电容的第一和第二端耦合，并且该DC到DC转换器电路的DC输出端提供第二DC输出以直接或间接地向至少一个光源提供电力。

2.如权利要求1所述的电路，其中，所述DC到DC转换器电路是降压转换器，该降压转换器提供输出来驱动至少一个LED光源。

3.如权利要求1所述的电路，包括逆变器，所述逆变器从所述DC到DC转换器电路接收第二DC输出并且提供AC输出来对至少一个荧光灯供电。

4.如权利要求1所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括自动调平电路，该自动调平电路操作地与所述自动开关驱动器电路耦合以基于电路中的温度变化和电路中的加载变化中的至少一个而选择性地调整所述升压转换器中的电流。

5.如权利要求4所述的电路，其中，所述自动调平电路包括：

电容器，该电容器具有连接到所述电路接地节点的第一端，以及第二端；

自动调平电路二极管，该自动调平电路二极管具有连接到所述电容器的第二端的阳极和连接到所述整流器的第二DC输出端的阴极；以及

电阻器，该电阻器耦合于所述自动调平电路二极管的阳极与所述自动开关驱动器电路的开关控制端之间以提供来自所述电容器的信号以选择性地调整所述升压转换器中的电流。

6.如权利要求5所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述自动开关驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压。

7.如权利要求6所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，其耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述自动开关驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。

8.如权利要求4所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述自动开关驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压。

9.如权利要求8所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，该电阻器耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述自动开关驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。

10.如权利要求1所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述自动开关驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压。

11.如权利要求10所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，该电阻器耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述自动开关驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。

12.一种用于对至少一个光源供电的电路，包括：

整流器，该整流器具有接收AC输入电力的AC输入端和提供整流的DC电力的第一和第二DC输出端；

升压转换器，该升压转换器从所述整流器接收所述整流的DC电力并且提供第一DC输出，所述升压转换器包括：

电感，该电感具有与所述整流器的第一DC输出端耦合的第一端，以及第二端，

二极管，该二极管具有与所述电感的第二端耦合的阳极，以及阴极，

总线电容，该总线电容具有与所述二极管的阴极耦合的第一端以及耦合于电路接地节点的第二端，以及

双向可控硅兼容性电路，其包括：

开关装置，该开关装置耦合于所述二极管的阳极与电路接地节点之间，并且包括控制端，所述开关装置操作成根据在所述控制端处接收的信号选择性地使所述二极管的阳极与所述电路接地节点电耦合或使所述二极管的阳极从所述电路接地节点断开，以及

驱动器电路，该驱动器电路包括耦合于所述电路接地节点与所述整流器的第二DC输出端之间的感测电阻器来感测在所述开关装置中流动的电流，所述驱动器电路操作成至少部分基于跨所述感测电阻器的电压来向所述开关装置的控制端提供开关控制信号以独立于所述整流器的AC输入端处的舍相而在所述升压转换器中提供调节的电流，和

自动调平电路，该自动调平电路操作地与所述驱动器电路耦合以基于电路中的温度变化和电路中的加载变化中的至少一个而选择性地调整所述升压转换器中的电流；以及

DC到DC转换器电路，其中该DC到DC转换器电路的DC输入端与所述总线电容的第一和第二端耦合，并且该DC到DC转换器电路的DC输出端提供第二DC输出以直接或间接地向至少一个光源提供电力。

13.如权利要求12所述的电路，其中，所述自动调平电路包括：

电容器，该电容器具有连接到所述电路接地节点的第一端，以及第二端；

自动调平电路二极管，该自动调平电路二极管具有连接到所述电容器的第二端的阳极和连接到所述整流器的第二DC输出端的阴极；以及

电阻器，该电阻器耦合于所述自动调平电路二极管的阳极与所述驱动器电路的开关控制端之间以提供来自所述电容器的信号以选择性地调整所述升压转换器中的电流。

14.如权利要求13所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压。

15.如权利要求14所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，该电阻器耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。

16.如权利要求12所述的电路，其中，所述双向可控硅兼容性电路包括过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压。

17.如权利要求16所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，该电阻器耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。

18.一种用于对至少一个光源供电的电路，包括：

整流器，该整流器具有接收AC输入电力的AC输入端和提供整流的DC电力的第一和第二DC输出端；

升压转换器，该升压转换器从所述整流器接收所述整流的DC电力并且提供第一DC输出，所述升压转换器包括：

电感，该电感具有与所述整流器的第一DC输出端耦合的第一端，以及第二端，

二极管，该二极管具有与所述电感的第二端耦合的阳极，以及阴极，

总线电容，该总线电容具有与所述二极管的阴极耦合的第一端以及耦合于电路接地节点的第二端，以及

双向可控硅兼容性电路，其包括：

开关装置，该开关装置耦合于所述二极管的阳极与电路接地节点之间，并且包括控制端，所述开关装置操作成根据在所述控制端处接收的信号选择性地使所述二极管的阳极与所述电路接地节点电耦合或使所述二极管的阳极从所述电路接地节点断开，

驱动器电路，其包括耦合于所述电路接地节点与所述整流器的第二DC输出端之间的感测电阻器来感测在所述开关装置中流动的电流，所述驱动器电路操作成至少部分基于跨所述感测电阻器的电压来向所述开关装置的控制端提供开关控制信号以独立于所述整流器的AC输入端处的舍相而在所述升压转换器中提供调节的电流，和

过压保护电路，该过压保护电路操作地与所述驱动器电路耦合以选择性地调整所述升压转换器中的电流来限制跨所述总线电容的电压；以及

DC到DC转换器电路，该DC到DC转换器电路中的DC输入端与所述总线电容的第一和第二端耦合，并且该DC到DC转换器电路中的DC输出端提供第二DC输出以直接或间接地向至少一个光源提供电力。

19.如权利要求18所述的电路，其中，所述过压保护电路包括：

齐纳二极管，该齐纳二极管具有耦合于所述总线电容的第一端的阴极，以及阳极；和

电阻器，该电阻器耦合于所述齐纳二极管的阳极与所述驱动器电路的开关控制端之间来提供来自所述齐纳二极管的信号以至少部分基于跨所述总线电容的电压来选择性调整所述升压转换器中的电流。