CN110993507B - 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法 - Google Patents

一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110993507B
CN110993507B CN201911153346.4A CN201911153346A CN110993507B CN 110993507 B CN110993507 B CN 110993507B CN 201911153346 A CN201911153346 A CN 201911153346A CN 110993507 B CN110993507 B CN 110993507B
Authority
CN
China
Prior art keywords
edge
copper foil
short
notch
mother board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911153346.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110993507A (zh
Inventor
周轶靓
贺贤汉
戴洪兴
王斌
阳强俊
陈天华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu fulehua Semiconductor Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Jiangsu Fulede Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Fulede Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Jiangsu Fulede Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN201911153346.4A priority Critical patent/CN110993507B/zh
Publication of CN110993507A publication Critical patent/CN110993507A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110993507B publication Critical patent/CN110993507B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/4807Ceramic parts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape

Abstract

本发明公开了一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:具体步骤如下:对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后,正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边,正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边,中间部位形成有多个图形单元;所述短铜箔工艺边上于面向图形单元一边上开多个缺口;通过在母板短铜箔工艺边上设计缺口,减少短铜箔工艺边与陶瓷的接触面积,使母板烧结应力释放,从而使母板原有的翘曲减小,满足产品使用要求。

Description

一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法
技术领域
本发明属于半导体制造、LED、光通讯领域,具体涉及一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,特别适用于半导体制冷器、LED、功率半导体等DBC基板制造。
背景技术
覆铜陶瓷基板(DBC基板)烧结时由于铜箔与陶瓷热膨胀系数不同及烧结治具的缘故,烧结后母板(烧结之前铜箔和陶瓷是分开的,烧结后铜箔和陶瓷完成结合,称之为母板)的翘曲向短边方向变形会很大,见图1。而腐蚀以后尽管非图形部分的铜箔被蚀刻掉,母板翘曲会有所缩小,但由于母板边缘有防止陶瓷边缘破损及母板断裂的铜箔工艺边存在(见图2),会阻挡母板蚀刻后烧结应力的进一步释放即翘曲的减小。
铜箔与陶瓷烧结的顺序为;先将陶瓷板放在烧结炉传送带上,再将第一面铜箔放在陶瓷板进行第一次烧结,烧结完成后将烧结品翻180度仍放在烧结炉传送带上(烧结品下面要放垫片,防止已烧结在陶瓷板上的第一面铜箔与烧结炉传送带烧结在一起),再将第二面铜箔放在陶瓷板进行第二次烧结,第二次烧结完成后的产品可称之为母板。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,通过在母板短铜箔工艺边上设计缺口,减少短铜箔工艺边与陶瓷的接触面积,使母板烧结应力释放,从而使母板原有的翘曲减小,满足产品使用要求。
本发明的技术方案是:一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,具体步骤如下:对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后,正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边,正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边,中间部位形成有多个图形单元;
所述短铜箔工艺边上于面向图形单元一边上开多个缺口。
进一步的,所述缺口开在如下位置:图形单元与长铜箔工艺边之间的间隙纵向对应处,相邻图形单元之间的间隙纵向对应处。
进一步的,若所述图形单元内部开有间隙,则该图形单元纵向对应的短铜箔工艺边上开缺口。
进一步的,所述缺口为半圆形,半圆形缺口半径R≤4mm。
进一步的,所述缺口为拱形,拱形缺口宽度b≤3mm,长度L≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
进一步的,所述缺口为梯形,梯形缺口顶边宽度b≤3mm,底边宽度d≤3b,高度h≤a/3,a为短工艺边宽度。
进一步的,所述缺口为T形,T形缺口宽度b≤3mm,长度L≤3b,高度h≤a/3,a为短工艺边宽度。
本发明的有益效果是:
1、在母板短铜箔工艺边上设计缺口,通过开缺口减少短铜箔工艺边与陶瓷的接触面积,从而减少陶瓷与铜箔的烧结应力,使蚀刻后的母板翘曲减小(现有的母板工艺边都为整体设计无缺口,而短工艺边上开缺口,可使翘曲减少30%以上)。
2、后道封装工艺要求母板平整或即使有翘曲必须在母板短边方向,而缺口开在母板短工艺边上,可使得母板沿着每个缺口纵向方向的铜箔尽量减少,从而使母板烧结后向短边方向的翘曲(母板短边下凹)在蚀刻以后得到减小,满足后道工艺对母板的翘曲要求。
附图说明
图1为烧结后母板翘曲向短边方向变形的结构示意图;
图2为母板边缘有防止陶瓷边缘破损及母板断裂的铜箔工艺边的结构示意图;
图3为半圆形缺口的母板结构示意图;
图4为拱形缺口的母板结构示意图;
图5为梯形缺口的母板结构示意图;
图6为T形缺口的母板结构示意图。
其中:1为铜箔,2为陶瓷板,3为短边方向,4为长边方向,5为短铜箔工艺边,6为长铜箔工艺边。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,具体步骤如下:对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后,正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边,正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边,中间部位形成有多个图形单元。所述短铜箔工艺边上于面向图形单元一边上开多个缺口。
所述缺口开在如下位置:图形单元与长铜箔工艺边之间的间隙纵向对应处,相邻图形单元之间的间隙纵向对应处。若所述图形单元内部如图3所示开有间隙,则该图形单元纵向对应的短铜箔工艺边上开缺口。
缺口可开成半圆形、拱形、梯形、T形形状。
(1)缺口为半圆形,半径R≤4mm。见图3
(2)缺口为拱形,拱形宽度b≤3mm,长度L≤a/3,a为短工艺边宽度。见图4
(3)缺口为梯形,梯形顶边宽度b≤3mm,底边宽度d≤3b,高度h≤a/3,a为短工艺边宽度。见图5
(4)缺口为T形,T形宽度b≤3mm,长度L≤3b,高度h≤a/3,a为短工艺边宽度。见图6。
通过以上在短工艺边上开不同形状的缺口,可减少短工艺边与陶瓷的接触面积,从而减少母板在短边方向的翘曲,可使翘曲减少30%以上,满足产品使用要求。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:具体步骤如下:对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后,正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边,正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边,中间部位形成有多个图形单元;
所述短铜箔工艺边上于面向图形单元一边上开多个缺口;所述多个缺口分别纵向对应图形单位与长铜箔工艺边之间的间隙、相邻图形单元之间的间隙和图形单位内部开设的纵向间隙。
2.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为半圆形,半圆形缺口半径R≤4mm。
3.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为拱形,拱形缺口宽度b≤3mm,长度L≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
4.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为梯形,梯形缺口顶边宽度b≤3mm,底边宽度d≤3b,高度h≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
5.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为T形,T形缺口宽度b≤3mm,长度L≤3b,高度h≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
CN201911153346.4A 2019-11-22 2019-11-22 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法 Active CN110993507B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911153346.4A CN110993507B (zh) 2019-11-22 2019-11-22 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911153346.4A CN110993507B (zh) 2019-11-22 2019-11-22 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110993507A CN110993507A (zh) 2020-04-10
CN110993507B true CN110993507B (zh) 2021-05-25

Family

ID=70085773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911153346.4A Active CN110993507B (zh) 2019-11-22 2019-11-22 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110993507B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112652541B (zh) * 2020-12-21 2022-07-29 上海富乐华半导体科技有限公司 一种改善amb基板翘曲的方法
CN114478044B (zh) * 2021-12-26 2023-01-06 南通威斯派尔半导体技术有限公司 一种改善覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法
CN116813388B (zh) * 2023-07-07 2023-12-26 四川富乐华半导体科技有限公司 一种使陶瓷金属化方法制作的烧结治具

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1089334B1 (en) * 1999-09-28 2011-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic circuit board
CN203277345U (zh) * 2013-04-28 2013-11-06 无锡华润安盛科技有限公司 一种dbc板封装用定位治具
CN104051278A (zh) * 2014-02-18 2014-09-17 无锡江南计算技术研究所 Dbc陶瓷基板的成型铣切方法
CN106898583A (zh) * 2015-12-18 2017-06-27 上海申和热磁电子有限公司 一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板
CN110379793A (zh) * 2019-07-08 2019-10-25 上海申和热磁电子有限公司 一种覆铜陶瓷基板母板结构

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8018056B2 (en) * 2005-12-21 2011-09-13 International Rectifier Corporation Package for high power density devices
US7619302B2 (en) * 2006-05-23 2009-11-17 International Rectifier Corporation Highly efficient both-side-cooled discrete power package, especially basic element for innovative power modules
CN105489713A (zh) * 2015-04-10 2016-04-13 郭垣成 一种无介质敷铜沉金的led封装用的陶瓷基板的制作工艺
JP7031172B2 (ja) * 2017-08-24 2022-03-08 富士電機株式会社 半導体装置
CN110099507B (zh) * 2019-05-29 2022-04-05 广东依顿电子科技股份有限公司 厚铜线路板及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1089334B1 (en) * 1999-09-28 2011-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Ceramic circuit board
CN203277345U (zh) * 2013-04-28 2013-11-06 无锡华润安盛科技有限公司 一种dbc板封装用定位治具
CN104051278A (zh) * 2014-02-18 2014-09-17 无锡江南计算技术研究所 Dbc陶瓷基板的成型铣切方法
CN106898583A (zh) * 2015-12-18 2017-06-27 上海申和热磁电子有限公司 一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板
CN110379793A (zh) * 2019-07-08 2019-10-25 上海申和热磁电子有限公司 一种覆铜陶瓷基板母板结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN110993507A (zh) 2020-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110993507B (zh) 一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法
CN112652541B (zh) 一种改善amb基板翘曲的方法
WO2011111989A2 (ko) 금속접합 세라믹기판
KR100601988B1 (ko) 웨이퍼 가열 장비
EP3041047B1 (en) Metallization for preventing substrate warpage
JP2000042642A (ja) 金属板への凹陥部の形成法
JP2006321610A (ja) 搬送装置
US11676882B2 (en) Method of manufacturing power module substrate board and ceramic-copper bonded body
KR20120096345A (ko) 인쇄회로기판의 휨 제어방법
CN108428674B (zh) 复衬底及其制造方法
JP2002057413A (ja) セラミックス基板及びその製造方法
WO2003012832A3 (en) Multiple epitaxial region substrate and technique for making the same
CN116180079B (zh) 一种解决覆铜陶瓷载板高温下瓷片裂纹的方法
JP3712520B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
KR101216164B1 (ko) 회로기판 및 그 제조방법
KR101118855B1 (ko) 단위기판
CN102064137A (zh) 具有金属边框的半导体结构
CN114792644A (zh) 一种晶圆放置的方法
CN111710611A (zh) 一种减少覆铜陶瓷基板中心区域断裂的方法
KR19980068062U (ko) 뒤틀림을 방지한 인쇄회로기판
JP2005289679A (ja) 熱処理用治具
JP5614350B2 (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス基板
JP2005174669A (ja) セッターガラス、位置決めピン及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
CN117750631A (zh) 一种dcb基板边距设计的方法
KR100237179B1 (ko) 다중칩모듈 세라믹 기판 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20201117

Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Applicant after: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 200444 Baoshan District, Baoshan City Industrial Park Road, No., Hill Road, No. 181

Applicant before: SHANGHAI SHENHE THERMO-MAGNETICS ELECTRONICS Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu fulehua Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Address before: 224200 No. 18 Hongda Road, Chengdong New District, Dongtai City, Yancheng City, Jiangsu Province

Patentee before: JIANGSU FULEDE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder